CN1790602A - 阴极射线管的荫罩 - Google Patents

Abstract

公开了一种用于阴极射线管的荫罩。当形成于荫罩的各个沟槽的较小孔部分的宽度被定义为Sw、靠近荫罩的边缘部分的面对各个沟槽的面板侧的锥形较大孔部分的端部与靠近荫罩的边缘部分的较小孔部分的端部之间的水平距离被定义为Ta、电子束穿过各个沟槽的入射角被定义为θ时，荫罩具有至少这样一个沟槽，电子束以大于47度的入射角θ穿过该沟槽，并且电子束以大于47度的入射角θ穿过的该至少一个沟槽被配置满足如下不等式：1＜Ta/Sw＜2。

Description

阴极射线管的荫罩

技术领域

本发明涉及用于阴极射线管(CRT)的荫罩，并且更具体地涉及用于阴极射线管的具有沟槽的荫罩，所述沟槽的形状被优化以防止沟槽与电子束之间的干扰，这种干扰会出现在广角薄型阴极射线管中。

背景技术

图1为部分剖开的侧视图，显示了传统阴极射线管的内部构造。

如图1所示，传统的阴极射线管包括面板1、漏斗2、荫罩3、屏幕4、框架5、弹簧6、内屏蔽7、偏转轭8、电子枪9和强化带10。

传统的阴极射线管以如下方式工作：从电子枪9中发射的电子束由置于漏斗2颈部的偏转轭8进行垂直和水平偏转，然后通过形成于荫罩3的沟槽抵达屏幕4即施加于面板1的内表面的荧光面。此时，屏幕4由电子束的能量发光，以使图像重现，由此用户可以通过面板1观看被重现的图像。

通常，荫罩3在与面板1平行的情况下被支撑。为此目的，阴极射线管的框架5通过焊接被固定在荫罩的一侧。同样，弹簧被置于框架5和面板1之间以安全地将框架5与面板1相连。

阴极射线管的内屏蔽7用于拦截地磁以防止电子束移动的路径被地磁弯曲。同样，强化带10被连接于阴极射线管以分散施加给面板1的应力。

阴极射线管的总长度大于其他类型的显示单元如液晶显示器(LCD)或等离子显示板(PDP)的总长度，这是由其图像再现方式造成的。由于这个原因，近来已进行了各种努力来薄化阴极射线管。这是因为阴极射线管的薄化可以显著增强其竞争力。

薄化的阴极射线管具有减少的总长度，因此，电子束的偏转角便增加了。当电子束的偏转角被增加时，在电子束和荫罩之间会出现干扰，这一点将会在下面参照图2进行详细描述。

图2是显示电子束穿过荫罩3的沟槽3a的路径的图。

在传统的阴极射线管的情况下，离开偏转中心的面板的有效表面的对角端之间的偏转角为大约90度到110度。但是，在总长度为35cm或更小的广角薄型阴极射线管的情况下，偏转中心会由于总长度的减少而移向面板，因此偏转角增加至120度或更多。

图2中显示的路径之一为在传统的阴极射线管中电子束穿过形成于荫罩3的沟槽3a的路径，而图2中显示的另一条路径则是在薄型阴极射线管中电子束穿过形成于荫罩3的沟槽3a的路径。具体地，图2显示了传统的阴极射线管中电子束以偏转角β穿过荫罩3的沟槽的情况，以及薄型阴极射线管中电子束以偏转角α穿过荫罩3的沟槽的另一种情况。

沿着电子束穿过薄型阴极射线管的荫罩3的路径，以偏转角α穿过荫罩3的电子束与荫罩3的一侧碰撞，结果是在电子束和荫罩3的沟槽之间发生干扰。

为了解决由上述干扰引起的问题，必须适当地改变形成于荫罩3的沟槽3a的形状。特别的，优选增加荫罩3的沟槽3a的宽度，这可以防止电子束和荫罩3的沟槽之间的干扰。

随着阴极射线管变大变平，荫罩3也被平坦化。由此，荫罩3的结构强度减少，因此会产生一些问题，如屈曲失真、由外部冲击造成的振动和热失真。

当形成于荫罩3的沟槽3a的宽度增加时，荫罩3的结构强度进一步被减少，因此，需要有增加荫罩的结构强度的方法。

发明内容

因此，基于上述问题进行了本发明。本发明的一个目的是为广角薄型阴极射线管提供一种有沟槽的荫罩，所述沟槽的形状被适当改变以防止所述沟槽与电子束之间的干扰，由此防止图像失真和在阴极射线管的边缘部分的亮度降低。

本发明的另一个目的是为阴极射线管提供一种荫罩，其中在荫罩和电子束之间不出现干扰的范围内减少荫罩的各个沟槽的宽度和适当改变沟槽的布置，以使得荫罩被平坦化并且阻止由于荫罩的各个沟槽的宽度增加而导致的荫罩的结构强度的减少。

根据本发明，可以通过提供用于阴极射线管的荫罩来实现上述以及其他目的，所述荫罩具有多个沟槽，电子束穿过所述沟槽以用于分选所述电子束的颜色，其中，当电子束所通过的各个沟槽的较小孔部分的宽度被定义为Sw时，靠近荫罩的边缘部分的面对各个沟槽的面板侧的锥形较大孔部分的端部与靠近荫罩的边缘部分的较小孔部分的端部之间的水平距离被定义为Ta，电子束通过各个沟槽的入射角被定义为θ，荫罩具有至少这样一个沟槽，电子束以大于47度的入射角θ穿过该沟槽，并且电子束以大于47度的入射角θ穿过的该至少一个沟槽被配置满足如下不等式：1＜Ta/Sw＜2。

优选地，当荫罩的厚度被定义为t时，荫罩的该至少一个沟槽被配置满足如下不等式：1＜Ta/t＜2。

优选地，荫罩的该至少一个沟槽被配置满足如下不等式：Ta＜0.380mm。

根据本发明的第二个优选实施例，靠近荫罩的中心部分的较大孔部分的端部向各个沟槽的中心突出，以便各个沟槽的面积被减小以增加荫罩的结构强度。

优选地，靠近荫罩的中心部分的较大孔部分的端部比较小孔部分的中心更靠近荫罩的中心部分，并且当靠近荫罩的中心部分的较大孔部分的端部与较小孔部分的中心的水平距离被定义为Di时，该至少一个沟槽被配置满足如下不等式：0≤Di≤Sw/2。

优选地，靠近荫罩的中心部分的较大孔部分的端部比较小孔部分的中心更靠近荫罩的边缘部分，并且当较大孔部分的宽度被定义为D时，该至少一个沟槽被配置满足如下不等式：D≥Sw。

优选地，当较大孔部分的宽度被定义为D而荫罩的厚度被定义为t时，该至少一个沟槽被配置满足如下不等式：D≤2.5×t。

根据本发明的第三个优选实施例，当从荫罩的一个沟槽的中心到另一个相邻的沟槽的中心的水平距离被定义为Ph，配置荫罩以使得荫罩的中心部分的Ph(A)和荫罩的有效表面的对角的端部的Ph(F)满足如下不等式：140％≤F/A≤180％，由此荫罩端部的强度与荫罩中心部分相比被相对增加。

优选地，当荫罩沿主轴方向的有效表面的对角的端部的Ph被定义为D时，配置荫罩以满足如下不等式：140％≤D/A≤180％。

优选地，当在对应于沿着短轴方向从荫罩的中心部分到荫罩的端部的距离的1/2的位置处的Ph被定义为B，而在对应于沿着主轴方向从荫罩的有效表面的端部到沿着短轴方向的荫罩的端部的距离的1/2的位置处的Ph被定义为E时，配置荫罩以满足如下不等式：140％≤E/B≤180％。

优选地，当沿着短轴方向的荫罩的有效表面的端部的Ph被定义为C时，配置荫罩以满足如下不等式：140％≤F/C≤180％。同样优选地，配置荫罩以使得荫罩中心部分的Ph(A)和荫罩有效表面的对角端部的Ph(F)满足如下不等式：150％≤F/A≤180％。

优选地，荫罩被应用于具有120度或更大偏转角的薄型阴极射线管。

附图说明

本发明的上述以及其他目的、特征和优点在结合附图进行的下述详细的描述中会得到更加清楚地理解。

图1为局部剖开的侧视图，显示了传统阴极射线管的内部结构；

图2为显示电子束穿过荫罩的沟槽的路径的图；

图3为显示正常电子束和失真的电子束的形状的图；

图4为显示根据本发明的较大孔部分的宽度被增加的荫罩的图；

图5为显示本发明的荫罩的沟槽和传统荫罩的沟槽之间的对比的图；

图6和图7为分别显示根据本发明的荫罩的较大孔部分的宽度范围的图；

图8为显示阴极射线管的偏转角的图；

图9为显示根据本发明的第二个优选实施例的荫罩的沟槽的形状的图；

图10和图11为分别显示较大孔部分的宽度被减少的荫罩的沟槽的形状的图；

图12为显示荫罩的各个相邻沟槽之间的距离Ph的图；

图13为显示根据本发明的第三个优选实施例的阴极射线管的荫罩的前视图。

具体实施方式

现在将参照附图详细描述本发明的优选实施例。在附图中，同样的部件由相同的参考标记表示，尽管这些同样的部件被显示于不同的附图中。

图4为显示根据本发明的较大孔部分的宽度被增加的荫罩30的图；图5为显示本发明的荫罩的沟槽和传统荫罩的沟槽之间的对比的图；图6和图7为分别显示根据本发明的荫罩的较大孔部分的宽度范围的图。

如图4所示，用于分选电子束的颜色的沟槽被形成于荫罩30处。实际上，荫罩具有多个沟槽，但是为了显示及描述的清楚只画出并描述了一个沟槽。该沟槽包括具有最窄宽度的较小孔部分31和形成于锥形形状中面对沟槽的面板侧的较大孔部分32。较小孔部分31的宽度被定义为Sw，较大孔部分靠近荫罩30的边缘部分的端部和较小孔部分靠近荫罩30的边缘部分的端部之间的水平距离被定义为Ta，电子束穿过沟槽的入射角被定义为θ。

入射角θ是电子束穿过沟槽到中心轴的角度。薄型阴极射线管的电子束的入射角θ大于传统阴极射线管的电子束的入射角。

图5是显示本发明的荫罩的沟槽和传统荫罩的沟槽之间的对比的图。根据本发明的荫罩的沟槽的较大孔部分32以实线画出。如图5所示，根据本发明的荫罩的沟槽的较大孔部分的宽度大于用虚线画出的传统荫罩的沟槽的较大孔部分的宽度。

电子束碰撞较大孔部分32邻近荫罩的边缘部分的一侧，结果是在电子束和较大孔部分32之间发生干扰。因此，优选地是切除较大孔部分邻近荫罩的边缘部分的该侧，以便增加较大孔部分32的宽度。

当根据本发明的荫罩被应用于薄型阴极射线管时，荫罩具有至少这样一个沟槽，电子束以大于47度的入射角θ穿过该沟槽。此时，电子束以大于47度的入射角θ穿过的该沟槽被优选配置以便Ta满足如下不等式：1＜Ta/Sw＜2。

当较大孔部分32的宽度要调整时，较大孔部分32靠近荫罩30的边缘部分的端部和较小孔部分31靠近荫罩30的边缘部分的端部如图4所示进行调整。

同样，当电子束的入射角为具有超过预定值的广角时会出现电子束与沟槽之间的干扰。因此，优选地，只要入射角θ大于47度就增加Ta的值。

另一方面，电子束和沟槽之间的干扰还受荫罩30的较小孔部分的宽度Sw的影响，因此，根据Sw的值在Ta的值增加时的不等式，需要Ta的值满足预定的范围。

根据本发明，较大孔部分的端部和较小孔部分的端部之间的距离Ta的值与较小孔部分的宽度Sw的比率介于1和2之间。

通常，随着沟槽从荫罩30的中心部分向荫罩30的边缘部分靠近，沟槽在荫罩30处被大量形成，以使得通过沟槽的电子束的量被增加。但是，在这种情况下，随着阴极射线管的面板从中心部分向边缘部分逐渐变厚，电子束通过面板的边缘部分的透射率降低，因此，亮度均匀性(B/U)降低。因此，形成于荫罩30的边缘部分的沟槽的宽度被增加以增加亮度并由此增加亮度均匀性。

随着电子束接近荫罩30的边缘部分，其偏转角θ逐渐增加，因此有必要增加Ta的值。如上所述，随着较小孔部分接近荫罩30的边缘部分，其宽度Sw的值被增加。因此，在Ta满足如下不等式：1＜Ta/Sw＜2的同时增大Ta的值，并且因此可以阻止由于电子束与沟槽的碰撞而造成的电子束与沟槽之间的干扰。

要求Ta的值满足不等式Ta/Sw＜2是为了防止荫罩30的结构强度的降低，该降低的情况在Ta的值被过度增加时会发生。

在增加Ta的值以防止电子束与沟槽之间的干扰时，需要Ta的值根据荫罩30的厚度值t的不等式而满足预定的范围。

在根据本发明的荫罩中，优选配置荫罩的沟槽以使得Ta进一步满足不等式：1＜Ta/t＜2，其中t为荫罩的厚度。

通常，由于其降低特性，荫罩30厚度的降低要受到限制。通常，荫罩30的厚度为0.22mm或0.25mm。

当荫罩30的厚度增加时，电子束与之碰撞的沟槽的一侧的高度增加。因此，与具有相对较小厚度的荫罩30相比，电子束和沟槽之间的干扰会很容易发生。因此，随着荫罩的厚度t的增加，优选配置沟槽以使得Ta的值在满足上述范围的同时增加。

要求Ta的值满足不等式Ta/t＜2也是为了防止荫罩30的结构强度的降低，该降低的情况在Ta的值被过度增加时会发生。

图6和图7为分别显示根据本发明的荫罩的较大孔部分的宽度范围的图。

如图6所示，形成于荫罩的沟槽的较大孔部分的宽度被增加了。当较大孔部分的宽度被增加时，较大孔部分的宽度朝荫罩30的边缘部分增加以防止电子束与沟槽之间的干扰。

对以实线画出的根据本发明的荫罩的沟槽的较大孔部分进行设计以使得较大孔部分的宽度介于Sw与2×Sw之间以便防止电子束与沟槽之间的干扰，并防止由于沟槽的宽度的过度增加而造成的荫罩的结构强度的降低。

如图7所示，对以实线画出的根据本发明的荫罩的沟槽的较大孔部分进行设计以使得较大孔部分的宽度介于t与2×t之间。

下面将参照下述表对根据本发明的优选实施例具有上述结构的荫罩进行描述。

[表1]

X	0	48	95	142	188	234	278	305
									Sw	0.163	0.168	0.175	0.188	0.200	0.213	0.225	0.238
Ta	0.000	0.941	0.082	0.108	0.144	0.168	0.199	0.217
									θ	0.0	9.4	18.1	23.3	30.0	34.0	38.5	40.9
Ta/Sw	0.0	0.2	0.5	0.6	0.7	0.8	0.9	0.9
									Ta/t	0.0	0.2	0.3	0.4	0.6	0.7	0.8	0.9

(荫罩的厚度：0.25mm)

[表2]

x	0	48	95	142	188	234	278	305
									Sw	0.163	0.168	0.175	0.188	0.200	0.213	0.225	0.238
Ta	0.000	0.069	0.136	0.179	0.237	0.274	0.316	0.335
									θ	0.0	15	29	36	43	48	52	53
Ta/Sw	0.0	0.4	0.8	1.0	1.2	1.3	1.4	1.4
									Ta/t	0.0	0.3	0.5	0.7	0.9	1.1	1.3	1.3

(荫罩的厚度：0.25mm)

[表3]

x	0	48	95	142	188	234	278	305
									Sw	0.143	0.147	0.154	0.165	0.176	0.187	0.198	0.209
Ta	0.000	0.061	0.120	0.158	0.208	0.241	0.278	0.295
									θ	0.0	15	29	36	43	48	52	53
Ta/Sw	0.0	0.4	0.8	1.0	1.2	1.3	1.4	1.4
									Ta/t	0.0	0.2	0.5	0.6	0.8	1.0	1.1	1.2

(荫罩的厚度：0.22mm)

表1显示了现有技术的Ta值分别与Sw和t值的比率，表2和表3显示了本发明的Ta值分别与Sw和t值的比率。

从表1可以看出，随着传统荫罩30的沟槽的宽度从荫罩的中心部分向边缘部分增加，Ta值增加。但是，Ta与Sw的比率(Ta/Sw)低于1，Ta与t的比率(Ta/t)也低于1。当基于现有技术的上述比率将沟槽形成于应用于薄型阴极射线管的荫罩时，不能有效防止电子束和沟槽之间的干扰。

从表2和3可以看出，随着荫罩30的沟槽的较小孔部分的宽度沿荫罩30的长边从荫罩的中心部分向边缘部分增加，Ta值增加。特别地，电子束以大于47度的入射角θ穿过的沟槽的Ta与Sw的比率(Ta/Sw)介于1和2之间。

当荫罩的厚度t为0.25mm或0.22mm时，电子束以大于47度的入射角θ穿过的沟槽的Ta值大于荫罩的厚度t。特别地，电子束以大于47度的入射角θ穿过的沟槽的Ta与t的比率(Ta/t)介于1和2之间。

如上所述形成荫罩30的沟槽以有效防止沟槽与电子束之间的干扰。当在荫罩处形成沟槽以使得在沟槽和电子束之间不发生干扰时，就防止了荫罩30的结构强度的降低，该降低的情况在沟槽的宽度被过度增加时会发生。

优选地，形成荫罩的沟槽以使得沟槽的宽度Ta进一步满足不等式Ta＜0.380mm，由此有效防止荫罩30的结构强度的降低。

图8为显示阴极射线管的偏转角的图。如图8所示，从偏转中心n到面板1的有效表面的对角端之间的角度被定义为ε。

根据本发明具有上述构造的阴极射线管的荫罩可以被应用于具有120度或更高偏转角ε的薄型阴极射线管，由此提供上面业已描述的期望效果。

当在荫罩处大量形成沟槽时，荫罩的结构强度被减少，由此会产生一些问题，如屈曲失真、由外部冲击造成的振动和热失真。因此如上所述优选地增加大量形成沟槽的荫罩的结构强度。

根据本发明的第二个优选实施方式，靠近荫罩的中心部分的较大孔部分的端部向沟槽的中心突出，以便沟槽的面积减少而增加荫罩的结构强度。

下面将参照图9至图11详细描述根据本发明的第二个优选实施方式的荫罩。

图9为显示根据本发明的第二个优选实施方式的荫罩的沟槽的形状的图，图10和图11为分别显示较大孔部分的宽度被减少的荫罩的沟槽的形状的图。

如图9所示，与本发明的第一个优选实施方式一样，荫罩30的沟槽包括较小孔部分31和较大孔部分32。荫罩30的宽度被定义为t。

靠近荫罩30的边缘部分的较大孔部分32的一端具有足以防止电子束和沟槽之间的干扰的宽度，这一点结合上面本发明的实施例已进行了描述。

靠近荫罩30的中心部分的较大孔部分32的另一端与电子束和沟槽之间的干扰没有关系，因此靠近荫罩30的中心部分的较大孔部分32的该端可以向沟槽的中心突出。

根据现有技术的靠近荫罩30的中心部分的较大孔部分32的端部用虚线画出。另一方面，根据本发明的第二个优选实施方式的靠近荫罩30的中心部分的较大孔部分32的端部用实线画出。

当如上所述形成根据本发明的第二个优选实施方式的靠近荫罩30的中心部分的较大孔部分32的端部时，荫罩30的沟槽的宽度被减少，而不考虑电子束和沟槽之间的干扰。结果，荫罩的结构强度增加，并且因此消除了诸如屈曲失真、由外部冲击造成的振动和热失真这些问题。

当靠近荫罩30的中心部分的较大孔部分32的端部的形状被改变时，需要考虑电子束与沟槽之间的干扰以及形成沟槽的容易性。

如图10所示，较小孔部分31的宽度被定义为Sw，靠近荫罩30的中心部分的较大孔部分32的端部与较小孔部分31的中心的水平距离被定义为Di。

同样，荫罩30的厚度被定义为t，较小孔部分31的中心与较小孔部分31的一端的宽度为Sw/2。

特别地，当靠近荫罩的中心部分的较大孔部分32的端部比较小孔部分31的中心更靠近荫罩的中心部分时，配置沟槽以使得较小孔部分31的宽度Sw以及靠近荫罩30的中心部分的较大孔部分32的端部与较小孔部分31的中心的水平距离Di满足不等式：0≤Di≤Sw/2。

当靠近荫罩的中心部分的较大孔部分32的端部比较小孔部分31的中心更靠近荫罩的中心部分时，沟槽不会受电子束和沟槽之间的干扰的影响。当Di大于Sw/2时，荫罩的沟槽的宽度被轻微减小，因此荫罩30的结构强度不会被充分增加。

参照图11，沟槽包括较小孔部分31和面向沟槽的面板侧的较大孔部分32。较大孔部分32的宽度被定义为D。

当沟槽的较大孔部分32的一侧突出以减少沟槽的总体面积时，靠近荫罩的中心部分的较大孔部分32的端部比较小孔部分31的中心更靠近荫罩的边缘部分，如图11所示。在这种情况下，配置沟槽以使得较小孔部分的宽度Sw和较大孔部分的宽度D满足不等式：D≥Sw。

如上所述配置沟槽的原因在于：当靠近荫罩的中心部分的较大孔部分32的端部比较小孔部分31的中心更靠近荫罩的边缘部分时，取决于较大孔部分32的宽度D，在电子束和靠近荫罩的中心部分的较大孔部分32的端部之间会发生干扰。因此，较大孔部分的宽度D大于较小孔部分的宽度Sw，并且因此荫罩30的结构强度在能防止电子束和沟槽之间的干扰的范围内增加。

但是另一方面，为了有效增加荫罩30的结构强度，优选配置沟槽以使得较大孔部分32的宽度D和荫罩30的厚度t满足不等式：D≤2.5×t。

换句话说，配置沟槽以使得满足不等式D≥Sw并同时满足不等式D≤2.5×t以在能防止电子束和沟槽之间的干扰的范围内增加荫罩30的结构强度。

下面的表显示了根据本发明的阴极射线管的荫罩的结构强度。

[表4]

结构强度(G)	29”	32”
			现有技术	20	17
本发明	22	19

从表4可以看出，根据本发明的第二个优选实施方式具有沟槽的宽度在能防止电子束和沟槽之间的干扰的范围内减少的沟槽的荫罩具有高于传统荫罩大约10％的结构强度。

荫罩30的结构强度可以由公式：g＝C×E×t/(r×R²)计算，其中E为有效物理特性值，t为荫罩的厚度，r为荫罩的密度，R为荫罩的曲率半径，c为常数。

当根据本发明在荫罩30处形成的沟槽的面积减少时，有效物理特性值增加，因此整个荫罩30的结构强度增加。因此，在不改变荫罩30的曲率的情况下就可以增加荫罩30的结构强度。

除了如上所述通过改变荫罩30的沟槽的形状来实现荫罩30的结构强度的增加之外，还可以通过适当地改变形成于荫罩30的沟槽的布置来增加荫罩30的结构强度。

根据本发明的第三个优选实施方式，配置荫罩以使得荫罩的中心部分的Ph(A)和荫罩的有效表面的对角的端部的Ph(F)满足如下不等式：140％≤F/A≤180％，其中，Ph是从一个沟槽的中心到另一个相邻的沟槽的中心的水平距离，由此荫罩边缘部分的强度与荫罩中心部分相比被相对增加。

下面将参照图12和图13详细描述根据本发明的第三个优选实施方式的荫罩。

图12为显示荫罩的各个相邻沟槽之间的距离Ph的图，图13为显示根据本发明的第三个优选实施例的阴极射线管的荫罩的前视图。

如图12所示，荫罩30的各个相邻沟槽之间的距离被定义为Ph。

图13显示了根据本发明的阴极射线管的荫罩的四分之一前表面。第一沟槽列在荫罩30的中心部分沿短轴垂直排列，而其他沟槽列则在沿着主轴与第一沟槽列平行的情况下沿短轴排列。以此方式，在荫罩30处形成多个沟槽列。

根据彼此沿主轴相互平行的在荫罩处形成的沟槽列的数目是奇数还是偶数，形成于荫罩30的中心部分的沟槽列可以对应于荫罩30的短轴，或者形成于荫罩30的中心部分的沟槽列可以与荫罩30的短轴平行并同时与荫罩30的短轴隔开预定的距离。

位于荫罩30的中心部分的沟槽的中心与相邻沟槽列的沟槽的中心之间的水平间距Ph被定义为A，沿短轴方向在第一沟槽列的中间位置的沟槽的中心，即在对应于沿短轴方向从荫罩的中心部分到荫罩的端部的距离的1/2的位置的沟槽的中心与邻近第一沟槽列的第二沟槽列的沟槽的中心之间的水平间距Ph被定义为B，沿短轴方向在荫罩的端部的第一沟槽列的沟槽的中心和邻近第一沟槽列的第二沟槽列的沟槽的中心之间的水平间距Ph被定义为C。

假设沿短轴排列且沿主轴方向形成于荫罩的端部的沟槽列为第n沟槽列，也定义第n沟槽列和相邻的第n-1沟槽列之间的水平间距Ph。沿主轴方向位于荫罩30的有效表面的端部的沟槽的中心与相邻沟槽列的沟槽的中心的水平间距被定义为D，沿主轴方向的荫罩的有效表面的端部的沿短轴方向在第n沟槽列的中间位置的沟槽的中心，即在对应于从沿主轴方向的荫罩的有效表面的端部到沿短轴方向的荫罩的端部的距离的1/2的位置的沟槽的中心，与邻近第n沟槽列的第n-1沟槽列的沟槽的中心之间的水平间距Ph被定义为E，在荫罩的有效表面的对角端部处的第n沟槽列的沟槽的中心与邻近第n沟槽列的第n-1沟槽列的沟槽的中心之间的水平间距Ph被定义为F。

为了实现本发明的目的，形成于荫罩30的各个沟槽之间的水平间距Ph沿着主轴方向从荫罩30的中心部分向荫罩的有效表面的端部逐渐增加，这一点将参照表5至表8进行描述。

[表5]

偏转角(度)	F/A	D/A	E/B	F/C	降低(G)	凸起(μm)
							90	134％	130％	132％	136％	22.5	20.2
106	134％	130％	132％	136％	19.2	22
							110	134％	130％	132％	136％	18.4	26
120	134％	130％	132％	136％	15.5	29.2
							125	134％	130％	132％	136％	14.6	35.2
130	134％	130％	132％	136％	12	39

图5显示了当荫罩30被应用于具有不同偏转角的各种阴极射线管时沟槽的形状根据现有技术形成的荫罩30的强度和凸起特性。在传统阴极射线管中，不包括薄型阴极射线管，偏转角低于大约110度。

优选地，荫罩的强度为高于15G。从表5可以看出，当在具有120度或更大偏转角的广角阴极射线管中根据现有技术形成沿主轴方向的荫罩30的有效表面的端部的沟槽的宽度与荫罩30的中心部分的沟槽的宽度的比率时，荫罩的结构强度降低，并且其凸起特性恶化。

[表6]

偏转角(度)	F/A	D/A	E/B	F/C	降低(G)	凸起(μm)
							120	140％	145％	145％	145％	17.2	26.8
125	140％	145％	145％	145％	16.1	32.1
							130	140％	145％	145％	145％	13.9	36.8

[表7]

偏转角(度)	F/A	D/A	E/B	F/C	降低(G)	凸起(μm)
							120	145％	145％	145％	145％	18.2	25.4
125	145％	145％	145％	145％	17	30
							130	145％	145％	145％	145％	15.1	34.2

[表8]

偏转角(度)	F/A	D/A	E/B	F/C	降低(G)	凸起(μm)
							120	150％	145％	145％	145％	19.6	24.3
125	150％	145％	145％	145％	18.36	28.8
							130	150％	145％	145％	145％	17.1	32

表6至表8显示了具有基于根据本发明的水平间距Ph的比率形成的沟槽的荫罩30的结构强度和凸起特性。特别地，表7和表8显示了当改变位于荫罩的有效表面的对角端部的沟槽的水平间距F与位于荫罩30的中心部分的沟槽的水平间距A的比率时荫罩的特性。

从表6可以看出，当F/A为140％，并且D/A，E/B和F/C分别为145％时，具有以上述比率形成的沟槽的荫罩的强度在偏转角为120度、125度和130度处分别为17.2、16.1和13.9，因此其具有的结构强度比具有小的水平间距Ph的传统荫罩30高大约10％。

从表6还可以看出，具有以上述比率形成的沟槽的荫罩的凸起特性比具有小的水平间距Ph的传统荫罩30高大约10％。

表7和表8显示了当位于荫罩的有效表面的对角端部的沟槽的水平间距F与位于荫罩30的中心部分的第一沟槽列的沟槽的水平间距A的比率分别为145％和150％时荫罩的特性。从表7和表8可以看出，与F/A为140％时荫罩的强度和凸起特性相比当F/A为145％或150％时荫罩的强度和凸起特性得到改善。

特别地，在阴极射线管具有130度或更高的偏转角的情况下，荫罩的结构强度为高于15G，这与具有F/A为140％的荫罩的阴极射线管相比相对增加了，因此可以有效防止由于结构强度降低和振动发生而造成的阴极射线管品质的恶化。

但是，当水平间距Ph被过度增加时，电子束所穿过的沟槽的面积与荫罩30的面积的比率被过度减少，结果导致阴极射线管的分辨率降低。由于这个原因，优选第n沟槽列和相邻沟槽列之间的水平间距Ph与第一沟槽列和相邻沟槽列之间的水平间距Ph的比率被设置得低于180％。

当在阴极射线管的荫罩30处提供曲率时，纯度特性被破坏，因此影响阴极射线管的色纯度。由于这个原因，如上所述在朝向荫罩30的角落部分时增加水平间距Ph以使得在阴极射线管的荫罩30处提供曲率而不损害纯度特性。

为了防止电子束和荫罩的沟槽之间的干扰，这种干扰可能起因于由于阴极射线管的薄化造成的偏转角的增加，电子束以足够大的入射角穿过而导致其与沟槽之间的干扰的所述沟槽的宽度被增加。在这种情况下，优选增加对应于从荫罩30的中心部分沿主轴方向到荫罩30的边缘部分的距离的1/2的位置处的沟槽的宽度。因此，从对应于由荫罩30的中心部分沿主轴方向到荫罩30的端部的距离的1/2的位置处，沟槽的水平间距Ph被相继增加，因此根据本发明定义的沟槽的比率得以满足。

当沿主轴的方向荫罩的有效表面的端部的水平间距Ph被定义为D，优选配置荫罩以使得满足不等式140％≤D/A≤180％。

当在对应于沿着短轴方向从荫罩的中心部分到荫罩的端部的距离的1/2的位置处的Ph被定义为B，而在对应于沿着主轴方向从荫罩的有效表面的端部到沿着短轴方向的荫罩的端部的距离的1/2的位置处的Ph被定义为E时，配置荫罩以满足如下不等式：140％≤E/B≤180％。

同样，当沿着短轴方向在荫罩的有效表面的端部的Ph被定义为C时，优选配置荫罩以满足如下不等式：140％≤F/C≤180％。进一步，优选配置荫罩以使得荫罩中心部分的Ph(A)和荫罩有效表面的对角端部的Ph(F)满足如下不等式：150％≤F/A≤180％。

尽管为了描述的目的已公开了本发明的优选实施方式，但是本领域的普通技术人员将会理解，在不脱离所附权利要求书公开的发明的范围和精神的情况下，各种修改、增加和替换都是可能的。

由上面的描述显然可以看出，阴极射线管的荫罩的各个沟槽的形状可以进行适当变化以便优化沟槽的宽度。因此本发明具有阻止电子束和沟槽之间的干扰的效果，并且因此防止了阴极射线管上显示的图像的失真以及阴极射线管边缘部分的亮度的降低。

进一步，在荫罩和电子束之间不出现干扰的范围内，可以降低荫罩的各个沟槽的宽度并适当改变沟槽的布置。因此，本发明具有防止荫罩的结构强度降低的效果，这种结构强度的降低是由平坦化荫罩和增加各个沟槽的宽度造成的。

Claims (25)

1.一种用于阴极射线管的荫罩，所述荫罩具有多个沟槽，电子束穿过所述沟槽以用于分选所述电子束的颜色，

其中，当电子束所穿过的各个沟槽的较小孔部分的宽度被定义为Sw、靠近荫罩的边缘部分的面对各个沟槽的面板侧的锥形较大孔部分的端部与靠近荫罩的边缘部分的较小孔部分的端部之间的水平距离被定义为Ta、电子束通过各个沟槽的入射角被定义为θ时，

荫罩具有至少这样一个沟槽，电子束以大于47度的入射角θ穿过该沟槽，并且电子束以大于47度的入射角θ穿过的该至少一个沟槽被配置满足如下不等式：1＜Ta/Sw＜2。

2.如权利要求1所述的荫罩，其中

当荫罩的厚度被定义为t时，所述荫罩的该至少一个沟槽被配置满足如下不等式：1＜Ta/t＜2。

3.如权利要求1所述的荫罩，其中

所述荫罩的该至少一个沟槽被配置满足如下不等式：Ta＜0.380mm。

4.如权利要求1所述的荫罩，其中

靠近荫罩的中心部分的较大孔部分的端部向该至少一个沟槽的中心突出。

5.如权利要求4所述的荫罩，其中

靠近荫罩的中心部分的所述较大孔部分的端部比较小孔部分的中心更靠近荫罩的中心部分，并且

当靠近荫罩的中心部分的较大孔部分的端部与较小孔部分的中心的水平距离被定义为Di时，该至少一个沟槽被配置满足如下不等式：0≤Di≤Sw/2。

6.如权利要求4所述的荫罩，其中

靠近荫罩的中心部分的较大孔部分的端部比较小孔部分的中心更靠近荫罩的边缘部分，并且当较大孔部分的宽度被定义为D时，该至少一个沟槽被配置满足如下不等式：D≥Sw。

7.如权利要求4所述的荫罩，其中

当较大孔部分的宽度被定义为D而荫罩的厚度被定义为t时，该至少一个沟槽被配置满足如下不等式：D≤2.5×t。

8.如权利要求1所述的荫罩，其中

当从荫罩的一个沟槽的中心到另一个相邻的沟槽的中心的水平距离被定义为Ph时，配置荫罩以使得荫罩的中心部分的Ph(A)和荫罩的有效表面的对角的端部的Ph(F)满足如下不等式：140％≤F/A≤180％。

9.如权利要求8所述的荫罩，其中

当荫罩沿主轴方向的有效表面的对角的端部的Ph被定义为D时，配置荫罩以满足如下不等式：140％≤D/A≤180％。

10.如权利要求8所述的荫罩，其中

当在对应于沿着短轴方向从荫罩的中心部分到荫罩的端部的距离的1/2的位置处的Ph被定义为B，而在对应于沿着主轴方向从荫罩的有效表面的端部到沿着短轴方向的荫罩的端部的距离的1/2的位置处的Ph被定义为E时，配置荫罩以满足如下不等式：140％≤E/B≤180％。

11.如权利要求8所述的荫罩，其中

当沿着短轴方向的荫罩的有效表面的端部的Ph被定义为C时，配置荫罩以满足如下不等式：140％≤F/C≤180％。

12.如权利要求8所述的荫罩，其中

配置荫罩以使得荫罩中心部分的Ph(A)和荫罩有效表面的对角端部的Ph(F)满足如下不等式：150％≤F/A≤180％。

13.如权利要求1所述的荫罩，其中

所述荫罩被应用于具有120度或更大偏转角的薄型阴极射线管。

14.一种用于阴极射线管的荫罩，所述荫罩具有多个沟槽，电子束穿过所述沟槽以用于分选所述电子束的颜色，

其中，各个沟槽包括具有最窄宽度的较小孔部分和面对各个沟槽的面板侧的较大孔部分；

靠近所述荫罩的中心部分的所述较大孔部分的端部朝向各个所述沟槽的中心突出以便降低各个沟槽的面积而增加所述荫罩的结构强度。

15.如权利要求14所述的荫罩，其中

靠近荫罩的中心部分的所述较大孔部分的端部比较小孔部分的中心更靠近荫罩的中心部分，并且

当较小孔部分的宽度被定义为Sw，靠近荫罩的中心部分的较大孔部分的端部与较小孔部分的中心的水平距离被定义为Di时，所述荫罩被配置满足如下不等式：0≤Di≤Sw/2。

16.如权利要求14所述的荫罩，其中

靠近荫罩的中心部分的较大孔部分的端部比较小孔部分的中心更靠近荫罩的边缘部分，并且

当较小孔部分的宽度被定义为Sw，较大孔部分的宽度被定义为D时，所述荫罩被配置满足如下不等式：D≥Sw。

17.如权利要求14所述的荫罩，其中

当荫罩的较大孔部分的宽度被定义为D而荫罩的厚度被定义为t时，所述荫罩被配置满足如下不等式：D≤2.5×t，由此降低各个沟槽的面积以增加荫罩的结构强度。

18.如权利要求14所述的荫罩，其中

所述荫罩被应用于具有120度或更大偏转角的薄型阴极射线管。

19.一种用于阴极射线管的荫罩，所述荫罩具有多个沟槽，电子束穿过所述沟槽以用于分选所述电子束的颜色，其中，

当从荫罩的一个沟槽的中心到另一个相邻的沟槽的中心的水平距离被定义为Ph时，所述荫罩被配置以使得荫罩的中心部分的Ph(A)和荫罩的有效表面的对角的端部的Ph(F)满足如下不等式：140％≤F/A≤180％，由此荫罩端部的强度与荫罩的中心部分相比被相对增加。

20.如权利要求19所述的荫罩，其中

当荫罩沿主轴方向的有效表面的端部的Ph被定义为D时，所述荫罩被配置以满足如下不等式：140％≤D/A≤180％。

21.如权利要求19所述的荫罩，其中

当在对应于沿着短轴方向从荫罩的中心部分到荫罩的端部的距离的1/2的位置处的Ph被定义为B，而在对应于沿着主轴方向从荫罩的有效表面的端部到沿着短轴方向的荫罩的端部的距离的1/2的位置处的Ph被定义为E时，所述荫罩被配置以满足如下不等式：140％≤E/B≤180％。

22.如权利要求19所述的荫罩，其中

当沿着短轴方向的荫罩的有效表面的端部的Ph被定义为C时，所述荫罩被配置以满足如下不等式：140％≤F/C≤180％。

23.如权利要求19所述的荫罩，其中

所述荫罩被配置以使得荫罩中心部分的Ph(A)和荫罩有效表面的对角端部的Ph(F)满足如下不等式：150％≤F/A≤180％。

24.如权利要求19所述的荫罩，其中

所述荫罩被应用于具有120度或更大偏转角的薄型阴极射线管。

25.如权利要求19所述的荫罩，其中

当上述条件满足时，从对应于由荫罩的中心部分沿主轴方向到荫罩的端部的距离的1/2的位置处，各个沟槽的Ph被相继增加。

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