CN1790946A - 具有过载保护功能的光接收模块 - Google Patents
具有过载保护功能的光接收模块 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1790946A CN1790946A CN 200410077688 CN200410077688A CN1790946A CN 1790946 A CN1790946 A CN 1790946A CN 200410077688 CN200410077688 CN 200410077688 CN 200410077688 A CN200410077688 A CN 200410077688A CN 1790946 A CN1790946 A CN 1790946A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- apd
- resistance
- avalanche
- current
- bias voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 67
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 21
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 7
- 230000008676 import Effects 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 17
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 2
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005211 surface analysis Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/60—Receivers
- H04B10/66—Non-coherent receivers, e.g. using direct detection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02016—Circuit arrangements of general character for the devices
- H01L31/02019—Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02027—Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for devices working in avalanche mode
Abstract
一种具有过载保护功能的光接收模块，用于光纤通讯领域；包括一雪崩光电二极管；一为雪崩光电二极管提供反向偏置电压的DC/DC升压电路；一用于输入光检测的取样电阻；取样电阻的一端与DC/DC升压电路的输出端连接，在取样电阻的另一端与雪崩二极管的反向偏压管脚之间串接一限流保护电阻，且所述限流保护电阻的阻值大于取样电阻的阻值。当输入光功率过高时，瞬时产生较大的光生电流在限流保护电阻上产生的电压降会迅速增大，导致雪崩光电二极管的反向偏置电压迅速降低到无法产生雪崩效应，因此不会产生很大的光电流而造成雪崩光电二极管的过流损坏，从而起到了过载保护的作用。
Description
技术领域
本发明涉及光纤通信领域中高速光接收模块，尤其涉及一种在过高输入光功率条件下具有过载保护装置的APD光接收模块。
背景技术
APD(Avalanche photon diode)光电探测器又称为雪崩光电二极管，是利用雪崩倍增效应使光电流得到倍增的高灵敏度光电探测器，图1所示为APD雪崩倍增效应过程的示意图。APD光电探测器在正常工作时，APD两端设置的高反向偏置电压在APD器件内部形成一个强电场区域。当有光入射到PN结上，并且光子的能量大于半导体材料的禁带宽度，则价带上的电子吸收一个光子而跃迁到导带，结果产生电子-空穴对，电子-空穴对经过强电场区域时被加速，获得足够的能量，在高速运动的过程中和APD材料晶格中的原子碰撞，使晶格中的原子电离，从而产生新的电子-空穴对，这种经过碰撞产生的电子-空穴对称为二次电子-空穴对，二次电子-空穴对在经过高电场区时又被加速，又可能碰撞晶格中的原子使其产生电离效应，激发出更多的电子-空穴对，这样经过多次碰撞-电离-更多的电子空穴对-加速运动-碰撞电离的结果，使APD器件内部载流子数目迅速增加，反向电流迅速加大，形成雪崩效应。图1中，输入的平均光功率通过光纤耦合直接照射在探测器的光敏面上，光敏面上镀了增透膜，防止光信号因大量反射而造成能量损失。
