CN1801445A

CN1801445A - 发光屏结构和成像装置

Info

Publication number: CN1801445A
Application number: CN 200510120466
Authority: CN
Inventors: 铃木纪博; 山崎康二
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2004-11-18
Filing date: 2005-11-18
Publication date: 2006-07-12
Anticipated expiration: 2025-11-18
Also published as: CN100530504C

Abstract

本发明提供了一种在由电子发射器件形成的平板型成像装置中的发光基片，其能够减轻非正常放电对电子发射器件的影响。在玻璃基片1上，形成沿X和Y方向延伸的矩阵形电阻器元件4和沿X和Y方向延伸的矩阵形黑色元件6。荧光体5位于黑色元件6的孔径内，并且被沿X和Y方向分割的金属背板7加以覆盖。金属背板7和电阻器元件4通过黑色元件6电连接，并且金属背板7之间的电阻由沿Y方向的电阻器元件4加以限定，其中沿Y方向相邻的电阻器元件4的间隙比沿X方向的更宽。

Description

发光屏结构和成像装置

技术领域

本发明涉及用于和电子发射器件一起构建成像装置(例如图像显示装置)的发光屏结构(发光基片)，并涉及利用这种发光基片的成像装置。

背景技术

利用电子发射器件的电子发射装置已经应用于，例如，成像装置。例如，已知有一种平面型电子束显示面板，其构成如下：一个具有多个冷阴极电子发射器件的电子源基片，一个具有用于加速从电子发射器件发射的电子的金属背板或透明电极的阳极基片，和一个彼此相对布置并且在这些基片之间开出一个间隙的荧光体。与当前流行的阴极射线管(CRT)相比，平面型电子束显示面板的重量更轻、尺寸更大。另外，与其它的平面显示面板，例如液晶平面显示面板、等离子体显示面板或电致发光显示器相比，它能够提供更高的亮度和更高的图像质量。

在如下类型的成像装置中，其中在冷阴极多电子源和前述用于加速电子的金属背板或透明电极之间施加高压，更高的电压具有使所发射光线的亮度最大化的优点。另外，在某些器件类型中，已发射的电子在到达相对电极之前分叉，从而电极之间的距离越短对于实现高分辨率的显示器越有利。

然而，在这种配置中，因为在相对电极之间会不可避免地形成高电场，所以可能会发生放电从而损坏电子发射器件。另外在这种放电的实例中，会以浓集的方式形成的电流，借此导致在所显示图像的某些部分上产生光斑现象。

为了避免这些缺点，需要降低放电频率或者通过尽可能减小放电以避免损坏。

由放电导致的损坏被假定是由于在短时内浓集在单个位置处的大电流导致的，其产生热量从而损坏电子发射器件，或者是由于电子发射器件上电压的瞬时增加，导致电子发射器件损坏。

为了降低会由于放电导致损坏的电流，人们已经想出了一种方法，即在阳极电极和电源之间系列地限定一个限制电阻器，如图7所示。然而，当通过1000个在水平方向上按行和列配线的单元连接500个位于垂直方向上的单元，并且以线顺序模式(line-sequential mode)驱动这些元件时，需要同时开启大约1000个器件，这种模式导致如下的缺点。

用假定为每个器件5μA的发射电流同时开启大约1000个器件时，会导致一个0至5mA的电流流入阳极。当在外部插入一个1MΩ的系列电阻器，如图7所示，并向阳极施加10kV的电压时，会根据同时开启的器件数目产生0至5kV的电压降。结果，将导致最大达50％的亮度不均匀。

另外，由于向相对的平板(面板和背板)71，72施加了高电压，则还需要考虑作为一个电容器所积累的电荷。例如，当如图7所示的阴极和阳极的面积为100cm²，距离为1mm，电位差为10kV时，所积累的电荷达到1×10⁶库仑，则即使放电1μs，其也会导致在一个位置产生1A的电流。这种放电电流会导致器件损坏，从而即使不存在前述的亮度不均匀，图7所示的配置也不能够充分地解决这一缺点。

