CN1825663A

CN1825663A - 有机电致发光装置及其生产方法

Info

Publication number: CN1825663A
Application number: CN 200610071137
Authority: CN
Inventors: 山本一郎; 村崎孝则
Original assignee: Toyoda Automatic Loom Works Ltd
Current assignee: Toyota Industries Corp
Priority date: 2005-01-07
Filing date: 2006-01-06
Publication date: 2006-08-30

Abstract

一种有机EL装置包括阳极层、空穴注入和传输层、有机发光层以及阴极层。阳极层由导电性的基于金属－氧化物的材料形成。空穴注入和传输层利用除了酞菁金属络合物之外的材料在阳极层上形成。有机发光层在空穴注入和传输层上形成。阴极层在有机发光层上形成。当有机EL装置在85℃的温度下被加热150小时之后，有机EL装置的功率系数的保留率等于或者大于80％。

Description

有机电致发光装置及其生产方法

发明背景

本发明涉及一种有机电致发光装置以及生产这种装置的方法。

有机电致发光装置用于例如显示器和作为平面发光装置的照明单元。为方便起见，在下文中将有机电致发光装置称为有机EL装置。有机EL装置的基本结构包括按顺序层叠在例如玻璃衬底的透明衬底上的透明阳极层、有机发光层以及阴极层。有机EL装置可以包括插入在透明阳极层和有机发光层之间的空穴注入和传输层。有机EL装置还可以包括插入在阴极层和有机发光层之间的电子注入和传输层。

在由空穴注入和传输层以及电子注入和传输层形成的有机EL装置中，当在透明阳极层和阴极层之间施加直流驱动电压的时候，通过空穴注入和传输层将空穴从透明阳极层注入到有机发光层中，并且通过电子注入和传输层将电子从阴极层注入到有机发光层中。当注入到有机发光层中的空穴和电子在有机发光层中重组的时候，有机EL装置发光。从有机发光层中发出的光被抽取出来，例如从透明阳极层侧抽取到透明衬底的外侧(底部发射型)。用于透明阳极层的材料包括氧化铟锡(ITO)以及氧化锌(ZnO)。还有，用在空穴注入和传输层中的材料包括铜酞菁。

有机EL装置的发光效率通过增加从透明阳极层到空穴注入和传输层的空穴注入效率而得到增强。为了增加空穴注入效率，最好增加透明阳极层表面的功函以便减小对于空穴注入和传输层的注入阻碍。关于增加透明阳极层(ITO)表面的功函的方法，在日本公开专利出版No.8-167479中披露了将氧化物等离子体或者氩等离子体照射到透明阳极层上的方法，其中通过仅仅将氧化物等离子体或者仅仅将氩等离子体照射到ITO膜上来将ITO膜表面的功函从4.6-4.8eV(电子伏特)增加到5.1-6.0eV。

发明概述

本发明者已经使用了替代酞菁金属络合物的透明度极好的材料例如基于胺的材料所形成的空穴注入和透明层，这种空穴注入和传输层本身被着色以形成有机EL装置，以此来改进有机EL装置的发光效率。当用在有机EL装置中的阳极层的表面(例如，基于金属-氧化物的材料如ITO)是等离子体处理的时候，发现利用氧-氩混合气体的等离子体比起利用在上面参考文献(也就是日本公开专利出版No.8-167479)中描述的单一气体的等离子体使得有机EL装置的初始发光特性得到了改进。然而，我们还发现在对有机EL装置加热或者照射一定时间之后，有机EL装置的功率系数的保留率降低了。本发明解决了这个问题。术语“功率系数的保留率”的意思是已经过了一段时间的有机EL装置的功率系数与刚刚形成的有机EL装置的功率系数的比值。也就是说，“有机EL装置的功率系数的保留率的减小”意味着有机EL装置的功率系数的减小。

本发明涉及一种有机EL装置以及生产该有机EL装置的方法，在该装置中由于加热和/或光照射引起的功率系数的减小得到了控制。

根据本发明的一个方面，有机EL装置包括阳极层、空穴注入和传输层、有机发光层以及阴极层。阳极层由基于金属-氧化物的导电性的材料形成。利用除了酞菁金属络合物之外的材料在阳极层上形成空穴注入和传输层。有机发光层在空穴注入和传输层上形成。阴极层在有机发光层上形成。当有机EL装置在85℃的温度下加热150小时之后，它的功率系数的保留率等于或者大于80％。

根据本发明的另一方面，有机EL装置包括阳极层、空穴注入和传输层、有机发光层和阴极层。阳极层由导电性的基于金属-氧化物的材料形成。利用除了酞菁金属络合物之外的材料在阳极层上形成空穴注入和传输层。有机发光层在空穴注入和传输层上形成。阴极层在有机发光层上形成。当有机EL装置在3000lux的照度下照射100小时之后，它的功率系数的保留率等于或者大于80％。

根据本发明的又一方面，有机EL装置包括阳极层、空穴注入和传输层、有机发光层和阴极层。阳极层由导电性的基于金属-氧化物的材料形成。利用具有10-59体积百分比(vol％)的氩含量的氧-氩混合气体的等离子体处理阳极层。利用除了酞菁金属络合物之外的材料在阳极层上形成空穴注入和传输层。有机发光层在空穴注入和传输层上形成。阴极层在有机发光层上形成。

根据本发明的又一方面，有机EL装置包括阳极层、空穴注入和传输层、有机发光层和阴极层。阳极层由导电性的基于金属-氧化物的材料形成。利用具有30-89体积百分比(vol％)的氩含量的氧-氩混合气体的等离子体处理阳极层。利用除了酞菁金属络合物之外的材料在阳极层上形成空穴注入和传输层。有机发光层在空穴注入和传输层上形成。阴极层在有机发光层上形成。

根据本发明的又一方面，在生产有机EL装置的方法中，其中该有机EL装置具有由导电性的基于金属-氧化物的材料形成的阳极层、在阳极层上形成的空穴注入和传输层、在空穴注入和传输层上形成的有机发光层以及在有机发光层上形成的阴极层。该方法包括利用具有10-59体积百分比(vol％)的氩含量的氧-氩混合气体的等离子体处理阳极层，并且在处理步骤之后利用除了酞菁金属络合物之外的材料在阳极层上形成空穴注入和传输层。

根据本发明的又一方面，在生产有机EL装置的方法中，其中该有机EL装置具有由导电性的基于金属-氧化物的材料形成的阳极层、在阳极层上形成的空穴注入和传输层、在空穴注入和传输层上形成的有机发光层以及在有机发光层上形成的阴极层。该方法包括利用具有30-89体积百分比(vol％)的氩含量的氧-氩混合气体的等离子体处理阳极层，并且在处理步骤之后利用除了酞菁金属络合物之外的材料在阳极层上形成空穴注入和传输层。

在本说明书中，空穴注入和传输层的意思是具有空穴注入特征和空穴传输特征中至少一个的层。

通常，空穴注入和传输层包括称为空穴注入层或者空穴传输层的层。

这并不意味着本发明被全部概括了。相反地，本发明的其他方面和优点将在通过下面的结合附图的本发明的原理示例的说明中变得更明显。

附图的简要说明

本发明的那些被认为新的特征将在权利要求书中得到特别列出。通过参考结合附图的下面说明，本发明连同本发明的目的和优点将得到更好的理解，其中：

图1为显示了根据本发明的实施方案的有机EL装置的示意图。

发明详述

参考图1，有机EL装置10包括衬底11、阳极层12、阴极层13、有机发光层14、空穴注入和传输层15和电子注入层16。阳极层12在衬底1l上形成，并且空穴注入和传输层15、有机发光层14、电子注入层16以及阴极层13以这个顺序层叠在阳极层12上。也就是说，有机EL装置10具有这样一种结构，在该结构中有机发光层14夹在阳极层12和阴极层13之间，空穴注入和传输层15夹在阳极层12和有机发光层14之间，并且电子注入层16夹在有机发光层14和阴极层13之间。

本发明的有机EL装置根据发射从有机EL层14产生的光的侧面而或者称为所谓的底部发射型或者称为所谓的顶部发射型。底部发射型有机EL装置从衬底11那侧发射光，而顶部发射型有机EL装置从衬底11的相反侧发射光。

透明衬底11为用于支撑有机EL装置的板状的部件，并且对于将要抽取的光，透明衬底11具有较高的透射比。例如，在可见光范围内的具有高透射比的玻璃衬底以及透明丙烯酸树脂用于衬底11。当有机EL装置10为顶部发射型的时候，除了上述材料以外，不透明衬底例如硅酮衬底或者金属衬底也可以用于衬底11。

阳极层12由已知的导电性的基于金属-氧化物的材料形成。例如，氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)以及氧化锡(SnO₂)用于阳极层12。

空穴注入和传输层15由除了酞菁金属络合物之外的材料形成。材料要具有空穴注入和空穴传输特性中的至少一个。例如N，N-双(4-二苯基氨基联苯基)-N，N-二苯基联苯胺(TPTE)，N，N’-二苯基-N，N’-双(3-甲基苯基)-1，1’-二苯基-4，4’二胺(TPD)以及4，4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(α-NPD)是基于胺的低分子材料，其用于空穴注入和传输层15。基于胺的高分子材料PC-TPD可以用于空穴注入和传输层15。聚噻吩(PEDOT)可以用于除了基于胺的材料之外的材料。值得注意的是空穴注入和传输层15并不限于由一层组成，而是可以由两个或者更多的层(空穴注入层和空穴传输层)组成。

有机发光层14能够具有一种用以发射单色光例如红色、绿色、蓝色或者黄色的结构或者一种通过利用已知发光物质例如Alq3而对单色光例如白光进行任何组合来显示发光颜色的结构。发射白光的结构包括两个或者三个发光层层叠在一起的叠层结构、将一个发光层分离为具有不同颜色的多个发光线或者多个发光点的分离结构以及由不同的发光材料混合在一个发光层中的混合结构。

电子注入层16由具有电子注入特性的材料例如作为无机材料的LiF(氟化锂)、碱金属或者碱土金属形成。有机EL装置10可以具有夹在有机发光层14和电子注入层16之间的电子传输层(没有显示)。例如，包括噁二唑和三唑结构或者TNF(三硝基芴酮)的化合物用于电子传输层。此外，可以省去形成有机EL装置10的电子注入层16和电子传输层。

阴极层13由已知的阴极材料形成。例如，金属如铝、金、银、铜或者铬，这些金属的合金以及导电性的基于金属-氧化物的材料例如ITO可以用于阴极层13。当有机EL装置10为顶部发射型的时候，阴极层13由导电性的基于金属-氧化物的透明材料例如ITO形成或者由透明薄金属层(透明薄金属的厚度等于或者小于50nm)形成。术语“透明”指抽取的光的透射比等于或者大于10％。

钝化层17可以在阴极层13的外侧上形成以防止有机发光层14遭遇到氧和湿气。该钝化层17可以通过已知的钝化薄膜或者密封外壳或者钝化薄膜和密封外壳的组合而形成。

现在对生产上述有机EL装置的方法进行说明。

首先由导电性的基于金属-氧化物的材料例如ITO在衬底11上形成阳极层12。然后，在衬底清洗步骤中通过紫外线(UV)清洗来清洗具有衬底11和阳极层12的结构，其中粘到阳极层12的表面上的有机物质和灰尘被除去。

然后，对阳极层12进行等离子体处理过程。在衬底清洗过程之后的等离子体处理过程中，利用氧-氩混合气体的等离子体对在衬底11上形成的阳极层12进行处理。通过已知的等离子体发生器例如平面并联型等离子体发生器进行等离子体处理。当意图控制由于加热引起的有机EL装置的功率系数的减小的时候，在混合气体中的氩含量为10-59体积百分比(vol％)，更优选为10-49vol％。当意图控制由于光照引起的有机EL装置的功率系数的减小的时候，混合气体中的氩含量为30-89vol％，更优选为49-89vol％。此外，当意图控制由于加热和光照引起的有机EL装置的功率系数的减小的时候，在混合气体中的氩含量为30-59％。需要注意的是上述等离子体处理在1-100帕(Pa)的压力条件下进行几分钟的时间。

在阳极层12的等离子体处理之后，在阳极层12上形成基于胺的低分子材料例如TPTE层，因此由除了酞菁金属络合物之外的材料形成了空穴注入和传输层15。空穴注入和传输层15可以通过任何叠层形成方法例如汽相淀积方法形成。

在空穴注入和传输层15上形成有机发光层14，然后在有机发光层14上形成电子注入层16，另外，在电子注入层16上形成阴极层13。通过任何叠层形成方法例如汽相淀积方法来形成这些层。最后，通过例如密封外壳在阴极层13的外侧形成钝化层17。

对于生产有机EL装置的方法(由于加热和/或光照引起的其功率系数的减小被控制)来说，可以应用除了阳极层12的处理之外的产生有机EL装置的常规处理，其中阳极层12由基于金属-氧化物的材料形成并且用具有上述预定比率氩含量的氧-氩混合气体的等离子体对阳极层12进行处理。结果，通过对常规生产过程的简单改变就可以提供生产有机EL装置的方法。

现在对上述有机EL装置10的操作进行说明。

当在有机EL装置10的阳极层12和阴极层13之间应用直流驱动电压时，从阳极层12的ITO薄膜将空穴注入到空穴注入和传输层15的TPTE层中。注入到空穴注入和传输层15中的空穴通过空穴注入和传输层15传输到有机发光层14中。这时，通过电子注入层16将电子从阴极层13注入到有机发光装置14中。当注入的空穴和电子在有机发光层14中彼此重组的时候，有机EL装置10发光。

由于基于胺的低分子材料通常比着色的酞菁金属络合物具有更好的透明度，当从发光层发射的光通过由基于胺的低分子材料形成的空穴注入和传输层发射到有机EL装置10的外部的时候，有机EL装置10的发光颜色的变化以及亮度的退化被降低了。虽然酞菁金属络合物在空穴注入特性方面是优良的，但是基于胺的材料在空穴注入特性和空穴传输特性两方面都是非常好的。因此，当正如本发明中所述利用基于胺的材料加工有机EL装置的时候，有机EL装置的分层结构可以被简化。

在等离子体处理过程中利用氧-氩混合气体对阳极层12的ITO薄膜进行了等离子体处理，由此将ITO薄膜的表面的功函从4.6-4.8eV提高到5.7-5.9eV。因此，与没有经过等离子体处理的有机EL装置10相比，提高了本发明的有机EL装置10的功率系数。值得注意的是，当用于等离子体处理中的混合气体中的氩含量等于或者大于90vol％的时候，ITO薄膜表面的功函不会得到充分地提高，并且因此有机EL装置的初始功率系数也没有得到充分地提高。同时，当用于等离子体处理中的混合气体的氩含量小于10vol％的时候，在等离子体处理之后，ITO薄膜表面的功函随着时间极大地减小，并且因此有机EL装置的初始功率系数没有得到充分地提高。考虑到上述结果，在其中有机EL装置的初始功率系数得到提高的范围内利用氧-氩混合气体进行本发明的等离子体处理。

在由于加热和/或光照引起的有机EL装置的功率系数的减小受到控制的条件下进行上述等离子体处理。

下面将参考图1更详细地对本发明的实施例进行说明。值得注意的是实施例用于说明，并且本发明并不限于这些实施例。

(实施例1)

在透明玻璃衬底11的一个表面上形成具有150nm厚度的由ITO层形成的阳极层12，对衬底/阳极层结构进行衬底清洗，其中接连地进行碱洗和纯水清洗，并且在被干燥之后进行紫外线臭氧的清洗。

然后，在2Pa的压力以及200W的射频率功率下，利用具有10vol％的氩含量的氧-氩混合气体的等离子体对阳极层12处理两分钟。在等离子体处理之前，阳极层12的表面的功函为4.6eV，在等离子体处理之后，其功函为大约5.7eV。

当对阳极层12进行等离子体处理之后，通过利用例如石墨坩锅的汽相淀积装置以0.1nm/s的淀积速度以及大约5.0×10^-5Pa的真空度淀积基于胺的低分子材料的TPTE层，从而形成用于空穴注入和传输层15的具有20nm厚度的层。

在空穴注入和传输层15上，作为红色发光层的第一发光层14a、作为蓝色发光层的第二发光层14b以及作为绿色发光层的第三发光层14c以这个顺序连续叠层以形成有机发光层14。

利用汽相淀积装置例如石墨坩锅以0.1nm/s的淀积速度以及大约5.0×10^-5Pa的真空度形成作为红色发光层的第一发光层14a，其厚度为5nm，由作为基质材料的TPTE和作为掺杂材料的DCJT组成，并用作掺杂的发射体。在本实施例中，相对于TPTE，每份重量(wt％)包含0.5％的DCJT。

利用汽相淀积装置例如石墨坩锅以0.1nm/s的淀积速度以及大约5.0×10^-5Pa的真空度在第一发光层14a上形成作为蓝色发光层的第二发光层14b，其厚度为30nm，由作为基质材料的DPVBi和作为掺杂材料的BczVBi组成，并用作掺杂的发射体。在本实施例中，相对于DPVBi，包含5.0wt％的BczVBi。

利用汽相淀积装置例如石墨坩锅以0.1nm/s的淀积速度以及大约5.0×10^-5Pa的真空度在第二发光层14b上形成作为绿色发光层的第三发光层14c，其厚度为20nm，由作为基质材料的Alq3和作为掺杂材料的C545T(其为EastmanKodak Company的商标)组成，并用作掺杂的发射体。在本实施例中，相对于Alq3，包含1.0wt％的C545T。

在第三发光层14c上，通过利用例如石墨坩锅的汽相淀积装置以0.1nm/s的淀积速度以及大约5.0×10^-5Pa的真空度形成具有0.5nm厚度的由氟化锂(LiF)构成的电子注入层16。

在电子注入层16上，通过利用例如钨蒸发皿的汽相淀积装置以1nm/s的淀积速度以及大约5.0×10^-5Pa的真空度形成具有150nm厚度的由铝(Al)形成的阴极层13。

通过密封外壳在阴极层13的外侧形成钝化层17。

为了测定由于加热和/或光照对上述有机EL装置的功率系数引起的影响，进行加热测试和光照测试。在加热测试中，测定根据本发明的有机EL装置的功率系数，然后在85℃的温度下对有机EL装置10加热150小时。在这些条件下对有机EL装置10加热之后，再一次测定其功率系数以看出区别。在光照测试中，测定有机EL装置10的功率系数，然后在3000lux的照度下将有机EL装置10照射100小时。在照射有机EL装置10之后，再一次测定其功率系数以看出区别。在加热测试中，在本实施例中使用“恒温烘炉TADAI ESEC TL-1KP”。在光照测试中，在本实施例中使用由Seric Ltd制造的“人造太阳照明灯型XC-100”。下面的表1显示了在加热测试和光照测试中的实施例1的有机EL装置的功率系数的保留率的结果。

由于上述的有机EL装置的测试条件比实际使用条件更加苛刻，因此如果有机EL装置10的功率系数的保留率等于或者大于80％，那么认为在通常的使用条件下可以充分地保留本发明的有机EL装置10的功率系数。

(实施例2-9)

对于实施例2-9的有机EL装置的生产，除了用于等离子体处理的氧-氩混合气体中的氩含量分别为30vol％、43vol％、49vol％、55vol％、59vol％、69vol％、82vol％、89vol％之外，其他都与实施例1的有机EL装置10的情况相同。经过等离子体处理之后阳极层12的表面的功函为5.7-5.9eV。如实施例1的有机EL装置10的功率系数的情况一样，在加热测试和光照测试之前和之后，测定实施例2-9的有机EL装置10的功率系数。表1还显示了实施例2-9的有机EL装置的功率系数的保留率的结果。

表1

		加热测试	光照测试
		加热测试	光照测试	实施例	氩含量(vol％)	功率系数的保留率	功率系数的保留率
1	10	100％	70％	实施例	氩含量(vol％)	功率系数的保留率	功率系数的保留率
1	10	100％	70％	2	30	101％	80％
3	43	99％	88％	2	30	101％	80％
3	43	99％	88％	4	49	91％	91％
5	55	87％	92％	4	49	91％	91％
5	55	87％	92％	6	59	82％	93％
7	69	78％		6	59	82％	93％
7	69	78％		8	82	23％	91％
9	89	10％	94％	8	82	23％	91％

如表1中清晰可见的，在85℃的温度下，对有机EL装置10加热150小时以后，如果在混合气体中的氩含量为10-59vol％，那么其功率系数的保留率等于或者大于80％。如果在混合气体中的氩含量为10-49vol％，那么功率系数的保留率等于或者大于90％。因此即使在上述范围的条件下加热有机EL装置，也能控制有机EL装置的功率系数的减小，其中在该有机EL装置中，对阳极层的ITO薄膜进行了等离子体处理。

在3000lux的照度下将有机EL装置10照射100小时以后，如果混合气体中的氩含量为30-89vol％，那么其功率系数的保留率等于或者大于80％。如果混合气体中的氩含量为49-89vol％，则功率系数的保留率等于或者大于90％。因此即使在上述范围的条件下照射有机EL装置，也能控制有机EL装置的功率系数的减小，其中在有机EL装置中，对阳极层的ITO薄膜进行了等离子体处理。

此外，当有机EL装置10在85℃的温度下被加热150小时并且在3000lux的照度下照射100小时以后，如果在混合气体中的氩含量为30-59vol％，那么其功率系数的保留率等于或者大于80％。如果在混合气体中的氩含量为49vol％，那么功率系数的保留率等于或者大于90％。因此，即使有机EL装置在上述范围条件下被加热和照射，有机EL装置的功率系数的保留率的减小也能得到控制，其中在有机EL装置中，对阳极层的ITO薄膜进行了等离子体处理。

从上述结果中，当意图控制由于加热引起的有机EL装置的功率系数的减小的时候，在混合气体中的氩含量为10-59体积百分数(vol％)，更优选为10-49vol％。当意图控制由于光照引起的有机EL装置的功率系数的减小的时候，在混合气体中的氩含量为30-89vol％，更优选为49-89vol％。此外，当意图控制由于加热和光照引起的有机EL装置的功率系数的减小的时候，在混合气体中的氩含量为30-59vol％，更优选为49vol％。

因此，虽然在这里参考附图对本发明的示例性实施方案以及其的各种变化进行了详细描述，但是可以理解本发明并不限于这些精确的实施方案以及所描述的修改，并且本领域普通技术人员在不脱离所附的权利要求书中限定的本发明的范围或实质的条件下对本发明进行的各种变化和进一步的修改都是可以实现的。

Claims

1、一种包括阳极层、阴极层和有机发光层的有机电致发光装置，其特征在于阳极层由导电性的基于金属-氧化物的材料形成，其中利用除了酞菁金属络合物之外的材料将空穴注入和传输层在阳极层上形成，有机发光层在空穴注入和传输层上形成，阴极层在有机发光层上形成，并且在有机电致发光装置在85℃的温度下被加热150小时之后，所述有机电致发光装置的功率系数的保留率等于或者大于80％。

2、根据权利要求1的有机电致发光装置，其中空穴注入和传输层由基于胺的材料形成。

3、根据权利要求2的有机电致发光装置，其中基于胺的材料为TPTE、TPD以及α-NPD中的任何一种。

4、一种包括阳极层、阴极层和有机发光层的有机电致发光装置，其特征在于阳极层由导电性的基于金属-氧化物的材料形成，其中利用除了酞菁金属络合物之外的材料将空穴注入和传输层在阳极层上形成，有机发光层在空穴注入和传输层上形成，阴极层在有机发光层上形成，并且在有机电致发光装置在3000lux的照度下被照射100小时之后，有机电致发光装置的功率系数的保留率等于或者大于80％。

5、根据权利要求4的有机电致发光装置，其中空穴注入和传输层由基于胺的材料形成。

6、根据权利要求5的有机电致发光装置，其中基于胺的材料为TPTE、TPD以及α-NPD中的任何一种。

7、根据权利要求4的有机电致发光装置，其中在有机电致发光装置在85℃的温度下被加热150小时之后，所述有机电致发光装置的功率系数的保留率等于或者大于80％。

8、根据权利要求7的有机电致发光装置，其中空穴注入和传输层由基于胺的材料形成。

9、根据权利要求8的有机电致发光装置，其中基于胺的材料为TPTE、TPD以及α-NPD中的任何一种。

10、一种包括阳极层、阴极层和有机发光层的有机电致发光装置，其特征在于阳极层由导电性的基于金属-氧化物的材料形成，其中利用具有氩含量为10-59体积百分比(vol％)的氧-氩混合气体的等离子体对阳极层进行处理，空穴注入和传输层利用除了酞菁金属络合物之外的材料在阳极层上形成，有机发光层在空穴注入和传输层上形成，并且阴极层在有机发光层上形成。

11、根据权利要求10的有机电致发光装置，其中空穴注入和传输层由基于胺的材料形成。

12、根据权利要求11的有机电致发光装置，其中基于胺的材料为TPTE、TPD以及α-NPD中的任何一种。

13、一种包括阳极层、阴极层和有机发光层的有机电致发光装置，其特征在于阳极层由导电性的基于金属-氧化物的材料形成，其中利用具有氩含量为30-89体积百分比(vol％)的氧-氩混合气体的等离子体对阳极层进行处理，空穴注入和传输层利用除了酞菁金属络合物之外的材料在阳极层上形成，有机发光层在空穴注入和传输层上形成，并且阴极层在有机发光层上形成。

14、根据权利要求13的有机电致发光装置，其中空穴注入和传输层由基于胺的材料形成。

15、根据权利要求14的有机电致发光装置，其中基于胺的材料为TPTE、TPD以及α-NPD中的任何一种。

16、根据权利要求13的有机电致发光装置，其中利用具有氩含量为30-59体积百分比(vol％)的氧-氩混合气体的等离子体对阳极层进行处理。

17、根据权利要求16的有机电致发光装置，其中空穴注入和传输层由基于胺的材料形成。

18、根据权利要求17的有机电致发光装置，其中基于胺的材料为TPTE、TPD以及α-NPD中的任何一种。

19、一种生产有机电致发光装置的方法，其中所述有机电致发光装置具有由导电性的基于金属-氧化物的材料形成的阳极层、在阳极层上形成的空穴注入和传输层、在空穴注入和传输层上形成的有机发光层以及在有机发光层上形成的阴极层，其特征在于：

利用具有氩含量为10-59体积百分比(vol％)的氧-氩混合气体的等离子体对阳极层进行处理的步骤；以及

在处理步骤之后，利用除了酞菁金属络合物之外的材料在阳极层上形成空穴注入和传输层的步骤。

20、根据权利要求19的方法，其中空穴注入和传输层由基于胺的材料形成。

21、根据权利要求20的方法，其中基于胺的材料为TPTE、TPD以及α-NPD中的任何一种。

22、根据权利要求19的方法，其中在处理步骤中混合气体的氩含量为10-49体积百分比(vol％)。

23、根据权利要求22的方法，其中空穴注入和传输层由基于胺的材料形成。

24、根据权利要求23的方法，其中基于胺的材料为TPTE、TPD以及α-NPD中的任何一种。

25、一种生产有机电致发光装置的方法，其中所述有机电致发光装置具有由导电性的基于金属-氧化物的材料形成的阳极层、在阳极层上形成的空穴注入和传输层、在空穴注入和传输层上形成的有机发光层以及在有机发光层上形成的阴极层，其特征在于：

利用具有氩含量为30-89体积百分比(vol％)的氧-氩混合气体的等离子体对阳极层进行处理的步骤；以及

26、根据权利要求25的方法，其中空穴注入和传输层由基于胺的材料形成。

27、根据权利要求26的方法，其中基于胺的材料为TPTE、TPD以及α-NPD中的任何一种。

28、根据权利要求25的方法，其中在处理步骤中混合气体的氩含量为49-89体积百分比(vol％)。

29、根据权利要求28的方法，其中空穴注入和传输层由基于胺的材料形成。

30、根据权利要求29的方法，其中基于胺的材料为TPTE、TPD以及α-NPD中的任何一种。

31、根据权利要求25的方法，其中在处理步骤中混合气体的氩含量为30-59体积百分比(vol％)。

32、根据权利要求31的方法，其中空穴注入和传输层由基于胺的材料形成。

33、根据权利要求32的方法，其中基于胺的材料为TPTE、TPD以及α-NPD中的任何一种。