CN1648662A - 一种玻璃微流控芯片的低温键合方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种玻璃微流控芯片的低温键合方法,其特征在于具体包括(1)在腐蚀出相应图形和完成储液池打孔加工后基片进行表面清洗;(2)基片预键合,清洗后的基片和盖片用去离子水冲洗后,直接在去离子水中将基片和盖片的键合面贴合在一起,转移到培养皿中,然后放置到真空干燥箱中,干燥温度为90-110℃,抽真空使真空度达60-90Pa并保持真空2 h完成基片预键合;(3)基片预键合后退火,提高键合强度,在预键合好的基片上面施加0.2-0.4MPa的压力,同时将真空干燥箱的温度设定为180-210℃,抽真空真空度为60-90Pa保持6h后关闭电源,自然冷却至室温。键合过程在非净化条件下完成,基片预键合仅需真空干燥箱中施加一定压力实现高温键合与退火。
Description
技术领域
本发明涉及一种玻璃微流控芯片的低温键合制作方法,属于微细加工技术领域。
背景技术
微全分析系统(Micro Total Analysis Systems,μTAS)是上世纪90年代在分析化学领域发展起来的多学科交叉的新的研究方向,它以微电子机械系统(microelectromechanical systems,MEMS)为基础,以生命科学为主要研究对象,在不同材料的基片上设计并加工出适合生化分析的各种微管道网络,用于此目的的芯片常称为微流控芯片。制作微流控芯片的材料很多,包括硅、石英、普通玻璃以及PDMS、SU-8等聚合物,而玻璃(包括石英和普通玻璃)由于其优良的光学特性,在微流控芯片的研究中应用较多。对于玻璃微流控芯片的制作,涉及到许多MEMS加工制作过程和方法,包括光刻、腐蚀以及键合等步骤。作为芯片制作的最后一步,键合效果的好坏直接决定了芯片制作的成败。
传统的键合方法,如热键合、阳极键合等,键合的整个过程需要在净化室完成,芯片键合前的表面处理可在较低等级的净化间完成,而芯片预键合以及芯片退伙键合等过程则需要更高要求的净化条件,且键合的退火需要在高温下才可完成。高温的退火,就要求上下片子的膨胀系数应一致,否则在高温下由于膨胀不均,而导致键合失败。近年来发展了很多玻璃的低温或者室温键合技术,如Wang等【1】H.Y.Wang,R.S.Foote,S.C.Jacobson,J.H.Schneibe,J.M.Ramsey,Low temperature bonding for microfabrication ofchemical analysis devices,Sensors and Actuators B 45(1997)199-207.利用硅酸钠做粘合层,实现100℃下的低温键合,Nakanishi等【2】H.Nakanishi,T.Nishimoto,R.Nakamura,A.Yotsumoto,T.Yoshida,S.Shoji,Studies onSiO2-SiO2 bonding with hydrofluoric acid.Room temperature and low stressbonding technique for MEMS,Sensors and Actuators A 79 2000 237-244.利用HF酸,实现了室温下玻璃键合,但这些方法所需要的键合条件均较严格,需要在净化间进行。前者硅酸钠作粘合层键合改变了管道内壁形貌,且易发生管道堵塞现象,后者键合需要严格的HF酸浓度和压力,且HF酸对玻璃具有强烈的腐蚀作用,渗透性强。最近SUSS公司研制成功了一种低温键合仪器,可以实现多种材料的键合,如Si-Si,Si-SiO2以及SiO2-SiO2等的键合。但键合过程必须要求在超净环境中完成,且键合表面需要特殊的预处理过程,如兆声清洗,红外烘干等,这些都需要特殊的装置,仪器昂贵,一般实验室无法承受。
发明内容
本发明目的在于解决上述键合方法不足之处,提出了一种简单的、可在一般实验室完成的玻璃芯片低温键合方法。该键合为永久键合,键合强度完全满足实验要求,该键合方法键合成功率高,可达95%以上。
