CN201590990U - 一种电磁屏蔽罩及电子设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种电子设备，包括电路板，以及设置于该电路板上的电路，还包括对所述电路进行电磁屏蔽的屏蔽罩，至少所述屏蔽罩的顶壁设有间隙，该间隙正投影至所述电路板的位置间隔所述电路中的干扰源和被干扰目标。本实用新型中，由于在屏蔽罩内的干扰源和被干扰目标之间设置了间隙，使得该间隙的正投影位于所述干扰源和所述被干扰目标之间，从而极大的降低了干扰源通过所述屏蔽罩的顶壁传播的高频谐波对所述被干扰目标的造成的影响，相对于设置吸波材料的方式，大大的降低了成本，也保证了电子设备的传导灵敏度要求。本实用新型还公开了一种电磁屏蔽罩。

Description

一种电磁屏蔽罩及电子设备

技术领域

本实用新型涉及电磁干扰领域，尤其涉及一种电磁屏蔽罩及电子设备。

背景技术

在手机内部都会不同程度的使用金属屏蔽罩，目的是保护重要的电路不受外界或者其它单元的电路的干扰。所以一般要求手机的印制电路板(PCB)设计按不同功能分区，然后各自用屏蔽罩保护起来，避免相互干扰。

由于技术的不断发展，手机芯片的集成度越来越高，以往相互独立的射频收发芯片、基带处理芯片、电源管理芯片现在都集成到一个芯片中，同时从成本角度考虑，整个芯片和外围电路一般会考虑放到一个屏蔽罩中去。这样屏蔽罩内部的EMI(Electro Magnetic Interference)电磁干扰就成了亟待解决的问题。

这类EMI干扰的一个重要来源就是存储器。目前手机上应用的存储器读写速率最高的能达到300MHz以上，其时钟线和数据线上高速信号辐射出的高频电流分量，可在屏蔽罩内通过传导、反射形成很强的EMI辐射干扰，从而使手机的传导灵敏度剧烈下降。

从另一个角度看，手机的射频接收机前端一般也比较脆弱，在处理较弱信号时(比如-100dBm的信号电平)容易受到这类EMI的干扰。

传统的处理方式一般会使用吸波材料，通常有两种途径。一是找到产生EMI干扰的源头，在源头上贴附吸波材料以削弱辐射干扰信号的强度；二是用吸波材料贴附在受保护单元的上方，减弱干扰对其影响。这种处理方式最大的缺点就是成本问题，通常来说0.3mm厚度的吸波材料，其每平米单价大概在2000元左右，这折算到单机成本是相当昂贵的。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于提出一种低成本的防止屏蔽罩内部电磁干扰的方式。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种电子设备，包括电路板，以及设置于该电路板上的电路，还包括对所述电路进行电磁屏蔽的屏蔽罩，至少所述屏蔽罩的顶壁设有间隙，该间隙正投影至所述电路板的位置间隔所述电路中的干扰源和被干扰目标。

其中，所述间隙的宽度为0～1mm。

其中，所述间隙在其开口方向上完全切割所述屏蔽罩的顶壁；或者，以大于所述被干扰目标在所述开口方向上的一边长度切割所述屏蔽罩的顶壁；或者，所述间隙沿所述被干扰目标朝向所述干扰源方向的两个相交边设置。。

其中，所述间隙沿着所述屏蔽罩的侧壁向所述电路板延伸。

其中，该电子设备为移动终端，所述电路包括处理器、射频电路、存储器、射频前端电路；所述干扰源为所述处理器和存储器，所述被干扰目标为射频前端电路。

相应的，本实用新型还提供一种电磁屏蔽罩，包括顶壁及侧壁，至少所述顶壁上设有间隙。

其中，所述间隙至少部分切割所述顶壁。

其中，所述间隙沿着所述屏蔽罩的侧壁向下延伸。

其中，所述间隙的宽度为0～1mm。

其中，所述间隙的宽度不等。

本实用新型中，由于在屏蔽罩内的干扰源和被干扰目标之间设置了间隙，使得该间隙的正投影位于所述干扰源和所述被干扰目标之间，从而极大的降低了干扰源通过所述屏蔽罩的顶壁传播的高频谐波对所述被干扰目标的造成的影响，相对于设置吸波材料的方式，大大的降低了成本，也保证了电子设备的传导灵敏度要求。

