CN201061161Y

CN201061161Y - 电源适配器

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Publication number: CN201061161Y
Application number: CNU2007201567842U
Authority: CN
Inventors: 李党卫
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 2006-08-08
Filing date: 2007-07-01
Publication date: 2008-05-14
Anticipated expiration: 2017-07-01

Abstract

本实用新型就是一种电源适配器，包括：交流输入端，及将该交流输入端所输入的交流信号进行整流的整流电路，该整流电路的输出端连接有变压器，该变压器连接有直流输出端，所述电源适配器还包括一个与所述整流电路的输出端相连接的稳压控制电路，该稳压控制电路还与所述变压器相连接，所述变压器的输出电压由该稳压控制电路进行稳压控制。本实用新型电源适配器通过稳压控制电路进行稳压控制，其电路结构简单、成本低、性能高。

Description

电源适配器

技术领域

本实用新型涉及一种电源适配器，尤其涉及一种小功率开关电源适配器。

背景技术

市场上，小功率开关电源适配器以其体积小，功能多，及高效的转换效率等优势而被消费者青睐。小功率开关电源适配器的数量每年以亿万计，因此，价格竞争异常激励，成本控制非常苛刻。因而，如何能有效地降低成本对小功率开关电源适配器来说是很重要的。例如，市场上的大多开关电源适配器采用TL431稳压光电耦合器作为反馈，这样输出电压的精度可达±5％，但是其成本较高。有少部分的开关电源适配器不采用该TL431稳压光电耦合器作为反馈，但其输出电压的精度达±10％以上，更有甚者会达到±15％以上，由此导致这种开关电源适配器的性能大大降低。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种电源适配器电路简单、成本低、性能高且无光耦合反馈的电源适配器。

为解决上述技术问题，本实用新型所采用的技术方案是：一种电源适配器包括交流输入端，及将该交流输入端所输入的交流信号进行整流的整流电路，该整流电路的输出端连接有变压器，该变压器连接有直流输出端，所述电源适配器还包括一个与所述整流电路的输出端相连接的稳压控制电路，该稳压控制电路还与所述变压器相连接，所述变压器的输出电压由该稳压控制电路进行稳压控制。

所述变压器包有一层绝缘胶带，该初级绕组外逆向绕有屏蔽绕组一层，起绕点与初级绕组同是正电压端，且包有两层绝缘胶带，该屏蔽绕组外绕有输出绕组，且包有一层绝缘胶带，该输出绕组外绕有反馈绕组，所述变压器外包有一层铜皮，且接初级地。

所述稳压控制电路包括一个主芯片、一个与该主芯片的一个引脚相连接的三极管、及一个与该三极管的基极相连接的电压基准源，该三极管的集电极和基极之间接有负反馈电容，该三极管的基极和初级地之间接有防止三极管过饱和的电阻，该稳压控制电路通过该主芯片与所述变压器相连接。

所述稳压控制电路包括一个主芯片、一个与该主芯片的一个引脚相连接的三极管、及一个与该三极管的基极相连接的稳压管，该三极管的集电极和基极之间接有负反馈电容，该三极管的基极和初级地之间接有防止三极管过饱和的电阻，该稳压控制电路通过该主芯片与所述变压器相连接。

所述整流电路连接有一个过压保护电路。

所述过压保护电路包括一个三极管及一个与该三极管的基极相连接的双向齐纳二极管，该过压保护电路通过该双向齐纳二极管与所述整流电路相连接，通过该三极管与所述稳压控制电路相连接。

所述过压保护电路包括一个三极管及一个连接于该三极管的基极与射极间的电压基准源，该过压保护电路通过该三极管的基极与所述整流电路相连接，通过该三极管与所述稳压控制电路相连接。

