CN201247957Y - 混合型配网电能质量综合调节装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种混合型配网电能质量综合调节装置，它包括无源滤波器组以及保证装置正常工作的配电柜、IGBT模块电源、冷却装置、综合保护装置和测控装置，其特征是：还包括隔离变压器、电压型有源逆变桥和直流侧自充电切换回路，隔离变压器采用三相三铁心柱式设计；电压型有源逆变桥采用基于IGBT的三电平三单相逆变器结构，直流侧自充电切换回路由晶闸管和限流电阻并联后与直流电容串联构成。无源滤波器组滤除特定次数的谐波并兼补固定容量无功，直流电容侧自充电切换回路能够在装置投运之前自动对直流电容进行充电，电压型有源逆变桥通过隔离变压器实施快速双向无功动态调节并对其它次数谐波进行实时治理，从而实现对配网电能质量的综合治理。

Description

混合型配网电能质量综合调节装置

技术领域

本实用新型涉及电力系统中的电能质量控制技术，尤其是一种混合型配网电能质量综合调节装置。

背景技术

随着配电网中大功率冲击性负荷、波动性负荷和非线性负荷的广泛使用，配电网中普遍存在电压波动与闪变、电压暂降、三相不对称和电力系统谐波污染等电能质量问题，严重影响了电网和电气设备的安全、经济运行，并危及广大用户的正常用电和生产。目前配网中常用的电能质量治理装置主要是无功补偿电容器、无源电力滤波器，少数采用静止无功补偿器(SVC)和有源电力滤波器。

在电网中加装固定补偿电容器一直是传统无功补偿的主要手段，其突出的优点是结构简单、技术成熟、运行费用低。但这种方式无法实现无功的动态和平滑调节，在谐波含量较高的电网中还容易造成谐波放大，从而降低补偿电容器的使用寿命并影响电网中其它设备的正常运行。

无源电力滤波器在配网中的应用同样比较广泛，目前其设计和制造技术也相对成熟。但无源电力滤波器作为阻抗性元件，其滤波性能受电网频率、阻抗变化的影响较大，对无功也不能实施动态调节。此外，无源滤波器是由大容量的电抗器和电容器组成，往往造成占地面积庞大。

SVC是近年来才出现并逐步应用的电能质量调节装置，主要可分为晶闸管投切电容器(TSC型)和晶闸管控制电抗器(TCR型)及他们之间的各种组合。SVC在无功的动态调节和分相补偿上相对其它静补装置具有一定的优势，但其本身就会造成谐波污染，谐波动态治理和无功补偿往往难以兼顾，同时由于响应速度问题，对电压波动和闪变的治理效果十分有限，另外SVC作为阻抗型补偿设备，对系统参数比较敏感，输出容量也易受母线电压影响，并不能从整体上实现电能质量的全局综合治理。

有源电力滤波器作为一种能动态抑制谐波的电力电子装置近年来受到更为广泛的关注，并出现了多种拓扑结构，包括单独型和各种混合型。由于配网中单独使用的有源电力滤波器很少采用多重化结构，受目前单个功率开关器件的技术水平所限，装置无法获得较大的容量，因此往往不能兼顾动态谐波抑制和无功补偿，较少应用于较高电压等级的电网中。而各种混合型的有源滤波器其根本目的是有效降低有源部分的基波分压从而使得小容量的有源滤波器能应用于中高压系统，正是因为这样一个原因导致混合型的有源滤波器基本不具备无功的动态双向调节功能，因此对各种电能质量问题的治理也就不够全面。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种混合型配网电能质量综合调节装置，这种混合型配网电能质量综合调节装置的逆变器采用电压型三电平三单相结构，与无源电力滤波器形成良好的配合，具有较高的响应速度，能够在配网实施动态无功双向调节的同时有效进行谐波治理，完成电压波动、闪变、不平衡和谐波等配网电能质量问题的综合调节。

本实用新型的目的是这样实现的：一种混合型配网电能质量综合调节装置，包括无源滤波器组以及保证装置正常工作的配电柜、绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块电源、冷却装置、综合保护装置和测控装置，特征是：还包括隔离变压器、电压型有源逆变桥和直流侧自充电切换回路，隔离变压器采用三相三铁心柱式设计，每相由一个原边和两个副边共三个绕组构成，原边采用三角形连接，副边采用星形连接；电压型有源逆变桥采用基于绝缘栅双极晶体管(IGBT)的三电平三单相逆变器结构；直流侧自充电切换回路由晶闸管和限流电阻并联后与直流电容串联构成。无源滤波器组滤除特定次数的谐波并兼补固定容量无功，直流侧自充电切换回路能够在装置投运之前自动对直流电容进行充电，达到额定值之后自动退出，并有效降低启动时刻的冲击电流，电压型有源逆变桥通过隔离变压器实施快速双向无功动态调节并对其它次数谐波进行实时治理，从而实现对配网电能质量的综合治理。

本实用新型具有如下优点：

(1)、电压型有源逆变桥采用基于IGBT的三电平三单相逆变器结构，采用模块化设计，能够灵活适用于380V～35kV的配网并实现大容量的分相控制；

(2)、电压型有源逆变桥的输出采用副边双绕组的三相三铁心柱式变压器与电网隔离，使得功率器件电压等级的选择更为灵活，且每相逆变桥可以共用容量较小的直流电容，避免了各逆变桥的电容电压不平衡问题，同时有效抑制了电容电压的波动；

(3)、直流侧自充电切换回路能够在装置投运之前自动对直流电容进行充电，达到额定值之后自动退出，并有效降低启动时刻的冲击电流；

(4)、无源滤波器组并联接入电网，采用单调谐或高通结构，既可补偿固定无功又能对配网特定次数的谐波进行“初滤”。

综上所述，本实用新型将变压器隔离型链式结构的有源逆变桥与无源滤波器组配合使用，有效克服了单纯采用有源装置容量要求大、整体价格高昂的缺点，有助于在现有补偿装置的基础上进行技术改造，达到了以较小的投资实现包括电压波动、闪变、不平衡和谐波等配网常见电能质量问题的综合治理。

附图说明

图1为本实用新型的原理框图；

图2为电压型有源逆变桥、直流侧自充电切换回路和隔离变压器的电路原理图。

具体实施方式

下面结合实施例并对照附图对本实用新型作进一步详细说明。

一种混合型配网电能质量综合调节装置，由隔离变压器1、电压型有源逆变桥2、直流侧自充电切换回路3、由单调谐或高通滤波器构成并与配网并联的无源滤波器组以及保证装置正常工作的配电柜、IGBT模块电源、冷却装置、综合保护装置和测控装置构成，其中：

隔离变压器1由A相变压器、B相变压器和C相变压器组成，A相变压器又由第1原边绕组L1、第1副边绕组L2和第2副边绕组L3组成，B相变压器又由第2原边绕组L4、第3副边绕组L5和第4副边绕组L6组成，C相变压器又由第3原边绕组L7、第5副边绕组L8和第6副边绕组第L9组成，第1原边绕组L1的一端接接第1三相输入端M，第1原边绕组L1另一端和第2原边绕组L4一端的公共端接第2三相输入端N，第2原边绕组L4另一端和第3原边绕组L7一端的公共端接第3三相输入端Q，第3原边绕组L4的另一端接第1三相输入端M；

电压型有源逆变桥2由A相有源逆变桥、B相有源逆变桥和C相有源逆变桥组成，A相有源逆变桥又由第1至第8绝缘栅双极晶体管IGBT1—IGBT8、第25至第32绝缘栅双极晶体管IGBT25—IGBT32、第1至第4二极管D1—D4和第13至第16二极管D13—D16组成，B相有源逆变桥又由第9至第16绝缘栅双极晶体管IGBT9—IGBT16、第33至第40绝缘栅双极晶体管IGBT33—IGBT40、第5至第8二极管D5—D8和第17至第20二极管D17—D20组成，C相有源逆变桥又由第17至第24绝缘栅双极晶体管IGBT17—IGBT24、第41至第48绝缘栅双极晶体管IGBT41—IGBT48、第9至第12二极管D9—D12和第21至第24二极管D21—D24组成，A相变压器的第1副边绕组L2的一端接第2绝缘栅双极晶体管IGBT2发射极和第3绝缘栅双极晶体管IGBT3集电极的公共端，第2绝缘栅双极晶体管IGBT2的集电极接第1绝缘栅双极晶体管IGBT1发射极，第3绝缘栅双极晶体管IGBT3的发射极接第4绝缘栅双极晶体管IGBT4的集电极，第1二极管D1的阴极接第1绝缘栅双极晶体管IGBT1的集电极，第2二极管D2的阴极接第2绝缘栅双极晶体管IGBT2的集电极，第5二极管的D5阳极接第4绝缘栅双极晶体管IGBT4的集电极，第2二极管D2阳极和第5二极管D5阴极的公共端接公共端0，第1副边绕组L2的另一端接第6绝缘栅双极晶体管IGBT6发射极和第7绝缘栅双极晶体管IGBT7集电极的公共端，第6绝缘栅双极晶体管IGBT6的集电极接第5绝缘栅双极晶体管IGBT5发射极，第7绝缘栅双极晶体管IGBT7的发射极接第8绝缘栅双极晶体管IGBT8的集电极，第8二极管D8的阴极接第6绝缘栅双极晶体管IGBT6的集电极，第11二极管D11的阳极接第8绝缘栅双极晶体管IGBT8的集电极，第8二极管D8阳极和第11二极管D11阴极的公共端接公共端0，第1绝缘栅双极晶体管IGBT1集电极和第5绝缘栅双极晶体管IGBT5集电极的公共端接公共端E，第4绝缘栅双极晶体管IGBT4发射极和第8绝缘栅双极晶体管IGBT8发射极的公共端接公共端F；第2副边绕组L3的一端接第30绝缘栅双极晶体管IGBT30发射极和第31绝缘栅双极晶体管IGBT31集电极的公共端，第30绝缘栅双极晶体管IGBT30的集电极接第29绝缘栅双极晶体管IGBT29发射极，第31绝缘栅双极晶体管IGBT31的发射极接第32绝缘栅双极晶体管IGBT32的集电极，第15二极管D15的阴极接第30绝缘栅双极晶体管IGBT30的集电极，第16二极管D16的阳极接第32绝缘栅双极晶体管IGBT32的集电极，第15二极管D15阳极和第16二极管D16阴极的公共端接公共端0，第2副边绕组L3的另一端接第26绝缘栅双极晶体管IGBT26发射极和第27绝缘栅双极晶体管IGBT27集电极的公共端，第26绝缘栅双极晶体管IGBT26的集电极接第25绝缘栅双极晶体管IGBT25发射极，第27绝缘栅双极晶体管IGBT27的发射极接第28绝缘栅双极晶体管IGBT28的集电极，第13二极管D13的阴极接第26绝缘栅双极晶体管IGBT26的集电极，第14二极管D14的阳极接第28绝缘栅双极晶体管IGBT28的集电极，第13二极管D13阳极和第14二极管D14阴极的公共端接公共端0，第25绝缘栅双极晶体管IGBT25集电极和第29绝缘栅双极晶体管IGBT29集电极的公共端接公共端E，第28绝缘栅双极晶体管IGBT28发射极和第32绝缘栅双极晶体管IGBT32发射极的公共端接公共端F；

B相变压器的第3副边绕组L5的一端接第10绝缘栅双极晶体管IGBT10发射极和第11绝缘栅双极晶体管IGBT11集电极的公共端，第10绝缘栅双极晶体管IGBT10的集电极接第9绝缘栅双极晶体管IGBT9发射极，第11绝缘栅双极晶体管IGBT11的发射极接第12绝缘栅双极晶体管IGBT12的集电极，第9绝缘栅双极晶体管IGBT9的集电极，第5二极管D5的阴极接第10绝缘栅双极晶体管IGBT10的集电极，第6二极管D6的阳极接第12绝缘栅双极晶体管IGBT12的集电极，第5二极管D5阳极和第6二极管D6阴极的公共端接公共端0，第3副边绕组L5的另一端接第14绝缘栅双极晶体管IGBT14发射极和第15绝缘栅双极晶体管IGBT15集电极的公共端，第14绝缘栅双极晶体管IGBT14的集电极接第13绝缘栅双极晶体管IGBT13发射极，第15绝缘栅双极晶体管IGBT15的发射极接第16绝缘栅双极晶体管IGBT16的集电极，第7二极管D7的阴极接第14绝缘栅双极晶体管IGBT14的集电极，第8二极管D8的阳极接第16绝缘栅双极晶体管IGBT16的集电极，第7二极管D7阳极和第8二极管D8阴极的公共端接公共端0，第9绝缘栅双极晶体管IGBT9集电极和第13绝缘栅双极晶体管IGBT13集电极的公共端接公共端E，第12绝缘栅双极晶体管IGBT12发射极和第16绝缘栅双极晶体管IGBT16发射极的公共端接公共端F；第4副边绕组L6的一端接第38绝缘栅双极晶体管IGBT38发射极和第39绝缘栅双极晶体管IGBT39集电极的公共端，第38绝缘栅双极晶体管IGBT38的集电极接第37绝缘栅双极晶体管IGBT37发射极，第39绝缘栅双极晶体管IGBT39的发射极接第40绝缘栅双极晶体管IGBT40的集电极，第19二极管D19的阴极接第38绝缘栅双极晶体管IGBT38的集电极，第20二极管D20的阳极接第40绝缘栅双极晶体管IGBT40的集电极，第19二极管D19阳极和第20二极管D20阴极的公共端接公共端0，第4副边绕组L6的另一端接第34绝缘栅双极晶体管IGBT34发射极和第35绝缘栅双极晶体管IGBT35集电极的公共端，第34绝缘栅双极晶体管IGBT34的集电极接第33绝缘栅双极晶体管IGBT33发射极，第35绝缘栅双极晶体管IGBT35的发射极接第36绝缘栅双极晶体管IGBT36的集电极，第17二极管D17的阴极接第34绝缘栅双极晶体管IGBT34的集电极，第18二极管D18的阳极接第36绝缘栅双极晶体管IGBT36的集电极，第17二极管D17阳极和第18二极管D18阴极的公共端接公共端0，第33绝缘栅双极晶体管IGBT33集电极和第37绝缘栅双极晶体管IGBT37集电极的公共端接公共端E，第36绝缘栅双极晶体管IGBT36发射极和第40绝缘栅双极晶体管IGBT40发射极的公共端接公共端F；

C相变压器的第5副边绕组L8的一端接第18绝缘栅双极晶体管IGBT18发射极和第19绝缘栅双极晶体管IGBT19集电极的公共端，第18绝缘栅双极晶体管IGBT18的集电极接第17绝缘栅双极晶体管IGBT17发射极，第19绝缘栅双极晶体管IGBT19的发射极接第20绝缘栅双极晶体管IGBT20的集电极，第9二极管D9的阴极接第18绝缘栅双极晶体管IGBT18的集电极，第10二极管D10的阳极接第20绝缘栅双极晶体管IGBT20的集电极，第9二极管D9阳极和第10二极管D10阴极的公共端接公共端0，第5副边绕组L8的另一端接第22绝缘栅双极晶体管IGBT22发射极和第23绝缘栅双极晶体管IGBT23集电极的公共端，第22绝缘栅双极晶体管IGBT22的集电极接第21绝缘栅双极晶体管IGBT21发射极，第23绝缘栅双极晶体管IGBT23的发射极接第24绝缘栅双极晶体管IGBT24的集电极，第11二极管D11的阴极接第22绝缘栅双极晶体管IGBT22的集电极，第12二极管D12的阳极接第24绝缘栅双极晶体管IGBT24的集电极，第11二极管D11阳极和第12二极管D12阴极的公共端接公共端0，第17绝缘栅双极晶体管IGBT17集电极和第21绝缘栅双极晶体管IGBT21集电极的公共端接公共端E，第20绝缘栅双极晶体管IGBT20发射极和第24绝缘栅双极晶体管IGBT24发射极的公共端接公共端F；第6副边绕组L9的一端接第46绝缘栅双极晶体管IGBT46发射极和第47绝缘栅双极晶体管IGBT47集电极的公共端，第46绝缘栅双极晶体管IGBT46的集电极接第45绝缘栅双极晶体管IGBT45发射极，第47绝缘栅双极晶体管IGBT47的发射极接第48绝缘栅双极晶体管IGBT48的集电极，第23二极管D23的阴极接第46绝缘栅双极晶体管IGBT46的集电极，第24二极管D24的阳极接第48绝缘栅双极晶体管IGBT48的集电极，第23二极管D23阳极和第24二极管D24阴极的公共端接公共端0，第6副边绕组L9的另一端接第42绝缘栅双极晶体管IGBT42发射极和第43绝缘栅双极晶体管IGBT43集电极的公共端，第42绝缘栅双极晶体管IGBT42的集电极接第41绝缘栅双极晶体管IGBT41发射极，第43绝缘栅双极晶体管IGBT43的发射极接第44绝缘栅双极晶体管IGBT44的集电极，第21二极管D21的阴极接第42绝缘栅双极晶体管IGBT42的集电极，第22二极管D22的阳极接第44绝缘栅双极晶体管IGBT44的集电极，第21二极管D21阳极和第22二极管D22阴极的公共端接公共端0，第41绝缘栅双极晶体管IGBT41集电极和第45绝缘栅双极晶体管IGBT45集电极的公共端接公共端E，第44绝缘栅双极晶体管IGBT44发射极和第48绝缘栅双极晶体管IGBT48发射极的公共端接公共端F；

直流侧自充电切换回路3由第1可控硅KG1、第2可控硅KG2、第1功率电阻R1、第2功率电阻R2、第1极性电容C1、第2极性电容C2组成，第1可控硅KG1的阳极接公共端E，第1可控硅KG1的阳极接第1极性电容C1的正极，第1极性电容C1负极和第2极性电容C2正极的公共端接公共端0，第2极性电容C2的负极接第2可控硅KG2的阳极，第2可控硅KG2的阴极接公共端F，第1可控硅KG1的控制极接第2可控硅KG2的控制极，第1功率电阻R1并联在第1可控硅KG1的阳极和阴极之间，第2功率电阻R2并联在第2可控硅KG2的阳极和阴极之间。

隔离变压器1采用三相三铁心柱式设计，每相由一个原边和两个副边共三个绕组构成，即：A相变压器由第1原边绕组L1、第1副边绕组L2和第2副边绕组L3组成，B相变压器由第2原边绕组L4、第3副边绕组L5和第4副边绕组L6组成，C相变压器由第3原边绕组L7、第5副边绕组L8和第6副边绕组第L9组成，第1原边绕组L1、第2原边绕组L4、第3原边绕组L7采用三角形连接，第1副边绕组L2、第3副边绕组L5和第5副边绕组L8采用星形连接，第2副边绕组L3、第4副边绕组L6和第6副边绕组第L9采用星形连接；电压型有源逆变桥2采用基于绝缘栅双极晶体管IGBT的三电平三单相逆变器结构。

工作原理：

由于电压型有源逆变桥2中的各个绝缘栅双极晶体管IGBT都带有续流二极管，当电压型有源逆变桥2接入配网时，可利用续流二极管对第1极性电容C1和第2极性电容C2进行反向整流，在此过程中，第1功率电阻R1和第2功率电阻R2可起到限流作用，抑制启动时刻的冲击电流，待检测到第1极性电容C1和第2极性电容C2两端的电压达到额定值后，控制第1可控硅KG1和第2可控硅KG2保持导通，此时第1功率电阻R1和第2功率电阻R2将被短路不起作用，装置即可以正式投入运行，直流电压随后的稳定将通过与电网的有功交换来进行控制。

电压型有源逆变桥2采用的是三电平三单相的结构，与二电平三相结构相比可有效改善输出电压的波形，也有利于用耐压较低的器件实现较高电压的输出，同时绝缘栅双极晶体管IGBT采用模块化设计，可根据实际应用情况进行相关调整，有利于满足各种配网电压等级和补偿容量的要求。

隔离变压器1采用三相三铁芯柱式结构，每相一个原边两个副边共三个绕组，原边三角形连接，副边星形连接，其变比可根据配网的电压等级、装置容量要求和绝缘栅双极晶体管IGBT的型号规格进行选取。

由于电压型有源逆变桥2采用了三单相结构同时交流侧通过三相绕组独立的变压器与配网隔离，故而可共用直流电容，从而避免了各逆变桥电容电压不平衡问题，有效抑制了电容电压的波动，同时三相之间没有交流侧的直接耦合，因此装置具有较强的分相运行能力，能够适应不平衡负荷补偿的特殊要求。

Claims (1)

1、一种混合型配网电能质量综合调节装置，它包括无源滤波器组以及保证装置正常工作的配电柜、IGBT模块电源、冷却装置、综合保护装置和测控装置，其特征在于：还包括隔离变压器(1)、电压型有源逆变桥(2)和直流侧自充电切换回路(3)，其中：

隔离变压器(1)由A相变压器、B相变压器和C相变压器组成，A相变压器又由第1原边绕组(L1)、第1副边绕组(L2)和第2副边绕组(L3)组成，B相变压器又由第2原边绕组(L4)、第3副边绕组(L5)和第4副边绕组(L6)组成，C相变压器又由第3原边绕组(L7)、第5副边绕组(L8)和第6副边绕组第(L9)组成，第1原边绕组(L1)的一端接接第1三相输入端(M)，第1原边绕组(L1)另一端和第2原边绕组(L4)一端的公共端接第2三相输入端(N)，第2原边绕组(L4)另一端和第3原边绕组(L7)一端的公共端接第3三相输入端(Q)，第3原边绕组(L4)的另一端接第1三相输入端(M)；

电压型有源逆变桥(2)由A相有源逆变桥、B相有源逆变桥和C相有源逆变桥组成，A相有源逆变桥又由第1至第8绝缘栅双极晶体管(IGBT1—IGBT8)、第25至第32绝缘栅双极晶体管(IGBT25—IGBT32)、第1至第4二极管(D1—D4)和第13至第16二极管(D13—D16)组成，B相有源逆变桥又由第9至第16绝缘栅双极晶体管(IGBT9—IGBT16)、第33至第40绝缘栅双极晶体管(IGBT33—IGBT40)、第5至第8二极管(D5—D8)和第17至第20二极管(D17—D20)组成，C相有源逆变桥又由第17至第24绝缘栅双极晶体管(IGBT17—IGBT24)、第41至第48绝缘栅双极晶体管(IGBT41—IGBT48)、第9至第12二极管(D9—D12)和第21至第24二极管(D21—D24)组成，A相变压器的第1副边绕组(L2)的一端接第2绝缘栅双极晶体管(IGBT2)发射极和第3绝缘栅双极晶体管(IGBT3)集电极的公共端，第2绝缘栅双极晶体管(IGBT2)的集电极接第1绝缘栅双极晶体管(IGBT1)发射极，第3绝缘栅双极晶体管(IGBT3)的发射极接第4绝缘栅双极晶体管(IGBT4)的集电极，第1二极管(D1)的阴极接第1绝缘栅双极晶体管(IGBT1)的集电极，第2二极管(D2)的阴极接第2绝缘栅双极晶体管(IGBT2)的集电极，第5二极管的(D5)阳极接第4绝缘栅双极晶体管(IGBT4)的集电极，第2二极管(D2)阳极和第5二极管(D5)阴极的公共端接公共端(O)，第1副边绕组(L2)的另一端接第6绝缘栅双极晶体管(IGBT6)发射极和第7绝缘栅双极晶体管(IGBT7)集电极的公共端，第6绝缘栅双极晶体管(IGBT6)的集电极接第5绝缘栅双极晶体管(IGBT5)发射极，第7绝缘栅双极晶体管(IGBT7)的发射极接第8绝缘栅双极晶体管(IGBT8)的集电极，第8二极管(D8)的阴极接第6绝缘栅双极晶体管(IGBT6)的集电极，第11二极管(D11)的阳极接第8绝缘栅双极晶体管(IGBT8)的集电极，第8二极管(D8)阳极和第11二极管(D11)阴极的公共端接公共端(O)，第1绝缘栅双极晶体管(IGBT1)集电极和第5绝缘栅双极晶体管(IGBT5)集电极的公共端接公共端(E)，第4绝缘栅双极晶体管(IGBT4)发射极和第8绝缘栅双极晶体管(IGBT8)发射极的公共端接公共端(F)；第2副边绕组(L3)的一端接第30绝缘栅双极晶体管(IGBT30)发射极和第31绝缘栅双极晶体管(IGBT31)集电极的公共端，第30绝缘栅双极晶体管(IGBT30)的集电极接第29绝缘栅双极晶体管(IGBT29)发射极，第31绝缘栅双极晶体管(IGBT31)的发射极接第32绝缘栅双极晶体管(IGBT32)的集电极，第15二极管(D15)的阴极接第30绝缘栅双极晶体管(IGBT30)的集电极，第16二极管(D16)的阳极接第32绝缘栅双极晶体管(IGBT32)的集电极，第15二极管(D15)阳极和第16二极管(D16)阴极的公共端接公共端(O)，第2副边绕组(L3)的另一端接第26绝缘栅双极晶体管(IGBT26)发射极和第27绝缘栅双极晶体管(IGBT27)集电极的公共端，第26绝缘栅双极晶体管(IGBT26)的集电极接第25绝缘栅双极晶体管(IGBT25)发射极，第27绝缘栅双极晶体管(IGBT27)的发射极接第28绝缘栅双极晶体管(IGBT28)的集电极，第13二极管(D13)的阴极接第26绝缘栅双极晶体管(IGBT26)的集电极，第14二极管(D14)的阳极接第28绝缘栅双极晶体管(IGBT28)的集电极，第13二极管(D13)阳极和第14二极管(D140阴极的公共端接公共端(O)，第25绝缘栅双极晶体管(IGBT25)集电极和第29绝缘栅双极晶体管(IGBT29)集电极的公共端接公共端(E)，第28绝缘栅双极晶体管(IGBT28(发射极和第32绝缘栅双极晶体管(IGBT32)发射极的公共端接公共端(F)；

B相变压器的第3副边绕组(L5)的一端接第10绝缘栅双极晶体管(IGBT10)发射极和第11绝缘栅双极晶体管(IGBT11)集电极的公共端，第10绝缘栅双极晶体管(IGBT10)的集电极接第9绝缘栅双极晶体管(IGBT9)发射极，第11绝缘栅双极晶体管(IGBT11)的发射极接第12绝缘栅双极晶体管(IGBT12)的集电极，第9绝缘栅双极晶体管(IGBT9)的集电极，第5二极管(D5)的阴极接第10绝缘栅双极晶体管(IGBT10)的集电极，第6二极管(D6)的阳极接第12绝缘栅双极晶体管(IGBT12)的集电极，第5二极管(D5)阳极和第6二极管(D6)阴极的公共端接公共端(O)，第3副边绕组(L5)的另一端接第14绝缘栅双极晶体管(IGBT14)发射极和第15绝缘栅双极晶体管(IGBT15)集电极的公共端，第14绝缘栅双极晶体管(IGBT14)的集电极接第13绝缘栅双极晶体管(IGBT13)发射极，第15绝缘栅双极晶体管(IGBT15)的发射极接第16绝缘栅双极晶体管(IGBT16)的集电极，第7二极管(D7)的阴极接第14绝缘栅双极晶体管(IGBT14)的集电极，第8二极管(D8)的阳极接第16绝缘栅双极晶体管(IGBT16)的集电极，第7二极管(D7)阳极和第8二极管(D8)阴极的公共端接公共端(O)，第9绝缘栅双极晶体管(IGBT9)集电极和第13绝缘栅双极晶体管(IGBT13)集电极的公共端接公共端(E)，第12绝缘栅双极晶体管(IGBT12)发射极和第16绝缘栅双极晶体管(IGBT16)发射极的公共端接公共端(F)；第4副边绕组(L6)的一端接第38绝缘栅双极晶体管(IGBT38)发射极和第39绝缘栅双极晶体管(IGBT39)集电极的公共端，第38绝缘栅双极晶体管(IGBT38)的集电极接第37绝缘栅双极晶体管(IGBT37)发射极，第39绝缘栅双极晶体管(IGBT39)的发射极接第40绝缘栅双极晶体管(IGBT40)的集电极，第19二极管(D19)的阴极接第38绝缘栅双极晶体管(IGBT38)的集电极，第20二极管(D20)的阳极接第40绝缘栅双极晶体管(IGBT40)的集电极，第19二极管(D19)阳极和第20二极管(D20)阴极的公共端接公共端(O)，第4副边绕组(L6)的另一端接第34绝缘栅双极晶体管(IGBT34)发射极和第35绝缘栅双极晶体管(IGBT35)集电极的公共端，第34绝缘栅双极晶体管(IGBT34)的集电极接第33绝缘栅双极晶体管(IGBT33)发射极，第35绝缘栅双极晶体管(IGBT35)的发射极接第36绝缘栅双极晶体管(IGBT36)的集电极，第17二极管(D17)的阴极接第34绝缘栅双极晶体管(IGBT34)的集电极，第18二极管(D18)的阳极接第36绝缘栅双极晶体管(IGBT36)的集电极，第17二极管(D17)阳极和第18二极管(D18)阴极的公共端接公共端(O)，第33绝缘栅双极晶体管(IGBT33)集电极和第37绝缘栅双极晶体管(IGBT37)集电极的公共端接公共端(E)，第36绝缘栅双极晶体管(IGBT36)发射极和第40绝缘栅双极晶体管(IGBT40)发射极的公共端接公共端(F)；

C相变压器的第5副边绕组(L8)的一端接第18绝缘栅双极晶体管(IGBT18)发射极和第19绝缘栅双极晶体管(IGBT19)集电极的公共端，第18绝缘栅双极晶体管(IGBT18)的集电极接第17绝缘栅双极晶体管(IGBT17)发射极，第19绝缘栅双极晶体管(IGBT19)的发射极接第20绝缘栅双极晶体管(IGBT20)的集电极，第9二极管(D9)的阴极接第18绝缘栅双极晶体管(IGBT18)的集电极，第10二极管(D10)的阳极接第20绝缘栅双极晶体管(IGBT20)的集电极，第9二极管(D9)阳极和第10二极管(D10)阴极的公共端接公共端(O)，第5副边绕组(L8)的另一端接第22绝缘栅双极晶体管(IGBT22)发射极和第23绝缘栅双极晶体管(IGBT23)集电极的公共端，第22绝缘栅双极晶体管(IGBT22)的集电极接第21绝缘栅双极晶体管(IGBT21)发射极，第23绝缘栅双极晶体管(IGBT23)的发射极接第24绝缘栅双极晶体管(IGBT24)的集电极，第11二极管(D11)的阴极接第22绝缘栅双极晶体管(IGBT22)的集电极，第12二极管(D12)的阳极接第24绝缘栅双极晶体管(IGBT24)的集电极，第11二极管(D11)阳极和第12二极管(D12)阴极的公共端接公共端(O)，第17绝缘栅双极晶体管(IGBT17)集电极和第21绝缘栅双极晶体管(IGBT21)集电极的公共端接公共端(E)，第20绝缘栅双极晶体管(IGBT20)发射极和第24绝缘栅双极晶体管(IGBT24)发射极的公共端接公共端(F)；第6副边绕组(L9)的一端接第46绝缘栅双极晶体管(IGBT46)发射极和第47绝缘栅双极晶体管(IGBT47)集电极的公共端，第46绝缘栅双极晶体管(IGBT46)的集电极接第45绝缘栅双极晶体管(IGBT45)发射极，第47绝缘栅双极晶体管(IGBT47)的发射极接第48绝缘栅双极晶体管(IGBT48)的集电极，第23二极管(D23)的阴极接第46绝缘栅双极晶体管(IGBT46)的集电极，第24二极管(D24)的阳极接第48绝缘栅双极晶体管(IGBT48)的集电极，第23二极管(D23)阳极和第24二极管(D24)阴极的公共端接公共端(O)，第6副边绕组(L9)的另一端接第42绝缘栅双极晶体管(IGBT42)发射极和第43绝缘栅双极晶体管(IGBT43)集电极的公共端，第42绝缘栅双极晶体管(IGBT42)的集电极接第41绝缘栅双极晶体管(IGBT41)发射极，第43绝缘栅双极晶体管(IGBT43)的发射极接第44绝缘栅双极晶体管(IGBT44)的集电极，第21二极管(D21)的阴极接第42绝缘栅双极晶体管(IGBT42)的集电极，第22二极管(D22)的阳极接第44绝缘栅双极晶体管(IGBT44)的集电极，第21二极管(D21)阳极和第22二极管(D22)阴极的公共端接公共端(O)，第41绝缘栅双极晶体管(IGBT41)集电极和第45绝缘栅双极晶体管(IGBT45)集电极的公共端接公共端(E)，第44绝缘栅双极晶体管(IGBT44)发射极和第48绝缘栅双极晶体管(IGBT48)发射极的公共端接公共端(F)；

直流侧自充电切换回路(3)由第1可控硅(KG1)、第2可控硅(KG2)、第1功率电阻(R1)、第2功率电阻(R2)、第1极性电容(C1)、第2极性电容(C2)组成，第1可控硅(KG1)的阳极接公共端(E)，第1可控硅(KG1)的阳极接第1极性电容(C1)的正极，第1极性电容(C1)负极和第2极性电容(C2)正极的公共端接公共端(O)，第2极性电容(C2)的负极接第2可控硅(KG2)的阳极，第2可控硅(KG2)的阴极接公共端(F)，第1可控硅(KG1)的控制极接第2可控硅(KG2)的控制极，第1功率电阻(R1)并联在第1可控硅(KG1)的阳极和阴极之间，第2功率电阻(R2)并联在第2可控硅(KG2)的阳极和阴极之间。

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