CN1854234A - 抛光浆料及其用途和使用方法 - Google Patents

抛光浆料及其用途和使用方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1854234A
CN1854234A CNA2005100252982A CN200510025298A CN1854234A CN 1854234 A CN1854234 A CN 1854234A CN A2005100252982 A CNA2005100252982 A CN A2005100252982A CN 200510025298 A CN200510025298 A CN 200510025298A CN 1854234 A CN1854234 A CN 1854234A
Authority
CN
China
Prior art keywords
polishing slurries
polishing
metal
slurries according
abrasive grains
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2005100252982A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1854234B (zh
Inventor
俞昌
杨春晓
肖正龙
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Anji Microelectronics Shanghai Co Ltd
Original Assignee
Anji Microelectronics Shanghai Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Anji Microelectronics Shanghai Co Ltd filed Critical Anji Microelectronics Shanghai Co Ltd
Priority to CN2005100252982A priority Critical patent/CN1854234B/zh
Priority to PCT/CN2006/000717 priority patent/WO2006111084A1/zh
Priority to US11/918,956 priority patent/US7776231B2/en
Publication of CN1854234A publication Critical patent/CN1854234A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1854234B publication Critical patent/CN1854234B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09GPOLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00Polishing compositions
    • C09G1/02Polishing compositions containing abrasives or grinding agents

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

本发明公开了一种抛光浆料,该抛光浆料包括至少一种研磨颗粒、一种氧化剂和一种载体;该氧化剂是结合在金属有机大分子上的;本发明还公开了该抛光浆料的用途和使用方法。本发明的抛光浆料抛光衬底时可以保持高的研磨速率,抛光后的衬底表面无腐蚀、缺陷率低、平整度高。

