CN1652356A - 类白光的发光组件及其制造方法 - Google Patents

Abstract

一种类白光的发光组件及其制造方法，是揭示一种发光组件，该发光组件包含至少二发光层，该至少二发光层可发射出λ1与λ2波长的光，在利用至少一荧光粉以吸收该发光层的其中的一波长的光而发射出λ3波长的光，藉此λ3波长的光与该发光层的另一波长的光混合，以达发射出白光。本发明的类白光的发光组件的至少二发光层是形成于一N型欧姆接触层上，于该至少二发光层之上接续成长一P型欧姆接触层，以形成一具有至少二发光层的发光组件，再将形成于该发光组件的光发射路径上的该荧光粉与该发光组件一起封装，即为本发明的具有高演色性的白光的发光组件。

Description

类白光的发光组件及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种发光组件及其制造方法，特别是一种可发射白光的类白光的发光组件及其制造方法。

背景技术

发光二极管(LED)是一种固态的半导体组件，利用二极管内分离的2个载子(分别为负电的电子与正电的空穴)相互结合而产生光，属于冷发光，不同于钨丝灯泡的热发光，只要在LED组件两端通入极小电流便可发光。LED因其使用的材料不同，其内电子、空穴所占的能阶也有所不同，能阶的高低差影响结合后光子的能量而产生不同波长的光，也就是不同颜色的光，如红、橙、黄、绿、蓝或不可见光等。LED产品优点为寿命长、省电、较耐用、耐震、牢靠、适合批量生产、体积小、反应快。

LED主要分为可见光与不可见光，其中可见光LED产品包括红、黄及橘光等LED产品，应用面为手机背光源及按键、PDA背光源、信息与消费性电子产品的指示灯、工业仪表设备、汽车用仪表指示灯与煞车灯、大型广告看板、交通号志等，而不可见光LED包括IrDA、VCSEL及LD等，应用面以通讯为主，主要分为二种，短波长红外光应用于无线通讯(如IrDA模块)、遥控器、传感器，长波长红外光则用在短距离通讯光源。

目前白光LED的应用，在照明方面，主要是供汽车内阅读灯、装饰灯等使用，其余约有95％以上是供LCD背光源使用，且因发光效率与寿命问题，目前该产品主要是供小尺寸背光源使用。就应用面来看，明年白光LED市场以彩色手机的屏幕背光源及手机附数字相机的闪光灯最为看好。后续来看，白光LED目标将在大尺寸LCD背光源以及全球照明光源替换市场。

高亮度蓝色LED与荧光体(YAG:Ce)所构成的白光LED更被视为新世代省能源光源。除此之外，紫外线(UV)LED与三波长荧光体所构成的白光LED也加入新世代光源的行列。

如美国专利第5,998,925号所揭示的混光式LED是将GaN芯片和钇铝石榴石(YAG)封装在一起做成。GaN芯片发蓝光(λ_p＝400～530nm，Wd＝30nm)，高温烧结制成的含Ce³⁺的YAG荧光粉受此蓝光激发后发出黄色光发射，峰值550nm。蓝光LED基片安装在碗形反射腔中，覆盖以混有YAG的树脂薄层，约200～500nm。LED芯片发出的蓝光一部分被YAG荧光粉吸收，另一部分蓝光与YAG荧光粉发出的黄光混合，可以得到白光。但此种习知技术为欲增加红光成份以达到高演色性，则须增加钇铝石榴石中钇(Gd)的化学组成，但此可发红光的YAG荧光粉的光转换效率亦随着钇(Gd)的化学组成的增加而降低，故此习知技术若欲得到高演色性的白光则相对会降低发光的效率。如美国专利第6084250号所揭示的是利用可发出紫外光的LED与可吸收紫外光并分别发出R.G.B光的三种荧光粉混合而成可发白光的发光组件，但至今可吸收紫外光的荧光粉其光转换效率均不及钇铝石榴石系列的荧光粉，故需研发出更高效率的紫外光LED，才能达实用化。

