CN1982908A

CN1982908A - 实时生成闪存测试向量的方法

Info

Publication number: CN1982908A
Application number: CN 200510111427
Authority: CN
Inventors: 谢晋春; 武建宏
Original assignee: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd
Current assignee: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
Priority date: 2005-12-13
Filing date: 2005-12-13
Publication date: 2007-06-20
Anticipated expiration: 2025-12-13
Also published as: CN100501432C

Abstract

本发明公开了一种实时生成闪存测试向量的方法，预先把对闪存擦除操作、读操作和写操作分别编写成擦写类库函数、读类库函数和写类库函数库函数，在测试中，通过调用这些库函数实时生成测试向量。本发明可明显缩短测试程序开发时间，提高测试程序的可靠性和测试开发效率。

Description

实时生成闪存测试向量的方法

技术领域

本发明涉及一种半导体器件测试方法，特别是一种半导体器件测试中测试向量的生成方法。

背景技术

在半导体测试领域，对产品的测试评价的正确与否关系到对产品失效的正确分析，对产品的研发量产起着关键性的作用；测试评价的早日完成为产品推向市场赢得了时间。测试评价的基础在于测试程序的开发，测试程序开发的时效性，可靠性是个关键问题。有时往往因为在产品的测试评价阶段拖的时间过长，错过产品推向市场的时机。

闪存测试中，设计和开发测试向量是难点。测试向量设计好后还要经过调试确认阶段，才能用于闪存的产品测试；在调试阶段往往要耗费大量的时间。闪存测试向量的生成方式常见的有硬件生成及实时生成。硬件生成方式存在产生的测试向量变化不灵活，占有硬件资源多的缺点。常见的实时产生测试向量的方式是利用软件(pattern)和测试仪硬件相结合来产生测试向量。也就是说要撰写软件，而这种软件因产品的差异，测试设计开发人员的不同而千差万别。这种软件存在撰写复杂性高，复用性差，可靠性差，移植性弱的缺点。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种能明显缩短测试程序开发时间的实时生成闪存测试向量的方法。

为解决上述技术问题，本发明预先把对闪存擦除操作、读操作和写操作分别编写成擦写类库函数、读类库函数和写类库函数库函数，在测试中，通过调用这些库函数实时生成测试向量。

本发明通过调用预先编写的库函数的方法，明显缩短了测试向量生成的时间，从而缩短测试程序开发时间，提高测试程序的复用程度、可靠性、移植性和测试开发效率。

附图说明

图1是本发明的测试向量生成模式；

图2是本发明一个实施例的测试向量生成流程。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步详细的说明。

本发明中库函数生成闪存(flash)的测试操作可分为擦除、读取、写三部分。在库函数的设置上也主要分为三大类，可分别写成如下的函数格式。

针对并行输出类flash的三种库函数格式可写成：

int*P_ER(int ctr_pin，r，long int er_time)；

int*P-PGM(int ctr_pin，long int start_adr，long intend_adr，int pgm_time，int*srcdata)；

int*P_RD(int ctr_pin，long int start_adr，long intend_adr，int*fetdata)

以上函数中，int*P_ER(int ctr_pin， long int er_time)表示擦写使用的库函数，其中ctr_pin标示控制pin的控制状态设定，er_time标示擦写的时间设定。函数返回一个整型的指针，标示擦写操作后的信息；

int*P_RD(int ctr_pin，long int start_adr，long intend_adr，int*fetdata)表示读取数据使用的库函数，其中ctr_pin标示控制pin的控制状态设定，start_adr，end_adr标示读取数据的起始地址和终止地址，fetdata标示读取数据的存放地址。函数返回一个整型的指针，标示读取操作后的信息；

int*P-PGM(int ctr_pin，long int start_adr，long intend_adr，int pgm_time，int*srcdata)表示写入数据使用的库函数，其中ctr_pin标示控制pin的控制状态设定，start_adr，end_adr标示写入数据的起始地址和终止地址，pgm_time标示写入数据的时间设定，srcdata标示所要写入数据的存放地址。函数返回一个整型的指针，标示写入数据操作后的信息。

针对串行输出类flash的三种库函数格式可写成：

int*S-ER(int ctr_pin，long int er_time，int lsb_f)；

int*S-RD(int ctr_pin，long int start_adr，long intend_adr，int*fetdata，int lsb_f)；

int*S-PGM(int ctr_pin，long int start adr，long intend_adr，int pgm_time，int*srcdata，int lsb_f)

以上函数中，int*S-ER(int ctr_pin，long int er_time，intlsb_f)表示擦写使用的库函数，其中ctr_pin标示控制pin的控制状态设定，er_time标示擦写的时间设定，lsb_f标示是否低位先输出。

函数返回一个整型的指针，标示擦写操作后的信息；

int*S-RD(int ctr_pin，long int start_adr，long intend_adr，int*fetdata，int lsb_f)表示读取数据使用的库函数，其中ctr_pin标示控制pin的控制状态设定，start_adr，end_adr标示读取数据的起始地址和终止地址，fetdata标示读取数据的存放地址，lsb_f标示是否低位先输出。函数返回一个整型的指针，标示读取操作后的信息；

int*S-PGM(int ctr_pin，long int start_adr，long intend_adr，int pgm_time，int*srcdata，int lsb_f)表示写入数据使用的库函数，其中ctr_pin标示控制pin的控制状态设定，start_adr，end_adr标示写入数据的起始地址和终止地址，pgm_time标示写入数据的时间设定，srcdata标示所要写入数据的存放地址，lsb_f标示是否低位先输出。函数返回一个整型的指针，标示写入数据操作后的信息。

本发明测试向量生成架构参见附图1。在对flash产品进行测试时根据测试项目来调用相应的库函数。比如，要进行写操作时，0地址到Ox400地址写入指向*srcdata的内容，flash的字节写入时间为30uS，采用串行方式，低位在前。可写成如下方式：S-PGM(ctr_pin，(longint)0，(long int)Ox400，64，srcdata，LSB)。见附图2。

在测试中，根据测试流程，运行相应的测试项目时，根据所调用的库函数，实时(on the fly)产生测试向量，印加在flash上，对其进行测试。

Claims

1、一种实时生成闪存测试向量的方法，其特征是，预先把对闪存的操作编写成库函数，在测试中，通过调用所述库函数实时生成测试向量。

2、根据权利要求1所述的实时生成闪存测试向量的方法，其特征是，所述库函数可以是针对擦除操作的擦写类库函数、针对读取操作的读类库函数和针对写操作的写类库函数。

3、根据权利要求2所述的实时生成闪存测试向量的方法，其特征是，所述库函数返回一个整型指针，标示擦写操作后的信息。

4、根据权利要求2或3所述的实时生成闪存测试向量的方法，其特征是，所述擦写类库函数包含针对并行输出类闪存的擦写类库函数和针对串行输出类闪存的擦写类库函数；所述读类库函数包含针对并行输出类闪存的读类库函数和针对串行输出类闪存的读类库函数；所述写类库函数包含针对并行输出类闪存的写类库函数和针对串行输出类闪存的写类库函数。