为实现本发明的目的需要解决的技术是,1、完成基片表面的严格清洗等预处理过程,更好的激活键合表面,增加表面的-OH;2、在非净化条件的实验室完成芯片预键合过程;3、在非净化条件的实验室完成退火过程,提高键合强度,实现基片的永久键合。
本发明提供的玻璃微流芯片的低温键合方法是,首先分别用丙酮、乙醇、Piranha洗液(H2SO4:H2O2)、RCA1、RCA2、氨水亲和液烧煮、浸泡等完成基片键合表面的严格清洗,然后在去离子水中贴合后,直接转移到真空干燥箱中实现基片预键合;预键合后,在基片上加一定压力在真空干燥箱中完成键合退火过程,从而提高键合强度。
具体的说,本方法提供了一种简单,适合普通实验室的玻璃芯片低温键合技术。具体特征在于整个键合过程涉及以下步骤:
1基片键合表面严格清洗,通过氨水亲和液增加表面亲和性;
2不需要进行基片烘干,直接在去离子水中将清洗好的基片贴合在一起,以避免空气中灰尘小颗粒对键合的影响。然后转移到真空干燥箱中,进行预键合;
3预键合好后,给基片加压力,升高真空干燥箱温度,进行芯片退火过程,提高键合强度。
所述的Piranha洗液的具体组成是H2SO4/H2O2的体积比为4∶1,烧煮8-15分钟,冷却后,用去离子水冲洗基片;
所述的RCA1清洗,目的在于去除键合面表面的不溶有机物,具体配比为体积比NH3·H2O∶H2O2∶H2O=1∶1∶5;加热至沸腾,继续加热3-7分钟;倒出RCA1洗液,再用去离子水洗清;
所述的RCA2清洗液清洗,目的在于去除键合表面离子及重金属原子污物,配比为HCl∶H2O2∶H2O=1∶1∶5,加热至沸腾后继续加热3-7分钟后倒出,用去离子水清洗;
所述氨水亲和液清洗目的在于增加表面-OH,提高键合亲和性,具体配比是NH3·H2O∶H2O2∶H2O=6∶3∶1,加热至沸腾,保温20-40分钟,冷却后倒出亲和液。
预键合时真空度为60-90Pa,90-110℃下2小时条件下完成预键合,预键合后退火条件是真空度为60-90Pa,施加0.2-0.4Mpa压力在180-210℃下退火6小时完成芯片低温键合。
本发明具有以下优点和效果:
[1]键合过程可在非净化条件的一般实验室完成,芯片严格清洗后,通过氨水亲和溶液增加键合表面-OH,提高表明亲和性,提高预键合成功率;
[2]无需烘干处理,直接在去离子水中将基片贴合后放在表面皿中,在真空干燥箱中,真空状态下完成芯片预键合;
[3]基片预键合后,无需在高温烧结炉中,通过严格控制炉内温度的升温降温速度以完成高温退火,只需给基片施加压力,然后在200℃的真空干燥箱中真空状态下完成芯片退火,实现基片键合过程,制得芯片;
[4]基片整个低温键合过程可在常规实验室完成,对键合环境要求底,无需特殊的键合仪器,键合成本低,键合好的芯片用于生物样品分析,在高电场下,电流稳定,芯片键合强度完全满足实验要求。
附图说明
图1为本发明提供的芯片预键合前表面清洗流程图:
a)丙酮乙醇超声清洗
b)Piranha洗液烧煮
c)RCA1(NH3·H2O∶H2O2∶H2O=1∶1∶5)清洗
d)RCA2(浓盐酸∶H2O2∶H2O=1∶1∶5)清洗
e)氨水亲和溶液烧煮、浸泡
图2为本发明提供的芯片预键合好之后,在芯片表面加压,并在真空干燥箱
中进行退火;其中:1表面加压方向;2盖片;3基片;4芯片加压石英垫块;5基片上腐蚀的微管道
具体实施方式
通过具体实施例:毛细管电泳微芯片低温键合方法,进一步阐述本发明所提供之石英或者玻璃芯片低温键合方法。本发明包括三部分:
1、基片键合表面严格清洗预处理工艺
2、基片预键合
3、基片低温退火实现键合
基片键合表面的平整度、清洁度及亲和程度直接决定键合的成功率高低。对基片键合表面进行严格清洗,通过适当的方式增加表面的亲和性,以提高芯片预键合的成功率。
实施例1 基片在腐蚀出相应图形以及完成储液池的打孔加工后,进行以下具体表面清洗过程:
1)首先用去离子水冲洗基片5min,然后分别用丙酮和乙醇各超声清洗5min,超声清洗后再用去离子水冲洗准备键合的基片5min;
2)将基片放入Piranha洗液(体积比H2SO4∶H2O2=4∶1),烧煮10min,冷却后倒出Piranha洗液,用去离子水冲洗基片5min;
3)用一号液RCA1清洗,去除键合面表面不溶有机物。一号液具体配比为体积比NH3·H2O∶H2O2∶H2O=1∶1∶5,加热一号液RCA1直到沸腾,沸腾后继续加热5min后,倒出RCA1,然后去离子水冲洗5min;
4)用二号液RCA2清洗,去除键合面表面离子以及一些重金属原子污物等。二号液具体配比为体积比HCl∶H2O2∶H2O=1∶1∶5,加热直到沸腾,沸腾后继续加热5min后,倒出RCA2,然后去离子水冲洗5min;
5)利用氨水亲和溶液烧煮基片以增加表面-OH,提高键合表面亲和性。氨水亲和溶液具体配比为体积比NH3·H2O∶H2O∶H2O2=6∶3∶1,加热氨水亲和溶液直到沸腾,保温加热30min,冷却后,倒出亲和液;
6)基片预键合。用去离子水冲洗基片和盖片10min后,直接在去离子水中将基片和盖片的键合面贴合在一起,转移到培养皿中,然后放置到真空干燥箱中。真空干燥箱温度设定为100℃,抽真空使真空度达70Pa并保持真空2h完成基片预键合;
7)基片预键合后退火,提高键合强度。在预键合好的基片上面加一质量块以给基片施加0.2MPa压力,将真空干燥箱的温度设定为180℃,抽真空使真空度达80Pa并保持6h后关闭电源,自然冷却至室温,完成退火过程,低温键合过程完成。此时键合强度增大,已无法分开芯片,芯片为永久键合。
实施例2
实施例1中步骤2烧煮时间为15分钟,键合后冲洗7分钟;步骤3、4中加热7分钟,分别倒出RCA1和RCA2洗液后洗清时间为5分钟。
低温预键合真空度为90Pa,键合温度110℃,时间仍为2小时,预键合后退火时的真空度为65Pa,压力为0.4MPa,温度为210℃。其余同实施例1。
Claims (3)
1.一种玻璃微流控芯片的低温键合方法,其特征在于包括以下步骤:
(1)基片在腐蚀出相应图形和完成储液池打孔加工后进行表面清洗,依次用丙醇和乙醇溶液、Piranha洗液、RCA1、RCA2和氨水亲和液表面清洗,每次清洗后需用去离子水冲洗出去清洗液;
(2)基片预键合,将步骤(1)清洗后基片和盖片用去离子水冲洗后,直接在去离子水中将基片和盖片的键合面贴合在一起,转移到培养皿中,然后放置到真空干燥箱中,干燥温度为90-110℃,抽真空使真空度达60-90Pa并保持真空2h完成基片预键合;
(3)基片预键合后退火,提高键合强度,在预键合好的基片上面施加0.2-0.4MPa的压力,同时将真空干燥箱的温度设定为180-210℃,抽真空真空度为60-90Pa保持6h后关闭电源,自然冷却至室温,完成退火过程。
2.按权利要求1所述的玻璃微流控芯片的低温键合方法,其特征在于基片表面清洗步骤依次是:
(1)首先用去离子水冲洗基片5min,然后分别用丙酮和乙醇各超声清洗5min,超声清洗后再用去离子水冲洗准备键合的基片5min;
(2)将基片放入H2SO4∶H2O2体积比为4∶1的Piranha洗液,烧煮8-15min,冷却后倒出Piranha洗液,用去离子水冲洗基片5min;
(3)用液RCA1清洗,去除键合面表面不溶有机物;具体配比为体积比NH3·H2O∶H2O2∶H2O=1∶1∶5,加热RCA1直到沸腾,沸腾后继续加热3-7min后,倒出RCA1,然后去离子水冲洗5min;
(4)用液RCA2清洗,去除键合面表面离子以及一些重金属原子污物等。二号液具体配比为体积比HCl∶H2O2∶H2O=1∶1∶5,加热直到沸腾,沸腾后继续加热3-7min后,倒出RCA2,然后去离子水冲洗5min;
(5)利用氨水亲和溶液烧煮基片以增加表面-OH,提高键合表面亲和性;氨水亲和液的组成为NH3·H2O∶H2O∶H2O2体积比为6∶3∶1,加热直至沸腾,保温加热30min,冷却后,倒出亲和液。
3.按权利要求1所述玻璃微流控芯片的低温键合方法,其特征在于压力的施加是通过在预键合的基片上加一质量块实现的。
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CN1295508C (zh) | 2007-01-17 |
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