CN201004142Y - 一种用于平面光波导热光器件的微加热装置 - Google Patents

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CN201004142Y CNU2007201057939U CN200720105793U CN201004142Y CN 201004142 Y CN201004142 Y CN 201004142Y CN U2007201057939 U CNU2007201057939 U CN U2007201057939U CN 200720105793 U CN200720105793 U CN 200720105793U CN 201004142 Y CN201004142 Y CN 201004142Y
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Abstract

本实用新型的用于平面光波导热光器件的微加热装置,包含光传输通道、连接外部电源的两个接触点,两个接触点分别经连接臂与光传输通道相连,光传输通道为脊型光波导,由衬底和自下而上依次沉积在衬底上的隔离层、芯层、上包层和热电极薄膜组成,其中上包层、热电极薄膜和芯层的宽度相同,两个接触点及连接臂在高度方向上具有与光传输通道相同的层结构。本实用新型用于平面光波导热光器件的微加热装置热功耗降低,尤其适用于小型化平面光波导热光器件。

Description

一种用于平面光波导热光器件的微加热装置
技术领域
本实用新型涉及平面光波导集成器件领域,特别是涉及一种用于平面光波导热光器件的微加热装置。
背景技术
利用热光效应是实现可调光器件的一种重要手段,如热光开关、热光调制器、可调谐光衰减器、可调谐功分器以及热光可调谐滤波器等。而要实现热光器件,加热装置是非常重要的。目前的加热装置包含光传输通道、金属热电极以及连接外部电源的两个接触点。光传输通道截面如图1所示,由衬底6和自下而上依次沉积在衬底上的隔离层7、芯层8、上包层9和金属热电极薄膜10组成,其中上包层9完全覆盖了芯层8。在上包层9上形成的金属热电极10的宽度通常大于光传输通道芯层8宽度。这种加热装置的制作需要经过两次光刻,通常是先完成衬底6上的隔离层7、芯层8、上包层9的制作,这需要第一次光刻。接下来再沉积热电极薄膜并进行第二次光刻以及刻蚀,形成所需要的热电极。这样也就需要分别用于光波导和热电极的两个掩膜板,不仅增加了工艺复杂度,也增加了制作成本,而且两次光刻(套刻)要有比较精确的对准。
另一方面,低功耗也是加热装置追求的一个极其重要的指标。为了降低热功耗,往往希望采用较小的热电极宽度。这就给传统加热装置制作中的套刻对准带来了更大的难度。为了降低套刻工艺难度,往往采用较宽的热电极,一般是光波导宽度的数倍。这将对实现低功耗热光器件的发展产生一定的限制。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种有利于降低热功耗,工艺简单的用于平面光波导热光器件的微加热装置。
本实用新型用于平面光波导热光器件的微加热装置,包含光传输通道、用于连接外部电源的两个接触点,光传输通道由衬底和自下而上依次沉积在衬底上的隔离层、芯层、上包层和热电极薄膜组成,两个接触点分别经连接臂与光传输通道相连,其特征是光传输通道为脊型光波导,上包层、热电极薄膜和芯层的宽度相同,两个接触点及连接臂在高度方向上具有与光传输通道相同的层结构。
为了减小连接臂引起的光传输通道中的光功率损耗,通常使连接臂与光传输通道垂直相连,且在光传输通道与两个连接臂相连之处的光传输通道的宽度展宽。
用于平面光波导热光器件的微加热装置的制备方法,包括以下步骤:
1)在衬底上自下而上依次沉积隔离层、芯层、上包层和热电极薄膜;
2)利用光刻方法一次形成掩模板上设定的光传输通道、接触点及连接臂图形;
3)利用刻蚀方法,形成用于平面光波导热光器件的微加热装置。
本实用新型有益的效果是:
1.本实用新型的用于平面光波导热光器件的微加热装置,由于光传输通道为脊型光波导,光传输通道的上包层、热电极薄膜和芯层的宽度相同,因此在制作方法上,仅需一次光刻,避免套刻工艺,大大简化了制作工艺;且便于制作宽度较小的热电极(和光传输通道等宽),有利于降低热功耗,尤其是对于小型化光波导热光器件优势更加突出。
