CN1904725A - 制造能够改善图像质量的显示器基板的掩模 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种用于形成显示器基板的掩模,使用该掩模制造显示器基板的方法和显示器基板,其能够通过避免色斑和色移提高色泽复现性。所述掩模包括第一子掩模、第二子掩模、第一交叠部分和第二交叠部分。第一子掩模包括彩色标线,从而在显示器基板的第一有源区内形成彩色像素。第二子掩模包括彩色标线,从而在显示器基板的第二有源区内形成彩色像素。第一交叠部分位于与第二子掩模交叠的第一子掩模的部分上。以不同于第一子掩模的其余部分的密度排列第一交叠部分内的彩色标线。第二交叠部分位于与第一子掩模交叠的第二子掩模的部分上。以基本等于第一交叠部分的密度排列第二交叠部分内的彩色标线。因此,改善了图像显示质量。

Description

制造能够改善图像质量的显示器基板的掩模
技术领域
本发明涉及掩模、利用所述掩模制造显示器基板的方法和显示器基板。更具体而言,本发明涉及能够改善显示装置的色泽复现性的掩模、利用所述掩模制造显示器基板的方法和显示器基板。
背景技术
液晶显示(LCD)装置通常包括阵列基板、滤色器基板和位于两基板之间的液晶层。阵列基板包括栅极线、源极线以及电连接到所述栅极线和源极线的开关元件。滤色器基板包括滤色器图案和公共电极。液晶层的液晶响应于施加到其上的电场改变其排列,由此改变通过所述液晶层的透光率。
所述阵列基板的图案是通过光刻工艺形成的。在每一光刻工艺中,在基底基板上对准具有标线的掩模,将紫外线通过所述掩模照射到所述基底基板上,从而使所述标线被印到所述基底基板上。
LCD装置的LCD屏板的当前趋势是变大。在大LCD装置(例如超过40英寸左右)中,在每一光刻工艺中利用多个掩模制造阵列基板。利用具有至少两次紫外线拍摄(shot)的掩模实施每一光刻工艺。
当利用掩模和至少两次紫外线拍摄对阵列基板构图时,相邻拍摄在一部分基底基板内交叠。在对应于所述交叠区域的LCD屏板的有源区内形成了斑点。由于有源区中的色斑的形成和色移(color shift),所述交叠区域将对所显示的图像的质量带来负面影响。我们希望避免这种对图像质量的负面影响。
发明内容
本发明提供了一种能够提高显示装置的色泽复现性的掩模。本发明还提供了一种利用上述掩模制造显示器基板的方法。本发明还提供了一种显示器基板。
在一方面,本发明是一种掩模,其包括第一子掩模、第二子掩模、第一交叠部分和第二交叠部分。第一子掩模包括多个彩色标线,从而在显示器基板的第一有源区内形成彩色像素。第二子掩模包括多个彩色标线,从而在显示器基板的第二有源区内形成彩色像素。第一子掩模的第一交叠部分与第二子掩模交叠。第一交叠部分包括以不同于第一子掩模的其余部分的密度排列的多个彩色标线。第二子掩模的第二交叠部分与第一子掩模交叠。第二交叠部分包括以基本等于第一交叠部分的密度排列的多个彩色标线。
另一方面中,本发明是一种利用掩模制造显示器基板的方法,所述掩模具有第一子掩模和与所述第一子掩模部分交叠的第二子掩模。第一子掩模的交叠部分包括以基本等于第二子掩模的交叠部分的密度排列的彩色标线。所述方法需要在基底基板上形成像素层,并对所述像素层构图。利用第一子掩模对像素层构图,从而在基底基板的第一有源区和交叠区域内形成第一像素图案。所述交叠区域对应于第一交叠部分。利用述第二子掩模对所述像素层构图,从而在基底基板的第二有源区和所述交叠区域内形成第二像素图案。
又一方面中,本发明是一种利用掩模制造的显示器基板,所述掩模具有第一子掩模和与所述第一子掩模部分交叠的第二子掩模。所述显示器基板包括多个第一像素和多个第二像素。第一子掩模的交叠部分包括以基本等于第二子掩模的交叠部分的密度排列的彩色标线。第一像素位于第一有源区和交叠区域中。所述第一有源区和所述交叠区域是利用第一子掩模形成的。第二像素位于第二有源区和所述交叠区域中。所述第二有源区和所述交叠区域是利用第二子掩模形成的。
根据本发明,控制掩模的红色、绿色和蓝色标线之间的比率,以减少子掩模的交叠区域内的色斑和色移。
附图说明
通过参考附图详细描述其示范性实施例,本发明的以上和其他特征和益处将变得更加显见,附图中:
图1是显示根据本发明的实施例的掩模的平面图;
图2是显示利用图1所示的掩模制造的显示器基板的平面图;
图3A和图3B是图1中的掩模的放大平面图;
图4A和图4B是根据本发明另一实施例的掩模的放大平面图;
图5是图3A和图3B的部分“A”的放大平面图;
图6是沿图5的I-I′线得到的截面图;
