CN201569380U - 延迟等离子体点火装置 - Google Patents
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Abstract
一种延迟等离子体点火装置，其特征是它由等离子体点火芯片、延迟电路、外护罩组成，其中等离子体点火芯片自下至上依次为硅衬底、绝缘介质膜、桥状多晶硅介质膜、铝电极。通过延迟电路向多晶硅介质膜输入脉冲电流，膜内迅速产生高温并将介质膜内的原子等离子化，产生离子体，利用等离子体本身的高温进行瞬间引爆，点火能量低、作用时间短。延迟电路不仅具有延迟控制作用，还能保护因故障产生的电流与电压冲击，避免点火芯片非正常性引爆，同时利用延迟电路的输出特性进行串、并联控制点火芯片的引爆时间，实现与计算机联线进行远程程序控制。体积小，安全、可靠，无污染，适应于高温、高压等各种环境下使用。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种引爆点火装置，特别是一种延迟等离子体点火装置。
背景技术
目前，如民用电雷管的点火装置中，发火元件是采用在热桥丝上裹覆一层化学试剂，在桥丝中通过大电流对桥丝加热，从而将裹覆在桥丝上面的化学试剂加热引燃。化学试剂层为手工涂覆，难以保证质量，而且反应速度慢，火苗呈球形放射性自由传递，只有少部分火苗能够通过传火孔传递能量，引燃时间过长，在高温、高压环境中容易引爆，安全性差。
发明内容
本实用新型的目的是为了克服现有技术中的上述不足之处，而提供一种体积小，安全、可靠，环境适应能力强的延迟等离子体点火装置。
为实现上述发明目的，本实用新型采用的技术方案是：延迟等离子体点火装置由等离子体点火芯片、延迟电路、外护罩组成，其中等离子体点火芯片自下至上依次为硅衬底、绝缘介质膜、桥状多晶硅介质膜、铝电极，延迟电路输出端与铝电极由金属导体电连接，除等离子体点火芯片顶部的喷火面外将等离子体点火芯片、延迟电路注塑封装成型，并引出延迟电路输入端电源连接线，注塑体外套装外护罩，外护罩顶面对应等离子体点火芯片顶部的喷火面开有喷火孔。
本实用新型由于采用以上设计，通过延迟电路向多晶硅介质膜输入脉冲电流，多晶硅介质膜内迅速产生6000℃的高温并将介质膜内的原子等离子化，产生离子体，利用等离子体本身的高温进行瞬间引爆，点火能量低、作用时间短，克服了热桥丝点火能量高、作用时间长、可靠性低、抗干扰能力差的缺点。延迟电路不仅具有延迟控制作用，还能保护因故障产生的电流与电压冲击，避免点火芯片非正常性引爆，同时利用延迟电路的输出特性进行串、并联控制点火芯片的引爆时间，实现与计算机联线进行远程程序控制。等离子体点火芯片、延迟电路的一致性及重复性好，适宜大规模生产，体积小，安全、可靠，对环境无任何污染，由于模块的隔离作用，运输、储存、使用时更加安全，可抗电磁干扰、静电感应以及防震等，适应于高温、高压等各种环境下使用。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图；
图2为等离子体点火芯片结构剖面示意图；
图3为桥状多晶硅介质膜表面形状图。
具体实施方式
现结合附图所示实施例对本实用新型作出详细说明。
如图所示，延迟等离子体点火装置由等离子体点火芯片1、延迟电路2、外护罩3组成，其中等离子体点火芯片1是在电阻率大于20欧姆的硅衬底4上利用热氧化或处延的方法生长一层致密的氧化层，即绝缘介质膜5，再在氧化层上外延一层多晶硅，并对多晶硅进行适当浓度主要为磷元素的掺杂，利用半导体光刻和腐蚀的方法将多晶硅层刻蚀成桥状多晶硅介质膜6，最后在桥形多晶硅的两端镀上铝并进行合金，形成铝电极7。延迟电路2根据点火芯片的电参数要求以及同时串、并联使用的点火装置数量设计。延迟电路2输出端与铝电极7由金属导体8电连接，除等离子体点火芯片1顶部的喷火面外将等离子体点火芯片1、延迟电路2注塑封装成型，并引出延迟电路2输入端电源连接线9，注塑体外套装外护罩3，外护罩3顶面对应等离子体点火芯片1顶部的喷火面开有喷火孔10。
Claims (1)
1.一种延迟等离子体点火装置，其特征是它由等离子体点火芯片(1)、延迟电路(2)、外护罩(3)组成，其中等离子体点火芯片(1)自下至上依次为硅衬底(4)、绝缘介质膜(5)、桥状多晶硅介质膜(6)、铝电极(7)，延迟电路(2)输出端与铝电极(7)由金属导体(8)电连接，除等离子体点火芯片(1)顶部的喷火面外将等离子体点火芯片(1)、延迟电路(2)注塑封装成型，并引出延迟电路(2)输入端电源连接线(9)，注塑体外套装外护罩(3)，外护罩(3)顶面对应等离子体点火芯片(1)顶部的喷火面开有喷火孔(10)。
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2009
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