CN201656769U - 用于半导体特性图示仪的集电极电源 - Google Patents
用于半导体特性图示仪的集电极电源 Download PDFInfo
- Publication number
- CN201656769U CN201656769U CN2010201529471U CN201020152947U CN201656769U CN 201656769 U CN201656769 U CN 201656769U CN 2010201529471 U CN2010201529471 U CN 2010201529471U CN 201020152947 U CN201020152947 U CN 201020152947U CN 201656769 U CN201656769 U CN 201656769U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- collector
- control switch
- capacitor
- supply
- resistance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Abstract
一种脉冲电源技术领域的用于半导体特性图示仪的集电极电源，包括：电容器(C1)、程控电源(U1)、第一充电控制开关(V1)、第二充电控制开关(V2)、功耗限制电阻(R1)和集电极电流取样电阻(R2)，程控电源(U1)的正极与第一充电控制开关(V1)的输入端相连接，第一充电控制开关(V1)的输出端分别与电容器(C1)的正极以及第二充电控制开关(V2)的输入端相连接，第二充电控制开关(V2)的输出端依次与功耗限制电阻(R1)、集电极电流取样电阻(R2)以及待测半导体管(V)的集电极相串联，程控电源(U1)的负极分别与电容器(C1)的负极以及待测半导体管(V)的发射极相连接。本实用新型结构简单，电路发热量小。
Description
技术领域
本实用新型涉及的是一种脉冲电源技术领域的装置，具体是一种输出电流大于400安培的用于半导体特性图示仪的集电极电源。
背景技术
大功率器件如大功率二极管、达林顿晶体管、晶闸管和可关断晶闸管(SCR和GTO)电力晶体管(GTR)、静电感应晶体管(SIT)功率场效应管(VMOSFET)以及绝缘栅双极晶体管(IGBT)等，这些器件被广泛用于电子装备中，如雷达发射和伺服系统、变频调速系统。雷达、高功率激光、微波高能系统等离子体及大功率不间断直流电源、发射机及电子对抗系统，几乎无例外地均采用了这类新器件。这些器件的测试多需要大电流半导体特性图示仪，测量大功率半导体器件的各种特性曲线和静态参数。目前国内大功率半导体管特性图示仪研发和生产的瓶颈在于大功率集电极电源。
传统的集电极扫描取之于工频电源，靠电源变压器变换获得，在一般的情况下应该说没有多大问题，仅体积大小而已。然而电流升到很大时就无法实现，如400A的集电极电流以10V来算其最大功率要达4000W。就不能用传统的方法实现，无论从仪器的体积、功耗、整机重量、成本将带来很大问题。
所以要摒弃工频电源变压器变换获得的方法，采用电容充放电来解决问题。运用了能量储存和释放，即在非测试期间进行低速能量存储，在测量期间将储存的能量高速释放，从而获得瞬间巨大的电流脉冲。以多化一点时间充电，少一点时间放电，这时能量就得到了储存，这是时间与能量的转换。
实用新型内容
本实用新型针对现有技术存在的上述不足，提供一种用于半导体特性图示仪的集电极电源，放电时间只有250uS，减少了被测器件的发热现象，以创造出优越的测试环境。
本实用新型是通过以下技术方案实现的，本实用新型包括：电容器、程控电源、两个充电控制开关、功耗限制电阻和集电极电流取样电阻，其中：程控电源的正极与第一充电控制开关的输入端相连接，第一充电控制开关的输出端分别与电容器的正极以及第二充电控制开关的输入端相连接，第二充电控制开关的输出端依次与功耗限制电阻、集电极电流取样电阻以及待测半导体管的集电极相串联，程控电源的负极分别与电容器的负极以及待测半导体管的发射极相连接。
当电容器充电满后测试开始，此时第一控制开关截止，第二控制开关受控制信号激励而进入导通，电容器上积累的电荷经第二控制开关、功耗限制电阻、集电极电流取样电阻串加在待测半导体管的回路中，由于测试时间仅250us，短时间内电容器释放出的电流能达到很大的数值，成为了一个受控的大功率脉冲电源，当一次放电后，第二控制开关截止，第一控制开关导通，电容器又重新充电，进入下一次放电准备。
本单元可得的最大集电极电流可达400A，在6V时被测器件将承受2400W的功率，本单元中最大特点是测量是采用脉冲方式。运用了低占空比脉冲测试技术，这样即使在大功率状态下，被测器件上施加的平均功率也很小。便于器件特性的分析和器件的挑选，又降低了器件或仪器的功耗，使被测器件在大功率测试时受到保护，不致受损，也可使仪器变得轻巧。
附图说明
图1是本实用新型的电线路图。
具体实施方式
下面对本实用新型的实施例作详细说明，本实施例在以本实用新型技术方案为前提下进行实施，给出了详细的实施方式和具体的操作过程，但本实用新型的保护范围不限于下述的实施例。
如图1所示，本实施例包括：电容器C1、程控电源U1、两个充电控制开关V1、V2、功耗限制电阻R1和集电极电流取样电阻R2，其中：程控电源U1的正极与第一充电控制开关V1的输入端相连接，第一充电控制开关V1的输出端分别与电容器C1的正极以及第二充电控制开关V2的输入端相连接，第二充电控制开关V2的输出端依次与功耗限制电阻R1、集电极电流取样电阻R2以及待测半导体管V的集电极相串联，程控电源U1的负极分别与电容器C1的负极以及待测半导体管V的发射极相连接。
本实施例中，电容器C1、程控电源U1、两个充电控制开关V1、V2、功耗限制电阻R1和集电极电流取样电阻R2具体通过以下元器件得以实现：
所述的电容器C1为储能电容器，具体两个并联的33000uF电容，其耐压＞80V；
所述的程控电源U1为可程控的电容器充电电源，输出电压为DC 60V；
所述的两个充电控制开关V1、V2分别为功率MOS管型充电开关管和功率MOS管型放电开关管，其器件电流＞400A；
所述的功耗限制电阻R1为限止集电极电流的串联电阻，其阻值为0～10Ω；
所述的集电极电流取样电阻R2为集电极取样电阻，其阻值为0.01Ω；
当C1充电满以后，测试开始，此时V1截止，V2受控制信号激励而进入导通，电容C1上积累的电荷经控制管V2、R1(功耗限制电阻)、R2(集电极电流取样电阻)串加在被测半导体管回路中，由于测试时间很短，仅250us，短时间内电容C1释放出的电流能达到很大的数值，成为了一个受控的大功率脉冲电源，当一次放电后，V2截止，V1导通，C1又重新充电，进入下一次放电准备。
Claims (8)
1.一种用于半导体特性图示仪的集电极电源，其特征在于，包括：电容器(C1)、程控电源(U1)、第一充电控制开关(V1)、第二充电控制开关(V2)、功耗限制电阻(R1)和集电极电流取样电阻(R2)，其中：程控电源(U1)的正极与第一充电控制开关(V1)的输入端相连接，第一充电控制开关(V1)的输出端分别与电容器(C1)的正极以及第二充电控制开关(V2)的输入端相连接，第二充电控制开关(V2)的输出端依次与功耗限制电阻(R1)、集电极电流取样电阻(R2)以及待测半导体管(V)的集电极相串联，程控电源(U1)的负极分别与电容器(C1)的负极以及待测半导体管(V)的发射极相连接。
2.根据权利要求1所述的用于半导体特性图示仪的集电极电源，其特征是，所述的电容器(C1)为储能电容器。
3.根据权利要求2所述的用于半导体特性图示仪的集电极电源，其特征是，所述的电容器(C1)为两个并联的33000uF电容，其耐压＞80V；
4.根据权利要求1所述的用于半导体特性图示仪的集电极电源，其特征是，所述的程控电源(U1)为可程控的电容器充电电源，输出电压为直流60V。
5.根据权利要求1所述的用于半导体特性图示仪的集电极电源，其特征是，所述的第一充电控制开关(V1)为功率MOS管型充电开关管。
6.根据权利要求1所述的用于半导体特性图示仪的集电极电源，其特征是，所述的第二充电控制开关(V2)为功率MOS管型放电开关管。
7.根据权利要求1所述的用于半导体特性图示仪的集电极电源，其特征是，所述的功耗限制电阻(R1)为限止集电极电流的串联电阻，其阻值为0～10Ω。
8.根据权利要求1所述的用于半导体特性图示仪的集电极电源，其特征是，所述的集电极电流取样电阻R2为集电极取样电阻，其阻值为0.01Ω。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010201529471U CN201656769U (zh) | 2010-04-08 | 2010-04-08 | 用于半导体特性图示仪的集电极电源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010201529471U CN201656769U (zh) | 2010-04-08 | 2010-04-08 | 用于半导体特性图示仪的集电极电源 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN201656769U true CN201656769U (zh) | 2010-11-24 |
Family
ID=43121999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2010201529471U Expired - Fee Related CN201656769U (zh) | 2010-04-08 | 2010-04-08 | 用于半导体特性图示仪的集电极电源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN201656769U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103592589A (zh) * | 2013-10-30 | 2014-02-19 | 江苏绿扬电子仪器集团有限公司 | 数字式存储半导体管特性图示仪测试系统 |
| CN113031685A (zh) * | 2021-03-01 | 2021-06-25 | 绍兴文理学院 | 一种用于微功耗设备的平均功耗测试装置 |
-
2010
- 2010-04-08 CN CN2010201529471U patent/CN201656769U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103592589A (zh) * | 2013-10-30 | 2014-02-19 | 江苏绿扬电子仪器集团有限公司 | 数字式存储半导体管特性图示仪测试系统 |
| CN113031685A (zh) * | 2021-03-01 | 2021-06-25 | 绍兴文理学院 | 一种用于微功耗设备的平均功耗测试装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109374996B (zh) | 一种飞跨电容三电平dcdc功率组件的双脉冲测试电路及方法 | |
| CN101937035B (zh) | 电力电子元件测量装置 | |
| CN101762778B (zh) | 一种功率模块测试系统及其测试方法 | |
| CN106300545B (zh) | 一种用于液态金属电池的主动均衡控制装置及控制方法 | |
| CN102315763B (zh) | 一种具有软关断功能的智能功率模块 | |
| CN101672931A (zh) | 感性负载的单极性梯形脉冲电流控制方法及装置 | |
| CN100501433C (zh) | 大功率半导体管测试方法及装置 | |
| CN201167241Y (zh) | 一种智能充电机控制的正负脉冲充放电电路 | |
| CN103018663A (zh) | 一种柔性直流输电mmc阀的过电流关断试验方法及系统 | |
| CN201656769U (zh) | 用于半导体特性图示仪的集电极电源 | |
| CN203707860U (zh) | 一种三相高频逆变脉冲式动力电池组的充电装置 | |
| CN108429308A (zh) | 单电容集中式均衡器拓扑及其均衡方法 | |
| CN113009308B (zh) | 一种mmc用功率半导体器件可靠性试验装置及方法 | |
| CN203658532U (zh) | 一种功率单板上的开关管测试电路 | |
| CN103280816B (zh) | 一种基于非线性取样的晶闸管过零触发装置 | |
| CN106376104B (zh) | 电池自放电加热电路 | |
| CN107478730A (zh) | 一种电感式非金属超声波发射系统 | |
| CN204517693U (zh) | 一种适用于中点钳位直流母线的串联双反激准谐振变换器 | |
| CN202533494U (zh) | 一种高精度峰值检测器 | |
| CN111948552B (zh) | 一种用于电池测试的脉冲电流生成方法 | |
| CN202931191U (zh) | 蓄电池脉冲充放电电源 | |
| CN207884335U (zh) | 单电容集中式均衡器拓扑 | |
| CN203481903U (zh) | 一种大功率动力电池组的充电装置 | |
| CN206311704U (zh) | 一种可调高压脉冲式电池极板绝缘性能检测系统 | |
| CN104281191A (zh) | 一种光伏电池mppt系统 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20101124 Termination date: 20120408 |