2.光传输通道顶部的金属热电极也可作为刻蚀工艺中的金属掩膜,因此不需要制作额外的掩膜。
3.本实用新型具有广阔的应用范围,可用于由马赫-泽德干涉仪、微谐振环等构成的多种热光器件,包括热光开关、热光调制器、可调谐光衰减器、可调谐功分器以及热光可调谐滤波器等。且不受材料限制,可用于硅、高分子材料、二氧化硅等多种材料的光波导。
附图说明
图1是传统的光传输通道的截面图;
图2是本实用新型的用于平面光波导热光器件的微加热装置俯视图;
图3是本实用新型微加热装置中光传输通道的截面图(图2的BB’截面);
图4是本实用新型的用于平面光波导热光器件的微加热装置三维视图;
图5是本实用新型的用于平面光波导热光器件的微加热装置应用于马赫-泽德干涉仪的实施例图。
具体实施方式
参照图2,本实用新型的用于平面光波导热光器件的微加热装置,包含光传输通道1、用于连接外部电源的两个接触点2、3,以及连接光传输通道与两个接触点的两个连接臂4、5。所说的光传输通道1(如图3所示)由衬底6和自下而上依次沉积在衬底上的隔离层7、芯层8、上包层9和热电极薄膜10组成。光传输通道1为脊型光波导,上包层9、热电极薄膜10和芯层8的宽度相同。两个接触点2、3、连接臂4、5和光传输通道1在高度方向上具有相同的层结构(见图4)。
为了减小连接臂引起的光传输通道中的光功率损耗,采用较窄的连接臂宽度,两个连接臂4、5与光传输通道垂直相连,且在光传输通道1与两个连接臂4、5相连之处11、12的光传输通道的宽度展宽。
两个连接臂之间的光传输通道顶部的热电极薄膜作为加热电极,其长度由两连接臂位置决定。
制备工艺流程如下:首先,采用常规方法在衬底6上沉积隔离层7、芯层8、上包层9和热电极薄膜10;其次,在热电极薄膜10上旋涂一层光刻胶,用光刻方法一次形成掩模板上设定的光传输通道1、接触点2、3及连接臂4、5图形;再利用刻蚀方法,刻蚀一定深度,形成用于平面光波导热光器件的微加热装置。
本实用新型可用于多种材料、结构的热光器件,具有很好的实用性。例如,将本实用新型应用于马赫-泽德干涉仪中(参照图5),其中一个干涉臂引入本实用新型的微加热装置,可改变MZI两臂的光程差,从而实现热光开关或调制。图5虚线内为本实用新型的微加热装置。在此实施例子中选取硅纳米线光波导。在硅衬底6上形成1μm厚的SiO2隔离层7、350nm厚的Si芯层8、450nm厚的SiO2上包层9以及100nm厚的热电极薄膜10。Si芯层8、SiO2上包层9以及热电极薄膜10宽度均为400nm,光传输通道脊高het在0<het<hco+hcl范围之内取值,其中hco、hcl分别为芯层8、上包层9的厚度。此例中,选取脊高het=hco+hcl=800nm,即上包层、芯层均被刻穿。两个接触点2、3的尺寸均为100μm×100μm,而连接臂4、5的长度、宽度分别为1μm、200nm。为了减小连接臂4、5引入的额外损耗,采用了长度为1μm的锥形结构将光传输通道1在连接处11、12的宽度扩展至600nm。两个连接臂间距也即热电极长度为30μm。采用以上设计,当外加功率为10mW时,可使热光波导芯层温度升高100多度。

Claims (3)

1、一种用于平面光波导热光器件的微加热装置,包含光传输通道(1)、用于连接外部电源的两个接触点(2、3),光传输通道(1)由衬底(6)和自下而上依次沉积在衬底(6)上的隔离层(7)、芯层(8)、上包层(9)和热电极薄膜(10)组成,两个接触点(2、3)分别经连接臂(4、5)与光传输通道相连,其特征是光传输通道(1)为脊型光波导,上包层(9)、热电极薄膜(10)和芯层(8)的宽度相同,两个接触点(2、3)及连接臂(4、5)在高度方向上具有与光传输通道(1)相同的层结构。
2.根据权利要求1所述的用于平面光波导热光器件的微加热装置,其特征是所说的连接臂(4、5)与光传输通道的连接为垂直相连。
3、根据权利要求1所述的用于平面光波导热光器件的微加热装置,其特征是在光传输通道(1)与两个连接臂(4、5)相连之处(11、12)的光传输通道的宽度展宽。
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