CN201219253Y - 一种射频电子锁的电子开关 - Google Patents

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CN201219253Y CNU2008200493136U CN200820049313U CN201219253Y CN 201219253 Y CN201219253 Y CN 201219253Y CN U2008200493136 U CNU2008200493136 U CN U2008200493136U CN 200820049313 U CN200820049313 U CN 200820049313U CN 201219253 Y CN201219253 Y CN 201219253Y
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Abstract

本实用新型涉及一种射频电子锁的电子开关,其包括:开关元件,其连接于射频电子锁的电源输出端与电源输入端之间,用于导通或关断射频电子锁的电源;延时控制电路,与所述开关元件相连,用于控制该开关元件的导通或自动延时关断。本实用新型射频电子锁的电子开关在其电源输出端与电源输入端之间设置开关元件,利用延时控制电路控制该开关元件的导通或自动延时关断。当开关元件导通电源输出端与电源输入端时,射频电子锁进入工作状态,然后延时控制电路经过延时后再将开关元件关断从而关断电源输出端与电源输入端使射频电子锁进入极低功耗的待机状态。这样有效地减少不必要的工作状态,从而降低功耗,起到省电的效果。

Description

一种射频电子锁的电子开关
技术领域
本实用新型涉及一种电子电路,尤其涉及一种应用于汽车射频电子锁的电子开关。
背景技术
射频电子锁是利用电产生磁场,再利用磁场产生感应电压进行射频的通讯工作。但是射频电子锁一旦打开,若没有人工去关闭,就会长期处于待机的状态,这样导致耗电量大。当其应用于汽车上时,由于汽车的电能储存量很有限,耗电大产生的问题会显得更加突出。由于汽车射频电子锁不必要一直处于工作状态,怎样省去汽车射频电子锁不必要的工作状态是解决射频电子锁耗电的一种途径。
为此,业界需要提供一种能控制射频电子锁自动延时断电的电子开关。
实用新型内容
基于现有技术的不足,本实用新型需要解决的问题是提供一种能控制射频电子锁自动延时断电的电子开关。
为解决上述问题,本实用新型采用了如下的技术方案:一种射频电子锁的电子开关,其包括:
开关元件,其连接于射频电子锁的电源输出端与电源输入端之间,用于导通或关断射频电子锁的电源;
延时控制电路,与所述开关元件相连,用于控制该开关元件的导通或自动延时关断。
与现有技术相比较,本实用新型射频电子锁的电子开关在其电源输出端与电源输入端之间设置开关元件,利用延时控制电路控制该开关元件的导通或自动延时关断。当开关元件导通电源输出端与电源输入端时,射频电子锁进入工作状态,然后延时控制电路经过延时后再将开关元件关断从而关断电源输出端与电源输入端使射频电子锁进入极低功耗的待机状态。这样有效地减少不必要的工作状态,从而降低功耗,起到省电的效果。
作为本实用新型射频电子锁的电子开关的改进,本实用新型射频电子锁的电子开关还可以包括以下技术特征的一部分或全部:
所述延时控制电路包括第一、二开关端和第一、二、三、四三极管;所述第一三极管的基极分两路,一路接第一开关端,另一通过电容C2接地;第一三极管的发射极接地,第一三极管的集电极接第四三极管的基极;所述第二三极管的基极通过电阻R2分两路,一路电容C1接第二开关端,另一路通过电阻R5接电源输入端;第二三极管的发射极接地,第二三极管的集电极通过电阻R7接电源输入端;所述第三三极管的基极通过电阻R4接第二三极管的集电极,其发射极接地,其集电极接第四三极管的基极;所述第四三极管的基极通过电阻R3接第二开关端,其发射极通过电阻R6接所述开关元件用于控制该开关元件的导通或关闭,其集电极接地。
所述开关元件包括与电源输入端相连的输出端、与电源输出端相连的输入端、以及用于导通或关闭该输入端与输出端的控制端,所述控制端通过电阻R1分两路,一路与所述电源输入端相连;另一路与所述开关管的输出端相连。
所述开关元件为三极管或场效应管。所述场效应管为P沟型的场效应管。
下面结合附图详细说明本实用新型,其作为本说明书的一部分,通过实施例来说明本实用新型的原理,本实用新型的其他方面、特征及其优点通过该详细说明将会变得一目了然。
附图说明
图1为本实用新型射频电子锁的电子开关的工作原理示意图。
图2为本实用新型射频电子锁的电子开关一个优选实施例的电路图。
具体实施方式
现结合附图来说明本实用新型本实用新型射频电子锁的电子开关的优选实施例。
参考图1,本实施例中的电子开关包括开关元件10,延时控制电路40。该开关元件10连接于射频电子锁的电源输出端20与电源输入端30之间,用于导通或关断射频电子锁60的外部电源50。所述延时控制电路40与所述开关元件10相连,用于控制该开关元件10的导通或自动延时关断。所述开关元件包括控制端、与电源输入端30相连的输出端以及与电源输出端20相连的输入端,所述控制端与延时控制电路40相连。所述延时控制电路40通过所述控制端控制所述开关元件10的输出端、输入端的导通于关闭。
参考图2,所述开关元件为场效应管Q1,具体为P沟道的MOSFET开关管。
所述延时控制电路40包括第一开关端41、第二开关端42和第一三极管Q2、第二三极管Q3、第三三极管Q4、第四三极管Q5。所述第一开关端41、第二开关端42为两个触摸控制端。
所述第一三极管Q2的基极分两路,一路接第一开关端41,另一通过电容(C2)接地;第一三极管Q2的发射极接地;第一三极管Q2的集电极接第四三极管Q5的基极。
所述第二三极管Q3的基极通过电阻R2分两路,一路电容C1接第二开关端42,另一路通过电阻R5接电源输入端30;第二三极管Q3的发射极接地,第二三极管Q3的集电极通过电阻R7接电源输入端30。
所述第三三极管Q4的基极通过R4接第二三极管Q3的集电极;其发射极接地;其集电极接第四三极管Q5的基极。
所述第四三极管Q5的基极通过R3接第二开关端42,其发射极通过电阻R6接所述开关元件10用于控制该开关元件的导通或关闭,其集电极接地。
所述场效应管Q1的漏极D与电源输出端20相连;其源极S与电源输入端30相连;其栅极G通过电阻R1分两路,一路与所述电源输入端30相连,另一路与所述场效应管Q1的源极S相连。
所述电源输入端30接汽车射频电子锁60,电源输出端20接外部电源50。当人体触摸所述第一开关端41、第二开关端42,并将第一开关端41、第二开关端42连通时,所述第一三极管Q2的基极有偏置电压而导通,第四三极管Q5的基极电位变低后导通,从而场效应管Q1导通。这样,所述汽车射频电子锁60接通外部电源50,该汽车射频电子锁60进入工作状态。
所述第一三极管Q2导通后会通过电阻R5的电流对电容C1进行充电。在充电刚进行时,所述第二三极管Q3因为基极电位变低而不工作,而第三三极管Q4因为基极得到偏置电压而导通,第三三极管Q4导通后继续保持第四三极管Q5的导通、以及场效应管Q1的导通。
当C1充电完成后,第二三极管Q3的基极电位升高从而致使第二三极管Q3导通,第三三极管Q4截止。从而第四三极管Q5、场效应管Q1截止。这样汽车射频电子锁60的外部电源50被切断,该汽车射频电子锁60从而进入待机状态。
所述射频电子锁的电子开关在其电源输出端与电源输入端之间设置开关元件,利用延时控制电路控制该开关元件的导通或自动延时关断。当开关元件导通电源输出端与电源输入端时,射频电子锁进入工作状态,然后延时控制电路经过延时后再将开关元件关断从而关断电源输出端与电源输入端使射频电子锁进入极低功耗的待机状态。这样有效地减少不必要的工作状态,从而降低功耗,起到省电的效果。
当然,在其他实施例中所述开关元件还可以为三极管或其它类型的场效应管。所述第一三极管Q2、第二三极管Q3、第三三极管Q4、第四三极管Q5也可以用场效应管来代替。以上所述本领域的普通技术人员完全可以根据上述实施例来实现,这里就不再一一赘述了。
以上所揭露的仅为本实用新型的较佳实施例而已,当然不能以此来限定本实用新型之权利范围,因此依本实用新型申请专利范围所作的等同变化,仍属本实用新型所涵盖的范围。