对于这些缺点，本专利申请在专利参考文献1中提出，分割一个电极，以非并联的方式向扫描布线方向施加电压，并在电极和加速电压施加装置之间提供一个电阻器，借此抑制在相对的平板之间产生的放电电流。

图8显示了其一个实例，图9显示了其等价电路。在附图中，显示了分割电极81、电阻器82、高压终端83、高电阻区域84、公用电极85、面板91和背板92。每个分割电极81(例如由ITO膜形成)在其一个末端通过电阻器82(例如由NiO膜形成)与公用电极85相连，借此能够从终端83施加一个高电压。在这种配置中，位于图9所示面板91一侧的电极被分割，并且在每个分割电极中插入一个高电阻器R1，以便降低电容器的电容，借此降低放电电流Ib2。这样就有可能降低由放电电流导致的器件电压升高，从而减轻放电处的损坏。

另外在专利参考文献2中公开了一种冷阴极场发射显示装置，其阳极电压Va以及阳极单元之间的间隙Lg满足如下的关系Va/Lg＜1(kV/μm)。通过这种配置，有可能降低在非正常放电时阳极单元之间的放电，借此降低放电的大小。

专利参考文献1：日本专利No.3199682(EP866491A)

专利参考文献2：日本专利申请公开No.2004-47408

如前面已经解释的，在由电子发射器件构成的成像装置中，希望进一步降低发光基片(阳极基片)中的放电电流，以便降低在非正常放电时对电子发射器件的损坏。当阳极和阴极之间发生非正常放电时，特别希望降低在相邻阳极之间产生的二次放电。另一方面，希望降低相邻阳极之间的间隙，以便获得更高清晰度的图像。

发明内容

本发明的一个目的是提供一种发光屏结构，其用于进一步降低放电电流，借此减轻非正常放电对电子发射器件的影响，从而使成像装置获得令人满意的耐用度和长寿命。特别地，本发明提供了一种发光基片结构，其能够在不增加相邻阳极之间距离的同时防止电损坏。

在第一个方面，本发明提供了一种发光屏结构，其包括：

基片；

多个以行和列的方式布置在基片上的发光元件；

多个导体，其每一个覆盖至少一个发光元件，并且它们以一定的间隔布置，从而形成行和列的形式；和

与多个导体电连接的电阻器元件；

其中电阻器元件形成格栅形状，包括沿着行方向延伸的行条带部分，沿着列方向延伸的列条带部分，和位于行条带部分与列条带部分之间的孔径部分，并且在行方向上相邻的导体之间的间隙位于格栅形电阻器的孔径内。

在第二个方面，本发明提供了一种成像装置，其包括多个电子发射器件，一个具有用于向电子发射器件施加电压的布线的电子源基片，和一个具有发光元件的发光屏结构，该发光元件通过电子发射器件发射电子射线而发射光线，其中发光屏结构具有在所述发光屏结构(本发明第一个方面)中所描述的结构。

附图说明

图1A和1B分别是示意地显示本发明第一实施例的发光基片配置的剖面图和平面图；

图2是示意地显示本发明成像装置的一个实施例中显示面板配置的透视图；

图3A和3B是示意地显示本发明第二实施例中发光基片的配置的简图；

图4A和4B是示意地显示本发明第三实施例中发光基片的配置的简图；

图5A和5B是示意地显示本发明第四实施例中发光基片的配置的简图；

图6A和6B是示意地显示本发明第五实施例中发光基片的配置的简图；

图7是显示先前成像装置的配置的示意图；

图8是显示先前发光基片的配置的示意图；

图9是图8所示发光基片的等价电路图。

具体实施方式

本发明的发光基片和成像装置涉及一种平板电子束显示装置。特别地，利用场电子发射器件或表面传导电子发射器件的电子束显示装置是本发明的应用的优选形式，其中一般向阳极施加高电压。