上述技术方案的进一步改进在于：设置结构简单的稳压控制电路，省去现有的光耦合反馈电路。

本实用新型的有益效果是：由于本实用新型电源适配器通过稳压控制电路进行稳压控制，其电路结构简单、成本低、且性能高。

附图说明

图1为本实用新型电源适配器的原理图；

图2为本实用新型电源适配器第一种实施方式的电路图；

图3为本实用新型电源适配器第二种实施方式的电路图；

图4为本实用新型电源适配器第三种实施方式的电路图；

图5为本实用新型电源适配器第四种实施方式的电路图；

图6为本实用新型电源适配器第五种实施方式的电路图；

图7为本实用新型电源适配器第六种实施方式的电路图；

图8为本实用新型电源适配器第七种实施方式的电路图；

图9为本实用新型电源适配器第八种实施方式的电路图；

图10为本实用新型电源适配器第九种实施方式的电路图；

图11为本实用新型电源适配器第十种实施方式的电路图；

图12为本实用新型电源适配器第十一种实施方式的电路图；

图13为本实用新型电源适配器第十二种实施方式的电路图；

图14为本实用新型电源适配器第十三种实施方式的电路图；

图15为本实用新型电源适配器第十四种实施方式的电路图；

图16为本实用新型电源适配器第十五种实施方式的电路图；

图17为本实用新型电源适配器第十六种实施方式的电路图；

图18为本实用新型电源适配器第十七种实施方式的电路图；

图19为本实用新型电源适配器第十八种实施方式的电路图；

图20为本实用新型电源适配器第十九种实施方式的电路图。

具体实施方式

下面结合附图，对本实用新型电源适配器进行详细描述。

请参照图1所示，图1为本实用新型电源适配器的原理图。本实用新型电源适配器包括交流输入端、整流电路、变压器、及直流输出端，该交流输入端、整流电路、变压器、及直流输出端依次相连接。本实用新型的所有实施方式中，在初级，整流电路输出端还与一个稳压控制电路的一端相连接，该稳压控制电路的另一端与该变压器的一个输出端相连接。在部分实施方式中，在整流电路还连接有一个过电压保护电路。

在图2-5中，采用安森美半导体的NCP1011作为主芯片U1，其最大输出功率为3W，输出分别为5V/0.5A、7V/0.4A、9V/0.35A、12V/0.2A。NCP1011为内置700V、23Ω的高压MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)的电流型PWM(脉宽调制)单片开关电源芯片，最大峰值电流为0.25A，其空载及轻载为跳周期工作方式，功耗较小。

请参照图2所示，图2为本实用新型电源适配器第一种实施方式的电路图。所述电压保护电路包括一个NPN型三极管Q1，电容C16及电阻R24并联接在Q1的基极和地之间，双向齐纳二极管DB3及电阻R23接在Q1的基极和整流电路之间，在所示A点和地之间还接有一个电阻R9。

本实施方式中，输入电压范围为80～420V，额定输入电压为100～240V。A点的电压与输入电压成正比，当A点的电压达到30V左右(输入电压达到300V以上)，双向齐纳二极管DB3雪崩击穿，NPN型三极管Q1导通，将NCP1011的反馈控制脚(第4引脚FB)的电压拉底至0.2V，由于NCP1011的反馈控制脚的电压小于0.5V即停止工作，因而，实现了输入过电压保护。电容C16及电阻R24接在Q1的基极和地之间，使Q1在输入过电压的临界点有5V左右的回差，其中，电容C16可取1μF左右，电阻R24可取100KΩ左右。

稳压控制电路包括一个稳压基准源U3，该稳压基准源U3的型号可为TL431。一个负反馈电容C9的一端与该稳压基准源U3的阳极及一个三极管Q2的基极相连接，负反馈电容C9的另一端与主芯片U1的反馈控制脚(第4引脚FB)及三极管Q2的集电极相连接，电阻R16连接于三极管Q2的基极与射极之间，电容C7连接于三极管Q2的集电极与射极之间。电阻R16可防止三极管Q2进入深度饱和状态，加快关断速度，其取值范围为0.1KΩ-2KΩ，5V时取较小的数值，12V时取较大的数值。因电容C9为负反馈电容，可降低Q2的放大倍数，减小Q2的温度漂移，提高抗干扰能力和稳定性能，其取值范围为0.047-0.68μF。稳压基准源U3的阴极与参考端之间连接有电容C18，电容C15与电阻R21串联且与电容C18并联。电容C15、C18、及电阻R21组成比例积分网络，抑制高频干扰，减小输出纹波，其中，电容C18可取102F，电容C15可取224F，电阻R21可取1KΩ。电阻R14的一端与三极管Q2的射极相连接，另一端与稳压基准源U3的参考端相连接，电阻R13与稳压基准源U3的参考端相连接，另一端与一接地电容C8的输入端相连接；R13和R14为电压取样电阻。

