CN201112009Y - 辐射型漏泄同轴电缆 - Google Patents
辐射型漏泄同轴电缆 Download PDFInfo
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Abstract
一种辐射型漏泄同轴电缆,包括:内导体;绝缘层,包覆于内导体外部;外导体,套合于绝缘层外部,外导体上成形有多个漏泄槽孔;外护套,包覆于外导体外部。其中,漏泄槽孔包括沿第一方向延伸的第一部分和自第一部分的一端沿第二方向延伸的第二部分,第一部分的长度不大于120mm,宽度不大于15mm,第二部分的长度小于第一部分的长度,宽度大于所述第一部分的宽度。该漏泄同轴电缆应用3G频段等高频信号传输时,传输衰减大大降低,从而增加了漏泄同轴电缆的无线盲区覆盖距离;并且在高频传输时50%和95%耦合损耗值偏差小,数据信号传输时误码率小且稳定。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种信号电缆,尤其涉及一种辐射型漏泄同轴电缆。
背景技术
漏泄同轴电缆通过在其外导体上设置开口而向外界辐射并从外界接收电磁波信号,因而兼有信号传输线和收发天线的双重功能,主要用于无线电信号传播不良的场合,如隧道、坑道、地下铁路、地下建筑、山区等环境中。现有漏泄同轴电缆有两种结构形式,一种是辐射型漏泄同轴电缆,其主要用于低频段;另一种是耦合型漏泄同轴电缆。
辐射型漏泄同轴电缆仅适用于频率为900MHz以下的频段。如果将其应用于频率为1800MHz以上的场合,则电缆传输衰减很大,不能满足3G高频(1800-2400MHz)传输时的使用要求。
耦合型漏泄同轴电缆属于宽频漏缆,其使用频段宽,但传输衰减与耦合损耗之和(即系统损耗)较大,致使其传输距离较短,不能满足长距离的无线盲区信号覆盖要求。此外,它的耦合损耗受其所处环境的影响较大,在传输高频(1800-2400MHz)信号时很不稳定,50%和95%耦合损耗值偏差太大,数据信号传输误码率大。因此,耦合型漏泄同轴电缆也不能满足高频段(如3G频段)的使用要求。
实用新型内容
本实用新型克服上述现有技术之不足,提供一种能应用于3G等高频场合(1800-2400MHz)时传输衰减小的辐射型漏泄同轴电缆。
按照本实用新型提供的一种辐射型漏泄同轴电缆,包括:内导体;绝缘层,包覆于所述内导体外部;外导体,套合于所述绝缘层外部,所述外导体上成形有多个第一漏泄槽孔;外护套,包覆于所述外导体外部。其中,所述漏泄槽孔包括沿第一方向延伸的第一部分和自所述第一部分的一端沿第二方向延伸的第二部分,所述第一部分的长度不大于120mm,宽度不大于15mm;所述第二部分的长度小于所述第一部分的长度,所述第二部分的宽度大于所述第一部分的宽度。
优选地,所述第二部分的长度不大于20mm,宽度不大于25mm。
优选地,所述第二部分的宽度与所述第一部分的宽度之差不大于10mm。
优选地,所述第一部分和第二部分相互垂直,所述第一方向为所述外导体的轴线方向,所述第二方向为所述外导体的切线方向。
优选地,相邻的两所述漏泄槽孔构成一组,且二者的第二部分朝相反的方向延伸,所述漏泄槽孔的节距不小于200mm,不大于500mm。
优选地,相邻的两所述漏泄槽孔之间的间距不小于10mm,不大于100mm。
按照本实用新型提供的另一种辐射型漏泄同轴电缆,包括:内导体;绝缘层,包覆于所述内导体外部;外导体,套合于所述绝缘层外部,所述外导体上成形有多个第一漏泄槽孔;外护套,包覆于所述外导体外部。其中,所述第一漏泄槽孔大体为矩形,其长度方向为所述外导体的切线方向,所述第一漏泄槽孔的长度不大于120mm,宽度不大于15mm。