再者，如台湾公告案号第546852号的一种混光式发光二极管，其是揭示提供在不改变第一及第二发光层的组成与结构，使其二主波峰的波长固定下，仅需于两发光层之间形成一穿遂性的障壁层，藉由调整该可穿遂障壁层的宽度，来改变导电载子在此穿遂障壁层的穿遂机率，使得在两个发光区域中参与光电能转换的导电载子分布比例改变，即可改变两主波峰的相对发光强度，因此第一发光层所发出的第一波长与第二发光层所发出的第二波长范围光相互混合，使其单颗芯片本身即可发出特定色度的混合光(或白光)，若欲改变混合光的颜色，仅需改变该可穿遂障壁层的宽度，来调变混合光的颜色，因而简化混光式发光二极管的制造程序。此专利所揭示的结构，理论上虽可行，但于两发光层之间形成一穿遂性的障壁层，将增加组件的工作电压，故以省电的目的，仍有其缺点。

因此，如何针对上述所提及的问题而提出一种新颖种类的白光的发光组件及其制造方法，长久以来一直是使用者殷切盼望及本发明人念兹在兹者，而本发明人基于多年从事于发光组件相关产品的研究、开发、及销售实务经验，思及改良的意念，穷其个人的专业知识，经多方研究设计、专题探讨，终于研究出一种种类白光的发光组件及其制造方法改良，可解决上述的问题。

发明内容

本发明的目的，在于提供一种产生一高演色性、高效率及省电的白色发光组件类白光的发光组件及其制造方法。

为达上述目的及其功效，本发明的技术方案如下。

一种类白光的发光组件，包含：

一发光二极管；以及

一荧光粉，涂布于该发光二极管之上；其特征是：

其中，该发光二极管具有至少二发光层分别发出两种不同波长λ1及λ2的光；

该荧光粉是吸收该发光二极管所发射出的其中一种波长的光而发出另一波长λ3的光；

波长的关系是λ1＜λ3＜λ2，三种波长混合成白光。

所述的类白光的发光组件，其特征是：该发光二极管是由氮化镓系化合物半导体所堆叠而成。

所述的类白光的发光组件，其特征是：该发光二极管，其中该λ1的波长范围为430nm≤λ1≤475nm。

所述的类白光的发光组件，其特征是：该发光二极管，其中λ2的波长范围为600nm≤λ2≤650nm。

所述的类白光的发光组件，其特征是：该发光二极管，其中λ3的波长范围为530nm≤λ3≤580nm。

所述的类白光的发光组件，其特征是：该发光二极管的一发光层的量子井包含InN/In_xGa_1-xN，另一发光层的量子井是包含In_yGa_1-yN，最佳值为0.45＜x＜0.6，0.15＜y＜0.3。

所述的类白光的发光组件，其特征是：该发光二极管的基板选自于蓝宝石、碳化硅、硅、砷化镓、氧化锌、二硼化锆、LiGaO₂或LiAlO₂的其中之一。

所述的类白光的发光组件，其特征是：该荧光粉是钇铝石榴石(YttriumAluminum Garnet，YAG)，(Y_xGd_1-x)(Al_yGa_1-y)₅O₁₂:Ce、Tb₃Al₅O₁₂:Ce³⁺或SrGa₂S₄:Eu²⁺其中之一。

本发明还提供实现类白光的发光组件的另一技术方案。

一种类白光的发光组件，包含：

一发光二极管；以及

一至少二荧光粉涂布于该发光二极管之上；其特征是：

该发光二极管具有至少二发光层分别发出两种不同波长λ1及λ2的光；该至少二荧光粉分别吸收该发光二极管所发射出其中一种波长的光而发出另一波长λ3及λ4的光，波长的关系为λ1＜λ2＜λ3＜λ4，且λ2、λ3及λ4三种波长可混合成白光。

所述的类白光的发光组件，其特征是：其中该发光二极管，是由氮化镓系化合物半导体所堆叠而成。

所述的类白光的发光组件，其特征是：其中该发光二极管发射的波长λ1是：365nm≤λ1≤430nm。

所述的类白光的发光组件，其特征是：其中该发光二极管发射的波长λ2是：430nm≤λ2≤475nm。

所述的类白光的发光组件，其特征是：其中该发光二极管发射的波长λ3是：530nm≤λ3≤580nm。

所述的类白光的发光组件，其特征是：其中该发光二极管发射的波长λ3是：600nm≤λ3≤650nm。

所述的类白光的发光组件，其特征是：其中该发光二极管具有的该两种发光层其中之一的量子井是由In_xGa_1-xN，另一由In_yGa_1-yN，其中较佳地0.15＜x＜0.36和0≤y＜0.1。