现在参考图1A和1B说明本发明发光基片的基本配置。

图1A和1B是显示本发明发光基片一个优选实施例的配置的示意图，其中一部分被切割，以便阐明部件的位置关系。在图1A和1B中，显示了玻璃基片1、公用电极2、连接电阻器3、形成格栅形状的电阻器元件4、构成本发明发光元件的荧光体5、格栅形黑色元件(blackmember)6和构成阳极的金属背板7。在下文中，格栅形黑色元件6将称作黑色元件。

在本发明中，每个电阻器元件4和黑色元件6都形成一个沿着X和Y方向延伸的格栅形状，并且荧光体5安装在黑色元件6的孔径内。金属背板7被布置成覆盖一个或多个荧光体5，并且每个金属背板7与电阻器元件4电连接。在本实施例中，电阻器4沿着Y方向延伸的条带部分(Y方向条带部分)与荧光体5交叠。另外电阻器4沿着Y方向延伸的一个末端通过连接电阻器3与形成于玻璃基片1外周部分的公用电极2相连，并且通过高压终端(未显示)施加一个高电压。

金属背板7具有二维划分的形状，即X和Y方向(布置成矩阵)，并且X方向上相邻金属背板7之间的间隙小于Y方向。另外，X方向上相邻的背板7之间的间隙内不存在电阻器元件4，但在Y方向相邻的金属背板7的间隙的至少有一部分中存在。

这种配置中，电阻器元件4的薄层电阻低于黑色元件6的薄层电阻，借此X和Y方向上相邻的金属背板7之间的电阻由电阻器元件4限定。另外，通过在沿X方向的金属背板7的间隙内施加一个更高电阻的黑色元件6，能够提高金属背板7之间的击穿电压(breakdownvoltage)。

在非正常放电时，X方向上相邻金属背板7之间产生数百伏到数千伏的电位差，当然其取决于所施加的电压和电阻器元件4的电阻。当施加3kV或者更高的电压以获得明亮的图像时，可以产生大约500V的电位差。另外假定X方向上金属背板的间隙最大为100μm，则可以采用击穿电压为5×10⁶V/m或者更高的黑色元件6。

在电阻器元件4内，沿着X方向延伸的条带部分(X方向条带部分)以平行的方式与黑色元件6交叠，并且位于黑色元件的宽度内。另外，电阻器4沿Y方向延伸的条带部分(Y方向条带部分)必须位于和沿X方向相邻的金属背板的间隙不交叠的位置。换言之，需要如下的布局，即电阻器的孔径与金属背板的间隙交叠。这是因为，如果在沿着X方向相邻的金属背板7之间存在一个电阻低于黑色元件6的电阻器4，则击穿电压会降低。在这种配置中，通过一个比金属背板沿X方向相邻的间隙更长的电路(通过电阻器4)能够将沿X方向相邻的金属背板7的电阻保持在高水平。结果，电阻器4不显示电流密度增加，从而避免了电损坏。

电阻器4通过连接电阻器3与公用电极2电连接。特别是在电视机领域，因为Y方向上的距离更短，所以优选地将沿Y方向延伸的电阻器元件4与公用电极2相连。

每个分割金属背板7都与电阻器4沿Y方向延伸的部分相连，从而电阻器4的Y方向条带部分的数目等于X方向上金属背板7的分割数目。然而，当电阻器4的Y方向条带部分的宽度有限时，可以采用多(N)个电阻器用于同样的功能，并且在如图4A和4B所示的实例中，每个金属背板均与电阻器元件4的多(N)个Y方向条带部分相连。

另外，当电阻器元件4用不透明材料构成时，将电阻器4的Y方向条带部分与荧光体5叠合是不理想的。在这种情况下，如图4A和4B所示，使电阻器4的Y方向条带部分比与黑色元件6叠合布置的黑色元件更窄，以便避免影响显示。电阻器4沿Y方向的条带部分还有可能形成如图5A和5B所示的孔径，直接位于荧光体的下方。

金属背板7和电阻器4之间的电连接没有特别限制。在图1A，1B，3A，3B，4A，4B，5A和5B中，电连接通过黑色元件6，但是也可能在黑色元件6中形成孔径，并通过这些孔径连接金属背板7和电阻器4。另外，如果需要的话，可以使连接通过其它的导电元件。这种配置的一个实例将参考图6A和6B加以解释。在图6A和6B中，电阻器4的Y方向条带部分具有从该条带部分突出的引线部分(lead portion)9。另外黑色元件6在相应于该引线部分9的区域具有一个孔径。孔径8填充以导电材料，从而在电阻器4和金属背板7之间获得电连接。作为导电材料8，优选地采用低电阻率的氧化钌，但是本发明并不仅限于此。

格栅形电阻器元件4可以用任何能够控制电阻的材料形成，并且当与荧光体5叠合时，如图1A和1B所示，透明导电膜是优选的，因为它不会掩盖图像显示。这种情况下，能够采用ITO或类似物，优选地具有100kΩ/方块(kΩ/square)的薄层电阻。

在本发明中，利用金属背板7的一个目的是将从荧光体5发出并导入的光线向玻璃基片1进行镜面反射，借此提高亮度。另一个目的包括利用金属背板作为施加电阻束加速电压的电极，并且保护荧光体5不被在图2所示的外封壳(envelope)18内产生的阴离子的碰撞所损坏，这将在后面进行解释。

分割金属背板7可以呈矩形，但是在非正常放电的情况下，在分割金属背板之间会产生电位差，借此电场集中在核心部分，并可以产生漏电放电。因此，优选的是具有圆角的矩形。出于避免放电的目的，其曲率半径优选地较大，但必须考虑照射区和电子束的形状加以确定。在本发明采用的表面传导电子发射器件(SCE)中，因为电子束呈弧形，因此更优选地是采用与该弧形相匹配的曲度。

沿X和Y方向分割的金属背板7的形成是通过在承受荧光体5的整个基片上形成金属背板7，并通过光蚀刻构图。还能够采用蒸发的方法，其利用具有期望孔径的金属掩模(称作掩模蒸发)。

而且，金属背板7优选地被分割成红、绿和蓝色荧光体单元，其沿着X方向连续地布置。这种情况下，电阻器元件4的电阻能够变得更高，因为电阻器元件Y方向条带部分的电流变得更小，借此能够进一步降低放电电流。然而，考虑到沿X方向相邻的金属背板7之间的击穿电压，优选地在X方向上以两个或多个荧光体为单元进行分割，优选地是以由一系列红、绿和蓝色荧光体形成的象素为单元。然而，还可以以两个或多个象素为单元进行分割。图1A和1B显示了以荧光体为单元进行分割的实例，图4A-6B显示了以象素为单元进行分割的实例。另外，Y方向上的分割可以以两个或多个象素为单元进行。

在成像装置的驱动状态下，格栅形电阻器元件4的电阻不会由于电压降导致显著的亮度损失。在每个电子发射器件的发射电流为1至10μA的情况下，电阻器元件4优选地具有1kΩ至1GΩ的电阻。电阻的实际上限限定在如下的范围内，即电压降为所施加电压的10％到20％，并且不会产生亮度的不均匀。另外，电阻器元件4的击穿电压优选地为1×10⁶V/m或更高。当电阻器元件4的体电阻率为1×10^-4Ωcm或者更高时，则认为获得了这种击穿电压。

另外，容易导致电场集中的格栅形电阻器元件4的X方向条带部分与Y方向条带部分的交叉部分，优选地具有如图1A和1B所示的曲度。曲率半径优选地与沿着X和Y方向延伸的电阻器元件4的宽度相同或更小，借此使电场浓度饱和并且在放电时避免二次损坏。