所述稳压控制电路的稳压控制是通过反馈控制的Nb绕组的电压与输出的Ns绕组的电压成正比来实现的，为此要求Nb与Ns之间的漏感要较小，作到紧耦和。

稳压基准源U3的工作原理为：

VbxR14/(R13+R14)＝2.5+0.7V＝3.2V

其中，Vb是B点的电压，与输出电压相同；2.5V是稳压基准源U3的基准电压，0.7V是三极管Q2的基极压降。

R14＝3.2R13/(Vb-3.2)，取R13为10K，则：

Vb＝Vout＝5V，当R14＝17.7KΩ时；

Vb＝Vout＝7V，当R14＝8.4KΩ时；

Vb＝Vout＝9V，当R14＝5.5KΩ时；

Vb＝Vout＝12V，当R14＝3.6KΩ时。

二极管D6、电容C13、电阻R11、及电容C6组成稳压滤波电路。提供稳定的工作电压(VCC为8V左右)给主芯片U1，同时可降低主芯片U1的工作损耗，使其待机功耗小于0.3W，其中，电容C6可取22μF。

变压器T可采用型号为EE13，其工艺说明：先绕完初级绕组(Np)，可为150匝，线径可为0.12毫米；包一层绝缘胶带，然后逆向绕屏蔽绕组满一层，包两层绝缘胶带，屏蔽绕组与初级绕组产生的磁场方向相反，可减小初级绕组对输出绕组的分布电容，屏蔽绕组的线径(大于0.29毫米)愈大效果愈好，减小分布电容就减小了高频干扰，EMI也相应减小。屏蔽绕组可采用铜皮。接下来绕输出绕组(Ns)，可为10匝，线径可为0.4毫米，或15匝，线径为0.35毫米；包一层绝缘胶带。最后是反馈绕组(Nb)，可为(10+10)匝、或(10+15)匝、或(15+5)匝、或(15+2)匝，线径可为0.12毫米。变压器外包一层铜皮接初级地，减小漏感和EMI(Electro Magnetic Interference，电磁干扰)，还可使Nb与Ns之间的漏感较小，作到紧耦合。电阻R20为假负载。

请参照图3所示，图3为本实用新型电源适配器第二种实施方式的电路图。与图2不同的是，图3未设置输入过电压保护电路及由二极管D6、电容C13、电阻R11组成的稳压滤波电路。初次级间的漏电流很小，主芯片U1工作在动态自供电方式，利用其内部的高压电流源对电容C6充电，同时以VCC的纹波为周期在3.3％的范围内变化工作频率，将EMI能量分布在3.3％的范围内，较易通过EMI测试，即频率抖动功能。该第二种实施方式的成本较低，待机功耗小于0.5W。其中，电容C6可取47μF。同第一种实施方式所述，取R13为10K，则：

Vout＝5V，当R14＝18KΩ时；

Vout＝7V，当R14＝8.2KΩ时；

Vout＝9V，当R14＝5.6KΩ时；

Vout＝12V，当R14＝3.6KΩ时。

请参照图4所示，图4为本实用新型电源适配器第三种实施方式的电路图。与图2不同的是，三极管Q2的基极串联有二极管Z1及电阻R15，电阻R15与接地电容C8的输入端相连接。电容C9及电阻R16的功能与图2所述相同。输出电压Vout＝Vb＝VZ1+0.7V，0.7V是NPN型三极管Q2的基极压降。

Vout＝5V，当VZ1＝5A1(4.3～4.5V)时；

Vout＝7V，当VZ1＝7A1(6.3～6.6V)时；

Vout＝9V，当VZ1＝9B1(8.3～8.7V)时；

Vout＝12V，当VZ1＝11B2(11.1～11.6V)时。

R15可对输出电压进行微调。二极管D6、电容C13、电阻R11、及电容C6组成稳压滤波电路，提供稳定的工作电压(VCC＝8V)给主芯片NCP1011，同时可降低主芯片U1的工作损耗，使其待机功耗小于0.3W，其中，电容C6可取22μF，电容C7可取102F，电容C13可取22μF。

请参照图5所示，图5为本实用新型电源适配器第四种实施方式的电路图。与图2不同的是，图5未设置输入过电压保护电路及由二极管D6、电容C13、电阻R11组成的稳压滤波电路。主芯片U1工作在动态自供电方式，不采用辅助绕组，待机功耗小于0.5W。三极管Q2的基极串联有二极管Z1及电阻R15，电阻R15与接地电容C8的输入端相连接。电容C9及电阻R16的功能与图2所述相同。

图6-9采用安森美半导体的NCP1012/NCP1013/NCP1014作为主芯片U1，输分别为5V/(0.7～1.2A)、7V(0.5～1A)、及12V/(0.3～0.6A)。NCP1012/3/4为内置700V、11Ω的高压MOSFET的电流型PWM(脉宽调制)单片开关电源芯片。NCP1012的最大输出功率小于4W，NCP1013的最大输出功率小于5W，NCP1014的最大输出功率小于7W。NCP1012的最大峰值电流为250MA，NCP 1013的最大峰值电流为350MA，NCP1014的最大峰值电流为450MA。其空载及轻载为跳周期工作方式，功耗较小。NCP1014可使用100KHZ的型号，这样，6-7W功率时可用EE16变压器，进而降低成本。

请参照图6所示，图6为本实用新型电源适配器第五种实施方式的电路图。该电源适配器包括输入过电压保护电路及稳压控制电路，该输入过电压保护电路及稳压控制电路与图2所示的输入过电压保护电路及稳压控制电路相同。与图2所示电路不同的是，图6所示电路采用主芯片NCP1012、NCP1013或NCP1014。

R14＝3.2R13/(Vb-3.2)，取R13为10K，则：

Vb＝Vout＝5V，当R14＝18KΩ时；

Vb＝Vout＝7V，当R14＝8.2KΩ时；

Vb＝Vout＝9V，当R14＝5.6KΩ时；

Vb＝Vout＝12V，当R14＝3.6KΩ时。

变压器T1采用的型号为EE16。初级绕组(Np)可为150匝，线径可为0.12毫米，或128匝，线径为0.16毫米，或110匝，线径为0.18毫米。输出绕组(Ns)，可为10匝，线径可为0.5或0.6毫米，或13匝，线径为0.4或0.5毫米。反馈绕组(Nb)，可为(10+12)匝或(13+7)匝，线径可为0.12毫米。

请参照图7所示，图7为本实用新型电源适配器第六种实施方式的电路图。与图3所示电路不同的是，图7所示电路采用主芯片NCP1012、NCP1013或NCP1014。该主芯片NCP1012、NCP1013或NCP1014工作在动态自供电方式。其稳压控制电路与图2所示相同。

变压器T1采用的型号为EE16。初级绕组(Np)可为150匝，线径可为0.12毫米，或128匝，线径为0.16毫米，或110匝，线径为0.18毫米。输出绕组(Ns)，可为10匝，线径可为0.5或0.6毫米，或13匝，线径为0.4或0.5毫米。反馈绕组(Nb)，可为10匝或13匝，线径可为0.12毫米。

请参照图8所示，图8为本实用新型电源适配器第七种实施方式的电路图。与图4所示电路不同的是，图8所示电路采用主芯片NCP1012、NCP1013或NCP1014。

变压器T1采用的型号为EE16。初级绕组(Np)可为150匝，线径可为0.12毫米，或128匝，线径为0.16毫米，或110匝，线径为0.18毫米。输出绕组(Ns)，可为10匝，线径可为0.5或0.6毫米，或13匝，线径为0.4或0.5毫米。反馈绕组(Nb)，可为(10+12)匝或(13+7)匝，线径可为0.12毫米。绕制工艺同上例。

