CN1700248A - 利用磁力共振来改进的磁阻调制 - Google Patents
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Abstract
描述了一种利用磁力共振来提高磁阻效应的方法和装置。
Description
发明背景
本发明设计了一种用于防止商品未经许可从控制区域拿走的电子商品监测(EAS)系统。一种典型的EAS系统可以包括一监控系统和一个或多个安全标签。该监控系统可在控制区域的一进出点处创建一监测区域。一件商品，如一件衣服上可固定一个安全标签。如果带有标签的商品进入监测区，则提示被触发，表示带有标签的商品未经许可从控制区域拿走。
由于许多问题，包括监测区的该区域受到限制。例如，随着安全标签与监测系统之间距离的增加，安全标签可能产生一不易于检测的相对弱的信号。接收器也可能难以区别来自安全标签的信号和监测区中其他信号。因此，对于设备或网络中的这些技术需要进行改进。
附图说明
发明的主题已由实施例具体给出，并在说明书的结束部分清楚地要求保护。然而，通过参照附图并参考以下的具体描述，实施例的有关结构和操作方法，及其目的、特征和优点才可以得到最好的理解，其中：
图1示出了根据一个实施例的第一系统。
图2示出了根据一个实施例的标记器。
图3包括一个图表，示出了根据一个实施例的作为直流(DC)磁场函数的标记器固有频率。
图4包括一个图表，示出了根据一个实施例的标记器磁力共振所产生的调幅变化。
图5包括一个图表，示出了根据一个实施例的共振频率和机械衰减(ring-down)幅度与偏磁场强的相对关系。
图6包括一个图表，示出了根据一个实施例在2奥斯特(Oe)时边带幅度与磁调制场频率的相对关系。
图7包括一个图表，示出了根据一个实施例在4奥斯特(Oe)时边带幅度与磁调制场频率的相对关系。
图8包括一个图表，示出了根据一个实施例在5奥斯特(Oe)时边带幅度与磁调制场频率的相对关系。
图9包括一个图表，示出了根据一个实施例在6奥斯特(Oe)时边带幅度与磁调制场频率的相对关系。
图10包括一个图表，示出了根据一个实施例在7奥斯特(Oe)时边带幅度与磁调制场频率的相对关系。
图11示出了根据一个实施例的第二系统。
具体实施方式
实施例涉及一种普通的EAS系统。更具体地，实施例涉及一种用于EAS系统的安全标签。该安全标签可包括一磁阻标记器，设计用于产生一调制的应答信号，该信号通过采用磁力共振得到了增强。因此，安全标签相对于常规标记器，可在更远距离处检测得到。此外，磁力共振还可产生调制的应答信号，来产生一独特签名，从而改善检测精度并减少误报。
在此将描述多个特定细节，来提供对本发明实施例的全面了解。然而，本领域普通技术人员可以理解，不需要这些特定细节也可实现本发明的实施例。在其他例子中，已知的方法、过程、组件和电路没有详细描述，以免混扰本发明的实施例。可以理解，在此披露的特定结构和功能细节可能是代表性的，但不是必须地限定本发明的范围。
值得说明的是，在说明书中任何有关“一个实施例”或“一实施例”的描述都意味着在至少一个实施例中，包括了关于实施例描述的一具体的特征、结构或特性。说明书中各处出现的“在一个实施例中”的短语不是必须代表同一实施例。
下面具体参考附图，其中全文相同的部件由相同的参考标记指代，图1表示了一个用于实现一个实施例的系统。图1表示了一个EAS系统100。尽管图1通过举例来描述了一特定的EAS系统，可以理解的是，在实施例中可以使用任何采用这里所论述的原理来进行改进的EAS系统。
在一个实施例中，EAS系统100可包含监控设备，该监控设备设计用于监控一监视区，如监视区122。监控设备可被设置成利用磁阻和/或磁力检测技术检测监视区内安全标签的存在。在一个实施例中，EAS系统100可包括一发射器102，发射器110，安全标签106，接收器116，控制器118，提示系统120，以及磁场发生器124。尽管图1表示了有限数量的元件，可以理解，系统100中能采用任何数量的附加元件。实施方式并不局限在这里的上下文中。
在一个实施例中，EAS系统100可包括发射器102。发射器102可包括被设置成发射高频信号，如微波信号的任何发射器系统。该微波信号可包括例如2.45千兆赫兹(GHz)的微波信号或915兆赫兹(MHz)的微波信号，然而实施方式并不局限在这里的上下文中。发射器102可包括一可操作地耦合到输出级的发射器天线，输出级接着连接到一控制器，如控制器118。输出级可包括各种常规的驱动和放大电路，包括产生高频电流的电路。当高频电流提供给发射器天线时，发射器天线可在发射器天线周围产生高频电磁场信号104。该电磁场可传播到监视区122。信号104可包括第一激励信号，用于激励安全标签106的标记器108的第一特性。第一特性可包括，例如，标记器108的磁阻特性。
在一个实施例中，EAS系统100可包括发射器110。发射器110可包括被设置成发射低频信号的任何发射器系统。用于给定执行的低频信号可以根据标记器180使用的材料和尺寸来选择。更具体地，发射器110可发射低频信号，如适于让标记器108以预定共振频率共振的低频信号。发射器110可包括一可操作地耦合到输出级的发射器天线，输出级接着连接到一控制器，如控制器118。输出级可包括各种常规的驱动和放大电路，包括产生低频电流的电路。当低频电流提供给发射器天线时，发射器天线可在发射器天线周围产生低频电磁场信号112。该电磁场可传播到监视区122。信号112可包括第二激励信号，用于激励安全标签106的标记器108的第二特性。第二特性可包括，例如，标记器108的磁力共振特性。第二激励信号112可以是任何适合于调谐引起标记器108以预定共振频率共振的频率。
在一个实施例中，EAS系统100可包括安全标签106。安全标签106可被设置成贴在要监控的商品上。贴上标签的商品的例子包括衣服、数字视频光盘(DVD)或激光唱盘(CD)，珠宝箱，电影租借箱，包装材料，等等。实施方式并不局限在这里的上下文中。
在一个实施例中，安全标签106可包括设置在安全标签主体或外壳内的标记器108。该安全标签主体可以是软的或硬的结构，被设置成包住标记器108。标记器108可包括，例如磁阻标记器与磁力共振标记器的组合。标记器108可由被设置成以预定频率共振的磁致伸缩材料构成。当标记器108接收由低频交变磁场调制的第一激励信号时，标记器可产生调制应答信号114。当标记器108接收具有与标记器108共振频率基本相同的频率的第二激励信号时，标记器108可开始共振。当磁致伸缩材料以预定频率共振时，调制应答信号114可实现增益的增加。参考图2-10，可更具体地讨论安全标签106。
在一个实施例中，EAS系统100可包括一接收器116。接收器116可包括任何被设置成接收来自发射器102的高频电磁场信号104以及来自标记器108的调制应答信号114的接收器系统。例如，接收器116可包括常规的放大和信号处理电路，如带通滤波器，混频器和放大器电路。此外，接收器116可包括一连接到控制器118的输出级，该输出级被设置成接收并处理调制应答信号114。已处理的信号接着可进一步传送到控制器118以执行检测操作。
在一个实施例中，EAS系统100可包括发生器124。发生器124可包括一线圈装置，用于产生一低频交流(AC)磁场126。该线圈装置可被设置成产生磁场126，该磁场具有足够的强度可覆盖与监视区122相同的面积。调制信号126可包括调制信号，来调制来自标记器108的应答信号，形成调制应答信号114。调制应答信号114可通过接收器116接收，并由控制118所用，来检测监视区122内安全标签106的存在。调制信号126的频率可根据给定的实施而改变，例如1-10千赫兹(KHz)。实施方式并不局限于这里的上下文。
除调制信号126以外，发生器124还可被设置成执行发射器110的功能。例如在一个实施例中，发生器124可被设置成产生低频信号(即，信号112)，该信号包括第二激励信号，用于激励安全标签106的标记器108的磁力共振特性。这种设计可避免了发射器110的需要。实施方式并不局限于这里的上下文。
在一个实施例中，EAS系统100可包括控制器118。控制器118可包括被设置成管理EAS系统100的各种操作的一处理和控制系统。例如，控制器118可向发射器102发送同步信号。由于标记器108可以发射器102所用的类似频率受到询问和检测，发射信号104会干扰标记器108检测。因此，EAS系统100可实施为一“脉冲系统”，其中发射器102和接收器116依次关闭和打开，来减少接收器116的干扰。实施方式并不局限于这里的上下文。
在一个实施例中，控制器118可接收来自接收器116的处理信号。控制器118可利用处理信号来确定安全标签106是否处于监视区122内。例如，调制应答信号114可包括在中央频率附近的许多可检测边带。至少一个边带可用于确定安全标签106是否处于监视区122内。如果检测到安全标签106处于监视区122内，控制器118可产生一检测信号，并把该信号传送给提示系统120。
在一个实施例中，EAS系统100可包括提示系统120。提示系统120可包括任何类型的响应一提示信号提供提示的提示系统。提示信号可从任意数量的EAS部件，如控制器118处接收。提示系统120可包括一用户接口，以对触发提示的条件或规则进行编程。提示的例子包括声音提示，如汽笛或响铃，视觉提示，如闪灯，或静音提示。静音提示可包括如无声提示，例如发送到安全公司检测系统的消息。该消息可通过计算机网络、电话网络、寻呼网络等传送。实施方式并不局限于这里的上下文。
在一般操作中，发射器102可把激励信号104和112传送到监视区122。发生器124可传送调制信号126到监视区122。标记器108可接收激励信号104，并传送与接收的激励信号频率相同的应答信号。来自标记器108的应答信号可通过调制信号126来调制，形成调制应答信号114。标记器108可接收激励信号112。激励信号112可具有与标记器108共振频率相同的频率，从而引起标记器108共振。共振可使标记器108实现在调制应答信号114增益上的增加。接收器116可接收调制应答信号114，将该信号加工成电流，并把该加工后的信号传送给控制器118。控制器118可接收并分析来自接收器116的信号，以确定安全标签106是否处于监视区域122内。
在一个实施例中，发射器110、接收器116和控制器118可以是一个常规EAS磁力系统的部件，例如，由Sensormatic公司制造的Ultra·Max系统。在本实施例中，安全标签106还可以在常规EAS磁力系统中操作，从而表示安全标签106的耐用性。实施方式并不局限于这里的上下文。
图2表示了根据一个实施例的标记器。图2可表示一标记器200。标记器200可以是代表了例如安全标签106的标记器108。标记器200可被设置成与一个磁阻系统和一个磁力系统一起操作。在一个实施例中，标记器200可包括一共振器202，偏磁元件204和标记器体208。标记器体208可进一步包括空腔206。尽管图2只表示了有限数量的元件，可以理解，任何数量的附加元件可用在标记器200中。实施方式并不局限于这里的上下文。
标记器200相对于常规标记器可提供若干好处。例如，与常规磁阻系统有关的一个问题是这些系统的检测范围。一般地，微波能量的传播是很有效的。电压随着距离增加而相反地衰减，考虑到长范围的检测。当前的检测依赖于调制应答信号边带的检测，该应答信号的幅度与低频AC磁场的强度成比例。然而，对于会发生的磁性非线性，低频磁场必须具有足够强度。因此，低频磁场对于提高常规磁阻系统的总检测距离来说成为一个限制因素。在另一个例子中，使常规磁阻标记器钝化是有用的。为了钝化，需要把一定数量的硬/半硬磁性材料施加到磁阻材料的附近。要进行钝化，就要使这种硬/半硬材料饱和化，来提供足够的磁场以克服磁阻材料的非线性特性，这样微波能量就不会与低频磁场混杂。然而，可以证明，要完全消除非线性磁效应是很困难的，并且在钝化操作之后，小边带组分可能仍然存在。
标记器108可通过磁力共振行为解决这些问题和其它问题，以便为更好的检测和钝化而增强磁阻调制。磁力共振的一个优点是通过高共振效率(Q)的机械共振来提供信号增强的特定机会。因此，EAS系统具有一较长检测距离的可能。另一个优点是，磁力共振还提供独特签名，它可有助于减少或消除错误提示检测的可能性。
在一个实施例中，标记器108可被设置成利用磁致伸缩材料的固有共振来为EAS应用提高磁阻效应和微波能量调制。一微波系统由于其场强以1/r的关系衰减而具有长且有效的检测距离。然而，用于调制磁性的低频磁场以1/r3的关系按快得多的速率下降。因此，低频磁场强度就成为延长检测距离的限制性因素。标记器108可通过利用磁力共振行为解决这一限制。通过这两种磁性的结合，材料相对于非共振磁场而言，更好地响应低频共振磁场。此外，通过灵敏的共振签名，错误提示也可能少发生了。
在一个实施例中，标记器200可包括一共振器202、偏磁元件204、和标记器体208。共振器202可由适于在由磁场偏磁时，以预定的共振频率发生机械共振的磁致伸缩铁磁体材料构成。预先选择发射器102的发射频率，来近似共振器202的共振频率。偏磁元件204可放置在共振器202附近。偏磁元件204可包括一相对高的矫顽铁磁性元件。在磁化时，偏磁元件204可机械偏磁共振器202，从而允许共振器202以预定的共振频率发生共振。共振器202可放置到标记器体208的凹腔206中，以降低或防止与机械共振的干扰。
在一个实施例中，可选择共振器202的材料以便在磁力特性之外还具有特定的磁阻特性。共振器202可作为一收发器来操作。共振器202可从发射器102接收第一激励信号，并把高频能量再辐射回接收器116。共振器202可削减为射频(RF)信号的半波偶极长度，以提高收发器效率。然而，对于现有检测，从材料散射以及从发射器102/110到接收器116的直接馈送中区分出微波信号是很重要的。为了实现这一目的，采用低频AC磁场126来调制共振器202材料的磁性。因此，调制了材料的天线效率，并且为了EAS检测目的，创建了微波载体信号附近的边带。
共振器202可用既具有磁阻特性又具有磁力特性的材料构成。一导体的AC阻抗由集肤深度δ来控制，即电磁场能够穿入导体的距离。集肤深度δ可用以下公式表示：
其中f是电磁场的频率，μ和σ分别代表导体材料的磁导率和导电率。在高频时，集肤深度可以小于导体的物理横截面。导电电流受到限制，仅流动在导体的外表面，从而比DC或低频条件下具有更高的电阻率。频率越高，集肤深度δ越短，导体的AC阻抗就变得更高。集肤深度还依赖于导体材料的导电性和磁导率。对于所有其它参数，如f和σ提供相同条件时，软磁性金属材料的阻抗比非磁性金属材料的阻抗要高。此外，利用磁场可以更方便地控制软磁性导体的电阻率。在接近于零的磁场中，磁阻材料的磁导率相对要高，其AC阻抗也要高。随着磁场增强，磁性材料饱和，且其磁导率降低到个位数。这样，集肤深度就随着AC阻抗的减小而增加。例如，一非晶磁性线具有约125μΩ-cm的电阻率(ρ)，具有很高的μr～10,000的磁导率。在1千兆赫兹(GHz)时，该频率下这种材料的集肤深度对于高磁导率和接近饱和状态的情况分别为2μm和50μm。因此，100μm线的有效导电区域对于软性和饱和磁性状态分别为630和7850μm2。由于该磁性饱和而引起的电阻率变化的比率因此大约为12倍。这远远大于其它效应，如磁性霍尔效应、磁阻效应等的影响。
EAS系统100可利用标记器200的这个磁阻效应来检测监视区122内安全标签106的存在。标记器200可包括一种磁阻效应高的磁性材料，用于向接收器116散射来自发射器102的微波信号。此外，低频AC磁场126施加到标记器108的磁性材料以产生材料磁导率随时间的变化。材料的电阻率和微波反射率相应地改变，导致微波与低频信号的混合。混合操作产生频率为f0±fm的边带信号。该特征可用于检测监视区122内安全标签106的存在。
如果材料在其自然共振频率下受驱动的话，用于形成标记器200的磁性材料的有效磁导率可以得到显著提高。该频率由磁性材料的尺寸、及其杨氏模量所确定。如果不加限制，共振效率(Q)能够很高。例如，一Ultra·Max产品的活动带的Q可以高达300到400的范围。因此，磁阻调制的“瓶颈”现象可利用这种共振行为得到克服。在共振时磁力共振材料对低频磁场的响应也比非共振时要灵敏得多。这就可以使EAS系统100产生一个更大的检测距离。
系统100和标记器200的操作通过例子也可以很好地了解。假定一共振器202包括从一卷缠的(reel-to-reel)、横向场退火、同系(Allied)2605SC材料上切下的一5.5cm长的条带。该材料具有Fe81B13.5Si3.5C2的组分。通过退火过程，具有了大约1.5Oe的横向各向异性。5.5cm的带长针对2.45GHz微波频率的有效偶极长度进行了调整。这样的条带表现出了显著的磁力共振行为。当驱动电磁频率与条带的固有频率相匹配时，条带发生共振。
图3包括一图表，该图表表示作为DC磁场函数的标记器的固有频率。图3表示了共振器202固有频率跟随DC偏磁磁场而显著变化。如图3所示的，共振器202在接近于零磁偏磁时以大约40kHz的频率共振。随着偏磁的增加，共振频率显著下降，并逐渐衰减。共振器202在1.5Oe磁偏磁场时在26kHz达到其最小值。大于1.5Oe，共振器202的共振频率随着材料饱和迅速返回到40kHz。
图4包括一图表，表示由标记器磁力共振所产生的调幅的变化。一旦已经识别出共振器202的共振频率，就可以测量由磁力共振引起的微波能量磁阻调制的效应。图4所示的测量通过假定微波设定和电源输出电平、以及DC和低频磁场电平维持恒定而获得。如图4所示，调制输出可通过共振器202的固有频率、随着激励频率的变化而测量。仍然如图4所示，具有一发生在29.5kHz附近频率处的峰值输出，该频率与共振器202的共振频率是一致的。在这一例子中，由该共振行为产生的增益大约为15毫瓦分贝(dbm)。
图5-10可用于表示适用于标记器200的材料的第二个例子。在这一例子中假定共振器202包括一种具有Fe40Co40B18Si2细分的材料。该材料可以为大约55mm长6mm宽。在一穿过所述材料宽度的饱和磁场中，该样品在410℃退火30秒。
图5表示机械共振频率与共振器202衰减(ring-down)幅度的相对关系。图5表示了用第二例子的材料构成的共振器202的衰减(ring-down)幅度。该材料的衰减(ring-down)幅度可类似于常规磁力标记器，例如在相同的运行偏磁强度6-6.5Oe下的U*Max共振器。
图6-10表示了对于用第二例子材料的共振器202，在不同偏磁点处，边带幅度与调制频率的相对关系。在峰值幅度的频率接近其机械共振频率，但其存在一定量的偏移。该偏移可能是由于样品放置方向引起的。样品在微波测量期间是垂直的，在机械共振测量期间是水平的。地面磁场在这两个方向上的贡献是不同的。加感效应还可改变其在垂直方向的共振频率。在频率增大时测量的边带幅度与频率曲线的相互关系并不一定要与频率下降时测得的曲线相匹配。该滞后现象在共振频率附近发生，并在高偏磁时消失。当存在滞后时，这些曲线在随频率增加幅度迅速增大和幅度逐渐下降的时候不是对称的。最大边带幅度伴随偏磁强度的趋势与机械衰减(ring-down)幅度类似。它随着偏磁增加而先增加，然后降低。然而，对于这两种情况，最大幅度处的偏磁点并不一致。作为测量的结果，发现该例子的最佳边带幅度是大约-65dbm，同时噪声水平为大约-110dbm。这可与基于钴的非晶线有可比性。
图11表示根据一个实施例的第二系统。图11表示系统1100。系统1100可与系统100类似。例如，系统100的元件102、104、106、108、114、116、118、120、122、124和126在结构和功能上都分别类似于系统1100的相应元件1102、1104、1106、1108、1112、1114、1116、1118、1120、1124和1126。然而，在系统1100中，发生器1124和调制信号1126相对于系统100的发生器124和调制信号126发生了改变。此外，系统1100的结构消除了对第二发射器如系统100的发射器110，以及第二激励信号112的需要。
在一个实施例中，系统1100包括一发生器1124。发生器1124可被设置成产生一调制信号1126使标记器1108的应答信号得到调制，以形成调制应答信号1114。该操作可类似于发生器124产生调制信号126来调制系统100的标记器108的应答信号。然而，在系统100中，调制信号126包含了足以调制标记器108应答信号的相对低的频率。在系统1100中，发生器1124修改为产生频率比发生器124要高的调制信号1126。更具体地，发生器1124修改成产生频率足够高、可使标记器1108在其共振频率发生共振的调制信号1126。通过这种方式，调制信号1126不仅调制标记器1108的应答信号以产生调制应答信号1124，而且其操作以使标记器1108在预定的共振频率发生共振。在一个实施例中，例如，调制信号1126可具有一大约为58KHz的操作频率。由于调整调制信号1126以使标记器1108发生共振，系统1100就消除了一种类似于发射器110、用于产生第二激励信号112的发射器的需要。实施例不局限于这里的上下文。
实施例的部分可以利用一种结构来实现，该结构可根据任何数量的因素而变化，如期望的计算速率、功率电平、热量容限、处理周期预算、输入数据速率、输出数据速率、存储资源、数据总线速度和其他的性能限制。例如，一个实施例可利用由一处理器执行的软件来实现。该处理器可以是通用的或专用的处理器，例如由Intel公司制造的处理器。该软件可包括计算机程序代码段、编程逻辑、指令或数据。该软件可存储在通过一机器、计算机或其他处理系统可访问的介质上。可接受的介质的例子可包括计算机可读介质，如只读存储器(ROM)、随机存储器(RAM)、可编程ROM(PROM)、可擦写PROM(EPROM)、磁盘、光盘、等等。在一个实施例中，该介质可按照压缩和/或加密格式存储编程指令，以及在处理器执行之前可能必须通过安装者进行编译或安装的指令。在另一个例子中，一实施例可实现为专用硬件，如专用集成电路(ASIC)、可编程逻辑设备(PLD)或数字信号处理器(DSP)及附属硬件结构。在又一个例子中，一实施例可通过程序化通用计算机组件和定制硬件组件的任一结合来实现。实施例不局限于这里的上下文。
尽管如在此描述的那样表示了本发明实施例的某些特征，对于本领域普通技术人员来说可进行许多修改、替换、变化和等效替代。因此，需要了解，附带的权利要求书用于覆盖所有落入本发明实施例的实际精神以内的这些修改和变化。
Claims (26)
1、一种安全标签，包括：
标记器，包含具有磁力特性和磁阻特性的磁致伸缩材料，所述标记器被设置成响应于第一激励信号和调制信号而产生调制应答信号，所述标记器还接收第二激励信号，使得所述标记器在共振频率上共振，并且当所述磁致伸缩材料在所述共振频率上共振时，所述共振使得所述调制应答信号的增益增加。
2、根据权利要求1的安全标签，其中所述第一激励信号包括微波信号。
3、根据权利要求1的安全标签，其中所述第一激励信号包括2.45千兆赫兹微波信号和915兆赫兹微波信号中的一个。
4、根据权利要求1的安全标签，其中所述磁致伸缩材料通过退火形成。
5、根据权利要求1的安全标签，其中所述共振频率包括约58千赫兹。
6、根据权利要求1的安全标签，其中所述磁致伸缩材料具有Fe81B13.5Si3.5C2和Fe40Co40B18Si2中至少一个的组份。
7、根据权利要求1的安全标签，其中所述磁致伸缩材料在穿过所述材料宽度上的饱和磁场中，在410摄氏度退火30秒。
8、根据权利要求1的安全标签，其中所述第一激励信号是在第一频率范围Δf1内的电磁第一信号，所述调制信号是在第二频率范围Δf2内的磁性第二信号，其中Δf1＞＞Δf2，并且所述调制应答信号是由所述第一信号组成的电磁第三信号，其幅度由所述第二信号调制。
9、根据权利要求1的安全标签，其中所述第一激励信号是在第一频率范围Δf1内的电磁第一信号，所述调制信号是在第二频率范围Δf2内的磁性第二信号，其中Δf1＞＞Δf2，并且所述调制应答信号是由所述第一信号组成的电磁第三信号，其频率由所述第二信号调制。
10、一种系统，包括：
第一发射器，用于在监视区域中发射激励信号；
用于接收所述激励信号的安全标签，所述安全标签包括设置在所述安全标签体中的磁阻标记器，所述磁阻标记器包含被设置成在共振频率上共振的的磁致伸缩材料，所述标记器接收第一激励信号和调制信号以产生调制应答信号，第二激励信号使所述标记器在所述共振频率上共振，并且所述共振使得所述调制应答信号的增益增加；
接收器，用于接收所述调制应答信号；以及
控制器，用于检测所述监视区中的所述安全标签，并输出检测信号。
11、根据权利要求10的系统，进一步包括与所述控制器连接的提示系统，所述提示系统接收所述检测信号并响应于所述检测信号产生提示。
12、根据权利要求10的系统，其中所述第一激励信号包括微波信号。
13、根据权利要求10的系统，其中所述第一激励信号包括2.45千兆赫兹微波信号和915兆赫兹微波信号中的一个。
14、根据权利要求10的系统，其中所述磁致伸缩材料通过退火形成。
15、根据权利要求10的系统，其中所述共振频率包括约58千赫兹。
16、根据权利要求10的系统，其中所述磁致伸缩材料具有Fe81B13.5Si3.5C2和Fe40Co40B18Si2中至少一个的组份。
17、根据权利要求10的系统，其中所述磁致伸缩材料在穿过所述材料宽度上的饱和磁场中，在410摄氏度退火30秒。
18、根据权利要求10的系统，其中所述第一激励信号是在第一频率范围Δf1内的电磁第一信号，所述调制信号是在第二频率范围Δf2内的磁性第二信号，其中Δf1＞＞Δf2，并且所述调制应答信号是由所述第一信号组成的电磁第三信号，其幅度由所述第二信号调制。
19、根据权利要求10的系统，其中所述第一激励信号是在第一频率范围Δf1内的电磁第一信号，所述调制信号是在第二频率范围Δf2内的磁性第二信号，其中Δf1＞＞Δf2，并且所述调制应答信号是由所述第一信号组成的电磁第三信号，其频率由所述第二信号调制。
