CN201339295Y - 一种抗静电瓷砖 - Google Patents
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Abstract
一种抗静电瓷砖属于建筑材料科学技术领域。现有抗静电瓷砖存在施工不方便、施工后稳定性差及综合性能较差的缺点。本实用新型所提供的抗静电瓷砖包括有半导体釉和瓷砖坯体，半导体釉覆盖在瓷砖坯体的上表面，还包括有导电颗粒；其中，导电颗粒分布在瓷砖坯体的上部，并与半导体釉相连通，导电颗粒的尺寸为4～16目。优选将导电颗粒以1～4个/cm2的密度分布在瓷砖坯体的上部，并与半导体釉相连通。本实用新型抗静电瓷砖抗静电性能好，成本低，有利于大规模工业化生产。
Description
技术领域
本实用新型属于建筑材料科学技术领域，具体涉及一种抗静电瓷砖。
背景技术
静电就是物体表面存在的剩余电荷，其特点是高电压、低电量、小电流、作用时间短等。静电会降低产品可靠性，引起电子设备失灵甚至损坏，而且威胁人身安全。改善工作环境，消除静电危害，采取有效的静电防护措施是各行业关注的安全问题之一。
抗静电瓷砖的表面电阻值为1.0×105-1.0×109Ω，吸水率为0.5％≤E≤3％，具有不燃、永久防静电、不变形、易清理等优点，性价比较高。目前，抗静电瓷砖的结构主要有以下几种：
1)瓷砖坯体上表面覆盖有半导体釉、侧面贴导电胶的抗静电瓷砖。由于坯体上表面的釉层很薄，难以直接与铺设瓷砖的导静电材料连通，将导电胶附着在瓷砖四周边缘，通过导电胶将瓷砖上表面的半导体釉与铺设瓷砖的导静电材料连通。由于瓷砖坯体中不含导电材料，生产成本较低。但因瓷砖坯体上表面的釉层很薄，只有零点几毫米，且瓷砖表面存在向内的倒角，导致釉层和导电胶的连接耐久性差，并且导电胶粘在表面会对瓷砖装饰的整体效果产生不利的影响。
2)瓷砖坯体中含有无机耐高温导电材料，且表面覆盖有半导体釉的抗静电瓷砖。这种瓷砖在使用时直接用导静电砂浆铺贴。因导电材料均匀分布在整个坯体内部，瓷砖抗静电性能良好，但因常用的导电材料为价格非常昂贵的含锡锑的固溶体，且用量大，导致生产成本较高。
3)还有一类坯体气孔率较大的瓷砖，通过在瓷砖表面施半导体釉，并对坯体气孔进行注入吸潮性材料等修饰，使瓷砖具有通体导电性能。该类瓷砖尽管价格较低，施工性能也较好，但釉面容易产生针孔缺陷，耐污性较差，并且由于气孔的影响，瓷砖强度下降，因而也存在缺点。
4)中国专利ZL200720103943.2提供了一种瓷砖坯体上表面、侧面和下表面分别覆盖有防静电釉层的耐久性防静电瓷砖。但因下表面施釉，工艺实施难度加大，难以在辊道窑大规模生产。
发明内容
本实用新型的目的在于克服现有技术的缺陷，而提供一种抗静电性能和耐久性良好，且成本低廉的抗静电瓷砖。
本实用新型所提供的抗静电瓷砖的结构如图1所示，包括有半导体釉和瓷砖坯体，半导体釉覆盖在瓷砖坯体的上表面，还包括有导电颗粒；其中，导电颗粒分布在瓷砖坯体的上部，并与半导体釉相连通，导电颗粒的尺寸为4～16目。
作为本实用新型优选的技术方案，所述的导电颗粒以1～4个/cm2的密度分布在瓷砖坯体的上部，并与半导体釉相连通。
与现有技术相比较，本实用新型具有以下有益效果：
1)瓷砖坯体上表面的半导体釉层与瓷砖坯体上层的导电颗粒相连通，瓷砖被切割使用时，暴露在瓷砖侧表面被切割的导电颗粒由于具有一定截面积，可将半导体釉层的导电通路延伸到距离瓷砖表面一定深度的部位，增大导电深度，解决了施半导体釉瓷砖在切割后其导电釉面难以和侧面导电勾缝剂导通而使静电难以耗散的问题。
2)将导电材料集中在瓷砖坯体的上层，而不是分散在整个瓷砖坯体中，减少导电颗粒用量，降低成本的同时，提高了瓷砖的抗静电性能，适用于大规模工业化生产。
3)本发明抗静电瓷砖在保证较好的导电性能的前提下，具有很好的表面质量和较高的强度。
附图说明
图1、本实用新型所提供的抗静电瓷砖的结构示意图。
图中，1为半导体釉，2为瓷砖坯体，3为导电颗粒。
以下结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步说明。
具体实施方式
实施例1
如图1所示，半导体釉1覆盖在瓷砖坯体2的上表面；导电颗粒3以3～4个/cm2的密度分布在瓷砖坯体2的上部，并与半导体釉1相连通，其中，导电颗粒3的尺寸为8～16目。
实施例2
半导体釉1覆盖在瓷砖坯体2的上表面；导电颗粒3以1～2个/cm2的密度分布在瓷砖坯体2的上部，并与半导体釉1相连通，其中，导电颗粒3的尺寸为4～8目。
实施例3
半导体釉1覆盖在瓷砖坯体2的上表面；导电颗粒3以1个/cm2的密度分布在瓷砖坯体2的上部，并与半导体釉1相连通，其中，导电颗粒3的尺寸为4～6目。
Claims (2)
1、一种抗静电瓷砖，包括有半导体釉(1)和瓷砖坯体(2)，半导体釉(1)覆盖在瓷砖坯体(2)的上表面，其特征在于，还包括有导电颗粒(3)；其中，导电颗粒(3)分布在瓷砖坯体(2)的上部，并与半导体釉(1)相连通，导电颗粒(3)的尺寸为4～16目。
2、根据权利要求1所述的一种抗静电瓷砖，其特征在于，所述的导电颗粒(3)以1～4个/cm2的密度分布在瓷砖坯体(2)的上部，并与半导体釉(1)相连通。
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| CN103739199A (zh) * | 2013-12-17 | 2014-04-23 | 佛山市粤峤陶瓷技术创新服务中心 | 一种防静电玻璃熔块的制造方法 |
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2008
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| CN103739199B (zh) * | 2013-12-17 | 2016-07-06 | 佛山市粤峤陶瓷技术创新服务中心 | 一种防静电玻璃熔块的制造方法 |
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