用APD做成的光接收器件，合适的偏置电压和其内在的雪崩效应是APD接收器件具有较高接收灵敏度的两个关键因素，而APD器件的内在雪崩效应在正常的偏置电压作用下才可以得到最佳的接收灵敏度。因此，最佳增益因子M与APD光电探测器的材料、APD反向偏置电压V、APD器件雪崩电压VB以及温度等因素密切有关，可以用以下简单的经验公式来描述：
M＝1/[1-(V/VB)n]
式中的系数n与APD器件的构成材料有关，对于典型的InGaAs材料n＝3.45。由上式可知，当实际偏置电压V远小于VB时，不足以使APD产生雪崩效应，APD产生的光生电流很小，因此M较小；当实际偏置电压V＝VB时，M趋向于无穷大，但是由于光电器件材料和制造工艺的限制以及雪崩倍增发生时产生的噪声也非常大，实际倍增因子(或增益系数)M值不可能达到无穷大；当偏置电压大于雪崩电压VB时，增益系数M会迅速下降，这时APD器件可能由于反向偏压过高而迅速击穿损坏，由此可见，实际偏置电压V通常设置在略低于VB附近，得到最佳增益因子M。另外，APD器件的增益对温度变化很敏感，图2给出了典型的10Gb/s APD器件的增益系数与偏置电压与温度的关系曲线。从图2曲线中可见，当温度升高时，VB值也在增大，如果此时偏置电压V不变，则增益系数M会下降许多，要想保证增益系数基本不变，必须在温度升高时相应增加APD反向偏置电压。所以APD器件偏置电压电路必须具有温度补偿功能。目前，比较通用的APD偏置电压电路普遍采用PWM(Pulse widemodulation，脉宽调制)升压转换器件及倍压电路来实现，如图3所示，输入电源通常是低电压，经过DC/DC升压电路及倍压电路变换后成为高电压，输出高电压可以通过控制端控制调节，并且能够随着环境温度的变化而变化，脉宽调制升压转换器件内部集成开关器件具有较高的极限耐压，再加上外部电路构成的倍压网络，使输出电压可高达75V以上。
APD光接收模块通常使用的APD偏置电路如图4所示，DC/DC升压电路包括APD偏置电压设定模块、APD偏置电压产生模块及APD温度传感器，在升压电路输出端和APD高压管脚之间串接一个误差为1％的精密电阻R作为光生电流的取样电阻，电阻两端分别用一个电阻分压网络，将电阻上由光生电流而产生的电位差送到一个精密仪表运算放大器的输入端，适当调节精密仪表运放的放大倍数，得到一个在输入光功率动态范围内随输入光功率近似线性变化的电压曲线，因此可以用来检测输入光功率值的大小。连接在APD高压管脚与地之间的电容C主要作滤波使用，以降低APD偏置电源的噪声干扰。取样电阻R的阻值一般不能选择太大，如果阻值选择太大，当输入光功率增大时，在该电阻上的电压降增大，导致精密仪表运算放大器的输入端电压大于其输入共模电压而不能正常工作，因而在高输入光功率条件下不能正确检测APD接收模块输入光功率的大小，另一方面，电阻R值过大也会造成如果输入平均光功率在过载点附近时，APD反向偏置电压过小而不能正常工作。上述电路，通过调节控制电压，可以使APD器件工作在最佳偏置电压附近从而得到最佳接收灵敏度，过载点测试也能够满足指标要求。在输入光功率动态范围内，APD的光生电流随输入光功率而线性变化，很好的工作。但是在实际工程中常常由于误操作等因素(例如，由于操作失误，误将从光放大器中输出的光信号不作衰减，直接接入到APD光接收模块，或光纤传输系统在线检查线路光纤时，光时域反射计发射的超强脉冲光会经过线路放大器到达中继端或接收端的APD光接收模块)使输入光功率大大超出APD输入过载光功率，使输入、输出的线性关系遭到破坏，造成APD器件不能正常工作甚至损坏的情况，特别是当输入光功率远大于APD器件的过载光功率时，由于此时APD器件的偏置电压使得APD仍然工作在最佳增益状态，光生电流会瞬时迅速增加到远大于APD的饱和输出电流，从而在极短的时间内迅速将APD器件损坏，给光模块制造商和客户均造成较大的损失。如何保证在较大输入光功率条件下，APD光接收器件不损坏已经成为光接收模块设计中必须解决的难题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：针对现有APD光接收模块在输入远大于过载光功率的强输入光功率时，常常会损坏的缺点，提供一种在过高输入光功率条件下具有过载保护装置的APD光接收模块。
本发明为解决上述技术问题所采用的技术方案为：
一种具有过载保护功能的APD光接收模块，包括：一雪崩光电二极管；一为所述雪崩光电二极管提供反向偏置电压的DC/DC升压电路；一用于输入光检测的取样电阻，所述取样电阻的一端与所述DC/DC升压电路的输出端连接；以及第一滤波电容；在所述取样电阻的另一端与所述雪崩二极管的反向偏压管脚之间串接一限流保护电阻，且所述限流保护电阻的阻值大于所述取样电阻的阻值；所述第一滤波电容接于所述取样电阻和所述限流保护电阻的连接处与地之间。
所述的APD光接收模块，其中：在所述限流保护电阻和所述雪崩光电二极管反向偏压管脚的连接处与地之间接有第二滤波电容。
所述的光接收模块，其中：当所述雪崩光电二极管采用的是传输速率为2.5Gb/s的雪崩光电二极管时，所述限流保护电阻的阻值设置在20kΩ至40kΩ之间；当所述雪崩光电二极管采用的是传输速率为10Gb/s的雪崩光电二极管时，所述限流保护电阻的阻值设置在10kΩ至20kΩ之间。
所述的光接收模块，其中：所述第一滤波电容取值为0.1uF；所述第二滤波电容取值为100pF。
本发明的有益效果为：采用了本发明的技术方案，由于在取样电阻与雪崩光电二极管反向偏压之间串接了一限流保护电阻，并且限流保护电阻远大于取样电阻，因此，当输入光功率过高时，瞬时产生较大的光生电流在限流保护电阻上产生的电压降会迅速增大，导致雪崩光电二极管的反向偏置电压也迅速降低下来，直至降低到雪崩光电二极管无法产生雪崩效应，此时即使APD光接收模块接收到很大的输入光功率，也不会产生很大的光生电流而造成雪崩光电二极管的过流损坏，从而起到了过载保护的作用。本发明提高了APD光接收模块对超强输入光功率的抵抗能力，并使APD光接收模块在实际光传输系统中在线运行的可靠性也大大提高。
附图说明
图1为APD光电探测器发生雪崩倍增效应过程示意图
图2为APD光电探测器的增益系数随温度变化的关系曲线
图3为通常采用的APD的DC/DC升压电路及倍压电路
图4为通常APD反向偏置电压电路框图
图5为电阻值不同时，APD输入平均光功率与其反向偏置电压关系曲线
图6为滤波电容值不同时，APD输入平均光功率与其反向偏置电压关系曲线
图7为具有过载保护功能的APD反向偏置电路
图8为具有过载保护功能的APD接收模块正常工作时输入较大平均光功率后的测试数据
具体实施方式
下面根据附图和实施例对本发明作进一步详细说明：
一种具有过载保护功能的光接收模块，如图7所示，包括一雪崩光电二极管，一为所述雪崩光电二极管提供反向偏置电压的DC/DC升压电路及其外围控制电路，一用作输入光检测的精密取样电阻，其作用是把APD产生的光生电流转换成电压，经后续的精密仪表放大器放大，利用APD输入光功率动态范围内检测电压与输入光功率的近似线性关系来检测APD输入光功率的大小，所述取样电阻的一端与所述DC/DC升压电路输出端连接；在所述取样电阻的另一端与所述雪崩二极管的反向偏压管脚之间串接一限流保护电阻，并使限流保护电阻的阻值远大于所述取样电阻的阻值。这样，当APD处于最佳偏置电压状态时，在正常输入光功率状态下，由于取样电阻要比限流保护电阻小许多，不影响取样检测的动态范围；如果输入光功率突然增大至过载状态，必然会产生瞬时较大的光生电流，伴随着瞬时光生电流的迅速增大，在限流保护电阻R2上的电压降也迅速增大，导致APD反向偏置电压也迅速降低下来。由前面分析我们知道，合适的反向偏置电压是APD器件发生雪崩效应的必然条件，当APD反向偏置电压降低到无法产生雪崩效应时，APD产生的光生电流很小，甚至只有很小的暗电流，此时即使接收到很大的输入光功率，也不会产生很大的光生电流，因而可以有效保护APD器件不再因接收到过强的输入光功率而过流损坏。为了降低电源噪声对APD器件接收灵敏度的影响，滤除电源噪声，充分发挥本发明装置的作用，除了在取样电阻与限流保护电阻的连接处与地之间接一滤波电容CI外，还在在所述限流电阻与所述雪崩二极管反向偏压管脚的连接处与地之间接有第二滤波电容C2。
APD光接收模块的过载保护性能与串接在DC/DC升压电路输出端与雪崩二极管的反向偏压管脚之间的电阻，以及滤波电容的取值大小有直接的关系。以下通过对图4所示的现有光接收模块框图中电阻电容参数选取的分析，为具有过载保护功能的APD光接收模块中相关阻容参数的选择和确定奠定基础。
APD器件正常工作的两个重要参数是反向偏置电压VAPD和最大工作电流iAPD，其中：
iAPD＝(M R0)Pin＝R Pin， (1)则
vAPD＝V-iAPD R(1-e-t/RC)＝V-(M R0)Pin R(1-e-t/RC) (2)
式(1)中：M是APD器件的倍增因子，R0是单位倍增响应度，R是APD器件的响应度，式(2)中Pin是平均输入光功率，V是DC/DC升压电路的输出直流电压值，R为电阻值，C是电容值。由公式2可见，M值与vAPD是有关的，即可以认为M是vAPD的函数，当vAPD到某一定值时，M值达到最大。