Description

抛光浆料及其用途和使用方法
技术领域
本发明属于抛光剂领域,尤其涉及一种抛光浆料及其用途和使用方法。
背景技术
随着微电子技术的发展,甚大规模集成电路芯片集成度已高达几十亿个元器件,特征尺寸已进入纳米级,这就要求微电子工艺中的近百道工艺,尤其是多层布线、衬底、介质必须进行全局平整化,而化学机械抛光(CMP)已被实践证明是最有效的全局平整化方法之一。
在典型的化学机械抛光方法中,将基底抛光表面直接与旋转抛光垫接触,同时在基底背面施加压力。在抛光期间,抛光垫随操作台旋转,同时在基底背面保持向下的力,将磨料和化学活性溶液组成的液体(通常称为抛光浆料,也称抛光液)涂布于抛光垫片上,该抛光浆料与正在抛光的薄膜发生化学反应和机械作用开始进行抛光过程。抛光浆料在CMP中是一种重要的因素,而可根据制程的需要来选取抛光浆料中的氧化剂来调节抛光浆料的抛光性能。
其中,美国专利6620037、6569350和6063306报道了抛光浆料中的氧化剂为过氧化氢和尿素合过氧化氢(urea hydrogen peroxide);美国专利5954997报道的氧化剂为过硫酸铵;美国专利6805812和6068787报道的氧化剂为有机或无机过氧化物,过化合物;美国专利5993686报道的氧化剂为铁盐、钾盐、铵盐、季铵盐、膦盐、过氧化物、氯酸盐、高氯酸盐、硝酸盐、高锰酸盐或过硫酸盐及其混合物、硝酸铁等;美国专利5980775指出氧化剂为过氧化氢、有机过氧化物、无机过氧化物及其混合物等。在目前的抛光浆料中所使用的各种氧化剂存在氧化能力不够强、氧化速度不够快或氧化剂不够稳定等问题。因此有必要找到一种合适的氧化剂以实现研磨均匀、研磨速率高、缺陷率低、平整度高的抛光要求。
发明内容
本发明的目的是提供一种抛光浆料,其包括至少一种研磨颗粒、一种氧化剂和一种载体;该氧化剂是结合在金属有机大分子上的。以金属有机大分子作为研磨液中氧化剂的载体未见任何先例及文献报导,乃本发明重要创新之处。
其中,该氧化剂为臭氧、氧气、含氧化合物、含硫化合物、过氧化合物和/或过硫化合物。
该研磨颗粒的含量为1-30重量%;该氧化剂的含量为0.01-10重量%;其余为载体和/或其它添加化合物。
该金属有机大分子为由至少一种金属单质或金属离子与水溶性的大分子或高分子构成;该大分子或高分子为由氨基酸形成的肽链和/或氨基酸衍生物形成的聚合物。金属单质或金属离子可被大分子或高分子缠绕而处在大分子或高分子的中心,或部分地或全部地暴露于大分子或高分子的表面。
该水溶性的大分子或高分子含有氨基、羧基和/或羟基官能团,和/或由它们化合而成的官能团。
该金属有机大分子为血红蛋白、肌红蛋白和/或它们的衍生物。在抛光浆料中加入金属有机大分子如血红蛋白、肌红蛋白或它们的衍生物,可以加大氧化剂如臭氧或氧气等氧化剂的溶解度和稳定性。在抛光时,并使得形成氧化层的速度加快,形成的氧化层均匀。
该血红蛋白、肌红蛋白或它们的衍生物在该抛光浆料中的质量浓度为0.1-50%。
该金属可为过渡金属或稀土金属,该过渡金属为Fe、W、Co、Ta、Ni、Zr、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd和/或Hg;该稀土金属为镧系金属和/或锕系金属。
该氨基酸为组氨酸、甘氨酸、丙氨酸、丝氨酸、脯氨酸、缬氨酸、苏氨酸、半胱氨酸、异亮氨酸、亮氨酸、天冬酰胺、天冬氨酸、赖氨酸、谷氨酸、苯丙氨酸、精氨酸、酪氨酸、色氨酸、甲硫氨酸和/或谷氨酸。
结合在该金属有机大分子上的氧化剂可存在抛光垫中或其表面上。
该抛光浆料的温度在0℃-50℃之间,优选25℃。
该抛光浆料的pH值为3-12,优选6-8。
该研磨颗粒选自二氧化硅、聚合物、金属氧化物和金属颗粒中的一种或几种;其中该金属氧化物颗粒为氧化铝、二氧化铈、氧化镧、氧化钐、氧化铜或Cu2O颗粒;该金属颗粒为Cu、W、Al、Fe、Ni、Ag、Pt或Au颗粒。