在图1A和1B中，连接电阻器元件4Y方向条带部分与公用电极2的连接电阻器3，其电阻优选地在10kΩ至1GΩ之间，更优选地在10kΩ至1MΩ之间。从而即使在公用电极2附近发生放电时，也有可能将放电电流限制在背板。

黑色元件6的薄层电阻需要比电阻器元件4足够高，优选地为100MΩ/方块或者更高。另外，黑色元件6需要具有高的击穿电压。明确地讲，需要5×10⁶V/m或者更高的击穿电压。更优选地，4×10⁷V/m或者更高的击穿电压允许向金属背板施加更高的电压，借此获得高亮度的图像。为了获得这种击穿电压，需要有至少100Ωm的体电阻率，优选地为10kΩ或者更高。

除了通常采用的主要由石墨构成的材料之外，黑色元件6可以由任何显示低光透射率和反射率的材料形成。无论在单色显示还是在彩色显示的实例中，都可以通过预沉淀方法或者印刷方法将荧光体涂布在玻璃基片1上。

在下文中，作为采用本发明发光基片的成像装置的一个实例，将参考图2解释电子束显示面板的配置。在图2中，显示了电子源基片11，其相应于背板，面板17，其构成相应于本发明发光基片的阳极基片，基座元件15和外框16，其中面板17、基座元件15和外框16构成真空外封壳18。另外，电子发射器件14、扫描线12和信号线13分别与电子发射器件14的器件电极相连。在电子源基片11的基片具有足够强度的情况下，外框16可以直接安装在基片上，可以无需基座元件15。

扫描线12和信号线13能够通过丝网印刷方法或者也可以通过光刻方法涂布银膏(silver paste)而形成。除了上述的银膏之外，扫描线12和信号线13还可以用各种导电材料形成。例如，在通过丝网印刷法形成扫描线12和信号线13的实例中，可以使用通过混合金属与玻璃膏形成的涂布材料。另外在通过电镀方法预沉淀一种金属来形成扫描线12和信号线13的实例中，可以采用电镀材料。在扫描线12和信号线13的交叉处，具有一个层间绝缘层(未显示)。

为了在这种显示面板中形成图像，要向扫描线12和信号线13连续地施加预定电压，从而选择地驱动电子发射器件14，借此用发射电子辐照荧光体5，从而在指定位置获得亮点。金属背板7加以高压Hv，从而保证电位高于电子发射器件，以便加速所发射的电子并且以更高的亮度获得亮点。所施加的电压通常在几百伏特到几千伏特的范围内，当然还取决于荧光体5的性能。因此，背板11与面板17之间的距离通常选择在100μm到几毫米，以便在这种施加电压下不会在真空中产生电介质击穿(即放电)。

另外在利用本发明的发光基片制备成像装置的实例中，可以提供吸气材料，以便使外封壳18内在较长的时间中保持高真空。

在这种实例中，如果将吸气材料放置在由电子发射器件发射的电子所照射的区域内，则会降低电子束的能量，从而不能获得期望的亮度。因此，吸气材料优选地位于避免被电子束照射的区域。另外，为了增加吸气剂的面积，其优选地在一个粗糙表面上形成。

(实例)

(实例1)

具有如图1A和1B所示配置的发光基片以如下的程序加以制备。

在玻璃基片1上，在整个上表面形成ITO膜，并通过平版照相印刷处理形成格栅形图形，以便获得电阻器元件4。然后，形成已构图的NiO膜作为连接电阻器3。而后，用Ag膏形成公用电极2，从而与全部的连接电阻器3接触。然后，在已构图的ITO膜上印刷NP-7803(Noritake Kizai公司制造)作为黑色元件6，而后涂布和烘焙红、绿和蓝色荧光体5。最后，在荧光体5上通过真空蒸发方法形成岛形金属背板7。