优选地,相邻的两所述第一漏泄槽孔之间的间距不小于10mm,不大于100mm。
优选地,所述外导体上还成形有第二漏泄槽孔,所述第二漏泄槽孔大体为矩形,其长度方向为所述外导体的轴线方向。
优选地,所述第二漏泄槽孔的面积不大于所述第一漏泄槽孔的面积的八分之一,且所述第一漏泄槽孔与所述第二漏泄槽孔间隔地设置。
按照本实用新型提供的辐射型漏泄同轴电缆,由于其漏泄槽孔采用了特殊的结构尺寸(沿电缆轴线方向的最长长度不大于120mm,沿电缆切线方向的最小宽度不大于15mm),因此可有效降低平行于电缆的横向极化,使横向极化的辐射最小化,因而电缆圆周方向的电场相互叠加,即使得辐射电场集中在电缆圆周方向向前传输,接收天线沿电缆移动时,接收的是电缆圆周方向相互叠加的场,而轴向场相互抵消,即轴向没有辐射能量损失或者损耗很小。因而与现有漏泄同轴电缆相比,该同轴电缆工作于3G频段或更高频率的频段时,传输衰减大大降低,从而增加了漏泄同轴电缆的无线盲区覆盖距离;并且在高频传输时50%和95%耦合损耗值偏差小,数据信号传输时误码率小且稳定。因此,本实用新型的辐射型漏泄同轴电缆能满足信号在3G高频率传输时对漏泄同轴电缆性能指标的要求。
附图说明
图1为按照本实用新型提供的辐射型漏泄同轴电缆的横截面剖视示意图;
图2为按照本实用新型的一种优选实施方案的漏泄同轴电缆的外导体上漏泄槽孔的结构分布示意图;
图3为按照本实用新型的另一种优选实施方案的漏泄同轴电缆的外导体上漏泄槽孔的结构分布示意图;
图4为按照本实用新型的再一种优选实施方案的漏泄同轴电缆的外导体上漏泄槽孔的结构分布示意图;
图5为按照本实用新型的还一种优选实施方案的漏泄同轴电缆的外导体上漏泄槽孔的结构分布示意图。
具体实施方式
参见图1,按照本实用新型提供的辐射型漏泄同轴电缆,包括位于电缆中央的内导体1,包覆于内导体1外部的绝缘层2,套合于绝缘层2外部的外导体3和包覆于外导体3外部的外护套4。内导体1、绝缘层2、外导体3和外护套4的材料及厚度均根据公知技术选用,此处不赘述。
本实用新型提供的辐射型漏泄同轴电缆主要用于3G频段,因此,在设计时根据漏泄同轴电缆工作频率下限公式:F=C/(P(1+εr^1/2))及工作截止频率公式:fc=1.91×105/(εr(D+d)),使其工作频率范围为800MHz~2400MHz。
参见图2,在本实用新型的一种优选实施方案中,外导体3上成形有多个漏泄槽孔5。漏泄槽孔5包括沿第一方向延伸的第一部分51和自第一部分51的一端沿第二方向延伸的第二部分52。第一部分51的长度L1不大于120mm,宽度B1不大于15mm,第二部分52的长度L2小于第一部分51的长度L1,第二部分52的宽度B2大于第一部分51的宽度B1。由于采用这种结构尺寸的漏泄槽孔,本实用新型的辐射型漏泄同轴电缆工作于3G频段或更高频率的频段时,能有效降低平行于电缆的横向极化,而使电缆圆周方向的电场相互叠加,因而接收天线沿电缆移动时,接收的是电缆圆周方向相互叠加的场。因此,与现同轴电缆相比,本实用新型的传输衰减大大降低,增加了漏泄同轴电缆的无线盲区覆盖距离,并且在高频传输时,其50%和95%耦合损耗值偏差小,数据信号传输时误码率小且稳定。因此,这种辐射型漏泄同轴电缆能满足信号在3G高频率传输时对漏泄同轴电缆性能指标的要求。
如图所示,相邻两漏泄槽孔5的第二部分52朝相反方向延伸,该槽孔结构设计,降低了平行于电缆轴的横向极化,从而使横向极化的辐射最小化,并使电缆圆周方向的电场相互叠加,使得辐射电场集中在电缆圆周方向向前传输,因而接收天线沿电缆移动时,接收的是电缆圆周方向相互叠加的场,而轴向场相互抵消,即可使电缆衰减减少至最低。
如图所示,相邻两漏泄槽孔5构成一组,漏泄槽孔5在以组为单位在外导体3均匀分布。漏泄槽孔5之间的节距D1(即相邻两组漏泄槽孔之间的间距)不小于200mm,不大于500mm。相邻的两个漏泄槽孔5之间的间距D2不小于10mm,不大于100mm。漏泄槽孔间距位于该范围内的漏泄同轴电缆工作在3G频段时,不仅传输衰减小,而且50%和95%耦合损耗偏差值也小,因而误码率低,可稳定传输和接收信号。
为进一步降低传输衰减,可对所述第二部分52的尺寸进行设计。优选地,第二部分52的长度L2不大于20mm,宽度B2不大于25mm。第二部分52的宽度B2与第一部分51的宽度B1之差不大于10mm。采用这种结构尺寸的漏泄槽孔时,能进一步减小高频传输时信号的衰减,从而增加电缆的无线盲区覆盖距离。
优选地,第一部分51和第二部分52相互垂直,这样不仅便于二者的结构尺寸的设计,而且也便于加工。更优选地,如图2所示,第一方向为外导体3的轴线方向,第二方向为外导体3的切线方向。
当然,也可采用如图3所示的结构:第一方向不是沿外导体3的轴线方向,而是与其成30度的夹角;第二方向与外导体3的切线方向成30度夹角。实际上,还可根据需要,将第一部分51和第二部分52设计沿其它方向延伸。
在上述实施方案中,第一部分51的长度L1为100mm,宽度B1为10mm;第二部分52的长度L2为15mm,宽度为20mm;相邻两漏泄槽孔5之间的间距为40mm;漏泄槽孔5的节距为280mm。当然,本领域技术人员实际进行设计时,可根据电缆的使用频率、适用场合等具体需求对这些参数进行调整。
参见图4,图中示出了本实用新型的另一种优选实施方案。与上述实施方案不同的是,本实施方案中第一漏泄槽孔5大体为矩形(图中示出的为矩形,实际制作时,可将矩形的四角加工成圆角),如图所示,其长度方向为外导体3的切线方向。第一漏泄槽孔5的长度L不大于120mm,宽度B不大于15mm。采用这种漏泄槽孔5的漏泄同轴电缆,也可在应用于3G高频段时降低传输衰减,并且50%和95%耦合损耗值偏差小,从而满足3G高频下对漏泄电缆性能的要求。
在上述实施方案中,相邻的两第一漏泄槽孔5之间的间距D2不小于10mm,不大于100mm。漏泄槽孔间距位于该范围内的漏泄同轴电缆工作在3G频段时,不仅传输衰减小,而且50%和95%耦合损耗偏差值也小,因而误码率低,可稳定传输和接收信号。
参见图5,作为对上述实施的进一步改进,外导体3上还成形有第二漏泄槽孔6,第二漏泄槽孔6也大体为矩形(同样,在制作时,也可将矩形的四角加工成圆角),其长度方向为所述外导体3的轴线方向。即,第一漏泄槽5和第二漏泄槽孔6相互垂直,且二者间隔设置,这样有利于降低平行于电缆的横向极化,并使得电缆圆周方向的电场相互叠加,因而有利于减小衰减。更优选地,第二漏泄槽孔6的面积不大于第一漏泄槽孔5的面积的八分之一。采用这种结构的漏泄槽孔构漏泄电缆,在应用于传输高频信号时能进一步降低信号的衰减,从而更好地满足3G频段信号传输对泄漏电缆的性能需求。
在本实施方案中,第一漏泄槽孔5的长度L为100mm,宽度B为10mm,面积为1000mm2;各第一漏泄孔5之间的间距为40mm;第二漏泄槽孔6的面积为100mm2。当然,本领域技术人员实际进行设计时,可根据电缆的使用频率、适用场合等具体需求对这些参数进行调整。
因此,按照本实用新型提供的辐射型漏泄同轴电缆,由于漏泄槽孔采用特殊的结构尺寸,因而其在应用于3G工作频段等高频信号传输时,传输衰减大大降低,从而增加了漏泄同轴电缆的无线盲区覆盖距离;并且在高频传输时50%和95%耦合损耗值偏差小,数据信号传输时误码率小且稳定。因此,本实用新型的辐射型漏泄同轴电缆能满足信号在3G高频率传输时对漏泄同轴电缆性能指标的要求