图7A和图7B是显示利用根据本发明的实施例的第一掩模在显示器基板的交叠区域内形成栅极金属图案的截面图;
图8A和图8B是显示利用第二掩模在如图7A和图7B所示的显示器基板的交叠区域内形成沟道部分的截面图;
图9A和图9B是显示利用第三掩模在如图8A和图8B所示的显示器基板的交叠区域内形成源极金属图案的截面图;以及
图10A和图10B是显示利用第四掩模在如图9A和图9B所示的显示器基板的交叠区域内形成像素电极的截面图。
具体实施方式
在下文中将参考附图更为充分地描述本发明,附图中展示了本发明的实施例。不过,本发明可以以许多不同的形式实施,不应被视为受限于此处所述的实施例。相反,提供这些实施例是为了使本公开透彻和完全,并将充分地把本发明的范围传达给本领域的技术人员。在附图中,出于清晰起见扩大了层和区域的尺寸以及相对尺寸。
应当理解,当称元件或层在另一元件或层“上”,或者“连接至”、“耦合至”另一元件或层时,它可能直接在另一元件或层上,或直接连接、耦合至另一元件或层,也可能存在中间元件或层。始终以类似的数字指示类似的元件。这里所用的术语“和/或”包括一个或多个相关所列项目的任何与全部组合。
应当理解,虽然这里可能使用术语第一、第二等来描述多种元件、组件、区域、层和/或部分,但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应被视为受限于这些术语。这些术语仅用于将某一元件、部件、区域、层或部分与其他区域、层或部分区分开。这样一来,在不背离本发明的教导的情况下,以下所讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可以被称为第二元件、组件、区域、层或部分。
为了便于描述,这里可能使用例如“在......下”、“之下”、“下”、“之上”、“上”等空间相对术语来描述如图所示的一个元件或功能部件与另一个或多个元件或功能部件的关系。应当理解,空间相对术语意在包括除图示方向之外的在使用中或在工作中的器件的不同方向。例如,如果将图中的器件反转,被描述为在其他元件或功能部件“下”或“之下”的元件将位于其他元件或功能部件“之上”。这样一来,示范性术语“在......下”可以包括之上和之下两种方向。器件可以采取其他取向(旋转90度或者在其他方向),并对这里所用的空间关系描述语进行相应的解释。
这里所用的术语仅仅是为了描述特定的实施例,并不意在限制本发明。如这里所用的,单数形式意在同时包括复数形式,除非上下文另行明确指出。还要理解的是,本说明书中所用的术语“包括”指明所述功能部件、整体、步骤、操作、元件和/或组件的存在,但不排除一个或多个其他功能部件、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组合的存在或增加。
这里参考截面图描述本发明的实施例,所述截面图为本发明的理想化实施例(以及中间结构)的示意图。照此,可以预见到由于例如制造技术和/或容限会引起图示形状的变化。这样一来,本发明的实施例不应被解释为受限于这里图示的特定的区域形状,而是包括因(例如)制造而产生的形状变化。例如,图示为矩形的注入区通常具有圆形的或弯曲的功能部件和/或在其边缘处具有注入浓度的梯度,而不是从注入区到非注入区具有二元变化。类似地,通过注入形成的掩埋层可能导致在所述掩埋层和通过其发生注入的表面之间的区域内存在一些注入。这样一来,图示的区域从本质上讲是示意性的,它们的形状不意在展示器件区域的实际形状,且不意在限制本发明的范围。
除非另行定义,这里所用的所有术语(包括技术和科学术语)具有本发明所属技术领域的普通技术人员所通常理解的同样含义。还要理解的是,诸如在通用词典中所定义的那些术语应当被解释为有着与其在相关技术和本公开的上下文中的含义相一致的含义,除非这里明确加以定义,否则不应被解释为理想化的或过度形式的意义。
以下将参考附图详细描述本发明。
图1是显示根据本发明的实施例的掩模的平面图。图2是显示利用图1所示的掩模制造的显示器基板的平面图。
参考图1和图2,掩模100包括第一子掩模110、第二子掩模120、第三子掩模130和交叠部分140。在每一第一、第二和第三子掩模110、120和130内形成标线,从而通过光刻工艺对显示器基板200的有源区AA构图。交叠部分140位于被子掩模之一或被第一、第二和第三子掩模110、120和130之一覆盖的区域之间。在下文中,紫外线的第一拍摄、第二拍摄和第三拍摄分别表示采用第一、第二和第三子掩模110、120和130的拍摄。