以典型的2.5Gb/s APD接收器件为例，假设DC/DC升压电路输出电压为75V(高速光通信用2.5Gb/s光电探测器APD雪崩电压的范围是40～80V)，典型的APD器件响应度R为8.5A/W，选择电容C＝0.1uF时，分别选择R＝5kΩ和R＝8kΩ，由公式(2)可以得到APD器件反向偏置电压VAPD与输入光功率Pin的曲线关系如图5所示。由图5曲线可见，在弱的输入光功率条件下几乎不影响APD的偏置电压，也就是说对增益系数几乎没有任何影响，因而对APD器件的接收灵敏度也几乎没有任何影响。随着输入光功率的增加，尤其是在大于过载光功率(＞-9dBm)之后，APD反向偏置电压会迅速下降，并且下降的速率根据电阻阻值不同而不同。图中曲线1对应电阻为R＝5kΩ，曲线2对应电阻为R＝8kΩ，比较着两组曲线可知，随着电阻值增大，在高输入光功率时APD反向偏置电压下降越快。但是当我们继续增加电阻值时会发现在APD器件过载点附近反向偏置电压值要下降，这时有可能会导致增益系数下降，造成APD器件在过载点附近不能正常工作，而影响了APD器件正常工作的动态范围，所以电阻R值的选择也不能任意增大，必须根据实际的APD光接收器件进行选择，保证在APD器件动态范围内能够正常工作是选择该电阻值的基本原则。
图6所示的APD器件反向偏置电压VAPD与输入光功率Pin的关系曲线，以滤波电容C为参变量，从而讨论滤波电容C值对APD反向偏置电压的影响。其中曲线2对应C＝0.1uF，曲线1对应C＝100uF，从两条曲线的比较中可看出，选择滤波电容值越小，在输入平均光功率升高时，APD反向偏置电压下降的越快，但电容过小会影响低频噪声的滤除效果；相反滤波电容值越大，在输入平均光功率升高时，APD反向偏置电压下降的缓慢一些。为了有效地保护APD器件，我们期望在强输入光功率增加时，APD反向偏置电压迅速降低，因此，为使光接收模块获得良好的过载保护性能，并兼顾其滤波效果，一般选择C＝0.1uF的电容。
上述分析的结果，同样适用本发明的APD光接收模块。只不过其中R＝取样电阻R1+限流保护电阻R2，而由于R2远大于R1，所以R2阻值的选取对于过载性能的影响具有决定性的意义。经过实际的仿真确定，对于2.5Gb/s的APD器件，限流保护电阻R2的选择范围为20kΩ到40kΩ，对于10Gb/s的APD器件，限流保护电阻R2的选择范围为10kΩ到20kΩ；而C2一般取值为100pF，以保证在输入光功率增大时，APD反向偏置电压降低的更快。
在实际的2.5Gb/s APD光接收模块电路中，DC/DC升压电路采用脉宽调制技术，其输出电压为范围为35～78V，而且是可通过外围控制电路调节输出电压大小的，为了适应温度变化，在外围控制端电路中增加了温度补偿网络，用来补偿因温度变化造成APD器件雪崩电压的变化，在APD接收模块工作全温度范围内线性补偿输出电压的变化。输入光功率检测取样电阻R1选择4.75k±1％的精密电阻，APD限流保护电阻R2选择20～40kΩ的电阻，滤波电容C1＝0.1uF，C2＝100pF，在正常工作条件下，输入+20dBm的平均光功率，测量APD器件的反向偏置电压已经降低到10V左右，此时的APD器件几乎没有倍增特性，光生电流很小，几乎相当于暗电流的强度，因而可以确保APD接收器件不再损坏。
为了验证上述保护措施的有效性，我们采用如图7所示的本发明具有过载保护功能的APD接收模块来进行实验验证，实验测试结果如图8表格所示。实验选用的APD接收器件的型号为OF3637B-CTM421，其雪崩电压分别为VB＝63.3V和VB＝64.9V，另外一种APD器件的型号为F0862482T，其雪崩电压为VB＝55.3V，光源统一采用Santec TSL-210可调谐激光器，其输出波长和平均功率均可调，最大输出光功率为+20dBm。实验时直接将较强的光功率输入到采用过载保护电路的APD接收模块中，APD接收模块处于上电状态，各种不同供应商的的APD器件经过10～60分钟时间的强光入射后再重新测试灵敏度和过载点，发现APD接收模块的接收灵敏度和过载点没有任何改变，而没有采用保护电路的APD接收模块在注入光功率大于0dBm时，APD器件瞬间就很快损坏。实验结果进一步证实了本发明具有过载保护装置的APD偏置电路可以有效地保护APD接收器件，避免强输入光时APD的过载损坏，大大地提高了APD接收模块在实际光传输系统中在线运行的可靠性。
可以理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，而所有这些改变或替换都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
Claims (4)
1、一种具有过载保护功能的光接收模块，包括：一雪崩光电二极管；一为所述雪崩光电二极管提供反向偏置电压的DC/DC升压电路；一用于输入光检测的取样电阻，所述取样电阻的一端与所述DC/DC升压电路的输出端连接；以及第一滤波电容；其特征在于：在所述取样电阻的另一端与所述雪崩二极管的反向偏压管脚之间串接一限流保护电阻，且所述限流保护电阻的阻值大于所述取样电阻的阻值；所述第一滤波电容接于所述取样电阻和所述限流保护电阻的连接处与地之间。
2、根据权利要求1所述的光接收模块，其特征在于：在所述限流保护电阻和所述雪崩光电二极管反向偏压管脚的连接处与地之间接有第二滤波电容。
3、根据权利要求1或2所述的光接收模块，其特征在于：当所述雪崩光电二极管采用的是传输速率为2.5Gb/s的雪崩光电二极管时，所述限流保护电阻的阻值设置在20kΩ至40kΩ之间；当所述雪崩光电二极管采用的是传输速率为10Gb/s的雪崩光电二极管时，所述限流保护电阻的阻值设置在10kΩ至20kΩ之间。
4、根据权利要求2或3所述的光接收模块，其特征在于：所述第一滤波电容取值为0.1uF；所述第二滤波电容取值为100pF。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 200410077688 CN100512056C (zh) | 2004-12-17 | 2004-12-17 | 具有过载保护功能的光接收模块 |
| PCT/CN2005/001761 WO2006063502A1 (fr) | 2004-12-17 | 2005-10-25 | Module de reception optique comprenant une photodiode avalanche a effet de protection contre les surcharges |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 200410077688 CN100512056C (zh) | 2004-12-17 | 2004-12-17 | 具有过载保护功能的光接收模块 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1790946A true CN1790946A (zh) | 2006-06-21 |
| CN100512056C CN100512056C (zh) | 2009-07-08 |
Family
ID=36587520
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 200410077688 Expired - Fee Related CN100512056C (zh) | 2004-12-17 | 2004-12-17 | 具有过载保护功能的光接收模块 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN100512056C (zh) |
| WO (1) | WO2006063502A1 (zh) |
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008046334A1 (fr) * | 2006-10-20 | 2008-04-24 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Équipement d'alimentation électrique et procédé pour récepteur de photodiode à avalanche |
| CN101110644B (zh) * | 2007-08-17 | 2011-04-06 | 华为技术有限公司 | 光探测器电源控制方法、控制模块、光接收装置 |
| CN102386967A (zh) * | 2011-10-12 | 2012-03-21 | 成都优博创技术有限公司 | 一种双通道光模块雪崩光电二极管的反向偏置电路 |
| CN102798466A (zh) * | 2011-05-27 | 2012-11-28 | 上海华魏光纤传感技术有限公司 | 一种带温度补偿的apd反偏电压控制电路 |
| CN106033225A (zh) * | 2015-03-16 | 2016-10-19 | 苏州旭创科技有限公司 | 低功耗apd偏压控制器与偏压控制方法及光电接收器 |
| CN106786453A (zh) * | 2016-12-07 | 2017-05-31 | 深圳市共进电子股份有限公司 | 一种光模块apd保护电路 |
| CN107204811A (zh) * | 2016-11-18 | 2017-09-26 | 索尔思光电（成都）有限公司 | 光接收器，包含它的光收发器，和保护光接收器中光电探测器的方法 |
| CN107231199A (zh) * | 2017-06-01 | 2017-10-03 | 上海市共进通信技术有限公司 | 具有过流保护功能的光模块 |
| CN109217272A (zh) * | 2018-11-07 | 2019-01-15 | 东莞铭普光磁股份有限公司 | 一种apd光模块及其保护电路与保护方法 |
| CN111092651A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-05-01 | 深圳市欧深特信息技术有限公司 | 一种光模块的灵敏度调试方法及装置 |
| WO2020113564A1 (zh) * | 2018-12-07 | 2020-06-11 | 深圳市大疆创新科技有限公司 | 一种激光接收电路及测距装置、移动平台 |
| CN111864688A (zh) * | 2020-07-07 | 2020-10-30 | 中国南方电网有限责任公司超高压输电公司昆明局 | 一种特高压直流控制保护系统otdr分层多级事件精准提取定位方法 |
| CN112003570A (zh) * | 2020-08-31 | 2020-11-27 | 中电科仪器仪表有限公司 | 一种高频宽带的毫米波噪声源及其制备方法 |
| CN112260247A (zh) * | 2020-12-23 | 2021-01-22 | 深圳市迅特通信技术有限公司 | Apd保护电路及装置 |
| CN112397594A (zh) * | 2020-11-04 | 2021-02-23 | 烽火通信科技股份有限公司 | 一种光电探测器及其制作方法 |
| CN113156404A (zh) * | 2020-01-21 | 2021-07-23 | 苏州一径科技有限公司 | 一种反向偏置电压调节装置及方法、以及激光雷达 |
| CN113625290A (zh) * | 2020-05-09 | 2021-11-09 | 华为技术有限公司 | 光电转换电路、光电测距设备、汽车及光电测距方法 |
| CN114362119A (zh) * | 2022-01-04 | 2022-04-15 | 武汉电信器件有限公司 | 一种apd保护电路结构 |
| CN115039052A (zh) * | 2020-03-13 | 2022-09-09 | 华为技术有限公司 | 偏置电压调节方法、装置及光模块 |
| CN115328260A (zh) * | 2022-08-15 | 2022-11-11 | 北京控制工程研究所 | 一种基于温度与偏压闭环反馈的apd灵敏度控制装置 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103634043A (zh) * | 2013-11-27 | 2014-03-12 | 桂林聚联科技有限公司 | 一种将apd探测器用于突发光信号功率探测的装置和方法 |
| CN109525312A (zh) * | 2019-01-15 | 2019-03-26 | 哈尔滨工业大学（深圳） | 一种光电探测器保护装置与方法 |
| CN113824319A (zh) * | 2020-06-19 | 2021-12-21 | 瑞昱半导体股份有限公司 | 光接收器装置、脉冲宽度调制器电路系统与灵敏度控制方法 |
| CN113394208B (zh) * | 2021-05-25 | 2023-05-05 | 武汉光迅科技股份有限公司 | 一种光电探测器 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5373152A (en) * | 1992-01-31 | 1994-12-13 | Nec Corporation | Resonance-type optical receiver circuit having a maximum amplifier input controlled by using an amplifier feedback and its method of receiving |
| GB0307721D0 (en) * | 2003-04-03 | 2003-05-07 | Texas Instruments Ltd | Improvements in or relating to photodetection |
-
2004
- 2004-12-17 CN CN 200410077688 patent/CN100512056C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-10-25 WO PCT/CN2005/001761 patent/WO2006063502A1/zh active Application Filing
Cited By (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008046334A1 (fr) * | 2006-10-20 | 2008-04-24 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Équipement d'alimentation électrique et procédé pour récepteur de photodiode à avalanche |
| CN101110644B (zh) * | 2007-08-17 | 2011-04-06 | 华为技术有限公司 | 光探测器电源控制方法、控制模块、光接收装置 |
| CN102798466A (zh) * | 2011-05-27 | 2012-11-28 | 上海华魏光纤传感技术有限公司 | 一种带温度补偿的apd反偏电压控制电路 |
| CN102386967A (zh) * | 2011-10-12 | 2012-03-21 | 成都优博创技术有限公司 | 一种双通道光模块雪崩光电二极管的反向偏置电路 |
| CN102386967B (zh) * | 2011-10-12 | 2014-07-30 | 成都优博创技术有限公司 | 一种双通道光模块雪崩光电二极管的反向偏置电路 |
| US10193635B2 (en) | 2015-03-16 | 2019-01-29 | Innolight Technology (Suzhou) Ltd. | Low-power APD bias controller, bias control method, and photoelectric receiver |
| CN106033225A (zh) * | 2015-03-16 | 2016-10-19 | 苏州旭创科技有限公司 | 低功耗apd偏压控制器与偏压控制方法及光电接收器 |
| CN106033225B (zh) * | 2015-03-16 | 2017-08-25 | 苏州旭创科技有限公司 | 低功耗apd偏压控制器与偏压控制方法及光电接收器 |
| CN107204811A (zh) * | 2016-11-18 | 2017-09-26 | 索尔思光电（成都）有限公司 | 光接收器，包含它的光收发器，和保护光接收器中光电探测器的方法 |
| CN106786453B (zh) * | 2016-12-07 | 2019-09-17 | 深圳市共进电子股份有限公司 | 一种光模块apd保护电路 |
| CN106786453A (zh) * | 2016-12-07 | 2017-05-31 | 深圳市共进电子股份有限公司 | 一种光模块apd保护电路 |
| CN107231199A (zh) * | 2017-06-01 | 2017-10-03 | 上海市共进通信技术有限公司 | 具有过流保护功能的光模块 |
| CN107231199B (zh) * | 2017-06-01 | 2019-08-06 | 上海市共进通信技术有限公司 | 具有过流保护功能的光模块 |
| CN109217272A (zh) * | 2018-11-07 | 2019-01-15 | 东莞铭普光磁股份有限公司 | 一种apd光模块及其保护电路与保护方法 |
| CN112219330A (zh) * | 2018-12-07 | 2021-01-12 | 深圳市大疆创新科技有限公司 | 一种激光接收电路及测距装置、移动平台 |
| WO2020113564A1 (zh) * | 2018-12-07 | 2020-06-11 | 深圳市大疆创新科技有限公司 | 一种激光接收电路及测距装置、移动平台 |
| CN111092651A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-05-01 | 深圳市欧深特信息技术有限公司 | 一种光模块的灵敏度调试方法及装置 |
| CN111092651B (zh) * | 2019-12-31 | 2022-10-21 | 深圳市欧深特信息技术有限公司 | 一种光模块的灵敏度调试方法及装置 |
| CN113156404A (zh) * | 2020-01-21 | 2021-07-23 | 苏州一径科技有限公司 | 一种反向偏置电压调节装置及方法、以及激光雷达 |
| CN115039052A (zh) * | 2020-03-13 | 2022-09-09 | 华为技术有限公司 | 偏置电压调节方法、装置及光模块 |
| CN115039052B (zh) * | 2020-03-13 | 2024-04-12 | 华为技术有限公司 | 偏置电压调节方法、装置及光模块 |
| CN113625290A (zh) * | 2020-05-09 | 2021-11-09 | 华为技术有限公司 | 光电转换电路、光电测距设备、汽车及光电测距方法 |
| CN111864688A (zh) * | 2020-07-07 | 2020-10-30 | 中国南方电网有限责任公司超高压输电公司昆明局 | 一种特高压直流控制保护系统otdr分层多级事件精准提取定位方法 |
| CN112003570A (zh) * | 2020-08-31 | 2020-11-27 | 中电科仪器仪表有限公司 | 一种高频宽带的毫米波噪声源及其制备方法 |
| CN112003570B (zh) * | 2020-08-31 | 2022-07-19 | 中电科思仪科技股份有限公司 | 一种高频宽带的毫米波噪声源及其制备方法 |
| CN112397594A (zh) * | 2020-11-04 | 2021-02-23 | 烽火通信科技股份有限公司 | 一种光电探测器及其制作方法 |
| CN112260247A (zh) * | 2020-12-23 | 2021-01-22 | 深圳市迅特通信技术有限公司 | Apd保护电路及装置 |
| CN114362119A (zh) * | 2022-01-04 | 2022-04-15 | 武汉电信器件有限公司 | 一种apd保护电路结构 |
| CN115328260A (zh) * | 2022-08-15 | 2022-11-11 | 北京控制工程研究所 | 一种基于温度与偏压闭环反馈的apd灵敏度控制装置 |
| CN115328260B (zh) * | 2022-08-15 | 2023-06-30 | 北京控制工程研究所 | 一种基于温度与偏压闭环反馈的apd灵敏度控制装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2006063502A1 (fr) | 2006-06-22 |
| CN100512056C (zh) | 2009-07-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100512056C (zh) | 具有过载保护功能的光接收模块 | |
| CN104320200B (zh) | 保护apd接收器的电路、光模块及方法 | |
| CN101447830B (zh) | 具有数字监控上报功能的epon局端光电模块 | |
| EP3339888B1 (de) | Lichtempfänger mit einer vielzahl von lawinenphotodiodenelementen im geiger-modus und verfahren zur temperaturkompensation | |
| CN105988497A (zh) | 单光子雪崩光电二极管的超额偏压控制系统与方法 | |
| WO1981002793A1 (en) | Photon detector system | |
| CN103368640B (zh) | 扩展光模块数字诊断监控改进系统 | |
| CN201256288Y (zh) | 雪崩光电二极管偏压保护装置及电路 | |
| CN105241796A (zh) | 粉尘检测装置 | |
| CN1503378B (zh) | 用于检测入射光的光检测器及方法 | |
| CN204631100U (zh) | 适用于雷电过电压环境的高速光隔离电压传感器 | |
| CN108318132B (zh) | 一种扩大apd线性探测范围的装置 | |
| US4754131A (en) | Devices using avalanche photodiode and capable of detecting a small number of photons | |
| CN205120534U (zh) | 粉尘检测装置 | |
| CN201369735Y (zh) | 一种具有数字监控上报功能的epon局端光电模块 | |
| CN104833838A (zh) | 高塔雷电流测量装置和方法 | |
| CN213244008U (zh) | 保护单光子探测器强光攻击及标定参数的自适应装置 | |
| CN203590236U (zh) | 一种自动光功率控制装置 | |
| US8026538B2 (en) | Photo-detecting apparatus and photo-detecting method | |
| CN214583654U (zh) | 一种提高光电二极管动态范围的装置 | |
| CN2356356Y (zh) | 一种硅光敏二极管X、γ和β射线探测器 | |
| CN219392540U (zh) | 一种测距设备及其高压生成电路 | |
| CN115865185B (zh) | 大光保护装置、光模块及大光保护方法 | |
| Li et al. | Design of a POF receiver with integrated photodiode in 0.5 µm BCD process | |
| CN220823082U (zh) | 一种光信号接收处理模块 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20090708 |