所述的类白光的发光组件，其特征是：其中该发光二极管上所涂布的该荧光粉是包含钇铝石榴石(Yttrium Aluminum Garnet，YAG)，(Y_xGd_1-x)(Al_yGa_1-y)₅O₁₂:Ce、Tb₃Al₅O₁₂:Ce³⁺或SrGa₂S₄:Eu²⁺其中之一与一氧化钇(YttriumOxide)(Y₂O₃:Eu)、Sr₂P₂O₇:Eu，Mn、Sulfides:Eu(AES:Eu²⁺)或Nitrido-silicates:Eu(AE₂Si₅N₈:Eu²⁺)其中之一。

本发明还提供一种类白光的发光组件的制造方法，其步骤包含：

提供一基板；

形成一缓冲层于该基板之上；

形成一N型欧姆接触层于该缓冲层之上；

形成一第一发光层于该N型欧姆接触层之上；

形成一第二发光层于该第一发光层之上；

形成一P型欧姆接触层于该第二发光层之上；

形成一P型电极于该P型欧姆接触层之上；以及

形成一N型电极于该N型欧姆接触层之上；

其中，上述已形成一LED芯片，并将一荧光粉置于该LED芯片的发光方向。

所述的类白光的发光组件的制造方法，其中发光二极管的该第一发光层的制造方法的步骤包含：

a、成长一第一障位层于该N型欧姆接触层之上；

b、成长一第一量子井于该障位层之上；

c、成长一第二量子井于该第一量子井之上；以及

d、成长一第二障位层于该第二量子井之上；

其中，重复步骤b、c、与d以形成一多重量子井结构的第一发光层。

所述的类白光的发光组件的制造方法，其中发光二极管的该第二发光层的制造方法的步骤包含：

a、成长一第三障位层于该第一发光层之上；

b、成长一第三量子井于该障位层之上；

c、成长一第四量子井于该第三量子井之上；以及

d、成长一第四障位层于该第四量子井之上；

其中，重复步骤b、c、与d以形成一多重量子井结构的第二发光层。

本发明的优点在于：

本发明所提供的类白光的发光组件具有高演色性、高效率及省电的优点。

为对本发明的结构、特征及所达成的功效有更进一步的了解与认识，谨以较佳的实施例及配合附图详细说明如后。

附图说明

图1：是本发明的一较佳实施例的类白光的发光组件的制造流程图。

图2A：是本发明的一较佳实施例的第一发光层的制造流程图。

图2B：是本发明的一较佳实施例的第二发光层的制造流程图。

图3A：是本发明的一较佳实施例的至少二发光层的发光组件的结构示意图。

图3B：是本发明的一较佳实施例的类白光的发光组件的结构示意图。

图4：是本发明的一较佳实施例的类白光的发光组件的发光层的结构示意图。

图5：是本发明的一较佳实施例的第一橘红色发光层及第二蓝光发光层所形成的简单能带示意图。

图6A：是本发明的一较佳实施例的施加驱动电流20mA于P型电极及N型电极之上其发光光谱图。

图6B：是本发明的一较佳实施例的类白光发光组件于驱动电流20mA下，可混合出白光的发光光谱图。

图7：是本发明的一较佳实施例的第一蓝光发光层及第二紫外光发光层所形成的简单能带示意图。

图8A：是本发明的一较佳实施例的施加驱动电流20mA于P型电极及N型电极之上其发光光谱图。

图8B：是本发明的一较佳实施例的类白光发光组件于驱动电流20mA下，可混合出白光的发光光谱图。

具体实施方式

首先，请参阅图1，其是本发明的一较佳实施例的类白光的发光组件的制造流程图；如图所示，本发明的一种类白光的发光组件的制造方法，其主要步骤是包含有：

步骤S10，提供一基板；

步骤S11，形成一缓冲层于该基板之上；

步骤S12，形成一N型欧姆接触层于该缓冲层之上；

步骤S13，形成一第一发光层于该N型欧姆接触层之上；

步骤S14，形成一第二发光层于该第一发光层之上；

步骤S15，形成一P型欧姆接触层于该第二发光层之上；

步骤S16，形成一P型电极于该P型欧姆接触层之上；以及

步骤S17，形成一N型电极于该N型欧姆接触层之上。

其中，上述已形成一LED芯片，并将一荧光粉置于该LED芯片的发光方向。