显然,上述优选实施方案仅供说明本实用新型,而并非对本实用新型的限制。有关领域的普通技术人员,在不脱离本实用新型的精神和范围的指引下,还可作出各种变形和变换,因而所有等同方案皆属于本实用新型的保护范围。
Claims (10)
1.一种辐射型漏泄同轴电缆,包括:
内导体(1);
绝缘层(2),包覆于所述内导体(1)外部;
外导体(3),套合于所述绝缘层(2)外部,所述外导体(3)上成形有多个漏泄槽孔(5);以及
外护套(4),包覆于所述外导体(3)外部;
其特征在于,所述漏泄槽孔(5)包括沿第一方向延伸的第一部分(51)和自所述第一部分(51)的一端沿第二方向延伸的第二部分(52),所述第一部分(51)的长度(L1)不大于120mm,宽度(B1)不大于15mm;所述第二部分(52)的长度(L2)小于所述第一部分(51)的长度(L1),所述第二部分(52)的宽度(B2)大于所述第一部分(51)的宽度(B1)。
2.根据权利要求1所述的辐射型漏泄同轴电缆,其特征在于,所述第二部分(52)的长度(L2)不大于20mm,宽度(B2)不大于25mm。
3.根据权利要求1或2所述的辐射型漏泄同轴电缆,其特征在于,所述第二部分(52)的宽度(B2)与所述第一部分(51)的宽度(B1)之差不大于10mm。
4.根据权利要求1或2所述的辐射型漏泄同轴电缆,其特征在于,所述第一部分(51)和所述第二部分(52)相互垂直,所述第一方向为所述外导体(3)的轴线方向,所述第二方向为所述外导体(3)的切线方向。
5.根据权利要求1或2所述的辐射型漏泄同轴电缆,其特征在于,相邻的两所述漏泄槽孔(5)构成一组,且二者的第二部分(52)朝相反的方向延伸,所述漏泄槽孔(5)的节距(D1)不小于200mm,不大于500mm。
6.根据权利要求1所述的辐射型漏泄同轴电缆,其特征在于,相邻的两所述漏泄槽孔(5)之间的间距(D2)不小于10mm,不大于100mm。
7.一种辐射型漏泄同轴电缆,包括:
内导体(1);
绝缘层(2),包覆于所述内导体(1)外部;
外导体(3),套合于所述绝缘层(2)外部,所述外导体(3)上成形有多个第一漏泄槽孔(5);
外护套(4),包覆于所述外导体(3)外部;
其特征在于,所述第一漏泄槽孔(5)大体为矩形,其长度方向为所述外导体(3)的切线方向,所述第一漏泄槽孔(5)的长度(L)不大于120mm,宽度(B)不大于15mm。
8.根据权利要求7所述的辐射型漏泄同轴电缆,其特征在于,相邻的两所述第一漏泄槽孔(5)之间的间距(D2)不小于10mm,不大于100mm。
9.根据权利要求7或8所述的辐射型漏泄同轴电缆,其特征在于:所述外导体(3)上还成形有第二漏泄槽孔(6),所述第二漏泄槽孔(6)大体为矩形,其长度方向为所述外导体(3)的轴线方向。
10.根据权利要求9所述的辐射型漏泄同轴电缆,其特征在于,所述第二漏泄槽孔(6)的面积不大于所述第一漏泄槽孔(5)的面积的八分之一,且所述第一漏泄槽孔(5)与所述第二漏泄槽孔(6)间隔地设置。
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- 2007-09-13 CN CNU2007201767158U patent/CN201112009Y/zh not_active Expired - Lifetime
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