CN201540903U - 发光二极管 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种发光二极管，基座上设有电路板，连接电路板的导线从基座上设置的通孔中穿出，电路板上至少设有一个发光二极管芯片，一个透明罩壳罩在基座上，所述电路板上设有透光层，一个抗反射膜设置于透光层的上表面，该抗反射膜的折射率小于该透光层的折射率。本实用新型具有透射率高、发光亮度高的优点。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种半导体器件，具体涉及一种发光二极管。
背景技术
目前普遍使用的同类高效发光二极管，是一种将光源晶片设置在支架顶面中央的倒锥形凹杯内、以连接支架的外连接脚为负极、以连接光源晶片顶面电极的外连接脚为正极、由透明材料封装后只露出插接式或焊接式外连接脚的发光二极管。这种发光二极管的缺陷是光源晶片的散热效率较差，会使其发光效率变差。现有的改良结构的高效发光二极管，其特征是加厚支架的顶板，使支架顶面中央的倒锥形凹杯的外底面不会凸出于支架顶板的底面，并将支架顶板的底面外露、用与外部设置的散热胶或散热片贴合接触，以此来提高光源晶片的散热效率，达到发光效率稳定。但这种改良结构的缺陷是光的透射率低、使用成本较高。
发明内容
本实用新型的目的是提供的一种透射率高、发光亮度高的发光二极管。
实现本实用新型目的的技术方案如下：
发光二极管，基座上设有电路板，连接电路板的导线从基座上设置的通孔中穿出，电路板上至少设有一个发光二极管芯片，一个透明罩壳罩在基座上，所述电路板上设有透光层，一个抗反射膜设置于透光层的上表面，该抗反射膜的折射率小于该透光层的折射率。
所述发光二极管芯片的波长为610-640nm。
所述抗反射膜为一层氮化镁或三氧化二铝的真空蒸镀薄膜。
采用了上述方案，电路板上设有透光层，一个抗反射膜设置于透光层的上表面，该抗反射膜的折射率小于该透光层的折射率。通过抗反射膜，可抑制发光二极管芯片的全反射效应，因此可降低发光组件的全反射影响，进而增加整体的透光率，从而提升发光二极管的整体亮度。相对现有发光二极管所发出的光源透光率提高1.38倍左右。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图；
附图中，1为基座，2为电路板，3为发光二极管芯片，4为透光层，5为抗反射膜，6为透明罩壳罩.
具体实施方式
参照图1，为本实用新型的发光二极管，基座1上设有电路板2，连接电路板的导线从基座1上设置的通孔中穿出，电路板上至少设有一个发光二极管芯片3，发光二极管芯片的波长为610-640nm。一个透明罩壳罩6在基座1上，电路板2上设有透光层4，一个抗反射膜5设置于透光层的上表面，该抗反射膜5的折射率小于该透光层的折射率。抗反射膜5为一层氮化镁或三氧化二铝的真空蒸镀薄膜。
Claims (3)
1.发光二极管，基座上设有电路板，连接电路板的导线从基座上设置的通孔中穿出，电路板上至少设有一个发光二极管芯片，一个透明罩壳罩在基座上，其特征在于：所述电路板上设有透光层，一个抗反射膜设置于透光层的上表面，该抗反射膜的折射率小于该透光层的折射率。
2.根据极利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管芯片的波长为610-640nm。
3.根据极利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述抗反射膜为一层氮化镁或三氧化二铝的真空蒸镀薄膜。
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| CN2009202567675U CN201540903U (zh) | 2009-10-30 | 2009-10-30 | 发光二极管 |
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| CN (1) | CN201540903U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104192394A (zh) * | 2014-09-03 | 2014-12-10 | 卢勇臻 | 一种沙漏瓶及其制备方法 |
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2009
- 2009-10-30 CN CN2009202567675U patent/CN201540903U/zh not_active Expired - Fee Related
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| CN104192394A (zh) * | 2014-09-03 | 2014-12-10 | 卢勇臻 | 一种沙漏瓶及其制备方法 |
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