请参照图9所示，图9为本实用新型电源适配器第八种实施方式的电路图。与图6不同的是，图9未设置输入过电压保护电路及由二极管D6、电容C13、电阻R11组成的稳压滤波电路。主芯片U1工作在动态自供电方式，不采用辅助绕组，待机功耗小于0.5W。三极管Q2的基极串联有二极管Z1及电阻R15，电阻R15与接地电容C8的输入端相连接。电容C9及电阻R16的功能与图2所述相同。

请参照图10所示，图10为本实用新型电源适配器第九种实施方式的电路图。与图2所示电路不同的是，采用安森美半导体的NCP1027为主芯片U1，其最大输出功率为15W，输出为9V/1.2A、12V/1.2A。输入电压范围为80～420V，额定输入电压为100～240V。NCP1027是内置700V、5.8Ω的高压MOSFET的电流型PWM(脉宽调制)单片开关电源芯片，最大峰值电流为800MA，其空载及轻载为跳周期工作方式，功耗较小，具有输入欠过压检测保护功能(第3引脚BO)，以及电流补偿功能(第2引脚RC，CCM工作时，稳定性提高)和恒功率设定功能(第7引脚OPP)，固有频率抖动功能，待机功耗小于0.3W。稳压控制、变压器工艺、电容C9及电阻R16的功能同于附图2。效率大于75％。而与图2不同的是，其过压保护电路由R6R7和电容C14与电阻R8组成的串联分压电路组成。当A点的电压(与输入电压成正比)达到4V左右，主芯片NCP1027停止工作，重新开机才能恢复。

取R13为10K，则：

Vout＝9V，当R14＝5.6KΩ时；

Vout＝12V，当R14＝3.6KΩ时。

变压器T1采用的型号为EE22。初级绕组(Np)可为72匝，线径可为0.23毫米，。输出绕组(Ns)，可为8匝，线径可为0.5毫米。反馈绕组(Nb)，可为(8+5)匝，线径可为0.17毫米。绕制工艺同上例。

图11及图12采用飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)的FSD200/210为主芯片，最大输出功率为3W。输出为5V/0.5A、7V/0.4A 9V/0.35A、12V/0.2A。输入电压范围为80～420V，额定输入电压为100～240V。FSD200/210是内置700V、28Ω的高压MOSFET的电流型PWM(脉宽调制)单片开关电源芯片，最大峰值电流为350MA，其空载及轻载为跳周期工作方式，功耗较小。输入过电压保护电路，当输入电压达到300V以上，U2TL431触发PNP型三极管Q1使其导通，将VCC拉低至0.2V左右，U1停止工作。这种输入过电压保护电路的精度较高。

请参照图11所示，图11为本实用新型电源适配器第十种实施方式的电路图。其稳压控制电路同于图2。其过压保护电路包括一个NPN型三极管Q1，三极管Q1的型号可为2907A，电阻R19与稳压基准源U2串联接在Q1的基极和地之间，该稳压基准源U2的型号可为TL431；A点与电阻R19间接有电阻R18，稳压基准源U2的阳极接地，阳极与参考极之间接有电阻R9，阳极与A点之间接有电阻R8。其中，R8可取1500KΩ，R9可取18KΩ，R10可取560KΩ，R19可取10KΩ。

取R13为10K，则：

Vout＝5V，当R14＝18KΩ时；

Vout＝7V，当R14＝8.2KΩ时；

Vout＝9V，当R14＝5.6KΩ时；

Vout＝12V，当R14＝3.6KΩ时。

变压器T1采用的型号为EE13。初级绕组(Np)可为150匝，线径可为0.15毫米。输出绕组(Ns)，可为10匝，线径可为0.4毫米，或15匝，线径为0.35毫米。反馈绕组(Nb)，可为(10+15)匝、或(10+10)匝、或(15+5)匝、或(15+2)匝，线径可为0.12毫米。绕制工艺同上例。

请参照图12所示，图12为本实用新型电源适配器第十一种实施方式的电路图。其稳压控制电路同于图4。其过压保护电路同于图11。待机功耗小于0.3W。其变压器工艺、电容C9、及电阻R16的功能同于图2。变压器T1采用的型号为EE13。且各级绕组同于图11所述。

图13及图14采用飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)的FSD311/321为主芯片，最大输出功率为7W。输出为5V/(0.7～1.2A)、7V(0.5～1A)、及12V/(0.3～0.6A)。FSD311/321是内置650V、14Ω的高压MOSFET的电流型PWM(脉宽调制)单片开关电源芯片，最大峰值电流为700MA。其空载及轻载为跳周期工作方式，待机功耗可小于0.3W。

请参照图13所示，图13为本实用新型电源适配器第十二种实施方式的电路图。其稳压控制电路同于图2。取R13为10K，则：

Vout＝5V，当R14＝18KΩ时；

Vout＝7V，当R14＝8.2KΩ时；

Vout＝9V，当R14＝5.6KΩ时；

Vout＝12V，当R14＝3.6KΩ时。

变压器T1采用的型号为EE16。初级绕组(Np)可为100匝，线径可为0.18毫米。输出绕组(Ns)，可为10匝，线径可为0.4或0.5毫米，或8匝，线径为0.5或0.6毫米。反馈绕组(Nb)，可为(10+2)匝、或(8+15)匝、或(8+8)匝、或(15+5)匝，线径可为0.12毫米。

请参照图14所示，图14为本实用新型电源适配器第十三种实施方式的电路图。其稳输出为：5V、1.2A，或7V、1A，或9V、0.7A，或12V、0.6A。变压器T1采用的型号为EE16。初级绕组(Np)可为100匝，线径可为0.18毫米。输出绕组(Ns)，可为10匝，线径可为0.4或0.5毫米，或8匝，线径为0.5或0.6毫米。反馈绕组(Nb)，可为(10+2)匝、或(8+15)匝、或(8+8)匝、或(15+5)匝，线径可为0.17毫米。

请参照图15所示，图15为本实用新型电源适配器第十四种实施方式的电路图。采用飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)的FSD0165/0265为主芯片，最大输出功率为13。输出分别为9V/1.2A(FSD0165)、12V1.2A(FSD0265)。主芯片FSD0165/0265是内置650V、8/5Ω的高压MOSFET的电流型PWM(脉宽调制)单片开关电源芯片，最大峰值电流为1.2A/1.5A(第4引脚开路时)，其空载及轻载为跳周期工作方式，待机功耗可小于0.3W。初级稳压控制采用TL431，变压器工艺、电容C9、及电阻R16的功能同于附图2。电容C17与电阻R24的串联电路与电阻R25并联，然后再与二极管D12串联，二极管D12、电容C17、电阻R24及电阻R25组成电流设定电路，其设定初级最大电流，其中，电容C17可为102F。取R13为10K，则：

Vout＝9V，当R14＝5.6KΩ时；

Vout＝12V，当R14＝3.6KΩ时。

变压器T1采用的型号为EE22。初级绕组(Np)可为72匝，线径可为0.23毫米。输出绕组(Ns)，可为8匝，线径可为0.5毫米。反馈绕组(Nb)，可为13匝，线径可为0.17毫米。绕制工艺同上例。

图16及图17采用意法半导体的VIP12A/22A为主芯片，最大输出功率为3W/7W。输出分别为5V/0.5A、7V/0.4A、9V/0.35A、12V/0.2A，及5V/1.2A、7V/1A、9V/0.7A、12V/0.6A。主芯片VIP12A/22A是内置730V、30/17Ω的高压MOSFET的电流型PWM(脉宽调制)单片开关电源芯片，最大峰值电流为320MA/560MA，其空载及轻载为跳周期工作方式，待机功耗小于0.3W。输入过电压保护电路同于图11。

请参照图16所示，图16为本实用新型电源适配器第十五种实施方式的电路图。稳压控制电路中，电压基准源U3(型号可为TL431)控制PNP型三极管Q2稳定B点的电压，其参考极与阴极间连接有由电容C13与电容C15及电阻R21并联电路(电容C15及电阻R21串联)。PNP型三极管Q2的基极连接电容C17与电阻R14的串联电路，电阻R14的输出端与电压基准源U3参考极相连接。变压器工艺同于附图2。电阻R13和电阻R14为电压取样电阻，由TL431的工作原理有：

VbxR14/(R13+R14)＝2.5V

Vb是B点的电压与输出电压相同，2.5V是TL431的基准电压。

R14＝2.5R13/(Vb-2.5)，取R13为10K，则：

Vb＝Vout＝5V，R14＝10KΩ时；

Vb＝Vout＝7V，R14＝5.6KΩ时；

Vb＝Vout＝9V，R14＝3.9KΩ时；

Vb＝Vout＝12V，R14＝2.7KΩ时。

变压器T1采用的型号为EE13。初级绕组(Np)可为150匝，线径可为0.12毫米。输出绕组(Ns)，可为10匝，线径可为0.4毫米，或15匝，线径为0.35毫米。反馈绕组(Nb)，可为(10+15)匝、或(10+10)匝、或(15+2)匝、或(15+5)匝，线径可为0.12毫米。绕制工艺同上例。

请参照图17所示，图17为本实用新型电源适配器第十六种实施方式的电路图。与图16不同的是，图17的稳压控制电路同于图4。变压器T1采用的型号为EE13。初级绕组(Np)可为128匝，线径可为0.17毫米。输出绕组(Ns)，可为10匝，线径可为0.14毫米。反馈绕组(Nb)，可为(10+10)匝，线径可为0.17毫米。

图18及图19采用POWERINTEGRITIONS公司的TNY264/5/6/7为主芯片，最大输出功率分别为3.5W/5W/7W。输出分别为5V/0.7A、7V/0.5A、9V/0.4A、12V/0.3A、5V/1A、7V/0.7A、9V/0.5A、12V/0.4A，及5V/1.2A、7V/1A、9V/0.12V/0.6A。主芯片TNY264/5/6/7是内置700V 28/19/14/7.8Ω的高压MOSFET的电流型PWM(脉宽调制)单片开关电源芯片，最大峰值电流为250MA/275MA/350MA/450MA，动态自供电方式工作，固有频率抖动功能，去掉Y电容。其空载及轻载为跳周期工作方式，待机功耗小于0.3W。其输入过电压保护电路、变压器工艺同于图2。

请参照图18所示，图18为本实用新型电源适配器第十七种实施方式的电路图。其稳压控制电路及过压保护电路同于图2。取R13为10K，则：

Vb＝Vout＝5V，R14＝18KΩ时；

Vb＝Vout＝7V，R14＝8.2KΩ时；

Vb＝Vout＝9V，R14＝5.6KΩ时；

Vb＝Vout＝12V，R14＝3.6KΩ时。

变压器T1采用的型号为EE16。初级绕组(Np)可为150匝，线径可为0.15毫米，或128匝，线径为0.16毫米。输出绕组(Ns)，可为10匝，线径可为0.5或0.6毫米，或13匝，线径为0.4或0.5毫米。反馈绕组(Nb)，可为10或13匝，线径可为0.12毫米。

请参照图19所示，图19为本实用新型电源适配器第十八种实施方式的电路图。其稳压控制电路同于图4，其过压保护电路同于图2。变压器T1采用的型号为EE16。各级绕组同于图18所述。

请参照图20所示，图20为本实用新型电源适配器第十九种实施方式的电路图。图20所示电路采用Power Integrations公司的TNY268为主芯片，最大输出功率为10W。输出为9V/1A、12V/0.8A。TNY268是内置700V、5.2Ω的高压MOSFET的电流型PWM(脉宽调制)单片开关电源芯片，最大峰值电流为550MA，动态自供电方式工作，固有频率抖动功能，去掉Y电容。其空载及轻载为跳周期工作方式，待机功耗小于0.3W。效率大于75％。其稳压控制电路、变压器工艺同于图2。取R13为10K，则：

Vb＝Vout＝9V，R14＝5.6KΩ时；

Vb＝Vout＝12V，R14＝3.6KΩ时。

变压器T1采用的型号为EE19。初级绕组(Np)可为72匝，线径可为0.21毫米，。输出绕组(Ns)，可为8匝，线径可为0.5毫米。反馈绕组(Nb)，可为8匝，线径可为0.17毫米。绕制工艺同上例。

主芯片为NCP1013/45V/1A的初级TL431稳压样板测试报告：

输入电压：90V 输入功率输出电压输出电流效率

0.12W 5.20V 0A -

1.73W 5.23V 0.25A 75％

3.4W 5.12V 0.5A 75.2％

5.0W 5.01V 0.75A 75.1％

6.68W 4.88V 1A 73％

0.2W 0V OCP：1.3A -

输入电压：240V 输入功率输出电压输出电流效率

0.22W 5.20V 0A -

1.92W 5.02V 0.25A 65％

3.65W 5.12V 0.5A 70.1％

5.36W 5.02V 0.75A 70.2％

6.87W 4.92V 1A 71.6％

0.4W 0V OCP：2A -

由此可见，输出电压精度达到了±5％。

以上所述案例只为本实用新型较佳实施案例，并非以此限制本实用新型的实施范围，故凡依本实用新型之形状、构造及原理在任何电压等级中所作的等效变化，均应涵盖于本实用新型的保护范围内。

Claims

1.一种电源适配器，包括交流输入端，及将该交流输入端所输入的交流信号进行整流的整流电路，该整流电路的输出端连接有变压器，该变压器连接有直流输出端，其特征在于：所述电源适配器还包括一个与所述整流电路的输出端相连接的稳压控制电路，该稳压控制电路还与所述变压器相连接，所述变压器的输出电压由该稳压控制电路进行稳压控制。

2.如权利要求1所述的电源适配器，其特征在于：所述变压器且包有一层绝缘胶带，该初级绕组外逆向绕有屏蔽绕组一层，起绕点与初级绕组同是正电压端，且包有两层绝缘胶带，该屏蔽绕组外绕有输出绕组，且包有一层绝缘胶带，该输出绕组外绕有反馈绕组，所述变压器外包有一层铜皮，且接初级地。

3.如权利要求1所述的电源适配器，其特征在于：所述稳压控制电路包括一个主芯片、一个与该主芯片的一个引脚相连接的三极管、及一个与该三极管的基极相连接的电压基准源，该三极管的集电极和基极之间接有负反馈电容，该三极管的基极和初级地之间接有防止三极管过饱和的电阻，该稳压控制电路通过该主芯片与所述变压器相连接。

4.如权利要求1所述的电源适配器，其特征在于：所述稳压控制电路包括一个主芯片、一个与该主芯片的一个引脚相连接的三极管、及一个与该三极管的基极相连接的稳压管，该三极管的集电极和基极之间接有负反馈电容，该三极管的基极和初级地之间接有防止三极管过饱和的电阻，该稳压控制电路通过该主芯片与所述变压器相连接。

5.如权利要求1所述的电源适配器，其特征在于：所述整流电路连接有一个过压保护电路。

6.如权利要求5所述的电源适配器，其特征在于：所述过压保护电路包括一个三极管及一个与该三极管的基极相连接的双向齐纳二极管，该过压保护电路通过该双向齐纳二极管与所述整流电路相连接，通过该三极管与所述稳压控制电路相连接。

7.如权利要求2所述的电源适配器，其特征在于：所述过压保护电路包括一个三极管及一个连接于该三极管的基极与射极间的电压基准源，该过压保护电路通过该三极管的基极与所述整流电路相连接，通过该三极管与所述稳压控制电路相连接。