Claims (5)

1.一种射频电子锁的电子开关,该其特征在于其包括:
开关元件,其连接于射频电子锁的电源输出端与电源输入端之间,用于导通或关断射频电子锁的电源;
延时控制电路,与所述开关元件相连,用于控制该开关元件的导通或自动延时关断。
2.如权利要求1所述射频电子锁的电子开关,其特征在于所述延时控制电路包括第一、二开关端和第一、二、三、四三极管;
所述第一三极管的基极分两路,一路接第一开关端,另一通过电容(C2)接地;第一三极管的发射极接地,第一三极管的集电极接第四三极管的基极;
所述第二三极管的基极通过电阻(R2)分两路,一路电容(C1)接第二开关端,另一路通过电阻(R5)接电源输入端;第二三极管的发射极接地,第二三极管的集电极通过电阻(R7)接电源输入端;
所述第三三极管的基极通过电阻(R4)接第二三极管的集电极,其发射极接地,其集电极接第四三极管的基极;
所述第四三极管的基极通过电阻(R3)接第二开关端,其发射极通过电阻(R6)接所述开关元件用于控制该开关元件的导通或关闭,其集电极接地。
3.如权利要求2所述射频电子锁的电子开关,其特征在于所述开关元件包括与电源输入端相连的输出端、与电源输出端相连的输入端、以及用于导通或关闭该输入端与输出端的控制端,所述控制端通过电阻(R1)分两路,一路与所述电源输入端相连;另一路与所述开关管的输出端相连。
4.如权利要求1或2或3所述射频电子锁的电子开关,其特征在于所述开关元件为三极管或场效应管。
5.如权利要求4所述一种射频电子锁的电子开关,其特征在于所述场效应管为P沟型的场效应管。
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