附图说明

图1是移动终端的接收通路的一个实施例的结构示意图；

图2是基于图1所示实施例的移动终端的电路板的一个实施例剖视示意图；

图3是基于图1所示实施例的移动终端的电路板的另一实施例俯视示意图；

图4是图3所示实施例的移动终端的电路板的剖视示意图；

图5是基于图1所示实施例的移动终端的电路板的再一实施例俯视示意图；

图6是图5所示移动终端的电路板的剖视示意图；

图7是图4与图5所示实施例的方案传导灵敏度的实验数据对比表；

图8是本实用新型一种屏蔽罩的一个实施例的结构示意图；

图9是本实用新型一种屏蔽罩的第二实施例的俯视图；

图10是本实用新型一种屏蔽罩的第三实施例的俯视图；

图11是本实用新型一种屏蔽罩的第四实施例的俯视图。

具体实施方式

首先，简要阐述本实用新型的原理。本实用新型中，鉴于干扰源会通过屏蔽罩传播高频谐波至被干扰目标，故将该通路全部或部分切断，在所述干扰源与所述被干扰目标之间的至少顶壁上设置了间隙。

下面结合附图对本实用新型进行详细阐述。

参考图1，图示了移动终端的接收通路的一个实施例的结构示意图。如图所示，包括天线、双工器11、LNA(Low Noise Amplifier，低噪声放大器)13、LNA输入匹配电路12、射频接收机14、基带处理器15、存储器16。

其中，所述天线耦合空间无线信号，该信号经过双工器11的切换，输入至LNA输入匹配电路12，再由所述LNA13对耦合到的信号进行放大，放大后输出至所述射频接收机14。该射频接收机14对所述放大后的信号进行解调后，输出至所述基带处理器15进行解码，并且在解码过程中与所述存储器16之间交互数据。

其中，LNA输入匹配电路12和LNA 13通常被称为射频前端电路，也就是图中虚线框123所示。由于所述射频前端电路123的信号强度较弱，通常也比较容易受到干扰。

存储器16和基带处理器15之间的数据交互中，由于其数据传输速率能达到几百兆，因而所述存储器16、存储器16与基带处理器15之间的线路及所述基带处理器15的输入端通常会产生高频的电磁干扰，对所述射频前端电路123造成影响。

上面仅阐述了自双工器11至接收端方向的接收通路，对于来自发射端的发射通路省略不述。

参考图2，图示了基于图1所示实施例的移动终端的电路板的一个实施例剖视示意图。如图所示，其示出了所述存储器16、存储器16与基带处理器15之间的线路及所述基带处理器15的输入端所产生的高频谐波电磁干扰的传播路径。

其中，包括PCB板100(也就是电路板)，设置于该PCB板上的射频前端电路123、存储器16及基带处理器15，以及罩于所述射频前端电路123、存储器16及基带处理器15之上的屏蔽罩120。

图中黑色箭头所示即为高频谐波的传输路径，可见其通过屏蔽罩120到达所述射频前端电路123，从而对所述射频前端电路123造成干扰。

参考图3，图示了基于图1所示实施例的移动终端的电路板的另一实施例俯视示意图。同时参考图4，如图所示，图中黑粗实线所示即为屏蔽罩120，其中包含着双工器11、射频前端电路123、存储器16、射频接收机14、基带处理器15。并且，从图中还可以看出为了防止存储器16所产生的电磁干扰，其周边单独设置了屏蔽立板以形成子屏蔽空间。但是，尽管如此，作为干扰源其产生的高频谐波仍然可以按照图4中黑箭头所示的路径传输至所述射频前端电路123。为此，现有技术中，如图4所示，在所述射频前端电路123的上方靠近所述屏蔽罩的顶壁处设置了吸波材料122，这样所述吸波材料122便可以防止所述高频谐波传播至所述射频前端电路123。但是，由于吸波材料的较为昂贵，使得生产成本也较高。

为此，本具体实施方式提出了图5所示实施例的方案。

参考图5，图示了基于图1所示实施例的移动终端的电路板的再一实施例俯视示意图。如图所示，同时参考图6，包括射频前端电路123、存储器16、双工器11、射频接收机14、基带处理器15、屏蔽罩120、屏蔽罩顶壁1200、PCB板100、间隙200、投影位置201。

其中，黑粗实线仍然表示屏蔽罩120，而虚线则表示屏蔽罩顶壁1200；并且，为了更加直观，将屏蔽罩120内部的器件也展示出。对于与图3所示实施例相同的部分不再做重复阐述，下面仅就不同部分进行说明。

与图3所示实施例相比，所述屏蔽罩120的顶壁1200上设置了间隙200，该间隙200在所述PCB板100上的投影位置即为图中标号201所示的横线位置。所述投影位置201位于所述射频前端电路123和所述存储器16之间，也就是在被干扰目标和干扰源之间。这样，图中黑箭头所示的高频谐波的干扰信号则在通过所述屏蔽罩120的顶壁1200传输至所述间隙200后便停止，从而避免了对所述射频前端电路123造成干扰。

可见，本实施例在没有增加成本的情况下，起到了屏蔽屏蔽罩120内部的电磁干扰的效果，大大提高了移动终端内部的信号传导灵敏度。对于这一点，可以参考图7所示表格的实验数据的验证。

图7中列出了所述移动终端工作在高(H)、中(M)、低(L)频信道时，在不同情况下的内部传导灵敏度值。

以L信道为例，其传导灵敏度的理论设计值为-108.5dBm，而由于屏蔽罩内部的电磁干扰，其传导灵敏度的初始值仅为-97dBm。在图3所示方案使用吸波材料的情况下，该传导灵敏度得到了改善，变为-107dBm，基本达到了设计要求。而图5所示方案采用设置间隙的方式后，得到的传导灵敏度则为-108dBm，不仅达到了设计要求，而且效果更佳。同样，在M和H信道也存在类似的情形，不在重复阐述。

可见，通过图7的验证，本实用新型的方案在没有增加成本的前提下，通过设置间隙的方式，不但达到了传统设置吸波材料方案的传导灵敏度值，而且在某些情况下更加优于传统方案。

需要说明的是，图5所示实施例阐述了将所述顶壁完全剖开一条间隙的情况，可以理解当部分剖开时，也可以达到降低电磁干扰的效果，只是效果不如全部剖开的情形。

另外，由于通常所述的高频谐波的大部分是通过顶壁传输的，而在所述屏蔽罩的侧壁仅有较少的传输，因而为了使得电磁屏蔽效果更好，可以在所述屏蔽罩的侧壁也设置间隙。例如，将顶壁的间隙沿着所述侧壁向PCB板延伸，例如图8所示的实施例。由于本领域技术人员完全可以基于上面的描述得到该中情况，因而不在详细说明。

并且，更为重要的是，所述间隙的宽度应保证在0～1mm之间，如果太宽，外界干扰则有可能通过该间隙进入屏蔽罩内部，从而失去了使用屏蔽罩的初衷。

参考图8，图示了本实用新型一种屏蔽罩的一个实施例的结构示意图。如图所示，该屏蔽罩包括了顶壁800，及四周的侧壁，还包括了设置在顶壁和侧壁上的间隙801。

参考图9，图示了本实用新型一种屏蔽罩的第二实施例的俯视图。如图所示，屏蔽罩900包括顶壁905及间隙90。同时，图中还示出了屏蔽罩下的被干扰目标和干扰源的布置，分别为901和903，其中被干扰目标901的朝向干扰源903的一边为边902。

