CN1773295A - 低功率和临近ac电流传感器 - Google Patents
低功率和临近ac电流传感器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1773295A CN1773295A CNA2005101202548A CN200510120254A CN1773295A CN 1773295 A CN1773295 A CN 1773295A CN A2005101202548 A CNA2005101202548 A CN A2005101202548A CN 200510120254 A CN200510120254 A CN 200510120254A CN 1773295 A CN1773295 A CN 1773295A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- current sensor
- low
- power proximity
- magnetic material
- counter electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims abstract description 68
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 47
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 244000287680 Garcinia dulcis Species 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- LJCNRYVRMXRIQR-OLXYHTOASA-L potassium sodium L-tartrate Chemical compound [Na+].[K+].[O-]C(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O LJCNRYVRMXRIQR-OLXYHTOASA-L 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 235000011006 sodium potassium tartrate Nutrition 0.000 description 2
- 230000005355 Hall effect Effects 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R15/00—Details of measuring arrangements of the types provided for in groups G01R17/00 - G01R29/00, G01R33/00 - G01R33/26 or G01R35/00
- G01R15/14—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks
- G01R15/16—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using capacitive devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
- G01D5/12—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means
- G01D5/14—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage
- G01D5/24—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage by varying capacitance
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R15/00—Details of measuring arrangements of the types provided for in groups G01R17/00 - G01R29/00, G01R33/00 - G01R33/26 or G01R35/00
- G01R15/14—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks
- G01R15/18—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using inductive devices, e.g. transformers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
- G01R19/0092—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof measuring current only
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/30—Piezoelectric or electrostrictive devices with mechanical input and electrical output, e.g. functioning as generators or sensors
- H10N30/304—Beam type
- H10N30/306—Cantilevers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/704—Piezoelectric or electrostrictive devices based on piezoelectric or electrostrictive films or coatings
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Switches That Are Operated By Magnetic Or Electric Fields (AREA)
Abstract
在此公开了一种低功率临近AC电流传感器。根据本发明的低功率临近AC电流传感器包括磁性材料，具有根据形成在磁性材料之外的磁场强度而改变的位置；压电薄膜，设置在临近磁性材料的位置上并配置为由于磁性材料的位置改变而生成电荷；以及衬底，用于固定压电薄膜。根据本发明的另一个低功率临近AC电流传感器包括磁性材料，具有根据形成在磁性材料之外的磁场强度而改变的位置；对应电极，设置在临近磁性材料的位置上并配置为根据磁性材料的位置改变而变化；以及衬底，用于固定压电薄膜。
Description
技术领域
本文件涉及低功率临近(proximity)交流电流传感器。
背景技术
通常，将电流传感器分类为安培表型传感器，使用在流过线圈和磁体的电流之间生成的电磁力检测电流、霍尔传感器，使用霍尔效应、以及大磁致电阻(GMR)型电流传感器，检测磁致电阻的变化。
图1是示出典型安培表的结构及其组件排列的示意图。通常将安培表串联到导电线上，通过该导电线电流流动，并使用电磁力测量导电线中的电流总量，该电磁力在由流过在软铁芯上缠绕的可移动线圈的电流所生成的磁场和安装在安培表中的永磁体之间生成。
然而，安培表型电流传感器难以安装，是因为它们直接连接到导电线，通过该导电线电流流动，并不利地在于它们具有许多可移动组件，而且是大的，因而是昂贵的。同时，霍尔传感器和GMR型电流传感器在大小及安装容易度上相对于安培表型电流传感器具有优势，但不利地在于由于电能施加到该传感器上并且这些传感器使用电能工作，消耗了电能。这些传感器不适于在传感器网络中的应用，因为它们的大小、价格和能量消耗。
发明内容
因此，牢记出现在现有技术中的上述问题而提出本发明，本发明的目标是提供一种低功率临近AC电流传感器，使用施加到连接于传感器上的磁性材料上的电磁力测量流过导电线的AC电流总量，该电磁力由流过导电线的电流所感应的磁场所引起。
为实现上述目标，本发明提供一种低功率临近AC电流传感器，包括磁性材料，具有根据在磁性材料之外生成的磁场强度而变化的位置；压电薄膜，放置在邻近磁性材料的位置上并配置为由于磁性材料的位置变化而生成电荷；以及衬底，用于固定该压电薄膜。
此外，本发明提供一种低功率临近AC电流传感器，包括磁性材料，具有根据在磁性材料之外生成的磁场强度而变化的位置；对应电极，放置在邻近磁性材料的位置上并配置为根据磁性材料的位置变化而改变电容；以及衬底，用于固定该压电薄膜。
为实现低功率传感器，本发明使用检测根据电流压电效应改变的方法以及检测电容变化的方法。此外，本发明提供低功率临近AC电流传感器，能够仅通过使传感器接近电流流过其的导电线来检测电流总量，而不需要电连接，与存在的现有传感器不同，现有传感器连接到由导电线形成的电路的内部，该导电线的电流总量被测量。
根据本发明的低功率临近AC电流传感器基本上包括悬臂、桥、隔膜可移动结构、以及设置在可移动结构上的磁性材料和传感部件。根据本发明的临近电流传感器的磁性材料经受由于感应磁场的力，该感应磁场由围绕导电线的AC电流生成，因而可移动结构被移动，由此导致其形变和位移。使用压电效应或电容的变化检测这种形变或位移。
特别地，根据本发明的AC电流传感器可以仅通过连接到预设位置来检测电流，例如临近流过AC电流的导电线的外壳部件。因为由于可移动结构的移动而生成压电效应和电容的变化，可以显著地减小电能消耗。
附图说明
从下面结合附图的详细说明，将更清楚地理解本发明的上述以及其他目标、特性以及优势，其中：
图1是说明典型安培表内部结构的透视图；
图2是根据本发明的实施例的低功率临近AC电流传感器的透视图；
图3A至3F是示出根据本发明的实施例的低功率临近AC电流传感器的各种实例的透视图；
图4是示出根据本发明的实施例的低功率临近AC电流传感器的安装的实例的透视图；
图5是示出根据本发明的实施例的低功率临近AC电流传感器的操作原理的概念图；
图6A至6B是根据本发明的实施例具有额外的外部噪声除去功能的低功率临近AC电流传感器的透视图；
图7是根据本发明的实施例的电容检测型低功率临近AC电流传感器的透视图；
图8A至8F是示出根据本发明的实施例的电容检测型低功率临近AC电流传感器的实例的透视图；
图9是根据本发明的实施例的电容检测型低功率临近AC电流传感器的安装的实例；
图10是说明根据本发明的实施例的电容检测型低功率临近AC电流传感器的操作原理的概念图；以及
图11A至11B是根据本发明的实施例的具有外部噪声除去功能的电容检测型低功率临近AC电流传感器的透视图。
具体实施方式
将在下文参照附图详细描述本发明的优选实施例。应参考附图，其中在不同的附图中，相同的参考数字指定为相同或相似的元件。
图2是根据本发明的实施例的低功率临近AC电流传感器20的透视图。
在此实施例中，低功率临近AC电流传感器20包括磁性材料21、压电薄膜22、上平板导线(plate wire)23、下平板导线24以及衬底25。
在图2中，示意地示出其中低功率AC电流传感器20由压电薄膜22形成的结构。
参照图2，在衬底上从其中心稍微朝一侧偏移的位置处形成凹陷26。在该凹陷26上形压电薄膜22。凹陷26的位置不限制于上述的位置，而是可以在衬底25的任何位置上，只要压电薄膜22被允许自由移动。
磁性材料21层叠在压电薄膜22上。在压电薄膜22的一侧上形成一对电极导线23和24。使上平板导线23接触压电薄膜22的上表面，同时下平板导线24连接到压电薄膜22的下表面。在上述实施例中，压电薄膜22具有悬臂形状。压电薄膜22可具有各种形状。将在下文参照图3详细描述形成压电薄膜22的方法。
压电薄膜22通过其自身的形变生成电荷。优选地将具有高压电效应的罗谢尔盐(Rochelle Salt)或者钛酸钡用作压电薄膜22的材料。
压电薄膜22由于磁性材料21的移动而形变。如果在压电薄膜22周围形成磁场并且在压电薄膜22上形成的磁场移动，压电薄膜22相应地形变。磁性材料的位置变化与成环绕磁场的大小成比例。
电极导线23和24用于将在压电薄膜22中生成的电荷引导至预设测量设备(未示出)，以测量在压电薄膜22中生成的电荷总量。
总之，当在典型导电线中形成AC电流时，在导电线周围与电流总量成比例地形成磁场，磁性材料21的位置与磁场的大小成比例地变化，并且在压电薄膜22中生成的电荷总量根据在磁性材料21的位置变化而变化，使得可以测量电流总量。
图3A至3F是示出根据本发明的实施例的低功率临近AC电流传感器的各种实例。
图3A示出悬臂形低功率临近AC电流传感器，其中在压电薄膜32a的整个表面上淀积磁性材料31a。图3B示出桥形低功率临近AC电流传感器，其中在部分压电薄膜32b上淀积磁性材料31b。图3C示出桥形低功率临近AC电流传感器，其中在压电薄膜32c的整个表面上淀积磁性材料31c。图3D示出薄膜型低功率临近AC电流传感器，其中在压电薄膜32d的整个表面上淀积磁性材料31d。图3E示出薄膜型低功率临近AC电流传感器，其中在压电薄膜32e的部分表面上淀积磁性材料31e。图3F示出AC传感器，从其中除去了图3D或3E中所示的薄膜型传感器的磁性材料。优选地在具有薄膜形的AC传感器的衬底上形成的凹陷32f比在具有悬臂和桥形的AC传感器中形成的凹陷大。
图4是示出根据本发明的实施例的低功率临近AC电流传感器的安装的实例。图5是示出根据本发明的实施例的低功率临近AC电流传感器20的操作原理的概念图。
参照图5，由于流过导电线41的电流，在导电线41周围生成同心圆形磁场。磁场移动包括了压电薄膜的低功率电流传感器20，磁性材料连接到此压电薄膜上。如图5所示，在压电薄膜由压电材料构成的情况下，由压电薄膜的移动生成电荷，可以测量其电压或电流。
图6A和6B是根据本发明的实施例具有额外的外部噪声除去功能的低功率临近AC电流传感器组件的透视图。
在此实施例中，在低功率临近AC电流传感器组件中，参考传感器61还包括在图2中所示的低功率临近AC电流传感器20中。
在图6A和6B中，示意性地示出参考传感器61的形状。
参照图6A，参考传感器61具有与图2所示的电流传感器相同的结构，除了凹陷不在形成参考传感器61的衬底的部分上形成。通常，从电流生成的噪声成分以及信号总是存在于流过电流的导电线周围。为了除去外部噪声成分，可以额外地使用参考传感器61。对于相同电流输入，参考传感器61仅生成噪声成分，其中不包括对应电极的移动。因此，当该两个信号互相减去时，可以检测由电流生成的纯信号。
在上面已经描述了根据电荷总量的变化测量电流的方法，该电荷是根据周围磁场的变化在压电薄膜中生成的。下面将描述用于通过测量电容的变化，而不是通过使用压电效应来测量电流的传感器。
图7是根据本发明的实施例的电容检测型低功率临近AC电流传感器的透视图。
在上述实施例中，低功率临近AC电流传感器包括磁性材料71、对应电极72和73、支承74、电极导线75和76、以及衬底77。
在图7中，示例性地示出其中在衬底77上形成对应电极72和73的结构。
参照图7，在衬底77的顶部形成对应电极72和73。在对应电极72的顶部层叠磁性材料71。形成对应电极72和73，使得上平板72和下平板73彼此面对并在其间具有预设间隙。优选地通过在下平板的一侧上层叠具有预设厚度的支承74，并在支承74上层叠上平板72，来获得上平板72和下平板之间的间隙。
电极导线75和76与上平板72和下平板73的第一侧接触，上平板72和下平板73与支承74接触。优选地将上平板导线75连接至上平板72的第一侧的上表面，并将下平板导线76连接到下平板73的第一侧的下表面。在此实施例中，可将电流传感器形成为悬臂形。对应电极72和73可形成为各种形状。将在下文参照图8详细说明形成对应电极的方法。
通过磁性材料71的移动使上平板72形变。当形成在上平板72上的磁性材料71被形成在上平板72周围的磁场移动时，上平板72形变。磁性材料71的与环绕磁场的强度成比例改变。当上平板72形变时，上平板72和下平板73之间的距离变化。该变化改变两个电极72和73之间的电容。因此，电容于在导电线周围形成的磁场总量成比例地改变，使得可以容易地测量磁场的强度。
电极导线75和76用作将由上和下平板72和73所形成的电荷引导至预设测量设备(未示出)，以根据在对应电极72和73之间形成的电容测量电信号。
总之，当在典型导电线中形成AC电流时，在导电线周围与电流总量成比例地形成磁场，磁性材料71的位置与磁场成比例地改变，对应电极的上平板72根据磁性材料71的位置改变而形变，以及电流传感器的上平板72和下平板73之间的距离根据该改变而变化。因此，上盘72和下盘73形成的电容总量变化，使得可以测量电流总量。
图8A至8F示出根据本发明的实施例的电容检测型低功率临近AC电流传感器的实例。
图8A示出悬臂形电容检测型低功率临近AC电流传感器，其中在上平板82a的整个上表面上形成磁性材料81a。本实施例的结构与图7中所示的结构几乎相同。然而，在图7中所示的电容检测型低功率临近AC电流传感器中设置的磁性材料层叠在部分上平板上，而在本实施例中的磁性材料层叠在上平板82a的全部表面上。传感器具有设置在对应电极82a和84a的第一侧之间的支撑83a，由此形成间隙。
图8B示出电容检测型低功率临近AC电流传感器，其中在部分上平板82b上形成磁性材料81b。本实施例的结构与图7所示的结构相同，除了在上平板82b的中心层叠磁性材料81b，而不是在上平板82b的一侧上。此外，不仅在对应电极82a和84a的第一侧上，而且在其第二侧上形成支撑83b。因此，由支承83b在上和下平板82b和84b之间形成间隙。在本实施例中，在对应电极82b和84b之间的距离根据外部磁场的改变而变化，因此导致电容的变化。
图8C示出电容检测型低功率临近AC电流传感器，其中在电流传感器的上平板82c的整个表面上形成磁性材料81c。本实施例的结构与图8B的结构相同，除了在上平板82c的整个表面上形成磁性材料81c。传感器还具有在对应电极82c和84e的两侧上形成的支承83c。
图8D示出薄膜形电容检测型低功率临近AC电流传感器，其中在电流传感器的整个上表面上形成磁性材料。本实施例的结构与图8C的结构相同，除了对应电极82d和84d的形状具有在传感器的整个衬底上延伸的薄膜形状。
图8E示出薄膜形电容检测型低功率临近AC电流传感器，其中在电流传感器的部分上表面上形成磁性材料。本实施例的结构与图8D的结构几乎相同，除了在电流传感器的中心部分上形成在上平板82e的上表面上层叠的磁性材料81e。
图8F是图8E中所示的低功率临近传感器的剖视图。也在对应电极82e和84e之间形成间隙。
图9和图10示出是根据本发明的实施例的电容检测型低功率临近AC电流传感器安装到导电线90的状态。
参照图9，电容检测型低功率临近AC电流传感器70在临近导电线90的位置上操作。将参照图10说明传感器70的操作。由于流过导电线90的电流，在导电线90周围生成同心圆形磁场，以及有磁性材料连接于其的上平板被磁场移动。如图10所述，包括有磁性材料连接于其的对应电极的电容型低功率临近AC电流传感器70根据上平板的移动具有变化的电容，以及因此，可以检测改变的电容作为电信号。
图11A至11B是根据本发明的实施例的具有外部噪声除去功能的电容检测型低功率临近AC电流传感器的透视图。
在本实施例中，低功率临近AC电流传感器还包括参考传感器100。
参照图11A和11B，参考传感器(reference sensor)100包括单独电极102，在电极102的上表面上层叠磁性材料101。优选地参考传感器的平板102与上平板74相同以及参考传感器100的磁性材料101与电流传感器的磁性材料71相同。从电流生成的噪声成分以及信号总是存在于电流流过的导电线周围。为了除去外部噪声成分，可以额外地使用参考传感器100。对于相同电流输入，参考传感器61仅生成噪声成分，其中不包括对应电极72和73的移动的影响。因此，当该两个信号互相减去时，可以检测由电流生成的纯信号。
如上所述，根据本发明，本发明的可以使用微显机械加工技术和半导体工艺加工的低功率临近电流传感器可以与半导体电路集成，由此实现集成的超小型临近电流传感器。
此外，AC电流传感器使用检测电容变化的方法，使得AC电流传感器具有低功率消耗并可用于需要低功耗及微尺寸的传感器，例如传感器网络的应用。
此外，AC电流传感器可以仅通过安装在流过电流的导电线上来测量电流，使得其具有其安装比现有电流传感器简单的优势。
尽管为示例的目的公开了本发明的优选实施例，本领域普通技术人员可知在不背离权利要求书所公开的范围和精神的情况下，可有各种改进、增加和替换。
Claims (32)
1.一种低功率临近交流电(AC)电流传感器，包括：
磁性材料，具有根据在磁性材料之外形成的磁场的强度而改变的位置；
压电薄膜，设置在临近磁性材料的位置上并配置为由于磁性材料的位置的改变而生成电荷；以及
衬底，用于固定压电薄膜。
2.如权利要求1所述的低功率临近AC电流传感器，还包括电极导线，用于检测在压电薄膜中生成的电荷，该电极导线连接到压电薄膜的第一侧。
3.如权利要求1所述的低功率临近AC电流传感器，还包括用于测量外部噪声的参考传感器，该参考传感器固定在衬底上。
4.如权利要求1所述的低功率临近AC电流传感器，其中衬底设置有凹陷，该凹陷允许压电薄膜容易地移动。
5.如权利要求1所述的低功率临近AC电流传感器，其中磁性材料层叠在压电薄膜的整个表面上。
6.如权利要求5所述的低功率临近AC电流传感器，其中在衬底的上表面上以悬臂形状形成压电薄膜。
7.如权利要求5所述的低功率临近AC电流传感器，其中在衬底的上表面以桥形状形成压电薄膜。
8.如权利要求5所述的低功率临近AC电流传感器，其中在衬底的上表面以薄膜形状形成压电薄膜。
9.如权利要求1所述的低功率临近AC电流传感器，其中在部分压电薄膜上层叠磁性材料。
10.如权利要求9所述的低功率临近AC电流传感器，其中在衬底的上表面上以悬臂形形成压电薄膜。
11.如权利要求9所述的低功率临近AC电流传感器，其中在衬底的上表面以桥形状形成压电薄膜。
12.如权利要求9所述的低功率临近AC电流传感器，其中在衬底的上表面以薄膜形状形成压电薄膜。
13.如权利要求1所述的低功率临近AC电流传感器，其中磁性材料包括选自由铁、镍和钴形成的组中的至少一个。
14.如权利要求1所述的低功率临近AC电流传感器，其中AC传感器放置在临近部分导电线的位置上。
15.一种低功率临近AC电流传感器，包括：
磁性材料，具有根据在磁性材料之外形成的磁场的强度而改变的位置；
对应电极，放置在临近磁性材料的位置上并配置为根据磁性材料位置的改变而变化；以及
衬底，用于固定压电薄膜。
16.如权利要求15所述的低功率临近AC电流传感器，其中对应电极包括上平板和下平板，放置上平板和下平板以在其间形成预设间隙。
17.如权利要求16所述的低功率临近AC电流传感器，其中通过支撑在上平板和下平板之间形成预设间隙。
18.如权利要求15所述的低功率临近AC电流传感器，其中对应电极设置有用于检测对应电极之间的电容的电极导线。
19.如权利要求15所述的低功率临近AC电流传感器，其中衬底设置有用于测量外部噪声的参考传感器。
20.如权利要求16所述的低功率临近AC电流传感器，其中在对应电极的上平板的整个表面上层叠磁性材料。
21.如权利要求20所述的低功率临近AC电流传感器，其中在衬底的上表面上以悬臂形状形成对应电极。
22.如权利要求21所述的低功率临近AC电流传感器，其中对应电极的上和下平板仅在上和下平板的第一侧上设置有支撑。
23.如权利要求21所述的低功率临近AC电流传感器，其中对应电极的上和下平板在上和下平板的两侧上设置有支撑。
24.如权利要求20所述的低功率临近AC电流传感器，其中在衬底的上表面上以薄膜形形成对应电极。
25.如权利要求24所述的低功率临近AC电流传感器，其中对应电极的上和下平板在上和下平板的两侧上设置有支撑。
26.如权利要求16所述的低功率临近AC电流传感器，其中在对应电极的上平板的部分上表面上层叠磁性材料。
27.如权利要求26所述的低功率临近AC电流传感器，其中在衬底的上表面上以悬臂形状形成对应电极。
28.如权利要求27所述的低功率临近AC电流传感器，其中对应电极的上和下平板在其两侧设置有支承。
29.如权利要求26所述的低功率临近AC电流传感器，其中在衬底的上表面以薄膜形状形成对应电极。
30.如权利要求29所述的低功率临近AC电流传感器，其中对应电极的上和下平板在其两侧设置有支承。
31.如权利要求15所述的低功率临近AC电流传感器，其中磁性材料包括选自由铁、镍和钴形成的组中的至少一个。
32.如权利要求15所述的低功率临近AC电流传感器，其中AC传感器安装在临近部分导电线的位置上。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040091066A KR100693417B1 (ko) | 2004-11-09 | 2004-11-09 | 저 전력 근접 교류 전류 센서 |
| KR1020040091066 | 2004-11-09 | ||
| KR1020040103821 | 2004-12-09 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1773295A true CN1773295A (zh) | 2006-05-17 |
Family
ID=36760360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNA2005101202548A Pending CN1773295A (zh) | 2004-11-09 | 2005-11-09 | 低功率和临近ac电流传感器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100693417B1 (zh) |
| CN (1) | CN1773295A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102141601A (zh) * | 2010-12-29 | 2011-08-03 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种交流磁传感器 |
-
2004
- 2004-11-09 KR KR1020040091066A patent/KR100693417B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-11-09 CN CNA2005101202548A patent/CN1773295A/zh active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102141601A (zh) * | 2010-12-29 | 2011-08-03 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种交流磁传感器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100693417B1 (ko) | 2007-03-12 |
| KR20060042480A (ko) | 2006-05-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1655613A2 (en) | Low power and proximity AC current sensor | |
| KR101804416B1 (ko) | 슬라이드 마찰식 발전기, 발전 방법 및 벡터 변위 센서 | |
| CN100334420C (zh) | 包含弹性材料的位置传感器 | |
| JP4652448B2 (ja) | 軸の偏心を検出するための装置 | |
| CN1877277A (zh) | 微结构、悬臂、扫描探针显微镜以及用于测量微结构的形变量的方法 | |
| CN2869768Y (zh) | 一种基于电场合成原理的电容式线位移传感器 | |
| US20110018561A1 (en) | Capacitive sensor having cyclic and absolute electrode sets | |
| CN103791927A (zh) | 自驱动位移和速度传感方法、传感器和传感器的制作方法 | |
| US20130193955A1 (en) | Locator | |
| WO2012026273A1 (ja) | 振動センサ | |
| WO2008016198A1 (en) | 3 axis thin film fluxgate | |
| CN101701836B (zh) | 一种可用于非满管流量测量的电容式电磁流量计 | |
| EP3091339A1 (en) | Nonvolatile rotation sensor with spiral track | |
| JP2006162457A5 (zh) | ||
| US9882461B2 (en) | Step motor and system for driving step motor | |
| JP2018159658A (ja) | 電磁誘導型変位検出装置およびこれを用いた測定器 | |
| CN102840822B (zh) | 多环并联式电容位移传感器 | |
| CN100403021C (zh) | 基于微电子加工技术的电离气体传感器微阵列结构 | |
| CN1773295A (zh) | 低功率和临近ac电流传感器 | |
| CN102323490A (zh) | 直线振动调制微型静电场传感器 | |
| CN103353583A (zh) | 一种磁场传感器 | |
| CN201219036Y (zh) | 一种用于扫描探针显微镜的压电陶瓷扫描器 | |
| CN107003205B (zh) | 可变形装置和方法 | |
| CN1491470A (zh) | 使用磁阻抗元件的过载电流保护设备 | |
| KR102052967B1 (ko) | 멤스 전류 센서 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Open date: 20060517 |