第一拍摄110在掩模100的中央部分上。第二拍摄120在第一拍摄110的左侧。第三拍摄130在第一拍摄110的右侧。文中所采用的“左侧”和“右侧”参考图1。
通过第一拍摄110向显示器基板200照射两次紫外线。第一次照射形成了第一中央区域AA1-1,第二次照射形成了第二中央区域AA1-2。中央部分区域AA1-1和AA1-2是有源区AA的部分。使紫外线照射到位于第一和第二中央区域AA1-1和AA1-2的左侧的显示器基板200上以形成左侧区域AA2。使紫外线照射到位于第一和第二中央区域AA1-1和AA1-2的右侧的显示器基板200上以形成右侧区域AA3。如图2所示,左侧区域AA2和右侧区域AA3均为有源区AA的一部分。
在将显示器基板200暴露于紫外线时,采用掩模100的交叠部分140形成有源区AA的交叠区域A0。交叠部分140处于彼此相邻的第一和第二子掩模110和120之间以及第二和第三子掩模120和130之间的边界上。
交叠部分140包括由第一子掩模110的边缘形成的第一交叠部分和由第二子掩模120的边缘形成的第二交叠部分。在第一和第二交叠部分上形成第一线迹图案(stitch pattern)和第二线迹图案。“线迹图案”为标线的布局。
第二线迹图案具有与第一线迹图案相反的图案。例如,随着接近第二子掩模120,所形成的第一线迹图案中的标线更加向一起靠近。随着向第二子掩模120靠近,第二线迹图案中的标线更加相互分开。也就是说,第一线迹图案中的标线的密度增大,第二线迹图案的标线的密度减小。或者,随着接近第二子掩模120,所形成的第一线迹图案内的标线可以更相互靠近,随着接近第二子掩模120,第二线迹图案中的标线可以更加相互分开。所述标线可以是开口图案或光阻挡图案。
在每一第一和第二线迹图案中,对应于红色的标线的数量、对应于绿色的标线的数量和对应于蓝色的标线的数量可以基本相同。
例如,第一线迹图案中对应于红色像素的红色标线的数量与第二线迹图案中对应于红色像素的红色标线的数量基本相同。此外,第一线迹图案中对应于绿色像素的绿色标线的数量和对应于蓝色像素的蓝色标线的数量分别与第二线迹图案中对应于绿色像素的绿色标线的数量以及对应于蓝色像素的蓝色标线的数量基本相同。
在第一线迹图案中,红色标线的数量、绿色标线的数量和蓝色标线的数量可以基本相同。此外,在第二线迹图案中,红色标线的数量、绿色标线的数量和蓝色标线的数量可以基本相同。
在图1和图2中,第一线迹图案中的红色、绿色和蓝色标线的数量与第二线迹图案中的红色、绿色和蓝色标线的数量基本相同,以减少交叠区域A0中的色斑和色移。
图3A和图3B是图1中的掩模的放大平面图。
图3A是显示第一子掩模110的第一交叠部分141上的第一线迹图案111放大平面图。图3B是显示第二子掩模120的第二交叠部分142上的第二线迹图案121的放大平面图。在图3A和图3B中,构图的结构具有21×7像素。
参考图1到图3B,第一交叠部分141与第二交叠部分142交叠。具体而言,第一线迹图案111的R1列与第二线迹图案121的R1′列交叠,第一线迹图案111的B7列与第二线迹图案121的B7′列交叠,使得所述第一线迹图案111的21×7像素与所述第二线迹图案121的21×7像素交叠。
第一线迹图案111的R1列包括红色标线。相反,第二线迹图案121的R1′列上没有红色标线。如图所示,在R1列内有六个红色标线,在R1′内没有红色标线。由于在第二线迹图案121的R1′列上没有形成标线,所以通过线迹图案111形成对应于R1列或R1′列的显示器基板200的像素图案。所述像素图案包括栅极线、源极线、开关元件和像素电极。
第一线迹图案111的G1列包括绿色标线。相反,第二线迹图案121的G1′列上没有绿色标线。如图所示,在G1列上具有六个绿色标线,而在G1′列内则没有绿色标线。
类似地,第一线迹图案111的B1列包括蓝色标线。相反,第二线迹图案121的B1’列上没有蓝色标线。如图所示,在B1列上具有六个蓝色标线,而在B1′列内则没有蓝色标线。
第一线迹图案111的R2列中有五个红色标线,第二线迹图案121的R2′列中有一个红色标线。第一线迹图案111的R2列内的红色标线与第二线迹图案121的R2′列内的红色标线互补。
类似地,第一线迹图案111的G2列中有五个绿色标线,第二线迹图案121的G2′列中有一个绿色标线。第一线迹图案111的G2列内的绿色标线与第二线迹图案121的G2′列内的绿色标线互补。B2和B2′列内的蓝色标线具有类似的排列。第一线迹图案111的B2列中有五个蓝色标线,第二线迹图案121的B2′列中有一个蓝色标线。第一线迹图案111的B2列内的蓝色标线与第二线迹图案121的第B2’列内的蓝色标线互补。
第一线迹图案111的R3列中有四个红色标线,第二线迹图案121的R3′列中有两个红色标线。第一线迹图案111的R3列内的红色标线与第二线迹图案121的R3′列内的红色标线互补。
类似地,第一线迹图案111的G3列中有四个绿色标线,第二线迹图案121的G3′列中有两个绿色标线。第一线迹图案111的G3列内的绿色标线与第二线迹图案121的G3′列内的绿色标线互补。B3和B3′列内的蓝色标线具有类似的排列。第一线迹图案111的B3列中有四个蓝色标线,第二线迹图案121的B3′列中有两个蓝色标线。第一线迹图案111的B3列内的蓝色标线与第二线迹图案121的第B3′列内的蓝色标线互补。
第一交叠部分141内的第四、第五、第六和第七列内的彩色标线的数量逐个递减,从而在第七列中没有彩色标线。彩色标线是用于形成彩色像素的掩模的标线。例如,彩色标线可以是对应于彩色像素的开口图案,或者对应于彩色像素的光阻挡图案。第二交叠部分142内的第四、第五、第六和第七列中的彩色标线的相应数量与第一交叠部分141内的相应列中的彩色标线的数量互补。
因此,在第一线迹图案111的R7列内没有红色标线,在第二线迹图案121的R7′列内有六个红色标线。在第一线迹图案111的G7列内没有绿色标线,在第二线迹图案121的G7′列内有六个绿色标线。在第一线迹图案111的B7列内没有蓝色标线,在第二线迹图案121的B7′列内有六个蓝色标线。
在第一线迹图案111中,每一R1、R2...R7列中的红色标线的数量从六个逐渐减少为零。在第二线迹图案121中,每一R1′、R2′...R7′列中的红色标线的数量从零逐渐增加到六个。在每一第一和第二线迹图案111和121内有二十一个红色标线。也就是说,第一线迹图案111内的红色标线的数量基本等于第二线迹图案121内的红色标线的数量。
在第一线迹图案111中,每一G1、G2...G7列中的绿色标线的数量从六个逐渐减少为零。在第二线迹图案121中,每一G1′、G2′...G7′列中的绿色标线的数量从零逐渐增加至六个。在每一第一和第二线迹图案111和121内有二十一个绿色标线。同样地,在第一线迹图案111中,每一B1、B2...B7列中的蓝色标线的数量从六个逐渐减少为零。在第二线迹图案121中,每一B1′、B2′...B7′列中的蓝色标线的数量从零逐渐增加至六个。在每一第一和第二线迹图案111和121内有二十一个蓝色标线。第一线迹图案111内的红色、绿色和蓝色标线的数量基本等于第二线迹图案121内的红色、绿色和蓝色标线的数量。
在显示器基板的交叠区域A0内,通过第一子掩模110构图的像素的数量与通过第二子掩模120构图的像素的数量基本相同。第一子掩模110与第二子掩模120在交叠部分140中交叠。在交叠区域A0中,通过第一子掩模110构图的红色、绿色和蓝色像素中的每一种的数量与通过第二子掩模120构图的红色、绿色和蓝色像素的数量基本相同。
因此,减少了交叠区域A0内的线迹色斑(color stitch spot)和色移。
图4A和图4B是显示根据本发明另一实施例的掩模的放大平面图。
图4A是显示第一子掩模110的第一交叠部分141上的第一线迹图案111a放大平面图。图4B是显示第二拍摄120的第二交叠部分142上的第二线迹图案121a的放大平面图。在图4A和图4B中,构图的结构具有7×7像素。
参考图1、图2、图4A和图4B,第一交叠部分141与第二交叠部分142交叠。具体而言,第一线迹图案111a的P1列与第二线迹图案121的P1′列交叠,第一线迹图案111a的P7列与第二线迹图案121的P7′列交叠,从而第一线迹图案111的7×7像素与第二线迹图案121的7×7像素交叠。
第一线迹图案111a的P1列在可以含有标线的每一单元中含有标线。相反,在第二线迹图案121的P1′列中没有标线。在示范性实施例中,P1列中有六个标线。由于在第二线迹图案121a的P1′列内没有标线,通过第一线迹图案111a形成在包括P1列和P1′列的显示器基板200的区域内的像素图案。例如,每一标线包括相互邻接的红色、绿色和蓝色标线。第一线迹图案111a的P2列中有五个标线,第二线迹图案121a的P2′列中有一个标线。第一线迹图案111a的P2列内的标线与第二线迹图案121a的P2′列内的标线互补。
在第一线迹图案111a的P7列内没有标线,而在第二线迹图案121a的P7′列的每一能够填充标线的单元中都填充标线。在示范性实施例中,P7′列中的标线的数量为六个。
在第一线迹图案111a中,每一P1、P2...P7列中的标线的数量从六个逐渐减少为零。在第二线迹图案121a中,每一P1′、P2′...P7′列中的标线的数量从零逐渐增加到六个。在每一第一和第二线迹图案111a和121a内有二十一个标线。也就是说,第一线迹图案111a内的标线的数量基本等于第二线迹图案121a内的标线的数量。第一线迹图案111a内的红色、绿色和蓝色标线部分的数量与第二线迹图案121a内的红色、绿色和蓝色标线部分的数量基本相等。
在显示器基板的交叠区域A0内,通过第一子掩模110构图的像素的数量与通过第二子掩模120构图的像素的数量基本相同。第一子掩模110与第二子掩模120在交叠部分140中交叠。在交叠区域A0中,通过第一子掩模110构图的红色、绿色和蓝色像素中的每一种的数量与通过第二子掩模120构图的红色、绿色和蓝色像素的数量基本相同。
因此,减少了交叠区域A0内的线迹色斑和色移。
图5是图3A和图3B的部分“A”的放大平面图。图6是沿图5的I-I′线得到的截面图。
参考图1到图6,显示屏板500包括显示器基板200、彩色基板300和液晶层400。彩色基板300被设计为与显示器基板200组装到一起。将液晶层400插置到显示器基板200和彩色基板300之间。
显示器基板200包括第一像素D1、第二像素D2、第三像素D3和第四像素D4。第一和第二像素D1、D2彼此邻接,第二和第三像素D2、D3以及第三和第四像素D3、D4亦如此。
通过如图3A所示的第一子掩模110的第一线迹图案111形成第一和第四像素D1和D4,通过如图3B所示的第二子掩模120的第二线迹图案121形成第二和第三像素D2和D3。
具体而言,显示器基板200包括第一基底基板201、多个栅极线GL1和GL2、多个源极线DL1和DL2以及多个像素D1、D2、D3和D4。栅极线和源极线GL1、GL2、DL1和DL2位于第一基底基板201上。像素D1、D2、D3和D4由彼此邻接的栅极和源极线GL1、GL2、DL1和DL2界定。
第一像素D1包括第一开关元件TFT1、第一像素电极PE1和第一存储线CL1。第一开关元件TFT1电连接到第n条栅极线GLn和第m条源极线DLm。第一像素电极PE1电连接到第一开关元件TFT1。
第一开关元件TFT1包括第一栅电极211、第一源电极231和第一漏电极232。第一栅电极211电连接到第n条栅极线GLn。第一源电极231电连接到第m条源极线DLm。第一漏电极232电连接到第一像素电极PE1。在第一源电极231和第一漏电极232之间形成第一沟道部分221。
第二像素D2包括第二开关元件TFT2、第二像素电极PE2和第二存储线CL2。第二开关元件TFT2电连接到第n条栅极线GLn和第(m+1)条源极线DLm+1。第二像素电极PE2电连接到第二开关元件TFT2。
第二开关元件TFT2包括第二栅电极212、第二源电极233和第二漏电极234。第二栅电极212电连接到第n条栅极线GLn。第二源电极233电连接到第(m+1)条源极线DLm+1。第二漏电极234电连接到第二像素电极PE2。在第二源电极233和第二漏电极234之间形成第二沟道部分222。
第三像素D3包括第三开关元件TFT3、第三像素电极PE3和第三存储线CL3。第三开关元件TFT3电连接到第(n+1)条栅极线GLn+1和第m条源极线DLm。第三像素电极PE3电连接到第三开关元件TFT3。
第三开关元件TFT3包括第三栅电极213、第三源电极235和第三漏电极236。第三栅电极213电连接到第(n+1)条栅极线GLn+1。第三源电极235电连接到第m条源极线DLm。第三漏电极236电连接到第三像素电极PE3。在第三源电极235和第三漏电极236之间形成第三沟道部分223。
第四像素D4包括第四开关元件TFT4、第四像素电极PE4和第四存储线CL4。第四开关元件TFT4电连接到第(n+1)条栅极线GLn+1和第(m+1)条源极线DLm+1。第四像素电极PE4电连接到第四开关元件TFT4。
第四开关元件TFT4包括第四栅电极214、第四源电极237和第四漏电极238。第四栅电极214电连接到第(n+1)条栅极线GLn+1。第四源电极237电连接到第(m+1)条源极线DLm+1。第四漏电极238电连接到第四像素电极PE4。在第四源电极237和第四漏电极238之间形成第四沟道部分224。
在第一、第二、第三和第四栅电极211、212、213和214以及第一、第二、第三和第四存储线CL1、CL2、CL3和CL4上形成栅极绝缘层202。在第一、第二、第三和第四源电极231、233、235和237以及第一、第二、第三和第四漏电极232、234、236和238上形成钝化层203。
彩色基板300包括第二基底基板301、黑矩阵310、滤色器层320和公共电极层330。黑矩阵310位于第二基底基板301上。
黑矩阵310位于显示器基板200的有源区AA的外围部分上,以阻挡像素D1、D2、D3和D4之间的边界附近的任何光泄漏。此外,黑矩阵310界定了像素D1、D2、D3和D4的边界。
滤色器层320包括红色、绿色和蓝色滤色器图案。每一红色、绿色和蓝色滤色器图案位于由黑矩阵310界定的每一像素区域内,以显示彩色图像。
公共电极层330以及像素电极PE1、PE2、PE3和PE4形成各像素D1、D2、D3和D4的液晶电容器。
将液晶层400插置到显示器基板200和相对的基板300之间。液晶层400的液晶响应形成于公共电极层330和像素电极PE1、PE2、PE3、PE4之间的电场改变其排列。因此,改变了通过液晶层400的透光率,以显示预期图像。
图7A到图10B是显示利用图1所示的掩模制造图5和图6所示的显示器基板的方法的截面图。也就是说,利用第一子掩模110的第一线迹图案111和第二子掩模120的第二线迹图案121形成显示器基板200的交叠区域A0。
图7A和图7B是显示利用根据本发明的实施例的第一掩模在显示器基板200的交叠区域内形成栅极金属图案的工艺截面图。
参考图5到图7B,在第一基底基板201上形成栅极金属层。利用第一掩模610通过光刻工艺对栅极金属层构图,以形成栅极金属图案。
具体而言,第一掩模610包括第一子掩模611和第二子掩模612。第一子掩模611包括第一线迹图案611R和611G。第二子掩模612包括第二线迹图案612R和612G。
利用第一线迹图案611R和611G在金属层内形成第一栅极图案。第一和第四像素D1和D4包括第一栅极图案。
第一栅极图案包括用于界定第一像素D1的第n条栅极线GLn的第一部分、第一栅电极211和第一存储线CL1。此外,第一栅极图案还包括用于界定第四像素D4的第(n+1)条栅极线GLn+1的第二部分、第四栅电极214和第四存储线CL4。
利用第一掩模610的第二线迹图案612R和612G在金属层内形成第二栅极图案。第二和第三像素D2和D3包括第二栅极图案。
第二栅极图案包括用于界定第二像素D2的第n条栅极线GLn的第二部分、第二像素D2、第二栅电极212和第二存储线CL2。此外,第二栅极图案还包括用于界定第三像素D3的第(n+1)条栅极线GLn+1的第一部分、第三栅电极213和第三存储线CL3。
图8A和图8B是显示利用第二掩模在如图7A和图7B所示的显示器基板的交叠区域A0内形成沟道部分的截面图。
参考图4到图8B,在具有栅极金属图案的第一基底基板201上形成栅极绝缘层202。栅极绝缘层202包括绝缘材料。可以用于栅极绝缘层202的绝缘材料的实例包括氮化硅、氧化硅等。
在栅极绝缘层202上形成具有非晶硅层和n+非晶硅层的沟道层。向非晶硅层中原位掺入杂质,以形成n+非晶硅层。利用第二掩模620通过光刻工艺对沟道层构图,以形成开关元件TFT1、TFT2、TFT3和TFT4的沟道部分221、222、223和224。
具体而言,第二掩模620包括第一子掩模621和第二子掩模622。第一子掩模621包括第一线迹图案621R和621G。第二子掩模622包括第二线迹图案622R和622G。
利用第一线迹图案621R和621G形成第一和第四像素D1和D4的第一和第四沟道部分221和224。此外,利用第二线迹图案622R和622G形成第二和第三像素D2和D3的第二和第三沟道部分222和223。
图9A和图9B是显示利用第三掩模在如图8A和图8B所示的显示器基板200的交叠区域A0内形成源极金属图案的截面图。
参考图5到图9B,在具有沟道部分221、222、223和224的第一基底基板201上形成源极金属层。利用第三掩模630通过光刻工艺对源极金属层构图。
具体而言,第三掩模630包括具有第一线迹图案631R和631G的第一子掩模631以及具有第二线迹图案632R和632G的第二子掩模632。
利用第一线迹图案631R和631G形成第一和第四像素D1和D4的第一源极图案。
第一源极图案包括用于界定第一像素D1的第m条源极线DLm的第一部分、第一源电极231和第一漏电极232。此外,第一源极图案还可以包括用于界定第四像素D4的第(m+1)条源极线DLm+1的第二部分、第四源电极237和第四漏电极238。
第二线迹图案632R和632G对应于第二和第三像素D2和D3内的源极图案。
源极图案包括用于界定第二像素D2的第(m+1)条源极线DLm+1的第一部分、第二电极233和第二漏电极234。第二栅极图案包括用于界定第三像素D3的第m条源极线DLm的第二部分、源电极235和第四漏电极236。
图10A和图10B是显示利用第四掩模在如图9A和图9B所示的显示器基板200的交叠区域A0内形成像素电极的工艺的截面图。
参考图5到图10B,在具有源极金属图案的第一基底基板201上形成钝化层203。部分去除钝化层203以形成接触孔241、242、243和244,第一、第二、第三和第四漏电极232、234、236和238分别通过所述接触孔被局部暴露。
利用具有第一子掩模的第一线迹图案以及第二子掩模的第二线迹图案的掩模形成接触孔241、242、243和244。
在具有接触孔241、242、243和244的第一基底基板201上形成像素电极层。像素电极层包括透明导电材料。能够用于像素电极层的透明导电材料的实例包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)等。
利用第四掩模640通过光刻工艺形成像素电极PE1、PE2、PE3和PE4。
第四掩模640包括具有第一线迹图案641R和641G的第一子掩模641以及具有第二线迹图案642R和642G的第二子掩模642。
利用第一线迹图案641R和641G形成第一和第四像素D1和D4的第一和第四像素电极PE1和PE4。利用第二线迹图案642R和642G形成第二和第三像素D2和D3的第二和第三像素电极PE2和PE3。
根据本发明,控制在相邻的子掩模的边界处的交叠部分内的红色、绿色和蓝色标线的密度,以减少显示器基板的有源区内的色斑和色移。彩色标线的“密度”是指交叠部分内的彩色标线的数量。因此,提高了显示装置的色泽复现性,改善了显示装置的图像显示质量。
已经参照示范性实施例对本发明进行了说明。然而,显然,对于本领域技术人员而言,基于上述说明,很多替换性的修改和变化是显而易见的。因此,本发明涵盖所有此类落在权利要求的精神和范围内的替换性修改和变化。

Claims (18)

1.一种掩模,包括:
第一子掩模,其包括多个彩色标线,从而在显示器基板的第一有源区内形成彩色像素;
第二子掩模,其包括多个彩色标线,从而在所述显示器基板的第二有源区内形成彩色像素;
与所述第二子掩模交叠的所述第一子掩模的第一交叠部分,所述第一交叠部分包括以不同于所述第一子掩模的其余部分的密度排列的多个彩色标线;以及
与所述第一子掩模交叠的所述第二子掩模的第二交叠部分,所述第二交叠部分包括以基本等于所述第一交叠部分的密度排列的多个彩色标线。
2.根据权利要求1所述的掩模,其中,所述第一交叠部分中的所述彩色标线的数量与所述第二交叠部分内的所述彩色标线的数量基本相同。
3.根据权利要求1所述的掩模,其中,每一所述第一和第二交叠部分包括第一、第二和第三彩色标线。
4.根据权利要求3所述的掩模,其中,所述第一交叠部分中的所述第一、第二和第三彩色图案中的每一种的数量与所述第二交叠部分中的所述第一、第二和第三彩色图案中的每一种的数量基本相同。
5.根据权利要求3所述的掩模,其中,所述第一、第二和第三彩色图案包括红色、绿色和蓝色图案。
6.根据权利要求1所述的掩模,其中,随着所述第一彩色图案靠近所述第一子掩模侧,所述第一交叠部分中的所述第一彩色图案的密度增大。
7.根据权利要求1所述的掩模,其中,随着所述第二彩色图案靠近所述第二子掩模侧,所述第二交叠部分中的所述第二彩色图案的密度降低。
8.根据权利要求1所述的掩模,其中,所述每一第一和第二彩色图案均包括阻挡光的黑矩阵。
9.一种利用掩模制造显示器基板的方法,所述掩模具有第一子掩模和与所述第一子掩模部分交叠的第二子掩模,所述第一子掩模包括第一交叠部分,所述第一交叠部分所具有的彩色标线以基本等于所述第二子掩模中的第二交叠部分的密度排列,所述方法包括:
在基底基板上形成像素层;
利用所述第一子掩模对所述像素层构图,从而在所述基底基板的第一有源区和交叠区域内形成第一像素图案,所述交叠区域对应于所述第一子掩模的所述第一交叠部分;以及
利用所述第二子掩模对所述像素层构图,从而在所述基底基板的第二有源区和所述交叠区域内形成第二像素图案。
10.根据权利要求9所述的方法,其中,在所述交叠区域中,所述第一像素图案的数量基本等于所述第二像素图案的数量。
11.根据权利要求9所述的方法,其中,所述第一和第二像素图案包括红色、绿色和蓝色像素区。
12.根据权利要求9所述的方法,其中,在所述交叠区域中,所述第一像素图案的密度沿第一方向增大。
13.根据权利要求12所述的方法,其中,在所述交叠区域中,所述第二像素图案的密度沿与所述第一方向相反的第二方向增大。
14.根据权利要求9所述的方法,其中,所述像素层包括栅极金属层、源极金属层、沟道层、钝化层或像素电极层。
15.一种利用掩模制造的显示器基板,所述掩模具有第一子掩模和与所述第一子掩模部分交叠的第二子掩模,所述第一子掩模的所述交叠部分所包括的彩色标线以基本等于所述第二子掩模的所述交叠部分的密度排列,所述显示器基板包括:
在第一有源区和所述交叠区域内的多个第一像素,所述第一有源区和所述交叠区域是利用所述第一子掩模形成的;以及
在第二有源区和所述交叠区域内的多个第二像素,所述第二有源区和所述交叠区域是利用所述第二子掩模形成的。
16.根据权利要求15所述的显示器基板,其中,在所述交叠区域中,所述第一像素的数量与所述第二像素的数量基本相等。
17.根据权利要求15所述的显示器基板,其中,每一所述第一和第二像素包括红色、绿色和蓝色像素。
18.根据权利要求17所述的显示器基板,其中,在所述交叠区域内,所述第一像素的所述红色、绿色和蓝色像素中的每一种的数量与所述第二像素的所述红色、绿色和蓝色像素中的每一种的数量基本相等。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7767369B2 (en) 2007-11-28 2010-08-03 Au Optronics Corp. Photo-mask and thin-film transistor substrate
CN101686322B (zh) * 2008-09-24 2012-02-22 三星Techwin株式会社 数字摄像设备和跟踪方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101829778B1 (ko) * 2011-06-29 2018-02-20 삼성디스플레이 주식회사 노광 장치 및 액정 표시 장치의 제조 방법
JP2017030151A (ja) * 2015-07-28 2017-02-09 株式会社沖データ 画像処理装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10268292A (ja) * 1997-01-21 1998-10-09 Sharp Corp カラーフィルタ基板およびカラー液晶表示素子
US6624860B1 (en) * 1998-01-26 2003-09-23 Sharp Kabushiki Kaisha Color filter layer providing transmitted light with improved brightness and display device using same
JP3918371B2 (ja) * 1999-07-19 2007-05-23 富士ゼロックス株式会社 カラーフィルタ、表示素子、表示方法、および表示装置
JP4318455B2 (ja) * 2000-10-12 2009-08-26 三洋電機株式会社 カラーフィルタ形成方法または発光素子層形成方法またはこれらを利用したカラー表示装置の製造方法またはカラー表示装置
JP2003133417A (ja) * 2001-10-26 2003-05-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体集積回路装置及びその設計方法
US6682863B2 (en) * 2002-06-27 2004-01-27 Eastman Kodak Company Depositing an emissive layer for use in an organic light-emitting display device (OLED)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7767369B2 (en) 2007-11-28 2010-08-03 Au Optronics Corp. Photo-mask and thin-film transistor substrate
CN101686322B (zh) * 2008-09-24 2012-02-22 三星Techwin株式会社 数字摄像设备和跟踪方法

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