该研磨颗粒的比表面积在20-20000m2/g之间。
该研磨颗粒的尺寸在5-500nm之间。
该研磨颗粒可以是被选自二氧化硅、氧化铝、二氧化铈、氧化钨、氧化镧、氧化钐、氧化铜、Cu2O、有机或无机聚合物或金属中的一种或几种材料修饰过的或包封的。
该研磨颗粒可以是空心的。
该研磨颗粒可以是带电的、磁性的。
该载体为固态或液态,该液态载体优选为水或其它有机溶剂如乙醇。
该抛光浆料还可以包括成膜剂、分散剂、催化剂、络合剂和pH缓冲剂中的一种或几种。
本发明的另一目的是提供本发明抛光浆料在抛光金属衬底或非金属衬底中的用途。
该金属衬底为Cu、Ta、TaN、W、Al、Ag、Ti、TiN或Au衬底;该非金属衬底为聚合物材料、含硼磷硅玻璃、含氟硅玻璃、低介电常数的材料或氧化物材料衬底。
本发明的又一目的是提供本发明抛光浆料的使用方法,该方法为将一种该抛光浆料单独使用或将两种或两种以上的该抛光浆料经混合后使用。如将两种不同温度的抛光抛光浆料经混合后使用,又如将两种不同pH值的抛光抛光浆料经混合后使用。
本发明的积极进步效果在于:本发明的抛光浆料在抛光时可以保持高的研磨速率、抛光后的衬底表面无腐蚀、缺陷率低、平整度高。
具体实施方式
下面给出本发明较佳实施例,以详细说明本发明的技术方案。
实施例1
2wt%的平均粒径为100nm的气相二氧化硅颗粒、0.5wt%臭氧、10wt%血红蛋白、0.5wt%BTA、0.1wt%柠檬酸、2%KOH、其它为水,pH=5,温度为25℃。下压力:1psi、抛光盘的转速:100rpm、抛光头转速:105rpm、抛光浆料流速:200ml/min。
实施例2
5wt%的平均粒径为80nm的胶质二氧化硅颗粒、1.0wt%臭氧、20wt%血红蛋白、0.1wt%BTA、0.1wt%草酸、2.5%KOH、其它为水,pH=5.5,25℃。下压力:2psi、抛光盘的转速:150rpm、抛光头转速:155rpm、抛光浆料流速:300ml/min。
实施例3
3wt%的平均粒径为120nm的三氧化二铝颗粒、1.0wt%臭氧、10wt%肌红蛋白、0.1wt%BTA、0.1wt%酒石酸,2.8%NH4OH和其它为水,pH=6。分两个容器装,先将一个容器里的抛光浆料加热到37℃;另一容器里的抛光浆料保持在室温25℃。抛光时,将其混合后使用。下压力:1psi、抛光盘的转速:70rpm、抛光头转速:80rpm、抛光浆料流速:各自为100ml/min。
实施例4
7wt%的平均粒径为70nm的CuO颗粒、0.2wt%臭氧、5wt%血红蛋白、0.1wt%BTA、其它为水,25℃。分两个容器装,先在一个容器的抛光浆料中加入KOH,使抛光浆料的pH为5,此时KOH在抛光浆料中的浓度为2%;在另一容器的抛光浆料中加入KOH,使抛光浆料的pH为9,此时该抛光浆料中KOH的浓度为3%。抛光时,将其混合后使用。下压力:1psi、抛光盘的转速:70rpm、抛光头转速:80rpm、抛光浆料流速:各自为100ml/min。
实施例5
1wt%的平均粒径为100nm的气相二氧化硅颗粒、0.01wt%氧气、0.1wt%肌红蛋白、0.5wt%BTA、0.1wt%柠檬酸、4%NH4OH、其它为水,pH=12,0℃。下压力:1psi、抛光盘的转速:100rpm、抛光头转速:105rpm、抛光浆料流速:200ml/min。
实施例6
30wt%的平均粒径为100nm的胶质二氧化硅颗粒、10wt%臭氧、50wt%血红蛋白、0.5wt%BTA、0.1wt%柠檬酸、1%NH4OH和其它为水,pH=3,50℃。下压力:1psi、抛光盘的转速:100rpm、抛光头转速:105rpm、抛光浆料流速:200ml/min。

Claims (28)

1、一种抛光浆料,其包括至少一种研磨颗粒、一种氧化剂和一种载体;其特征在于该氧化剂是结合在金属有机大分子上的。
2根据权利要求1所述的抛光浆料,其特征在于该氧化剂为臭氧、氧气、含氧化合物、含硫化合物、过氧化合物和/或过硫化合物。
3、根据权利要求1或2所述的抛光浆料,其特征在于该研磨颗粒的含量为0.1-30重量%;该氧化剂的含量为0.01-10重量%;其余为载体和/或其它添加化合物。
4、根据权利要求1所述的抛光浆料,其特征在于该金属有机大分子为由至少一种金属单质或离子与水溶性的大分子或高分子构成;该大分子或高分子为由氨基酸形成的肽链和/或氨基酸衍生物形成的聚合物。
5、根据权利要求4所述的抛光浆料,其特征在于该水溶性的大分子或高分子含有氨基、羧基和/或羟基官能团、和/或由它们化合而成的官能团。
6、根据权利要求1、4或5所述的抛光浆料,其特征在于该金属有机大分子为血红蛋白、肌红蛋白和/或它们的衍生物。
7、根据权利要求6所述的抛光浆料,其特征在于该血红蛋白、肌红蛋白或它们的衍生物在该抛光浆料中的质量浓度为0.1-50%。
8、根据权利要求4所述的抛光浆料,其特征在于该金属为过渡金属或稀土金属,该过渡金属为Fe、W、Co、Ta、Ni、Zr、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd和/或Hg;该稀土金属为镧系金属和/或锕系金属。
9、根据权利要求4所述的抛光浆料,其特征在于该氨基酸为组氨酸、甘氨酸、丙氨酸、丝氨酸、脯氨酸、缬氨酸、苏氨酸、半胱氨酸、异亮氨酸、亮氨酸、天冬酰胺、天冬氨酸、赖氨酸、谷氨酸、苯丙氨酸、精氨酸、酪氨酸、色氨酸、甲硫氨酸和/或谷氨酸。
10、根据权利要求1所述的抛光浆料,其特征在于结合在该金属有机大分子上的氧化剂存在于抛光垫中或其表面上。
11、根据权利要求1所述的抛光浆料,其特征在于该抛光浆料的温度在0℃-50℃之间。
12、根据权利要求11所述的抛光浆料,其特征在于该抛光浆料的温度为25℃。
13、根据权利要求1所述的抛光浆料,其特征在于该抛光浆料的pH值为3-12。
14、根据权利要求13所述的抛光浆料,其特征在于该抛光浆料的pH值为6-8。
15、根据权利要求1所述的抛光浆料,其特征在于该研磨颗粒选自二氧化硅、聚合物、金属氧化物和金属颗粒中的一种或几种;其中该金属氧化物颗粒为氧化铝、二氧化铈、氧化镧、氧化钐、氧化铜或Cu2O颗粒;该金属颗粒为Cu、W、Al、Fe、Ni、Ag、Pt或Au颗粒。
16、根据权利要求1所述的抛光浆料,其特征在于该研磨颗粒的比表面积在20-20000m2/g之间。
17、根据权利要求1所述的抛光浆料,其特征在于该研磨颗粒的尺寸在5-500nm之间。
18、根据权利要求1所述的抛光浆料,其特征在于该研磨颗粒是被选自二氧化硅、氧化铝、二氧化铈、氧化钨、氧化镧、氧化钐、氧化铜、Cu2O、有机或无机聚合物或金属中的一种或几种材料修饰过的或包封的。
19、根据权利要求1所述的抛光浆料,其特征在于该研磨颗粒是空心的。
20、根据权利要求1所述的抛光浆料,其特征在于该研磨颗粒是带电的。
21、根据权利要求1所述的抛光浆料,其特征在于该载体为固态或液态。
22、根据权利要求21所述的抛光浆料,其特征在于该液态载体为水或其它有机溶剂如乙醇。
23、根据权利要求1所述的抛光浆料,其特征在于该抛光浆料还包括成膜剂、分散剂、催化剂、络合剂和pH缓冲剂中的一种或几种。
24、权利要求1所述的抛光浆料在抛光金属衬底或非金属衬底中的用途。
25、根据权利要求24所述的用途,其特征在于该金属衬底为Cu、Ta、TaN、W、Al、Ag、Ti、TiN或Au衬底;该非金属衬底为聚合物材料、含硼磷硅玻璃、含氟硅玻璃、低介电常数材料或氧化物材料衬底。
26、一种权利要求1所述的抛光浆料的使用方法,其特征在于将一种该抛光浆料独立使用或将两种或两种以上的该抛光浆料混合后使用。
27、根据权利要求26所述的使用方法,其特征在于将两种不同温度的抛光浆料联合使用。
28、根据权利要求26所述的使用方法,其特征在于将两种不同pH值的抛光浆料联合使用。
CN2005100252982A 2005-04-21 2005-04-21 抛光浆料及其用途和使用方法 Expired - Fee Related CN1854234B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2005100252982A CN1854234B (zh) 2005-04-21 2005-04-21 抛光浆料及其用途和使用方法
PCT/CN2006/000717 WO2006111084A1 (fr) 2005-04-21 2006-04-19 Boue de polissage, son utilisation et procede d’utilisation
US11/918,956 US7776231B2 (en) 2005-04-21 2006-04-19 Chemical mechanical polishing slurries, their applications and method of use thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2005100252982A CN1854234B (zh) 2005-04-21 2005-04-21 抛光浆料及其用途和使用方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1854234A true CN1854234A (zh) 2006-11-01
CN1854234B CN1854234B (zh) 2013-03-20

Family

ID=37114714

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2005100252982A Expired - Fee Related CN1854234B (zh) 2005-04-21 2005-04-21 抛光浆料及其用途和使用方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7776231B2 (zh)
CN (1) CN1854234B (zh)
WO (1) WO2006111084A1 (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011097954A1 (zh) * 2010-02-11 2011-08-18 安集微电子(上海)有限公司 一种用于钨化学机械抛光方法
WO2018058396A1 (en) * 2016-09-29 2018-04-05 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing method for tungsten
WO2018058395A1 (en) * 2016-09-29 2018-04-05 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing method for tungsten
WO2018058397A1 (en) * 2016-09-29 2018-04-05 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing method for tungsten

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10510601B2 (en) * 2017-09-28 2019-12-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for reducing metal plug corrosion and device

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970042941A (ko) * 1995-12-29 1997-07-26 베일리 웨인 피 기계적 화학적 폴리싱 공정을 위한 폴리싱 합성물
US5993686A (en) 1996-06-06 1999-11-30 Cabot Corporation Fluoride additive containing chemical mechanical polishing slurry and method for use of same
US5958288A (en) 1996-11-26 1999-09-28 Cabot Corporation Composition and slurry useful for metal CMP
US6068787A (en) 1996-11-26 2000-05-30 Cabot Corporation Composition and slurry useful for metal CMP
US6126853A (en) 1996-12-09 2000-10-03 Cabot Microelectronics Corporation Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates
US5954997A (en) 1996-12-09 1999-09-21 Cabot Corporation Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates
US6432828B2 (en) 1998-03-18 2002-08-13 Cabot Microelectronics Corporation Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates
US6063306A (en) 1998-06-26 2000-05-16 Cabot Corporation Chemical mechanical polishing slurry useful for copper/tantalum substrate
CA2342332A1 (en) * 1998-08-31 2000-03-09 Hiroki Terazaki Abrasive liquid for metal and method for polishing
AU1054501A (en) * 1999-11-04 2001-05-14 Seimi Chemical Co., Ltd. Polishing compound for semiconductor containing peptide
US6801581B1 (en) 2000-09-13 2004-10-05 Intel Corporation DC offset cancellation
US6756308B2 (en) * 2001-02-13 2004-06-29 Ekc Technology, Inc. Chemical-mechanical planarization using ozone

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011097954A1 (zh) * 2010-02-11 2011-08-18 安集微电子(上海)有限公司 一种用于钨化学机械抛光方法
WO2018058396A1 (en) * 2016-09-29 2018-04-05 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing method for tungsten
WO2018058395A1 (en) * 2016-09-29 2018-04-05 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing method for tungsten
WO2018058397A1 (en) * 2016-09-29 2018-04-05 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing method for tungsten

Also Published As

Publication number Publication date
US20080190894A1 (en) 2008-08-14
WO2006111084A1 (fr) 2006-10-26
US7776231B2 (en) 2010-08-17
CN1854234B (zh) 2013-03-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1131125C (zh) 用于金属cmp的组合物和浆料
TWI268954B (en) Coated metal oxide particles for CMP
KR101123210B1 (ko) 화학적 기계적 평탄화용 비-중합성 유기 입자
US7691287B2 (en) Method for immobilizing ligands and organometallic compounds on silica surface, and their application in chemical mechanical planarization
Gorantla et al. Role of amine and carboxyl functional groups of complexing agents in slurries for chemical mechanical polishing of copper
US8247328B2 (en) Polishing silicon carbide
TW200537615A (en) Metal polishing slurry and polishing method thereof
EP2123726A1 (en) Chemical mechanical polishing aqueous dispersion, chemical mechanical polishing method, and chemical mechanical polishing aqueous dispersion preparation kit
TWI608089B (zh) Grinding composition
CN1556840A (zh) 稀土盐/氧化剂为基础的化学-机械抛光方法
WO2016208445A1 (ja) 研磨方法及び不純物除去用組成物並びに基板及びその製造方法
TWI808121B (zh) 化學機械研磨用組成物及研磨方法
JP2002511650A (ja) 化学的−機械的金属表面研磨用スラリ
CN1854234B (zh) 抛光浆料及其用途和使用方法
JP2014130944A (ja) 研磨用組成物
CN1906262A (zh) 氧化形式的金属的化学机械抛光
WO2011093195A1 (ja) 化学機械研磨用水系分散体およびそれを用いた化学機械研磨方法、ならびに化学機械研磨用水系分散体調製用キット
TW200303909A (en) Methanol-containing silica-based CMP compositions
Lee et al. Preparation and characterization of slurry for CMP
TW202239892A (zh) 半導體製程用拋光組合物以及使用拋光組合物的半導體裝置的製造方法
CN1854236B (zh) 抛光浆料及其用途
KR100756469B1 (ko) 연마 조성물
CN114341286A (zh) 用于进行材料去除操作的组合物和方法
WO2015140850A1 (ja) 研磨用組成物および研磨方法
CN1854235A (zh) 抛光浆料

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20130320

Termination date: 20160421

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee