CN201508260U - 一种高灵敏度微压力传感器芯片 - Google Patents
一种高灵敏度微压力传感器芯片 Download PDFInfo
- Publication number
- CN201508260U CN201508260U CN2009200418074U CN200920041807U CN201508260U CN 201508260 U CN201508260 U CN 201508260U CN 2009200418074 U CN2009200418074 U CN 2009200418074U CN 200920041807 U CN200920041807 U CN 200920041807U CN 201508260 U CN201508260 U CN 201508260U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon
- nano
- based substrate
- pressure sensor
- compound inslation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
本实用新型提供了所述一种高灵敏度微压力传感器芯片。其易加工、生产成本低,且精度高、稳定性好。其包括硅基衬底、复合绝缘膜、纳米硅力敏电阻、内引脚线、绝压腔,所述硅基衬底的正反面装有复合绝缘膜,所述上层复合绝缘膜上有纳米硅力敏电阻,所述纳米硅力敏电阻引出内引脚线,所述硅基衬底的底部为背大膜区和背岛,所述硅基衬底的底部通过硅玻璃键合形成绝压腔,所述纳米硅力敏电阻具体为纳米硅层。
Description
(一)技术领域
本实用新型涉及压力传感器领域,具体为一种高灵敏度微压力传感器芯片。
(二)背景技术
目前国内高灵敏度微压力传感器非常紧缺,其价格昂贵几乎全部由国外进口,目前国内仅能够在实验室小批量生产1KPa量程的微压力传感器,其由于受到设备条件的限制无法形成规模生产。而现有的硅压力传感器采用体微机械加工技术,其桥路力敏电阻之间采用PN结隔离,所以其受温度影响很明显,其稳定性不好。
(三)发明内容
针对上述问题,本实用新型提供了一种高灵敏度微压力传感器芯片,其易加工、生产成本低,且精度高、稳定性好。
其技术方案是这样的,其特征在于:其包括硅基衬底、复合绝缘膜、纳米硅力敏电阻、内引脚线、绝压腔,所述硅基衬底的正反面装有所述复合绝缘膜,所述复合绝缘膜的上表面覆盖有所述纳米硅力敏电阻,所述纳米硅力敏电阻引出所述内引脚线,所述硅基衬底的底部为背大膜区和背岛,所述硅基衬底的底部通过硅玻璃键合形成绝压腔,所述纳米硅力敏电阻具体为纳米硅层。
其进一步特征在于:所述硅基衬底具体为正反两面抛光的N型或P型硅基,所述复合绝缘膜具体为SiO2和Si3N4组成的复合绝缘膜,所述纳米硅层的本征厚度为4μm-6μm,所述内引线覆盖有合金。
本实用新型的上述结构中,纳米硅薄膜的电信号不像通常的半导体材料是热激发式传导原理,而是通过纳米硅自身的特点,即从单电子穿过诸多量子点的遂穿机制为主,因此纳米硅薄膜受温度影响不大,其稳定性好。由于本发明所采用的制作工艺简单,其适于大规模生产,且其易加工、生产成本低;其传感器芯片能够感受0——100Pa的微压力,所以其灵敏度很高,其精度高。
(四)附图说明
图1为本实用新型加工的工艺流程图;
图2为本实用新型的结构示意图。
(五)具体实施方式
见图2,本实用新型包括硅基衬底1、复合绝缘膜2、纳米硅力敏电阻4、内引脚线5、绝压腔3,硅基衬底1的正反面装有复合绝缘膜2,上层复合绝缘膜上有纳米硅力敏电阻4,纳米硅力敏电阻4上引出内引脚线5,硅基衬底1的底部为背大膜区和背岛6,硅基衬底1的底部通过硅玻璃键合形成绝压腔3,纳米硅力敏电阻具体为纳米硅层。硅基衬底1具体为正反两面抛光的N型或P型硅基,复合绝缘膜具2体为SiO2和Si3N4组成的复合绝缘膜,内引脚线5覆盖有合金,纳米硅层的本征厚度为4-6μm。
加工时,见图1,1b:采用正反两面抛光的N型或P型硅基作衬底1,1a:在硅基衬底1的正反两面各生长一层SiO2和Si3N4组成的复合绝缘膜2,1c:在上层复合绝缘膜2上沉积掺杂或本征厚度4μm-6μm的纳米硅层,1d:在纳米硅层上注入N型或P型杂质后通过光刻平面工艺制作成纳米硅力敏电阻4,掺浓硼或浓磷在纳米硅力敏电阻上引出内引线5,1e:蒸AL反刻引出内引线合金化,1f:硅基衬底1反面通过体微加工形成背大膜区和背岛6,1g:硅基衬底1底部通过硅玻璃键合形成绝压腔3。
Claims (5)
1.一种高灵敏度微压力传感器芯片,其包括硅基衬底、复合绝缘膜、纳米硅力敏电阻、内引脚线、绝压腔,所述硅基衬底的正反面装有复合绝缘膜,所述上层复合绝缘膜上有纳米硅力敏电阻,所述纳米硅力敏电阻引出内引脚线,所述硅基衬底的底部为背大膜区和背岛,所述硅基衬底的底部通过硅玻璃键合形成绝压腔,所述纳米硅力敏电阻具体为纳米硅层。
2.根据权利要求1所述一种高灵敏度微压力传感器芯片,其特征在于:所述硅基衬底具体为正反两面抛光的N型或P型硅基。
3.根据权利要求2所述所述一种高灵敏度微压力传感器芯片,其特征在于:所述复合绝缘膜具体为SiO2和Si3N4组成的复合绝缘膜。
4.根据权利要求3所述所述一种高灵敏度微压力传感器芯片,其特征在于:所述纳米硅层的本征厚度为4μm-6μm。
5.根据权利要求4所述所述一种高灵敏度微压力传感器芯片,其特征在于:所述内引线覆盖有合金。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2009200418074U CN201508260U (zh) | 2009-03-24 | 2009-03-24 | 一种高灵敏度微压力传感器芯片 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2009200418074U CN201508260U (zh) | 2009-03-24 | 2009-03-24 | 一种高灵敏度微压力传感器芯片 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN201508260U true CN201508260U (zh) | 2010-06-16 |
Family
ID=42469387
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2009200418074U Expired - Fee Related CN201508260U (zh) | 2009-03-24 | 2009-03-24 | 一种高灵敏度微压力传感器芯片 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN201508260U (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101520350A (zh) * | 2009-03-24 | 2009-09-02 | 无锡市纳微电子有限公司 | 一种改良型高灵敏度微压力传感器芯片制作工艺 |
CN104919293A (zh) * | 2012-12-06 | 2015-09-16 | 株式会社村田制作所 | 压阻式mems传感器 |
CN110274712A (zh) * | 2018-03-13 | 2019-09-24 | 阿自倍尓株式会社 | 压阻式传感器 |
-
2009
- 2009-03-24 CN CN2009200418074U patent/CN201508260U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101520350A (zh) * | 2009-03-24 | 2009-09-02 | 无锡市纳微电子有限公司 | 一种改良型高灵敏度微压力传感器芯片制作工艺 |
CN104919293A (zh) * | 2012-12-06 | 2015-09-16 | 株式会社村田制作所 | 压阻式mems传感器 |
CN110274712A (zh) * | 2018-03-13 | 2019-09-24 | 阿自倍尓株式会社 | 压阻式传感器 |
CN110274712B (zh) * | 2018-03-13 | 2021-06-29 | 阿自倍尓株式会社 | 压阻式传感器 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101520350A (zh) | 一种改良型高灵敏度微压力传感器芯片制作工艺 | |
CN102768290B (zh) | 一种mems加速度计及制造方法 | |
CN105241369B (zh) | 一种mems应变计芯片及其制造工艺 | |
CN104931163B (zh) | 一种双soi结构mems压力传感器芯片及其制备方法 | |
CN103674355B (zh) | 一种消除封装应力的悬浮式力敏传感器芯片及其制作方法 | |
CN100468022C (zh) | 一种新型压阻式压力传感器及其制备方法 | |
CN101825505B (zh) | 一种mems压力敏感芯片及其制作方法 | |
CN201508260U (zh) | 一种高灵敏度微压力传感器芯片 | |
CN202075068U (zh) | 高稳定高灵敏单片硅基微压传感器 | |
CN102147421B (zh) | 基于各向异性导热衬底的热式风传感器及其制备方法 | |
CN104058361A (zh) | 一种基于预制空腔soi基片的集成压阻式加速度计与压力计的加工方法 | |
CN102156201A (zh) | 一种基于soi工艺及微组装技术的三轴电容式微加速度计 | |
CN102967725B (zh) | 一种基于碳纳米管阵列封装的热风速传感器 | |
CN104297520A (zh) | 一种单片嵌入结构集成硅加速度和压力复合传感器 | |
CN102874739A (zh) | 自锁圆片键合结构及制作方法 | |
CN102419227A (zh) | 新型微压力传感器芯片 | |
CN105036060A (zh) | 一种mems器件及其制作方法 | |
CN103644999A (zh) | 一种低量程高灵敏度mems压力传感器及其制作方法 | |
CN201993380U (zh) | 基于减薄工艺的热式风速风向传感器 | |
CN103364120A (zh) | 银锡共晶真空键合金属应变式mems压力传感器及其制造方法 | |
CN206828092U (zh) | 一种梁膜机构的微机电系统压力传感器芯片 | |
CN204008693U (zh) | 一种热膜风速风向传感器 | |
CN104236766B (zh) | 封装应力与温漂自补偿的双悬浮式力敏传感器芯片及制备方法 | |
CN104236787A (zh) | Mems差压传感器芯片及制作方法 | |
CN106501548A (zh) | 一种双差分的全硅结构的微加速度计及其制造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20160229 Address after: 223300 Jiangsu City, Huaiyin province (Industrial Park), Nanchang Road, No. three, layer 605, layer Patentee after: Huaian nano sensor Co., Ltd. Address before: 214028 Changjiang Road, New District, Jiangsu, Wuxi, No. 7 Patentee before: Wuxi Nano MEMS, Inc. |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20100616 Termination date: 20170324 |