CN201069776Y - 一种薄膜太阳能电池 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种薄膜太阳能电池，其特征在于：基板的表面涂有铝箔层，基板的背面电极层上依次设有缓冲层、光吸收层和窗口层，光吸收层为P－型半导体Cu(In，Ca)(Se，S)2化合物形成。使用时本实用新型的薄膜太阳能电池采用可塑性的基板，使太阳能电池可根据需要制造成各种形状，从而能适应各种使用场合，扩大了太阳能电池的适用性，同时光吸收层为P－型半导体Cu(In，Ca)(Se，S)2化合物形成，能有效提高太阳能转换效率，从现有的12－16％提高到17.5％以上，并具有良好的耐用性和工作持久性。
Description
技术领域：
本实用新型涉及太阳能电池的技术领域，具体地说是一种非晶硅薄膜太阳能电池。
背景技术：
随着现代工业的发展，一方面加大对能源的需求，另一方面在常规能源的使用中释放出大量的二氧化碳气体，导致全球性的“温室效应”，为此各国力图摆脱常规能源的依赖，加速发展可再生能源，太阳能具有“取之不尽，用之不竭”的特点，而利用太阳能发电具有环保等优点，且不必考虑其安全性问题。所以在发达国家得到了高度重视，比如欧盟国家计划在2010年太阳能光电转换的电力所占总电力的1.5％，美国启动了“百万屋顶”计划，在能源短缺，环境保护问题日益严重的我国，低成本高效率地利用太阳能尤为重要。目前主要的太阳能电池技术基于晶体硅，包括多晶硅和单晶硅两种，它能满足太阳能使用的一般要求，但是它具有以下缺点：1、在生产中还需要相当大量的能量，在硅的冶炼过程中对环境造成环境很大的污染；2、太阳能转化效率有待提高；3、太阳能电池形状是单一的平板形，适用性受到了限制。
同时从固体物理学上讲，硅材料并不是最理想的光伏材料，这主要是因为硅是间接能带半导体材料，其光吸收系数较低。
发明内容：
本实用新型的目的在于提供一种改进的薄膜太阳能电池，它可克服现有技术中太阳能转换率不高、太阳能电池形状单一的一些不足。
为了实现上述目的，本实用新型的技术方案是：一种薄膜太阳能电池，它主要包括基板，其特征在于：基板的表面涂有铝箔层，基板的背面电极层上依次设有缓冲层、光吸收层和窗口层。
使用时本实用新型的薄膜太阳能电池采用可塑性的基板，使太阳能电池可根据需要制造成各种形状，从而能适应各种使用场合，扩大了太阳能电池的适用性，同时光吸收层为P-型半导体Cu(In，Ca)(Se，S)2化合物形成，能有效提高太阳能转换效率，从现有的12-16％提高到17.5％以上，并具有良好的耐用性和工作持久性。
附图说明：
图1为本实用新型的结构示意图
具体实施方式：
下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的描述。
本实用新型主要包括基板1，其与现有技术的区别在于：基板的表面涂有铝箔层，基板的背面电极层上依次设有缓冲层2、光吸收层3和窗口层5，光吸收层为P-型半导体Cu(In，Ca)(Se，S)2化合物形成。窗口层为n-型半导体。基板的厚度为2-3mm，光吸收层的厚度为1.5-2pm，缓冲层的厚度为50-150nm，窗口层的厚度为0.5-1μm。
在实施中，本实用新型的薄膜太阳能电池采用可塑性的基板，使太阳能电池可根据需要制造成各种形状，从而能适应各种使用场合，扩大了太阳能电池的适用性，同时光吸收层为P-型半导体Cu(In，Ca)(Se，S)2化合物形成，能有效提高太阳能转换效率，从现有的12-16％提高到17.5％以上，并具有良好的耐用性和工作持久性。
Claims (3)
1.一种薄膜太阳能电池，它主要包括基板，其特征在于：基板的表面涂有铝箔层，基板的背面电极层上依次设有缓冲层、光吸收层和窗口层。
2.根据权利要求1所述的一种薄膜太阳能电池，其特征在于：窗口层为n-型半导体，光吸收层为P-型半导体。
3.根据权利要求1所述的一种薄膜太阳能电池，其特征在于：基板的厚度为2-3mm，光吸收层的厚度为1.5-2pm，缓冲层的厚度为50-150nm，窗口层的厚度为0.5-1μm。
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|---|---|---|---|
| CN 200720071032 CN201069776Y (zh) | 2007-06-13 | 2007-06-13 | 一种薄膜太阳能电池 |
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| CN 200720071032 CN201069776Y (zh) | 2007-06-13 | 2007-06-13 | 一种薄膜太阳能电池 |
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| CN201069776Y true CN201069776Y (zh) | 2008-06-04 |
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| CN (1) | CN201069776Y (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101814554A (zh) * | 2010-03-31 | 2010-08-25 | 北京科技大学 | 一种薄膜太阳能电池的结构设计方法 |
| CN102011194A (zh) * | 2010-10-11 | 2011-04-13 | 中国科学院青岛生物能源与过程研究所 | 一种光伏半导体纳米晶及制备法和应用 |
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2007
- 2007-06-13 CN CN 200720071032 patent/CN201069776Y/zh not_active Expired - Fee Related
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