图中可以看出，所述间隙904部分切割所述顶壁905，并且其长度大于所述边902的长度，当然也可以等于其长度。

参考图10，图示了本实用新型一种屏蔽罩的第三实施例的俯视图。如图所示，与图9实施例中相同的标号表示相同的结构，相同部分不再重复阐述，仅就不同部分说明。本实施例中，所述间隙906为L形，包括了两个边；而所述被干扰目标901的朝向干扰源903的两个边902和907，其相交也构成L形，所述间隙906便依该形状设置。

当然，所述被干扰目标901朝向所述干扰源903的两个相交边还可以是边902及与边907相对的一边。

参考图11，图示了本实用新型一种屏蔽罩的第四实施例的俯视图。如图所示，与图10实施例中相同的标号表示相同的结构，相同部分不再重复阐述，仅就不同部分说明。本实施例中，所述间隙908也为L形，包括了两个边；而所述被干扰目标901的朝向干扰源903的两个边902和907，其相交也构成L形，所述间隙908便依该形状设置。本实施例的目的在于，将所述被干扰目标901设置在远离所述干扰源903的位置，并通过将其两相交边对应的顶壁切割实现防电磁干扰。

本实用新型中上述移动终端的实施例的屏蔽罩完全可以采用图8至图11中所示的情况，在此不再进行说明。基于本发明的原理，所述屏蔽罩的间隙的设置的位置只要在所述高频谐波的传输通路上即可，本领域技术人员依此所得到的方案均在本实用新型的保护范围内。

另外，上面仅列举了移动终端的例子，可以预见对于任何电子设备，只要存在屏蔽罩内部的电磁干扰现象，均可应用本实用新型方案。例如，在电视机中、DV、DC中等等，不一一列举。

以上所揭露的仅为本实用新型一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本实用新型之权利范围，因此依本实用新型权利要求所作的等同变化，仍属本实用新型所涵盖的范围。

Claims (10)

1.一种电子设备，包括电路板，以及设置于该电路板上的电路，还包括对所述电路进行电磁屏蔽的屏蔽罩，其特征在于，至少所述屏蔽罩的顶壁设有间隙，该间隙正投影至所述电路板的位置间隔所述电路中的干扰源和被干扰目标。

2.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述间隙的宽度为0～1mm。

3.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述间隙在其开口方向上完全切割所述屏蔽罩的顶壁；或者，以大于所述被干扰目标在所述开口方向上的一边长度切割所述屏蔽罩的顶壁；或者，所述间隙沿所述被干扰目标朝向所述干扰源方向的两个相交边设置。

4.根据权利要求3所述的电子设备，其特征在于，所述间隙沿着所述屏蔽罩的侧壁向所述电路板延伸。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的电子设备，其特征在于，该电子设备为移动终端，所述电路包括处理器、射频电路、存储器、射频前端电路；所述干扰源为所述处理器和存储器，所述被干扰目标为射频前端电路。

6.一种电磁屏蔽罩，包括顶壁及侧壁，其特征在于，至少在所述的顶壁上设有间隙。

7.根据权利要求6所述的电磁屏蔽罩，其特征在于，所述间隙在其开口方向上至少部分切割所述顶壁。

8.根据权利要求7所述的电磁屏蔽罩，其特征在于，所述间隙沿着所述屏蔽罩的侧壁向下延伸。

9.根据权利要求6至8中任一项所述的电磁屏蔽罩，其特征在于，所述间隙的宽度为0～1mm。

10.根据权利要求6至8中任一项所述的电磁屏蔽罩，其特征在于，所述间隙的宽度不等。

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