CN201725927U - 一种gis用大电流导体连接结构 - Google Patents

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勾国营
周叶青
夏英毅
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Abstract

本实用新型公开了一种GIS用大电流导体连接结构，包括圆筒形的筒体和筒体中心安装的盆式绝缘支撑体，所述盆式绝缘支撑体中心安装固定导体，固定导体两端活动链接有活动导体，活动导体靠近盆式绝缘支撑体的部位为小直径，其余部位为大直径。本实用新型大电流导体连接结构，在不改变盆式支撑体尺寸的情况下，活动导体采用变径结构，既满足了大电流要求，质量小，现场安装方便，还降低制造成本。

Description

一种GIS用大电流导体连接结构
技术领域
本实用新型涉及一种GIS(气体绝缘全封闭组合电器)设备，尤其涉及GIS设备用的大电流导体连接结构。
背景技术
目前，随着高电压技术的不断进步，对GIS提出更高的要求。GIS产品在各个电压等级向大容量、小型化的方向发展。部分电网公司对252kV GIS产品提出更高要求，要求满足额定电流5000A及更高(传统的252kV GIS最高额定电流为4000A)。
目前GIS设计中提高额定电流常用的方法有两种：
第一种方案：改变原有产品结构尺寸，增大筒体、导体截面积，内部绝缘尺寸相应增大，满足大电流要求；但是此种方案GIS的外形尺寸变化较大，材料、绝缘成本增加很多，与小型化的方向背离；
第二种方案：维持原有产品结构尺寸不变，筒体、导体截面不变，导体材料变更为高电导率材料，满足大电流时的温升要求。但是此种方案导体材料变更采用高导电率材料，稀有金属用量大，制造成本增加较多，导体质量较大，工厂、现场安装困难。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种大电流导体连接结构，满足大电流要求，质量小且安装方便。
本实用新型采用下述技术方案：一种GIS用大电流导体连接结构，包括圆筒形的筒体和筒体中心安装的盆式绝缘支撑体，所述盆式绝缘支撑体中心安装固定导体，固定导体两端活动链接有活动导体，活动导体靠近盆式绝缘支撑体的部位为小直径，其余部位为大直径。
小直径的长度为筒体直径长度与大直径长度的差值与系数的乘积，其中系数为0.5～1。
盆式绝缘支撑体中心部位设有金属嵌件，金属嵌件中心为通孔结构，固定导体与金属嵌件穿套固定。
活动导体与固定导体通过梅花触指结构连接。
所述固定导体为高电导率材料，活动导体为低电导率材料。
本实用新型大电流导体连接结构，在不改变盆式支撑体尺寸的情况下，活动导体采用变径结构，既满足了大电流要求，质量小，现场安装方便，还降低制造成本。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
如图1所示，本实用新型GIS用大电流导体连接结构，包括筒体1、盆式绝缘支撑体2，盆式绝缘支撑体2通过与筒体1上设置的端面法兰与筒体1固定；盆式绝缘支撑体2为盆状绝缘材料浇注物，浇注物中心部位有金属嵌件5，金属嵌件5中心为通孔结构，固定导体4与金属嵌件5穿套固定，固定导体4由高电导率材料制成；固定导体4两端均为活动导体3，活动导体3通过梅花型触指结构与固定导体4实现活动连接，活动导体3采用变径结构设计，靠近盆式绝缘支撑体2部位的导体直径小，远离盆式绝缘支撑体2部位的导体直径大，活动导体3采用导电率稍低的材料制作。
如图1所示，靠近盆式绝缘支撑体2部位两侧，活动导体3直径小，活动导体3与盆式绝缘支撑体沿面间的距离h较大，主要目的是保证活动导体3与盆式绝缘支撑体沿面的距离h满足高电压绝缘强度要求。远离盆式绝缘支撑部位的活动导体3直径d大，由于此部位仅有活动导体3和筒体1，为同轴圆柱电场结构，绝缘要求容易满足，活动导体3直径d的设计以满足大电流温升为选取原则。活动导体3中小直径的长度L需要严格计算，L太小，则活动导体3与盆式绝缘支撑体2的沿面距离h不能满足高电压绝缘要求；L太大，则小直径导体段的温升很高，活动导体3的活动连接部温升超过国家标准要求，并影响盆式绝缘支撑体2，造成盆式绝缘支撑体2温升过高，绝缘劣化，绝缘寿命降低，继而产品性能降低。活动导体3中小直径导体的长度：L＝(D-d)×K(D：筒体内径；d：活动导体3大直径；K：系数，取0.5～1之间)。

Claims (5)

1.一种GIS用大电流导体连接结构，包括圆筒形的筒体和筒体中心安装的盆式绝缘支撑体，其特征在于：所述盆式绝缘支撑体中心安装固定导体，固定导体两端活动链接有活动导体，活动导体靠近盆式绝缘支撑体的部位为小直径，其余部位为大直径。
2.根据权利要求1所述的GIS用大电流导体连接结构，其特征在于：小直径的长度为筒体直径长度与大直径长度的差值与系数的乘积，其中系数为0.5～1。
3.根据权利要求2所述的GIS用大电流导体连接结构，其特征在于：盆式绝缘支撑体中心部位设有金属嵌件，金属嵌件中心为通孔结构，固定导体与金属嵌件穿套固定。
4.根据权利要求3所述的GIS用大电流导体连接结构，其特征在于：活动导体与固定导体通过梅花触指结构连接。
5.根据权利要求1至3任一所述所述的GIS用大电流导体连接结构，其特征在于：所述固定导体为高电导率材料，活动导体为低电导率材料。
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