CN201374253Y - 一种适用于高频大脉冲场合的薄膜电容器 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种适用于高频大脉冲场合的薄膜电容器，包括第一、第二介质层、第一、第二金属箔层和第一双面金属化薄膜层；第一、第二金属箔层并排层叠在两介质层之间，其外边端分别伸在两介质层所对应的边端之外；第一双面金属化薄膜层层叠在第二介质层上。该薄膜电容器既有箔式电容耐大电流以及端面接触比较好，抗脉冲能力比较强，高dv/dt的特点，还有金属化膜所具有的自愈性，可恢复性，可以耐比较高的交流电压，以及不容易电晕的特点；由于采用了双面金属化膜，相对于单面金属化膜由于导电面积比较大，因此耐电流水平也比较好；可以满足不同的交流电压，不同频率大电流的需求，广泛运用于电视和显示器的偏转电路，电子振流器，开关式电源。

Description

一种适用于高频大脉冲场合的薄膜电容器

技术领域

本实用新型涉及一种薄膜电容器，特别是涉及一种适用于高频大脉冲场合的薄膜电容器。

背景技术

薄膜电容器是电容器中的一种，它是一种性能优越的电容器，其具有如下主要特性：无极性，绝缘阻抗很高，频率特性优异(频率响应宽广)，而且介质损失很小。由于薄膜电容器体积小容量大，因此，有着较为广泛的用途，可以形成不同的系列产品，如高比能储能电容器、抗电磁干扰电容器、抗辐射电容器、安全膜电容器、长寿命电容器、高可靠电容器、高压全膜电容器等。

薄膜电容器的结构形式主要有二种，一种结构形式是以金属箔当电极，将金属箔和塑料薄膜重叠后卷绕在一起而制成。薄膜电容器的另一种结构形式，是采用金属化薄膜来制作，金属化薄膜是由塑料薄膜上真空蒸镀上一层很薄的金属构成，该层金属被用来作为电极，即相当于传统薄膜电容器的金属箔；采用金属化薄膜来制作薄膜电容器，可以省去电极箔的厚度，缩小电容器单位容量的体积，所以该种方式较容易制成小型，容量大的电容器。

无论是箔式结构的薄膜电容器，还是金属化薄膜结构的薄膜电容器，现有技术的产品都很难满足高频大脉冲场合下的使用。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术之不足，提供一种适用于高频大脉冲场合的薄膜电容器，是结合了箔式结构和金属化薄膜结构的优点，使该薄膜电容器能够适于高频大脉冲场合下的使用。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种适用于高频大脉冲场合的薄膜电容器，包括：

绝缘的第一介质层；

设在第一介质层之上的绝缘的第二介质层，第二介质层的两边端分别与第一介质层的两边端相对齐；

层叠在第一介质层与第二介质层之间的第一金属箔层，第一金属箔层的外边端伸在第一介质层、第二介质层所对应的边端之外；

层叠在第一介质层与第二介质层之间的第二金属箔层，第二金属箔层的外边端伸在第一介质层、第二介质层所对应的边端之外，第二金属箔层与第一金属箔层并排而设，两者之间设有间隙；

层叠在第二介质层上的第一双面金属化薄膜层，第一双面金属化薄膜层分别覆盖于部分第一金属箔层、部分第二金属箔层以及第一金属箔层与第二金属箔层之间的间隙；第一双面金属化薄膜层的两边端分别缩在第二介质层对应的边端之内。

本技术方案的一种适用于高频大脉冲场合的薄膜电容器，构成了内串结构的电容器，第一金属箔层和第二金属箔层的外边端喷金后用来与外接线相连接，第一金属箔层与第一双面金属化薄膜层所相互覆盖的部分分别作为第一电容的两电极，第二金属箔层与第一双面金属化薄膜层所相互覆盖的部分则分别作为第二电容的两电极，对应于第一金属箔层与第二金属箔层之间间隙的第一双面金属化薄膜层部分则相当于第一电容、第二电容串接的连接线，由此形成了第一电容与第二电容串联的结构。

本实用新型解决其技术问题所采用的另一技术方案是：一种适用于高频大脉冲场合的薄膜电容器，包括：

绝缘的第一介质层；

设在第一介质层之上的绝缘的第二介质层，第二介质层的两边端分别与第一介质层的两边端相对齐；

层叠在第一介质层与第二介质层之间的第一金属箔层，第一金属箔层的外边端伸在第一介质层、第二介质层所对应的边端之外；

层叠在第二介质层上的第二金属箔层，第二金属箔层的外边端伸在第二介质层所对应的边端之外，第二金属箔层与第一金属箔层之间错位排列，两者之间设有间隙；

层叠在第二介质层上的第一双面金属化薄膜层，第一双面金属化薄膜层与第二金属箔层并排而设，两者之间设有间隙，第一双面金属化薄膜层的外边端缩在第二介质层对应的边端之内，第一双面金属化薄膜层覆盖于部分第一金属箔层；

层叠在第一介质层与第二介质层之间的第二双面金属化薄膜层，第二双面金属化薄膜层与第一金属箔层并排而设，两者之间设有被第一双面金属化薄膜层所覆盖的间隙，第二双面金属化薄膜层的外边端缩在第一介质层、第二介质层所对应的边端之内，第二双面金属化薄膜层覆盖于部分第二金属箔层、部分第一双面金属化薄膜层以及第二金属箔层与第一双面金属化薄膜层之间的间隙。

本技术方案的一种适用于高频大脉冲场合的薄膜电容器，构成了三串结构，第一金属箔层和第二金属箔层的外边端喷金后可与外接线相连接，第一金属箔层与第一双面金属化薄膜层所相互覆盖的部分分别作为第一电容的两电极，第二金属箔层与第二双面金属化薄膜层所相互覆盖的部分则分别作为第二电容的两电极，第一双面金属化薄膜层与第二双面金属化薄膜层所相互覆盖的部分分别作为第三电容的两电极，对应于第一金属箔层与第二双面金属化薄膜层之间间隙的第一双面金属化薄膜层部分则相当于第一电容、第三电容串接的连接线，对应于第二金属箔层与第一双面金属化薄膜层之间间隙的第二双面金属化薄膜层部分则相当于第二电容、第三电容串接的连接线，由此形成了第一电容与第三电容串联，第三电容与第二电容串联的结构。

本实用新型的一种适用于高频大脉冲场合的薄膜电容器，相对于前一种技术方案，在第二介质层上再增加一个第一双面金属化薄膜层，在第一金属箔层与第二金属箔层之间再增设一个第二双面金属化薄膜层，可以构成四串结构；在第二介质层上再增加二个第一双面金属化薄膜层，在第一金属箔层与第二金属箔层之间再增设二个第二双面金属化薄膜层，可以构成六串结构；依此类推。

本实用新型的一种适用于高频大脉冲场合的薄膜电容器，相对于后一种技术方案，在第二介质层上再增加一个第一双面金属化薄膜层，在第一介质层与第二介质层之间再增设一个第二双面金属化薄膜层，可以构成五串结构；在第二介质层上再增加二个第一双面金属化薄膜层，在第一介质层与第二介质层之间再增设二个第二双面金属化薄膜层，可以构成七串结构；依此类推。

本实用新型的有益效果是，由于采用了第一介质层、第二介质层、第一金属箔层、第二金属箔层、第一双面金属化薄膜层来构成薄膜电容器，或是采用了第一介质层、第二介质层、第一金属箔层、第二金属箔层、第一双面金属化薄膜层、第二双面金属化薄膜层来构成薄膜电容器，利用箔式结构来作为电容器的引出端，利用第一双面金属化薄膜层、第二双面金属化薄膜层来构成多个相串接的电容，使得该结构的薄膜电容器既有箔式电容耐大电流以及端面接触比较好，抗脉冲能力比较强，高dv/dt的特点，还有金属化膜所具有的自愈性，可恢复性，可以耐比较高的交流电压，以及不容易电晕的特点；由于采用了双面金属化膜，相对于单面金属化膜，由于导电面积比较大，因此耐电流水平也比较好。该结构的薄膜电容器可以满足不同的交流电压，不同频率大电流的需求，可以广泛运用在电视和显示器的偏转电路，电子振流器，开关式电源等大电流场合。

以下结合附图及实施例对本实用新型作进一步详细说明；但本实用新型的一种适用于高频大脉冲场合的薄膜电容器不局限于实施例。

附图说明

图1是实施例一本实用新型的构造分解示意图；

图2是实施例二本实用新型的构造分解示意图。

具体实施方式

实施例一，参见图1所示，本实用新型的一种适用于高频大脉冲场合的薄膜电容器，包括：

绝缘的第一介质层11，比如采用OPP材料制作而成；

设在第一介质层11之上的绝缘的第二介质层12，比如采用OPP材料制作而成；第二介质层12的两边端分别与第一介质层11的两边端相对齐；

层叠在第一介质层11与第二介质层12之间的第一金属箔层21，比如铝箔层，第一金属箔层21的外边端伸在第一介质层11、第二介质层12所对应的边端之外；

层叠在第一介质层11与第二介质层12之间的第二金属箔层22，比如铝箔层，第二金属箔层22的外边端伸在第一介质层11、第二介质层12所对应的边端之外，第二金属箔层22与第一金属箔层21并排而设，两者之间设有间隙20；

层叠在第二介质层12上的第一双面金属化薄膜层31，比如在OPP材料层的双面镀上一层很薄的铝金属；第一双面金属化薄膜层31分别覆盖于部分第一金属箔层、部分第二金属箔层以及第一金属箔层与第二金属箔层之间的间隙20；第一双面金属化薄膜层31的两边端分别缩在第二介质层12对应的边端之内。

本实施例的一种适用于高频大脉冲场合的薄膜电容器，构成了内串结构的电容器，第一金属箔层21和第二金属箔层22的外边端喷金后用来与外接线相连接，第一金属箔层21与第一双面金属化薄膜层31所相互覆盖的部分分别作为第一电容的两电极，第二金属箔层22与第一双面金属化薄膜层31所相互覆盖的部分则分别作为第二电容的两电极，对应于第一金属箔层与第二金属箔层之间间隙20的第一双面金属化薄膜层部分则相当于第一电容、第二电容串接的连接线，由此形成了第一电容与第二电容串联的结构。

本实用新型的一种适用于高频大脉冲场合的薄膜电容器，在内串结构的基础上可以进一步延伸出四串结构、六串结构等，在第二介质层上再增加一个第一双面金属化薄膜层，在第一金属箔层与第二金属箔层之间再增设一个第二双面金属化薄膜层，可以构成四串结构；在第二介质层上再增加二个第一双面金属化薄膜层，在第一金属箔层与第二金属箔层之间再增设二个第二双面金属化薄膜层，可以构成六串结构；依此类推。

实施例二，参见图2所示，本实用新型的一种适用于高频大脉冲场合的薄膜电容器，包括：

绝缘的第一介质层11；

设在第一介质层11之上的绝缘的第二介质层12，第二介质层12的两边端分别与第一介质层11的两边端相对齐；

层叠在第一介质层11与第二介质层12之间的第一金属箔层21，第一金属箔层21的外边端伸在第一介质层11、第二介质层12所对应的边端之外；

层叠在第二介质层12上的第二金属箔层22，第二金属箔层22的外边端伸在第二介质层12所对应的边端之外，第二金属箔层22与第一金属箔层21之间错位排列，两者之间设有间隙；

层叠在第二介质层12上的第一双面金属化薄膜层31，第一双面金属化薄膜层31与第二金属箔层22并排而设，两者之间设有间隙30，第一双面金属化薄膜层31的外边端缩在第二介质层12对应的边端之内，第一双面金属化薄膜层31覆盖于部分第一金属箔层；

层叠在第一介质层11与第二介质层12之间的第二双面金属化薄膜层32，第二双面金属化薄膜层32与第一金属箔层21并排而设，两者之间设有被第一双面金属化薄膜层所覆盖的间隙40，第二双面金属化薄膜层32的外边端缩在第一介质层11、第二介质层12所对应的边端之内，第二双面金属化薄膜层32覆盖于部分第二金属箔层、部分第一双面金属化薄膜层以及第二金属箔层与第一双面金属化薄膜层之间的间隙30。

本实施例的一种适用于高频大脉冲场合的薄膜电容器，构成了三串结构，第一金属箔层21和第二金属箔层22的外边端喷金后可与外接线相连接，第一金属箔层21与第一双面金属化薄膜层31所相互覆盖的部分分别作为第一电容的两电极，第二金属箔层22与第二双面金属化薄膜层32所相互覆盖的部分则分别作为第二电容的两电极，第一双面金属化薄膜层31与第二双面金属化薄膜层32所相互覆盖的部分分别作为第三电容的两电极，对应于第一金属箔层与第二双面金属化薄膜层之间间隙40的第一双面金属化薄膜层部分则相当于第一电容、第三电容串接的连接线，对应于第二金属箔层与第一双面金属化薄膜层之间间隙30的第二双面金属化薄膜层部分则相当于第二电容、第三电容串接的连接线，由此形成了第一电容与第三电容串联，第三电容与第二电容串联的结构。

本实用新型的一种适用于高频大脉冲场合的薄膜电容器，在三串结构的基础上可以进一步延伸出五串结构、七串结构等，在第二介质层上再增加一个第一双面金属化薄膜层，在第一介质层与第二介质层之间再增设一个第二双面金属化薄膜层，可以构成五串结构；在第二介质层上再增加二个第一双面金属化薄膜层，在第一介质层与第二介质层之间再增设二个第二双面金属化薄膜层，可以构成七串结构；依此类推。

上述实施例仅用来进一步说明本实用新型的一种适用于高频大脉冲场合的薄膜电容器，但本实用新型并不局限于实施例，凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均落入本实用新型技术方案的保护范围内。

Claims (2)

1.一种适用于高频大脉冲场合的薄膜电容器，其特征在于：包括：

绝缘的第一介质层；

设在第一介质层之上的绝缘的第二介质层，第二介质层的两边端分别与第一介质层的两边端相对齐；

层叠在第一介质层与第二介质层之间的第一金属箔层，第一金属箔层的外边端伸在第一介质层、第二介质层所对应的边端之外；

层叠在第一介质层与第二介质层之间的第二金属箔层，第二金属箔层的外边端伸在第一介质层、第二介质层所对应的边端之外，第二金属箔层与第一金属箔层并排而设，两者之间设有间隙；

层叠在第二介质层上的第一双面金属化薄膜层，第一双面金属化薄膜层分别覆盖于部分第一金属箔层、部分第二金属箔层以及第一金属箔层与第二金属箔层之间的间隙；第一双面金属化薄膜层的两边端分别缩在第二介质层对应的边端之内。

2.一种适用于高频大脉冲场合的薄膜电容器，其特征在于：包括：

绝缘的第一介质层；

设在第一介质层之上的绝缘的第二介质层，第二介质层的两边端分别与第一介质层的两边端相对齐；

层叠在第一介质层与第二介质层之间的第一金属箔层，第一金属箔层的外边端伸在第一介质层、第二介质层所对应的边端之外；

层叠在第二介质层上的第二金属箔层，第二金属箔层的外边端伸在第二介质层所对应的边端之外，第二金属箔层与第一金属箔层之间错位排列，两者之间设有间隙；

层叠在第二介质层上的第一双面金属化薄膜层，第一双面金属化薄膜层与第二金属箔层并排而设，两者之间设有间隙，第一双面金属化薄膜层的外边端缩在第二介质层对应的边端之内，第一双面金属化薄膜层覆盖于部分第一金属箔层；

层叠在第一介质层与第二介质层之间的第二双面金属化薄膜层，第二双面金属化薄膜层与第一金属箔层并排而设，两者之间设有被第一双面金属化薄膜层所覆盖的间隙，第二双面金属化薄膜层的外边端缩在第一介质层、第二介质层所对应的边端之内，第二双面金属化薄膜层覆盖于部分第二金属箔层、部分第一双面金属化薄膜层以及第二金属箔层与第一双面金属化薄膜层之间的间隙。

Images