在本实例中，采用由Asahi玻璃公司制造的厚度为2.8mm的玻璃基片PD200。另外在矩阵形电阻器元件4中，沿Y方向延伸的ITO膜的宽度为100μm，厚度为100nm，并且调节ITO膜的薄层电阻为30kΩ/方块，从而在沿Y方向相邻的金属背板7之间获得大约120kΩ的电阻。另外，沿X方向延伸的ITO膜的宽度为30μm，从而在沿X方向相邻的金属背板之间获得大约400kΩ的电阻(单独电阻)。为了不干扰这种电阻关系，黑色元件6的薄层电阻被调节为1×10¹³Ω/方块(体电阻率：1×10⁸Ωm，膜厚度：10nm)，其比ITO的薄层电阻足够地高。另外，因为万一放电，在X方向上相邻的金属背板7之间会产生高电场，所以黑色元件6的击穿电压为4×10⁷V/m。

连接电阻器3的电阻为10MΩ。在电阻器元件4沿X方向延伸的X方向条带部分与沿Y方向延伸的Y方向条带部分之间的交叉部分中，因为一旦放电则电流密度会增加，所以形成一定的曲度以便释放该电流浓度。在本实例中，曲率半径选择为30μm，与X方向上的窄条带宽度相匹配。这样，获得了如图1A和1B所示的发光基片(发光屏结构)，其中部件排列成使X方向上金属背板的间隙与格栅形电阻器元件4的孔径一致。

图2的成像装置通过采用本发明的发光基片作为面板17加以制备。在背板11上，通过基片11上的N×M个单元布置表面传导电子发射器件，其包括一个具有电子发射部分并连接在一对器件电极之间的导电膜。这些电子发射器件通过分别用均匀树脂形成的M个扫描线12和N个信号线13加以配线，借此获得多电子束源。在本实例中，扫描线12位于信号线13上，跨越层间绝缘膜(未显示)。扫描线12通过引线端Dx1-Dxm接收扫描信号，信号线13通过引线端Dy1-Dyn接收调制信号(图像信号)。

通过对导电膜进行已知的电铸和电活化形成表面传导电子发射器件。如此制备的背板和面板围绕外框16加以密封，从而获得成像装置。电铸处理、电活化处理和成像装置的制备能够通过例如日本专利No.3199682中说明的处理加以执行。

通过研究(lessoning)这种成像装置的内部真空执行的放电电阻测试能够证实，放电时流入面板17和背板11的电流比没有沿着垂直和水平方向分割金属背板的配置要小。

成像装置在放电点没有产生点缺陷，并且能够保持放电之前的状态。

另外，成像装置在正常驱动中显示出250V或者更低的电压降，从而在可视观察中，亮度的降低处于令人满意的水平。

(实例2)

制备图3A和3B所示配置的发光基片。该实例与实例1相似，只是沿着X方向连续布置的3个红、绿和蓝荧光体5一起被一个单金属背板7覆盖。

在本实例中，ITO电阻器沿Y方向延伸的Y方向条带部分的宽度为100μm，厚度为100nm，并且将ITO膜的薄层电阻调节为30kΩ/方块，从而在沿Y方向相邻的金属背板7之间获得大约120kΩ的电阻。另外，沿X方向延伸的ITO膜的宽度为50μm，从而在沿X方向相邻的金属背板之间获得大约800kΩ的电阻(单独电阻)。另外，电阻元件4格栅图形的交叉部分具有50μm的曲率半径，与X方向上的窄条带宽度相匹配。

这样，获得了如图3A和3B所示的发光基片(发光屏结构)，其中部件被布置成使沿X方向的金属背板之间的间隙与格栅形电阻器元件4的孔径一致。

以和实例1相同的方式制备图2所示的成像装置，但是采用了本实例的发光基片作为面板。

通过研究这种成像装置的内部真空执行的放电电阻测试可以证实，放电时流入面板17和背板11的电流比没有沿垂直和水平方向分割金属背板的配置要小。

另外，成像装置在正常驱动中显示出275V或者更低的电压降，从而在可视观察中，亮度的降低处于令人满意的水平。

(实例3)

制备图4A和4B所示配置的发光基片。该实例与实例1相似，只是电阻器元件4位于黑色元件6之下，并且沿着Y方向为每个金属背板提供了两个电阻器元件4的Y方向条带部分。

在本实例中，ITO电阻器、Y方向条带部分的宽度为50μm，ITO膜的薄层电阻被调节为30kΩ/方块，从而在沿Y方向相邻的金属背板7之间获得大约120kΩ的电阻。另外，ITO膜的X方向条带部分的宽度为30μm，从而在沿X方向相邻的金属背板之间获得大约800kΩ的电阻(单独电阻)。另外，电阻元件4格栅图形的交叉部分具有50μm的曲率半径，与X方向上的窄条带宽度相匹配。

(实例4)

制备图5A和5B所示配置的发光基片。该实例与实例2相似，只是在电阻器元件4的Y方向条带部分中形成的孔径直接位于荧光体之下。

在本实例中，ITO电阻器元件4的Y方向条带部分中，相应于荧光体的部分(分成两条条带的部分)的宽度为50μm，其它部分的宽度为100μm。

(实例5)

制备图6A和6B所示配置的发光基片。该实例与实例4相似，只是形成了一个从沿着Y方向延伸的电阻器元件4的Y方向条带部分突出的引线部分9，在黑色元件6相应于引线部分9的部分中形成了一个孔径，并且用导电材料8填充该孔径，从而通过该导电材料电连接电阻器元件4和金属背板7。

在本实例中，在为形成于玻璃基片1整个表面上的ITO构图时，同时形成引线部分9。然后给黑色元件6印刷孔径，之后涂布荧光体5，通过印刷方法印刷导电材料8并加以烘焙。导电材料8由氧化钌构成。

(实例6)

以和实例2相似的方式制备发光基片，只是图3A和3B所示的金属背板7在Y方向上进一步展宽到覆盖两个象素。

在本实例中，ITO电阻器沿Y方向延伸的Y方向条带部分的宽度为100μm，ITO膜的薄层电阻被调节为60kΩ/方块，从而在沿Y方向相邻的金属背板7之间获得大约240kΩ的电阻。另外，ITO膜的X方向条带部分的宽度为50μm，从而在沿X方向相邻的金属背板之间获得大约1.6MΩ的电阻(单独电阻)。另外，电阻元件4格栅图形的交叉部分具有50μm的曲率半径，与X方向上的窄条带宽度相匹配。

(实例7)

以和实例2相似的方式制备发光基片，只是图3A和3B所示的金属背板7在Y方向上进一步展宽到覆盖两个象素。另外，电阻器元件4沿Y方向延伸的Y方向条带部分被布置成与沿X方向布置的6个荧光体中的第三个荧光体5交叠。

在本实例中，ITO电阻器沿Y方向延伸的Y方向条带部分的宽度为100μm，ITO膜的薄层电阻被调节为30kΩ/方块，从而在沿Y方向相邻的金属背板7之间获得大约120kΩ的电阻。另外，ITO膜的X方向条带部分的宽度为60μm，从而在沿X方向相邻的金属背板之间获得大约1.6MΩ的电阻(单独电阻)。另外，电阻元件4格栅图形的交叉部分具有50μm的曲率半径，与X方向上的窄条带宽度相匹配。

在本发明中，导体(金属背板或阳极)被沿着X和Y方向分割，从而分割的金属背板通过格栅形电阻器元件加以电连接。因此，即使在金属背板与电子发射器件之间最终发生放电的情况下，也能够通过控制电阻器元件的电阻降低相邻金属背板之间的电位差。从而有可能抑制由于金属背板和电子发射器件之间产生的放电导致的二次放电(相邻金属背板之间的放电)。该二次放电意味着相邻金属背板之间的短路，即涉及来自相连金属背板的电荷供应，从而导致金属背板与电子发射器件之间的放电电流增加。在本发明中，相邻金属背板不是被完全绝缘，而是通过一定的可控电阻加以连接。因此，万一在金属背板和电子发射器件之间最终发生放电，在相邻金属背板之间也只能诱发微弱的电流，借此降低它们之间的电位差，防止由于二次放电而短路。在本发明中，因为沿X方向相邻的金属背板具有较窄的间隙，所以在该相邻的金属背板之间没有设置电阻器。换言之，该布置使得格栅形电阻器元件的孔径与X方向上金属背板的间隙交叠。在X方向上，在金属背板之间的间隙内提供足够高电阻的黑色元件。当在相邻金属背板之间建立足够的击穿电压时，这种配置与沿X方向的金属背板之间的间隙内存在电阻的实例相比，允许在沿X方向相邻的金属背板之间获得高电阻。从而为建立足够的击穿电压，同时防止X方向上相邻的金属背板之间出现过多的电流提供了可能，借此降低金属背板与电子发射器件之间放电的大小。因此，在这种配置中，放电电流由格栅形电阻器的电阻加以控制，从而由格栅形电阻器元件(电流限制电阻器)加以限定，借此能够获得期望的抑制放电电流的效果。

因此，利用本发明发光屏结构(发光基片)的成像装置能够防止非正常放电对电子发射器件的影响，并防止金属背板之间的电损坏，还能够提供具有优异耐用度、更长使用寿命的成像装置。

本申请要求于2004年11月18日提交的日本专利申请No.2004-334071的优先权，该申请的全部内容在此引用以供参考。

Claims

1.一种发光屏结构，包括：

基片；

多个发光元件，其在基片上按行和列的图形加以布置；

多个导体，其每一个覆盖至少一个发光元件，并且该多个导体以一定间隔地布置从而形成行和列的图形；和

电阻器元件，其电连接多个导体；

其中电阻器元件形成为格栅形状，包括沿行方向延伸的行条带部分、沿列方向延伸的列条带部分、和位于行条带部分和列条带部分之间的孔径部分，并且沿行方向相邻的导体的间隙位于格栅形电阻器的孔径内。

2.根据权利要求1的发光屏结构，其中沿行方向相邻的导体的间隙小于沿列方向相邻的导体的间隙。

3.根据权利要求2的发光屏结构，其中电阻器元件的行条带部分位于沿列方向相邻的导体之间的间隙部分内。

4.根据权利要求1的发光屏结构，其中多个发光元件是以一定间隔布置的荧光体，从而将一个黑色元件夹在相邻荧光体之间。

5.根据权利要求4的发光屏结构，其中电阻器元件的薄层电阻小于黑色元件的薄层电阻。

6.根据权利要求4的发光屏结构，其中格栅形电阻器元件通过黑色元件中的孔径与金属背板电连接。

7.根据权利要求1的发光屏结构，其中多个导体中的每一个呈矩形，在其拐角部分具有曲度。

8.根据权利要求1的发光屏结构，其中格栅形电阻器元件由透明电阻器膜形成。

9.根据权利要求1的发光屏结构，其中电阻器元件的薄层电阻为100kΩ/方块或更低。

10.根据权利要求1的发光屏结构，其中电阻器元件的体电阻率为1×10⁴Ωm或者更高。

11.根据权利要求4的发光屏结构，其中黑色元件的体电阻率为100Ωm或更高。

12.根据权利要求4的发光屏结构，其中黑色元件的体电阻率为10kΩm或更高。

13.根据权利要求4的发光屏结构，其中黑色元件的薄层电阻为100MΩ/方块或更高。

14.一种成像装置，其包括多个电子发射器件、电子源基片、和发光屏结构，电子源基片具有用于向电子发射器件施加电压的布线，发光屏结构具有发光元件，该发光元件通过由电子发射器件发射的电子的辐照而发射光线，其中该发光屏结构具有根据权利要求1所述的结构。