再者，其中于步骤S13的第一发光层的制造方法，请参阅图2A，其是本发明的一较佳实施例的第一发光层的制造流程图；如图所示，其主要步骤是包含有：

步骤S100，成长一第一障位层(barrier layer)于该N型欧姆接触层之上；

步骤S110，成长一第一量子井(quantum well)于该障位层之上；

步骤S120，成长一第二量子井于该第一量子井之上；以及

步骤S130，成长一第二障位层(barrier layer)于该第二量子井之上。

其中，重复步骤S110形成于该第二障位层之上以及步骤S120与步骤S130，以形成一多重量子井结构的第一发光层。

又，其中于步骤S14的该第二发光层的制造方法，请参阅图2B，其是本发明的一较佳实施例的第二发光层的制造流程图；如图所示，其主要步骤是包含有：

步骤S200，成长一第三障位层(barrier layer)于该第一发光层之上；

步骤S210，成长一第三量子井(quantum well)于该障位层之上；

步骤S220，成长一第四量子井于该第三量子井之上；以及

步骤S230，成长一第四障位层(barrier layer)于该第四量子井之上。

其中，重复步骤S210形成于该第四障位层之上以及步骤S220与步骤S230，以形成一多重量子井结构的第二发光层。

请参阅图3A以及图3B，其是本发明的一较佳实施例的至少二发光层的发光组件的结构示意图以及类白光的发光组件的结构示意图；如图所示，本发明的类白光的至少二发光层的发光组件100其主要结构是包含有一基板110、一缓冲层120、一N型欧姆接触层130、一第一发光层140、一第二发光层150、一披覆层160、一P型欧姆接触层170、一P型透明金属导电层180、一P型电极172、一N型电极132以及一荧光粉200；该缓冲层120于该基板110之上，而该N型欧姆接触层130位于该缓冲层120之上，该第一发光层140与该第二发光层150依序位于该N型欧姆接触层130之上，该第二发光层150之上是一披覆层160，该披覆层160之上是该P型欧姆接触层170，于该P型欧姆接触层170之上形成该P型透明金属导电层180与P型电极172，而于该N型欧姆接触层130的部分区域之上是该N型电极132，再于上述所形成的发光组件的发光方向设置该荧光粉200。

其中，该缓冲层的材料是氮化镓系化合物，其可为Al_xGa_1-xN(0≤x≤1)，该N型欧姆接触层的材料可为掺杂硅载子的N型氮化镓(N-GaN)，该披覆层可为掺杂镁载子浓度的P型氮化铝镓(P-Al_zGa_1-zN，z～0.2)，而P型欧姆接触层是一掺杂镁载子的氮化镓(P-GaN)。

再者，请参阅图4，其为本发明的一较佳实施例的类白光的发光组件的发光层的结构示意图；如图所示，该第一发光层140包含一第一障位层142(barrier layer)、一第一量子井144(quantum well)及一第二量子井146，以上述的结构如此交互堆叠3～10次而成多重量子井结构(MQW)的第一发光层140；该第二发光层150是包含一第二障位层(barrier layer)152、一第三量子井154(quantum well)及一第四量子井156，以上述的结构如此交互堆叠3～10次而成多重量子井结构(MQW)的第二发光层150。

下面以实际的实施例作一说明。

本发明是以有机金属化学气相磊晶法成长的，首先提供一蓝宝石(Sapphire)基板，接着先于温度约500℃下在该基板表面上磊晶成长一厚度约为200～300的低温缓冲层，接着将成膜温度升至约1025℃，于此高温下形成一高温缓冲层于该低温缓冲层上，该高温缓冲层的厚度约为0.7μm。接着于相同温度下于该高温缓冲层上磊晶形成一N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层为一掺杂硅载子浓度约3～5e+18cm^-3的N型氮化镓(N-GaN)，其成长厚度约为2～5μm。

接着，形成一第一橘红色发光层，首先，将成长温度降至约800～830℃成长一厚度约70～200的氮化镓障位层(barrier layer)，接着，中断磊晶成长，将成长温度降至约700～730℃时，成长一厚度约为5～15的氮化铟(InN)的第一量子井(quantum well)，接着成长一厚度约15～40的氮化铟镓(In_xGa_1-xN，x～0.48)的第二量子井(quantum well)，接着，成长一厚度约30～50的氮化镓障位层(barrier layer)，的后，中断磊晶成长，将成长温度升至约800～830℃时再重复成长一厚度约70～200的氮化镓障位层(barrierlayer)，如此交互堆叠3～10次而成多重量子井结构(MQW)的第一橘红色发光层205。接着，将温度维持在约750～800℃。

成长一第二蓝光发光层，其结构为厚度约70～200的氮化镓障位层(barrier layer)及厚度约20～30的氮化铟镓(In_yGa_1-yN，y～0.24)所交互堆叠3～10次而成的多重量子井结构(MQW)，请参阅图5，其是本发明的一较佳实施例的第一橘红色发光层及第二蓝光发光层所形成的简单能带示意图。

当完成发光层后，将成长温度升至约930～980℃，于发光层的最后障位层上成长一厚度约200～500掺杂镁载子浓度约3e+17～5e+19cm^-3的P型氮化铝镓(P-Al_zGa_1-zN，z～0.2)的披覆层，以及一厚度约1000～5000掺杂镁载子浓度约3e+18～1e+20cm^-3的P型氮化镓(P-GaN)所构成的欧姆接触层。

于完成上述的磊晶成长后，以一干蚀刻制程(Dry Etching)将部份的该P欧姆接触层、该披覆层、该发光层以及N型欧姆接触层移除，裸露出该N欧姆接触层的表面。接着，进行一蒸镀制程以制作一P型透明金属导电层于该P型欧姆接触层之上，并制作一P型电极于该P型透明金属导电层之上及一N型电极于该N欧姆接触层的表面之上。

接着，将磊晶芯片研磨及切割后制作成大小约为380×320μm²的发光二极管芯片(chip)，当施加驱动电流20mA于P型电极及N型电极之上，其发光光谱如图6A所示，主波峰～460nm而次波峰～603nm。再将此发光二极管芯片加上可发黄绿光的钇铝石榴石(Yttrium Aluminum Garnet，YAG)系列的荧光粉封装成习知的炮弹型发光二极管或表面黏着型发光二极管，一般可以(Y_xGd_1-x)(Al_yGa_1-y)₅O₁₂:Ce化学式代表黄绿光的钇铝石榴石(Yttrium AluminumGarnet，YAG)系列的荧光粉，施以驱动电流20mA下，可混合出白光，其发光光谱如图6B所示，其演色性(Rendering Index)可达90。除以上所述的YAG荧光粉外，亦可为TAG或STG系列的荧光粉，一般可以Tb₃Al₅O₂₃:Ce³⁺化学式代表黄绿光的(Terbium Aluminum Garnet，TAG)系列的荧光粉，而以SrGa₂S₄:Eu²⁺化学式代表黄绿光的STG系列的荧光粉。

本发明的另一实施例，各氮化镓是化合物是以有机金属化学气相磊晶法成长的，首先提供一蓝宝石(Sapphire)基板，接着先于温度约500℃下在该基板表面上磊晶成长一厚度约为200～300的低温缓冲层，接着将成膜温度升至约1025℃，于此高温下形成一高温缓冲层于该低温缓冲层上，该高温缓冲层的厚度约为0.7μm。接着于相同温度下于该高温缓冲层上磊晶形成一N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层为掺杂硅载子浓度约3～5e+18cm^-3的N型氮化镓(N-GaN)，其成长厚度约为2～5μm。

接着，形成一第一蓝光发光层，首先，将成长温度降至约750～800℃成长一厚度约70～200的氮化镓障位层(barrier layer)，接着，成长一厚度约为20～30的氮化铟镓(In_xGa_1-xN，x～0.24)的量子井(quantum well)305b，如此交互堆叠3～10次而成多重量子井结构(MQW)的第一蓝光发光层。

接着，将温度上升至约840～890℃，成长一第二紫外光发光层，其结构为厚度约70～200的氮化镓障位层(barrier layer)及厚度约20～30的氮化铟镓(In_yGa_1-yN，y～0.08)所交互堆叠3～10次而成的多重量子井结构(MQW)，如图7，其是为本发明的一较佳实施例的第一蓝光发光层及第二紫外光发光层所形成的简单能带示意图。

当完成发光层后，将成长温度升至约930～980℃，于发光层的最后障位层上成长一厚度约200～500掺杂镁载子浓度约3e+17～5e19cm^-3的P型氮化铝镓(P-Al_zGa_1-zN，z～0.2)所组成的披覆层，以及一厚度约1000～5000掺杂镁载子浓度约3e+18～1e+20cm^-3的P型氮化镓(P-GaN)所构成的欧姆接触层，完成上述的磊晶成长后，以一干蚀刻制程(Dry Etching)将部份的该P欧姆接触层、该披覆层、该发光层以及N型欧姆接触层移除，裸露出该N欧姆接触层的表面。接着，进行一蒸镀制程以制作一P型透明金属导电层于该P型欧姆接触层之上，并制作一P型电极于该P型透明金属导电层之上及一N型电极于该N欧姆接触层的表面之上。

接着，将磊晶芯片研磨及切割后制作成大小约为380×320μm²的发光二极管芯片(chip)，当施加驱动电流20mA于P型电极及N型电极之上，其发光光谱如图8A所示，主波峰～380nm而次波峰～460nm。将此发光二极管芯片加上可发黄绿光的钇铝石榴石(Yttrium Aluminum Garnet，YAG)系列的荧光粉及可发红光的氧化钇(Yttrium Oxide)系列的荧光粉封装成习知的炮弹型发光二极管或表面黏着型发光二极管，施以驱动电流20mA下，可混合出白光，其发光图谱如图8B所示。一般可以(Y_xGd_1-x)(Al_yGa_1-y)₅O₁₂:Ce化学式代表黄绿光的钇铝石榴石(Yttrium Aluminum Garnet，YAG)系列的荧光粉，而以Y₂O₃:Eu化学式代表红光的氧化钇(Yttrium Oxide)系列的荧光粉，其演色性(RenderingIndex)可达92。除以上所述的荧光粉外，亦可以Tb₃Al₅O₁₂:Ce³⁺或SrGa₂S₄:Eu²⁺取代YAG及以Sr₂P₂O₇:Eu，Mn、Sulfides:Eu(AES:Eu²⁺)或Nitrido-silicatcs:Eu(AE₂Si₅N₈:Eu²⁺)取代氧化钇。

综上所述，本发明实为一具有新颖性、进步性及可供产业利用者，符合我国专利法所规定的专利申请要件，爰依法提出发明专利申请。

以上所述，仅为本发明的一较佳实施例而已，并非用来限定本发明实施的范围，举凡依本发明申请专利范围所述的形状、构造、特征及精神所为的均等变化与修饰，均应包括于本发明的权利要求范围内。

Claims (19)

1、一种类白光的发光组件，包含：

一发光二极管；以及

一荧光粉，涂布于该发光二极管之上；其特征是：

该发光二极管具有至少二发光层分别发出两种不同波长λ1及λ2的光；

该荧光粉是吸收该发光二极管所发射出的其中一种波长的光而发出另一波长λ3的光；

波长的关系是λ1＜λ3＜λ2，三种波长混合成白光。

2、根据权利要求1所述的类白光的发光组件，其特征是：该发光二极管是由氮化镓系化合物半导体所堆叠而成。

3、根据权利要求1所述的类白光的发光组件，其特征是：该发光二极管，其中该λ1的波长范围为430nm≤λ1≤475nm。

4、根据权利要求1所述的类白光的发光组件，其特征是：该发光二极管，其中λ2的波长范围为600nm≤λ2≤650nm。

5、根据权利要求1所述的类白光的发光组件，其特征是：该发光二极管，其中λ3的波长范围为530nm≤λ3≤580nm。

6、根据权利要求1所述的类白光的发光组件，其特征是：该发光二极管的一发光层的量子井包含InN/In_xGa_1-xN，另一发光层的量子井是包含In_yGa_1-yN，最佳值为0.45＜x＜0.6，0.15＜y＜0.3。

7、根据权利要求1所述的类白光的发光组件，其特征是：该发光二极管的基板选自于蓝宝石、碳化硅、硅、砷化镓、氧化锌、二硼化锆、LiGaO₂或LiAlO₂的其中之一。

8、根据权利要求1所述的类白光的发光组件，其特征是：该荧光粉是钇铝石榴石(Yttrium Aluminum Garnet，YAG)，(Y_xGd_1-x)(Al_yGa_1-y)₅O₁₂:Ce、Tb₃Al₅O₁₂:Ce³⁺或SrGa₂S₄:Eu²⁺其中之一。

9、一种类白光的发光组件，包含：

一发光二极管；以及

一至少二荧光粉涂布于该发光二极管之上；其特征是：

其中该发光二极管具有至少二发光层分别发出两种不同波长λ1及λ2的光；

该至少二荧光粉分别吸收该发光二极管所发射出其中一种波长的光而发出另一波长λ3及λ4的光，波长的关系为λ1＜λ2＜λ3＜λ4，且λ2、λ3及λ4三种波长可混合成白光。

10、根据权利要求9所述的类白光的发光组件，其特征是：其中该发光二极管，是由氮化镓系化合物半导体所堆叠而成。

11、根据权利要求9所述的类白光的发光组件，其特征是：其中该发光二极管发射的波长λ1是：365nm≤λ1≤430nm。

12、根据权利要求9所述的类白光的发光组件，其特征是：其中该发光二极管发射的波长λ2是：430nm≤λ2≤475nm。

13、根据权利要求9所述的类白光的发光组件，其特征是：其中该发光二极管发射的波长λ3是：530nm≤λ3≤580nm。

14、根据权利要求9所述的类白光的发光组件，其特征是：其中该发光二极管发射的波长λ3是：600nm≤λ3≤650nm。

15、根据权利要求9所述的类白光的发光组件，其特征是：其中该发光二极管具有的该两种发光层其中之一的量子井是由In_xGa_1-xN，另一由In_yGa_1-yN，其中较佳地0.15＜x＜0.36和0y＜0.1。

16、根据权利要求9所述的类白光的发光组件，其特征是：其中该发光二极管上所涂布的该荧光粉是包含钇铝石榴石(Yttrium Aluminum Garnet，YAG)，(Y_xGd_1-x)(Al_yGa_1-y)₅O₁₂:Ce、Tb₃Al₅O₁₂:Ce³⁺或SrGa₂S₄:Eu²⁺其中之一与一氧化钇(Yttrium Oxide)(Y₂O₃:Eu)、Sr₂P₂O₇:Eu，Mn、sulfides:Eu(AES:Eu²⁺)或Nitrido-silicates:Eu(AE₂Si₅N₈:Eu²⁺)其中之一。

17、一种类白光的发光组件的制造方法，其步骤包含：

提供一基板；

形成一缓冲层于该基板之上；

形成一N型欧姆接触层于该缓冲层之上；

形成一第一发光层于该N型欧姆接触层之上；

形成一第二发光层于该第一发光层之上；

形成一P型欧姆接触层于该第二发光层之上；

形成一P型电极于该P型欧姆接触层之上；以及

形成一N型电极于该N型欧姆接触层之上；

其中，上述已形成一LED芯片，并将一荧光粉置于该LED芯片的发光方向。

18、根据权利要求17所述的类白光的发光组件的制造方法，其中该第一发光层的制造方法的步骤包含：

a、成长一第一障位层于该N型欧姆接触层之上；

b、成长一第一量子井于该障位层之上；

c、成长一第二量子井于该第一量子井之上；以及

d、成长一第二障位层于该第二量子井之上；

其中，重复步骤b、c、与d以形成一多重量子井结构的第一发光层。

19、根据权利要求17所述的类白光的发光组件的制造方法，其中该第二发光层的制造方法的步骤包含：

a、成长一第三障位层于该第一发光层之上；

b、成长一第三量子井于该障位层之上；

c、成长一第四量子井于该第三量子井之上；以及

d、成长一第四障位层于该第四量子井之上；

其中，重复步骤b、c、与d以形成一多重量子井结构的第二发光层。

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