CN1822298A - 薄型阴极射线管的内屏蔽 - Google Patents

Abstract

在此公开了一种用于薄型阴极射线管的内屏蔽。假定从管部分的电子束偏转中心到显示屏的密封边缘形成的平面的直线距离是L，而内屏蔽的高度是Sh，内屏蔽开口的主轴长度是Dx，而该开口的副轴长度是Dy，短边弯角是Sγ，长边弯角是Lγ，偏角是Dθ，则构造内屏蔽，以致满足下面的不等式：2＜L/Sh＜3.5，1.6＜Dx/L＜3.5，1.0＜Dy/L＜2.5，2.5＜Dθ/Sγ＜6.5，1.0＜Dθ/Lγ＜3.0。此外，假定大开口的面积是α，而小开口的面积是β，则调整大开口与小开口的面积比，以致满足下面的不等式：5.5＞α/β＞5.0。

Description

薄型阴极射线管的内屏蔽

技术领域

本发明涉及一种薄型阴极射线管的内屏蔽，更具体地说，本发明涉及一种可以应用于具110度或者110度以上偏角的薄型阴极射线管的内屏蔽。

背景技术

图1是示出传统阴极射线管的局部剖开平面图。如图1所示，传统阴极射线管包括互相连接在一起构成管部分10的显示屏1和锥形部分2。

显示屏1的内部设置了荫罩3，框架4支承荫罩3，以致荫罩3与显示屏1接近平行。通过弹簧5，框架4固定在显示屏1上。在锥形部分2内设置内屏蔽6，用于隔离外部地磁场，以防止外部地磁场使电子束通路弯曲。

在锥形部分2的后部设置电子枪7，用于产生电子束。在锥形部分2的颈部之外安装偏转系统8，用于使电子束偏转大约110度或者110度以下。

在具有上述结构的传统阴极射线管中，偏转系统8使电子枪7发射的电子束向上、向下、向左、向右偏转，然后，使电子束传送到显示屏1。具体地说，偏转电子束通过荫罩3的通孔，然后，传送到喷涂在显示屏1的内表面上的荧光屏9。此时，电子束的能量使荧光屏9发光。因此，再现图像，以致用户可以看到通过显示屏1再现的图像。

同时，利用熔融玻璃料密封工艺，在密封边缘E，使显示屏1和锥形部分2互相连接在一起，利用后续封装工艺将电子枪7装配到锥形部分2的后部，然后，利用抽气工艺，在管部分10中形成真空。这样，就制造了阴极射线管。

在阴极射线管薄时，将阴极射线管的偏角增加到110度或者110度以上，该偏角大于传统阴极射线管的偏角。因此，在扫描电子束时，与内屏蔽6的内壁和外壁、锥形部分2和显示屏1发生碰撞的二次电子束产生光晕。

此外，在未正确设置内屏蔽6的开口时，如果过扫描电子束，则电子束碰撞内屏蔽6，因此，屏幕上出现阴影。

具体地说，在将具有上述结构的传统内屏蔽6应用于具有110度或者110度以上偏角的薄型阴极射线管时，必需设置内屏蔽6的开口，以致在没有干扰的情况下，电子枪7发射的电子束通过荫罩3的最外侧通孔，以辐射荧光体。

然而，在内屏蔽6的开口尺寸非常小时，产生阴影。相反，在内屏蔽6的开口尺寸非常大时，产生光晕。此外，在内屏蔽6的高度超过预定程度时，在锥形部分2内产生干扰，因此，降低了整机性能。相反，在内屏蔽6的高度非常低时，如果过扫描电子束碰撞锥形部分2的内表面，则锥形部分2的内表面反射的二次电子束产生光晕。此外，在内屏蔽6的弯角偏离该偏角预定程度时，内屏蔽6的内表面反射电子枪7发射的电子束，导致产生光晕。

因此，必需将离开偏转中心的直线距离与内屏蔽的高度之比、内屏蔽6的开口的尺寸与离开偏转中心的直线距离之比以及偏角与内屏蔽6的各边弯角之比增加到可以应用于薄型阴极射线管的最佳值。

同时，参考图2说明内屏蔽6的相对开口。

开口形成在内屏蔽6的相对侧上。下面，将在显示屏1侧形成的开口称为大开口6L，而将在电子枪7侧形成的开口称为小开口6S。

假定大开口6L的水平长度是a，大开口6L的垂直长度是b，以及大开口6L的面积是α，而小开口6S的水平长度是c，小开口6S的垂直长度是d，以及小开口6S的面积是β，以下面的表1和表2中所示的尺寸构造传统的内屏蔽6。

[表1]

单位：mm

型号	a	b	c	d
					33	0.620	0.470	0.400	0.210
29	0.540	0.410	0.345	0.206
					25	0.450	0.345	0.314	0.185
20	0.358	0.263	0.160	0.145
					32	0.620	0.340	0.317	0.172
28	0.534	0.292	0.294	0.149

[表2]

单位：m²

型号	α	β	α/β	a/c	b/d
						33	0.291	0.084	3.5	1.55	2.24
29	0.221	0.071	3.1	1.57	1.99
						25	0.155	0.058	2.7	1.43	1.86
20	0.094	0.023	4.1	2.24	1.81
						32	0.211	0.055	3.9	1.96	1.98
28	0.156	0.044	3.6	1.82	1.96

构造内屏蔽6，以致大开口6L的面积与小开口6S的面积比(α/β)约在2.7与4.1之间，如表2所示的。

然而，在将如上所述构造的内屏蔽6应用于具有增大偏角，即，110度或者110度以上偏角的薄型阴极射线管时，要求调整内屏蔽6的开口，以致在没有干扰的情况下，电子枪7发射的电子束通过荫罩3的最外侧通孔，以辐射荧光体。

此外，要求增大内屏蔽的总体积，以便在将内屏蔽6应用于薄型阴极射线管时，提高内屏蔽6的屏蔽性能，而且要求减小内屏蔽6的开口尺寸，以防止引入外部磁场。

发明内容

因此，鉴于上述问题，设计了本发明，而且本发明的目的是提供一种用于薄型阴极射线管的内屏蔽，它可以防止在荧光屏上产生光晕和阴影，以致该内屏蔽可以应用于具有110度或者110度以上偏角的阴极射线管，因此，虽然相对于广角偏转，降低了内屏蔽的高度，并因此减小了内屏蔽的体积，但是仍可以防止外部磁场屏蔽性能降低。因此，改善了整机性能。

根据本发明的一个方面，通过提供一种用于薄型阴极射线管的内屏蔽可以实现上述以及其他目的，其中假定从管部分的电子束偏转中心到显示屏的密封边缘形成的平面的直线距离是L，而内屏蔽的高度是Sh，则构造内屏蔽，以致满足下面的不等式：2＜L/Sh＜3.5，假定位于内屏蔽电子束入口侧的开口的主轴长度是Dx，而位于内屏蔽电子束入口侧的开口的副轴长度是Dy，则构造内屏蔽，以致满足下面的不等式：1.6＜Dx/L＜3.5，而且1.0＜Dy/L＜2.5，该内屏蔽具有120度或者大于120度的广角偏转，而且假定显示屏侧的大开口的面积是α，而电子枪侧的小开口的面积是β，则调整大开口与小开口的面积比，以致满足下面的不等式：5.5＞α/β＞5.0。

根据本发明的另一个方面，提供了一种用于薄型阴极射线管的内屏蔽，其中假定从管部分的电子束偏转中心到显示屏的密封边缘形成的平面的直线距离是L，而内屏蔽的高度是Sh，则构造内屏蔽，以致满足下面的不等式：2＜L/Sh＜3.5。

假定位于内屏蔽电子束入口侧的开口的主轴长度是Dx，则构造内屏蔽，以致满足下面的不等式：1.6＜Dx/L＜3.5。

假定位于内屏蔽电子束入口侧的开口的副轴长度是Dy，则构造内屏蔽，以致满足下面的不等式：1.0＜Dy/L＜2.5。

假定位于内屏蔽电子束出口侧的开口形成的平面与每个短边之间的短边弯角是Sγ，而离开电子束中心形成最大偏转的偏角是Dθ，则构造内屏蔽30，以致满足下面的不等式：2.5＜Dθ/Sγ＜6.5。

假定位于内屏蔽电子束出口侧的开口形成的平面与每个长边之间的长边弯角是Lγ，而离开电子束中心形成最大偏转的偏角是Dθ，则构造内屏蔽，以致满足下面的不等式：1.0＜Dθ/Lγ＜3.0。

根据本发明的另一个方面，提供了一种用于薄型阴极射线管的内屏蔽，其中该内屏蔽具有120度或者大于120度的广角偏转，而且假定显示屏侧的大开口的面积是α，而电子枪侧的小开口的面积是β，则调整大开口与小开口的面积比，以致满足下面的不等式：5.5＞α/β＞5.0。

假定大开口的水平长度是a，大开口的垂直长度是b，小开口的水平长度是c，小开口的垂直长度是d，则大开口的a和b分别是小开口c和d的两倍或者两倍以上。

假定大开口的水平长度是a，而小开口的水平长度是c，则大开口的a是小开口的c的两倍或者两倍以上。

假定大开口的垂直长度是b，而小开口的垂直长度是d，则大开口的b是小开口d的两倍或者两倍以上。

根据本发明，适当调整内屏蔽的高度和内屏蔽开口的尺寸，以构造根据本发明的薄型阴极射线管的内屏蔽。因此，在将内屏蔽应用于薄型阴极射线管时，在内屏蔽与锥形部分之间不产生干扰，因此，提高了整机性能，防止出现可能因为过扫描电子束产生的光晕，而且还防止在荧光屏上出现阴影。

此外，构造根据本发明的薄型阴极射线管的内屏蔽，以致减小通过其引入电子束的开口的面积，因此，内屏蔽可以最大限度地封闭电子束。结果，相对于广角偏转，降低了内屏蔽的高度，因此，虽然减小了内屏蔽的体积，但是仍可以防止外部磁场屏蔽性能降低。因此，提高了屏蔽功能的可靠性。

附图说明

根据下面结合附图所做的详细说明，可以更清楚地理解本发明的上述以及其它目的、特征和其它优点，其中：

图1是示出传统阴极射线管的局部剖开平面图；

图2是示出传统内屏蔽的正视图；

图3是示出根据本发明的薄型阴极射线管的正视图；

图4是示出根据本发明的内屏蔽的平面图；

图5是示出根据本发明的内屏蔽的后视图；

图6是示出根据本发明的内屏蔽的侧视图；

图7是示出根据本发明的内屏蔽开口之比的原理正视图；

图8是示出阴极射线管的偏角与开口的面积比之间的关系的曲线图；以及

图9A至9C是示出取决于阴极射线管的开口面积的光栅图形的示意图。

具体实施方式

现在，参考附图，详细说明本发明的优选实施例。

图3是示出根据本发明的薄型阴极射线管的正视图。

如图3所示，根据本发明的薄型阴极射线管包括显示屏21和锥形部分23，显示屏21和锥形部分23互相连接在一起，而显示屏21和锥形部分23的密封边缘E互相接触，以构造管部分20。管部分20内设置了：荫罩25；框架27，用于将荫罩25固定到显示屏21上；以及内屏蔽30，设置在框架27侧，用于屏蔽外部地磁场。

特别是，在偏转系统使电子枪发射的电子束偏转，然后，该电子束碰撞形成在显示屏的内表面上的荧光体时，内屏蔽30用于防止因为诸如地磁场的外部磁场引起电子束射向不希望的荧光屏位置。

构造薄型阴极射线管，以致电子束具有110度或者110度以上，更优选是120度或者120度以上的偏角2Dθ。构造内屏蔽30，以在减薄型阴极射线管的厚度时，防止在荧光屏上产生光晕和阴影。

图4至图6示出根据本发明可以防止在荧光屏上产生光晕和阴影的内屏蔽。图4是内屏蔽的平面图，图5是内屏蔽的后视图，而图6是内屏蔽的侧视图。

如图4至图6所示，将内屏蔽30大致形成为具有斜圆周表面的四角锥形。在内屏蔽30的前、后分别形成电子束通过其的小开口30S和大开口30L。

在电子枪侧形成小开口30S，而在显示屏21侧形成大开口30L。

再参考图3，假定从管部分20的电子束偏转中心C到显示屏21的密封边缘E形成的平面的直线距离是L，而内屏蔽30的高度是Sh，则构造内屏蔽30，以致满足下面的不等式：2＜L/Sh＜3.5。

假定位于内屏蔽30的电子束入口侧的小开口30S的主轴长度是Dx，而位于内屏蔽30的电子束入口侧的小开口30S的副轴长度是Dy，则构造内屏蔽30，以致满足下面的不等式：1.6＜Dx/L＜3.5，而且1.0＜Dy/L＜2.5。

此外，假定位于内屏蔽30的电子束出口侧的大开口30L形成的平面与每个短边33之间的短边弯角是Sγ，大开口30L形成的平面与每个长边31之间的长边弯角是Lγ，离开电子束偏转中心形成最大偏转的偏角是Dθ，则构造内屏蔽30，以致满足下面的不等式：2.5＜Dθ/Sγ＜6.5，而且1.0＜Dθ/Lγ＜3.0。

如上所述，将从管部分20的电子束偏转中心C到显示屏21的密封边缘E形成的平面的直线距离与内屏蔽30的高度之比(L/Sh)、位于内屏蔽30的电子束入口侧的小开口30S的主轴长度以及位于内屏蔽30的电子束入口侧的小开口30S的副轴长度与从管部分20的电子束偏转中心C到显示屏21的密封边缘E形成的平面的直线距离之比(Dx/L和Dy/L)以及离开电子束偏转中心形成最大偏转的偏角与位于内屏蔽30的电子束出口侧的大开口30L形成的平面与短边33之间的短边弯角和大开口30L形成的平面与长边31之间的长边弯角之比(Dθ/Sγ和Dθ/Lγ)增大到可以应用于薄型阴极射线管的最佳值。

将参考下面的表，说明具有根据本发明的上述结构的薄型阴极射线管的内屏蔽的实际实施例。

[表3]

	实施例1	实施例1	实施例1	实施例1	传统技术
						偏角(Dθ)	60	62.5	65	70	50
L	172	133	123	80	241
						高度(Sh)	65	59	52	30	140
开口的长边(Dx)	282	264	258	220	317
						开口的短边(Dy)	180	170	166	142	172
Dx_MAX	324	304	297	253	365
						Dy_MAX	207	196	191	163	198
Sγ_MIN	20	13	12	11	37.6
						Sγ_MAX	24	18	17	13	43
Lγ_MIN	40	30	25	23	57.5
						Lγ_MAX	46	35	29	26	66
L/Sh	2.6	2.3	2.4	2.7	1.7
						Dx/L	1.6	2.0	2.1	2.8	1.3
Dx/L_MAX	1.9	2.3	2.4	3.2	1.5
						Dy/L	1.05	1.3	1.3	1.8	0.7
Dy/L_MAX	1.2	1.5	1.6	2.0	0.8
						Dθ/Sγ_MIN	3.0	4.8	5.4	6.4	1.3
Dθ/Sγ_MAX	2.5	3.5	3.8	5.5	1.2
						Dθ/Lγ_MIN	1.5	2.1	2.6	3.0	0.9
Dθ/Lγ_MAX	1.3	1.8	2.3	2.6	0.8

对于传统的内屏蔽，Dθ是50，L是241，Sh是140，Dx是317，Dy是172，Sγ在37.6与43之间，以及Lγ在57.5与66之间，因此，L/Sh是1.7，Dx/L是1.3，Dy/L是0.7，Dθ/Sγ在1.2与1.3之间，以及Dθ/Lγ在0.8与0.9之间。在将传统的内屏蔽应用于具有110度或者110度以上的偏角的广角薄型阴极射线管时，电子枪发射的电子束碰撞内屏蔽。因此，荧光屏上出现阴影。

相反，对于根据本发明的实施例1的内屏蔽，Dθ是60，L是172，Sh是65，Dx是282，Dy是180，Sγ在20与24之间，以及Lγ在40与46之间，因此，L/Sh是2.6，Dx/L是1.6，Dy/L是1.05，Dθ/Sγ在2.5与3.0之间，以及Dθ/Lγ在1.3与1.5之间。

对于根据本发明的实施例2的内屏蔽，Dθ是62.5，L是133，Sh是59，Dx是264，Dy是170，Sγ在13与18之间，以及Lγ在30与35之间，因此，L/Sh是2.3，Dx/L是2.0，Dy/L是1.3，Dθ/Sγ在3.5与4.8之间，以及Dθ/Lγ在1.8与2.1之间。

对于根据本发明的实施例3的内屏蔽，Dθ是65，L是123，Sh是52，Dx是258，Dy是166，Sγ在12与17之间，以及Lγ在25与29之间，因此，L/Sh是2.4，Dx/L是2.1，Dy/L是1.3，Dθ/Sγ在3.8与5.4之间，以及Dθ/Lγ在2.3与2.6之间。

对于根据本发明的实施例4的内屏蔽，Dθ是70，L是80，Sh是30，Dx是220，Dy是142，Sγ在11与13之间，以及Lγ在23与26之间，因此，L/Sh是2.7，Dx/L是2.8，Dy/L是1.8，Dθ/Sγ在5.5与6.4之间，以及Dθ/Lγ在2.6与3.0之间。

如上所示，分别构造根据本发明的四个实施例的内屏蔽30，以致L/Sh在2与3.5之间，因此，在分别将根据本发明的四个实施例的内屏蔽30安装在薄型阴极射线管的管部分20内时，内屏蔽30与锥形部分23之间不产生干扰。因此，改善了整机性能，而且有效防止可能由过扫描电子束产生的光晕。

此外，构造根据本发明的内屏蔽30，以致Dx/L在1.6与3.5之间，Dy/L在1.0与2.5之间，Dθ/Sγ在2.5与6.5之间，以及Dθ/Lγ在1.0与3.0之间，因此，正确设置入口侧的小开口30S的尺寸Dx和Dy。因此，在将根据本发明的内屏蔽30应用于薄型阴极射线管时，在没有干扰的情况下，电子枪发射的电子束通过入口侧的小开口30S，然后，电子束通过荫罩25，照射显示屏21的荧光体。因此，消除了因为电子束碰撞内屏蔽30而在荧光屏上出现阴影的现象。

图7是示出根据本发明的内屏蔽开口之比的原理正视图，而图8是示出阴极射线管的偏角与开口的面积比之间的关系的曲线图。

相对于薄型阴极射线管的广角偏转，降低内屏蔽30的高度，因此，减小了内屏蔽30的体积。因为该原因，重要的是，减小通过其引入电子束的开口的面积，以致内屏蔽30可以最大限度地封闭电子束，从而在将内屏蔽30应用于具有120度或者120度以上的广角偏转的薄型阴极射线管时，防止外部磁场屏蔽性能降低。

假定内屏蔽30的大开口30L的水平长度是a，大开口30L的垂直长度是b，以及大开口30L的面积是α，而内屏蔽30的小开口30S的水平长度是c，小开口30S的垂直长度是d，以及小开口30S的面积是β，则调整大开口30L与小开口30S的面积比，以致满足下面的不等式：5.5＞α/β＞5.0。

参考图9A至9C，可以调整上述面积比。对于传统的阴极射线管，偏角通常在90度与110度之间，因此，面积比(α/β)在2.7与4.1之间。另一方面，对于根据本发明的薄型阴极射线管，当偏角在120度与125度之间时，优选将大开口30L与小开口30S的面积比(α/β)从5.0调整到5.5。

因此，当如上所述调整开口的面积比时，出现正常光栅图形，如图9A所示。然而，在增加内屏蔽的高度，并因此而减小开口的面积比时，出现其中偏转系统的偏转区侵入其中的光栅图形，如图9B所示。相反，在减小内屏蔽的高度，并因此而增加开口的面积比时，外部磁场屏蔽性能降低，因此，出现局部失真的光栅图形，如图9C所示。

同时，最好形成大开口30L与小开口30S，以使大开口30L的水平长度a和大开口30L的垂直长度b分别是小开口30S的水平长度c和小开口30S的垂直长度d的两倍或者两倍以上，从而满足上述条件。

作为一种选择，可以形成大开口30L与小开口30S，以使大开口30L的水平长度a是小开口30S的水平长度c的两倍或者两倍以上，或者大开口30L的垂直长度b是小开口30S的垂直长度d的两倍或者两倍以上。

在将根据本发明满足上述条件的内屏蔽30应用于29英寸阴极射线管时，如下面的表4和表5所示，调整内屏蔽30的尺寸。

[表4]

单位：mm

型号	a	b	c	D
					29	0.500	0.380	0.220	0.160

[表5]

单位：m²

型号	α	β	α/β	a/c	B/d
						29	0.190	0.035	5.4	2.27	2.38

根据广角偏转，将表5所示的根据本发明的内屏蔽30的小开口30S的面积β减小到表2所示的传统29寸阴极射线管的面积的一半。

在如上所述减小通过其引入电子枪发射的电子束的小开口30S的面积β时，最大限度地封闭电子束通过的空间，因此，提高了外部磁场屏蔽性能。

因此，将内屏蔽30的大开口30L与小开口30S的面积比(α/β)从5.0调整到5.5，即，与传统内屏蔽相比较，显著减小小开口30S的面积β，因此，在将内屏蔽30应用于薄型阴极射线管时，根据本发明的内屏蔽30具有足够好的外部磁场屏蔽性能。

从上面的说明可以看出，适当调整内屏蔽的高度和内屏蔽开口的尺寸，以构造根据本发明的薄型阴极射线管的内屏蔽。因此，在将内屏蔽应用于薄型阴极射线管时，在内屏蔽与锥形部分之间不产生干扰，因此，提高了整机性能，防止出现可能因为过扫描电子束产生的光晕，而且还防止在荧光屏上出现阴影。

此外，构造根据本发明的薄型阴极射线管的内屏蔽，以致减小通过其引入电子束的开口的面积，因此，内屏蔽可以最大限度地封闭电子束。结果，相对于广角偏转，降低了内屏蔽的高度，因此，虽然减小了内屏蔽的体积，但是仍可以防止外部磁场屏蔽性能降低。因此，提高了屏蔽功能的可靠性。

尽管为了说明问题，公开了本发明的优选实施例，但是本技术领域的技术人员明白，在不脱离所附权利要求公开的本发明的实质范围的情况下，可以进行各种修改、附加和替换。

Claims (10)

1.一种用于薄型阴极射线管的内屏蔽，其中

假定从管部分的电子束偏转中心到显示屏的密封边缘形成的平面的直线距离是L，而内屏蔽的高度是Sh，则构造内屏蔽，以致满足下面的不等式：2＜L/Sh＜3.5，

假定位于内屏蔽电子束入口侧的开口的主轴长度是Dx，而位于内屏蔽电子束入口侧的开口的副轴长度是Dy，则构造内屏蔽，以致满足下面的不等式：1.6＜Dx/L＜3.5，而且1.0＜Dy/L＜2.5，

该内屏蔽具有120度或者大于120度的广角偏转，而且

假定显示屏侧的大开口的面积是α，而电子枪侧的小开口的面积是β，则调整大开口与小开口的面积比，以致满足下面的不等式：5.5＞α/β＞5.0。

2.一种用于薄型阴极射线管的内屏蔽，其中

假定从管部分的电子束偏转中心到显示屏的密封边缘形成的平面的直线距离是L，而内屏蔽的高度是Sh，

则构造内屏蔽，以致满足下面的不等式：2＜L/Sh＜3.5。

3.根据权利要求2所述的内屏蔽，其中

假定位于内屏蔽电子束入口侧的开口的主轴长度是Dx，

则构造内屏蔽，以致满足下面的不等式：1.6＜Dx/L＜3.5。

4.根据权利要求2所述的内屏蔽，其中

假定位于内屏蔽电子束入口侧的开口的副轴长度是Dy，则构造内屏蔽，以致满足下面的不等式：1.0＜Dy/L＜2.5。

5.根据权利要求2所述的内屏蔽，其中

假定位于内屏蔽电子束出口侧的开口形成的平面与每个短边之间的短边弯角是Sγ，而离开电子束中心形成最大偏转的偏角是Dθ，则构造内屏蔽30，以致满足下面的不等式：2.5＜Dθ/Sγ＜6.5。

6.根据权利要求2所述的内屏蔽，其中：

假定位于内屏蔽的电子束出口侧的开口形成的平面与每个长边之间的长边弯角是Lγ，而离开电子束中心形成最大偏转的偏角是Dθ，

则构造内屏蔽，以致满足下面的不等式：1.0＜Dθ/Lγ＜3.0。

7.一种用于薄型阴极射线管的内屏蔽，其中

该内屏蔽具有120度或者大于120度的广角偏转，而且

假定显示屏侧的大开口的面积是α，而电子枪侧的小开口的面积是β，

则调整大开口与小开口的面积比，以致满足下面的不等式：5.5＞α/β＞5.0。

8.根据权利要求7所述的内屏蔽，其中：

假定大开口的水平长度是a，大开口的垂直长度是b，小开口的水平长度是c，小开口的垂直长度是d，

则大开口的a和b分别是小开口c和d的两倍或者两倍以上。

9.根据权利要求7所述的内屏蔽，其中

假定大开口的水平长度是a，而小开口的水平长度是c，

则大开口的a是小开口的c的两倍或者两倍以上。

10.根据权利要求7所述的内屏蔽，其中

假定大开口的垂直长度是b，而小开口的垂直长度是d，

则大开口的b是小开口d的两倍或者两倍以上。

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