CN201522397U - 测量晶体硅太阳电池pn结用阳极氧化装置 - Google Patents

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朱敏杰
侯林
沈专
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Abstract

本实用新型公开了一种测量晶体硅太阳电池pn结用阳极氧化装置,包括直流稳压电源,直流稳压电源与设置在电解槽中的阳极、阴极连接,电解槽中装电解液,阳极为待测硅片,待测硅片是具有绒面结构和pn结的单晶硅片或多晶硅片。本实用新型根据电化学阳极氧化法测量pn结的原理设计,结构简单,成本低廉、便于操作,适合大规模晶体硅太阳电池生产中测量pn结使用。

Description

测量晶体硅太阳电池pn结用阳极氧化装置
技术领域:
本实用新型涉及一种测量晶体硅太阳电池pn结用阳极氧化装置,属于太阳电池参数测量装置。
背景技术:
pn结是晶体硅太阳电池的核心部分,pn结的测量是评价扩散层质量和选择控制扩散条件必不可少的依据,对于优化和控制扩散工艺,提高太阳电池效率具有重大意义。
目前晶体硅太阳电池pn结测量主要有二次离子质谱法(SIMS)和扩展电阻法(SRP),是近年来发展起来的高端测试手段,具有很高的分辨率、灵敏度、稳定性和准确度,在半导体领域具有广泛的应用。但这类方法测试样品必须为抛光片,而抛光片上的pn结是水平的,与晶体硅太阳电池的pn结状况不同,抛光片的测试结果只能做对比,不代表晶体硅太阳电池pn结的真实情况。而且这些高端测试手段往往需要专门的仪器装置,或在专用实验室内进行,设备价格昂贵,操作复杂。因此有必要建立一套适合大规模生产中简单易行、成本低廉的pn结测量装置。
发明内容:
本实用新型的目的是提供一种根据电化学阳极氧化法测量pn结的原理设计,结构简单,成本低廉、便于操作,适合大规模太阳电池生产的测量晶体硅太阳电池pn结用阳极氧化装置。
为了达到上述目的,本实用新型采用如下技术方案:
一种测量晶体硅太阳电池pn结用阳极氧化装置,其特征是:包括直流稳压电源,直流稳压电源与设置在电解槽中的阳极、阴极连接,电解槽中装电解液,阳极为待测硅片,待测硅片是具有绒面结构和pn结的单晶硅片或多晶硅片。
直流稳压电源的输出电压为0~150V,根据氧化层的厚度和均匀性确定直流稳压电源工作电压和时间。
阴极为石墨棒、铂片或铜片。
所述的电解液为四硼酸钠饱和溶液或四氢糠醇和亚硝酸钠的混合液,工作温度为常温。
本实用新型根据电化学阳极氧化法测量pn结的原理设计,结构简单,成本低廉、便于操作,适合大规模太阳电池生产。
附图说明:
下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明。
图1是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式:
如图1所示,一种测量晶体硅太阳电池pn结用阳极氧化装置,由直流稳压电源1、阳极2、阴极3、电解液4、电解槽5及两根电极电线6和7组成。
所述的直流稳压电源1输出电压为0~150V可调,根据氧化层的厚度和均匀性确定直流稳压电源工作电压和时间。
所述的阳极2为待测硅片,所述硅片是单晶硅片或多晶硅片,所述硅片具有绒面结构和pn结。
所述的阴极3为石墨棒、铂片或铜片。
所述的电解液4为四硼酸钠饱和溶液或四氢糠醇和亚硝酸钠的混合液,工作温度为常温。
具体测量例:
测量对象为制绒扩散后单晶硅片(电阻率0.5~3),将其作为阳极,石墨棒为阴极,配制四硼酸钠饱和溶液为电解液,硅片浸入溶液的单面面积为14.2cm2,直流稳压电源工作电压为50V,通电时间2分钟,本装置可以使待测硅片表面在室温条件下生长约80nm的氧化层,完成晶体硅太阳电池pn测试中关键的步骤。
这套装置相比于SIMS和SRP,所用部件和材料成本低,结构非常简单,操作容易,可以不依赖大型昂贵测试仪器,满足晶体硅太阳电池pn结测量的需要。

Claims (3)

1.一种测量晶体硅太阳电池pn结用阳极氧化装置,其特征是:包括直流稳压电源,直流稳压电源与设置在电解槽中的阳极、阴极连接,电解槽中装电解液,阳极为待测硅片,待测硅片是具有绒面结构和pn结的单晶硅片或多晶硅片。
2.根据权利要求1所述的测量晶体硅太阳电池pn结用阳极氧化装置,其特征是:直流稳压电源的输出电压为0~150V。
3.根据权利要求1或2所述的一种测量晶体硅太阳电池pn结用阳极氧化装置,其特征是:阴极为石墨棒、铂片或铜片。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN102610697A (zh) * 2012-03-28 2012-07-25 泰通(泰州)工业有限公司 一种晶体硅太阳能电池选择性发射极的制备方法

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