20、一种方法，包括：
在标记器接收第一激励信号；
响应于所述第一激励信号而产生应答信号；
在所述标记器中接收调制信号；
响应于所述调制信号而调制所述应答信号，以形成调制应答信号；以及在所述标记器中接收第二激励信号，所述第二激励信号用于使所述标记器在共振频率上共振，并且所述共振使得所述调制应答信号的增益增加。
21、根据权利要求20的方法，其中所述第一激励信号具有比所述第二激励信号更高的频率。
22、根据权利要求20的方法，其中所述第一激励信号是微波信号。
23、一种安全标签，包括：
标记器，包含具有磁力特性和磁阻特性的磁致伸缩材料，所述标记器被设置成响应于激励信号和调制信号而产生调制应答信号，所述调制信号用于使所述标记器在共振频率上共振，并且当所述磁致伸缩材料在所述共振频率上共振时，所述共振使得所述调制应答信号的增益增加。
24、根据权利要求23的安全标签，其中所述激励信号包括微波信号。
25、根据权利要求23的安全标签，其中所述激励信号包括2.45千兆赫兹微波信号和915兆赫兹微波信号中的一个。
26、根据权利要求23的安全标签，其中所述共振频率包括约58千赫兹。
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Owner name: SENSOR ELECTRONICS CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: SENSORMATIC ELECTRONICS CORPORATION Effective date: 20150731 Owner name: ADT SERVICE LLC Free format text: FORMER OWNER: SENSOR ELECTRONICS CO., LTD. Effective date: 20150731 Owner name: TYCO FIRE + SECURITY GMBH Free format text: FORMER OWNER: ADT SERVICE LLC Effective date: 20150731 |
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| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20150731 Address after: Switzerland Rhine falls Neuhausen Patentee after: TYCO FIRE & SECURITY GmbH Address before: Switzerland Rhine falls Neuhausen Patentee before: ADT Services LLC Effective date of registration: 20150731 Address after: American Florida Patentee after: SENSORMATIC ELECTRONICS, LLC Address before: American Florida Patentee before: SENSORMATIC ELECTRONICS Corp. Effective date of registration: 20150731 Address after: Switzerland Rhine falls Neuhausen Patentee after: ADT Services LLC Address before: American Florida Patentee before: SENSORMATIC ELECTRONICS, LLC |
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| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20090812 |
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| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |