CN1598953A - 具有与悬体集成在一起的头盘相互作用传感器的盘驱动器 - Google Patents

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Abstract

一种硬盘驱动器(HDD)包括写禁止信号，当在写处理期间检测到滑块的飞行高度调节时，由与硬盘驱动器(HDD)的悬体集成在一起的头－盘相互作用传感器在写处理期间产生该写禁止信号。该悬体承载梁包括微坑和层压弯曲部分。该层压弯曲部分包括适配为容纳滑块的表面和适配为接触微坑的表面。该头－盘相互作用传感器制作为该弯曲部分层状体的一部分。该头－盘相互作用传感器可以为：加速计，用于在该滑块接触该盘驱动器的盘时，感测该弯曲部分的加速度；和/或压力传感器，用于在该滑块接触盘时，感测该弯曲部分和微坑之间的压力。写禁止电路通过禁止写处理而响应该传感器信号。

Description

具有与悬体集成在一起的头盘相互作用传感器的盘驱动器
技术领域
本发明涉及盘驱动器。更具体地，本发明涉及用于改善硬盘驱动器(HDD)的写操作的传感器系统。
背景技术
图1示出了具有磁读/写(R/W)头(或记录滑块)101的示例硬盘驱动器(HDD)100，该硬盘驱动器包括例如位于磁盘102的选定轨道上的隧道-阀门(tunnel-valve)读传感器。随着滑块101的飞行高度变小，滑块101撞击盘102上的不平处，例如盘缺陷、颗粒、和/或润滑剂凸起(bump)的机会变大，导致飞行高度调节，即“滑块突然跳起”的可能性更高。当在写处理期间发生飞行高度调节时，在滑块跳起期间写入的那部分数据可能丢失，因为大于期望的写头到盘的距离使得该数据未能正确写到盘上。当前没有在写处理期间检测飞行高度调节的可用技术。结果，实质上“盲目”地执行写处理，而希望数据被正确写到盘上。
最小化滑块调节的传统方案包括通过例如降低盘的起飞(take-off)高度、降低颗粒数目、并利用盘上的较少移动润滑剂而最小化头-盘相互作用。然而，随着滑块飞行高度的进一步降低，这些方案将达到它们各自最小化头-盘相互作用的极限。
结果，需要一种用于在写处理期间检测滑块飞行高度调节的技术。而且，需要一种在检测到滑块飞行高度调节时禁止写操作的技术。
发明内容
本发明提供了一种用于在写处理期间检测滑块飞行高度调节的技术。而且，本发明还提供了一种在检测到滑块飞行高度调节时禁止写操作的技术。
由用于具有悬体(suspension)承载梁的盘驱动器的具有微坑(dimple)和层压(laminated)弯曲部分(flexure)的悬体提供了本发明的优点。该层压弯曲部分与该悬体承载梁耦接，并具有适配为容纳滑块的表面和适配为接触微坑的表面。根据本发明，该弯曲部分包括头-盘相互作用传感器，用于在该滑块接触盘驱动器的盘时输出传感器信号。该头-盘相互作用传感器的一个实施例是加速计，用于感测由接触该盘驱动器的盘的滑块所产生的弯曲部分的加速度。该加速计包括压电材料层和导电材料层，其各自形成为层压弯曲部分的一层，并且各自的图案形成(pattern)为基本上对应于滑块后部的顶表面。
该头-盘相互作用传感器的替换或附加实施例是压力传感器，用于感测弯曲部分和微坑之间由接触该盘驱动器的盘的滑块产生的压力。该压力传感器的一个配置包括压电材料层和导电材料层，其各自形成为层压弯曲部分的一层，并且各自的图案形成为基本上对应于与该微坑对应的弯曲部分的表面区域。一个图案基本上为方形。一个替换图案基本上为圆形。当该滑块接触该盘驱动器的盘时，该压电材料层在该压电材料层的顶部和底部之间产生电压，该电压对应于该滑块接触该盘驱动器的盘的力的大小。
该加速计的一个替换配置包括压电材料层和导电材料层，其各自形成为该层压弯曲部分的一层，并且各自形成图案以形成第一区和第二区。该第一和第二区分别对应于滑块的前部和后部，并分别对应于适配为接触该微坑的弯曲部分的表面的第一和第二表面区域。该压电材料层的第一区在该滑块接触该盘驱动器的盘时产生该压电材料层的第一区的顶部和底部之间的第一电压。类似地，该压电材料层的第二区在该滑块接触该盘驱动器的盘时产生该压电材料层的第二区的顶部和底部之间的第二电压。分别在压电材料层的第一和第二区的顶部和底部之间产生的第一和第二电压各自对应于该滑块接触该盘驱动器的盘的力的大小。可基于该第一电压和第二电压之差而判定该滑块的颠簸(pitch)模式。另外，可基于该第一和第二电压之和而判定该滑块体的本体的第一弯曲模式。
本发明的悬体还包括通过禁止该盘驱动器的写操作而响应该传感器信号的写禁止电路。该写禁止电路包括调节该传感器信号的滤波器电路。该滤波器电路的一个实施例是具有大于大约20kHz的通频带的低通滤波器。该滤波器电路的另一个实施例是具有小于大约2MHz的通频带的高通滤波器。该滤波器电路的另一个实施例是具有大约20kHz和大约2MHz之间的通频带的带通滤波器。而且，该滤波器电路可以是具有对应于大约该滑块的颠簸频率的通频带的带通滤波器。例如，该滤波器电路可具有大约200kHz处的窄通频带。而且，该滤波器电路可以是具有对应于大约该滑块本体的弯曲模式频率的通频带的带通滤波器。例如，该滤波器电路可具有大约1.6MHz处的窄通频带。可替换地，该滤波器电路可以是具有包括大约200kHz和大约1.6MHz的通频带的带通滤波器。
附图说明
附图中通过例子而非限制性地图示了本发明，其中相同附图标记表示相同元件，并且其中：
图1示出了具有磁读/写头的示例盘驱动器；
图2A示出了根据本发明的具有集成加速计的第一示例实施例的滑块、悬体和弯曲部分的侧视图；
图2B示出了图2A所示的集成加速计的第一示例实施例的压电材料层的顶视图；
图2C示出了图2A中作为视图A的根据本发明的加速计的第一示例实施例的剖面图；
图3A示出了根据本发明的具有用于检测微坑压力的集成压力传感器的示例实施例的滑块、悬体和弯曲部分的侧视图；
图3B示出了图3A所示的根据本发明的用于检测微坑压力的集成压力传感器的示例实施例的压电材料层的顶视图；
图3C示出了图3A中作为视图B的根据本发明的用于检测微坑压力的压力传感器的第一示例实施例的剖面图；
图4A示出了根据本发明的具有用于检测滑块的垂直加速度和第一颠簸模式的集成加速计的第二示例实施例的滑块、悬体和弯曲部分的侧视图；
图4B示出了图4A所示的集成加速计的第二示例实施例的压电材料层的顶视图；
图5A示出了根据本发明的具有用于检测滑块的颠簸运动和弯曲运动的集成加速计的第三示例实施例的滑块、悬体和弯曲部分的侧视图；
图5B示出了图5A所示的集成加速计的第三示例实施例的压电材料层的顶视图；和
图6示出了根据本发明的用于检测头-盘相互作用并使能继之以数据重写的写禁止的电路的示意方框图。
具体实施方式
本发明通过利用集成有悬体的至少一个传感器来检测HDD中的头-盘相互作用。通过利用用于监视滑块后面和悬体微坑之间的力(或压力)的力(或压力)传感器和/或通过利用用于测量滑块的加速度的加速计来检测头-盘干扰(HDI)引起的滑块运动。压力传感器和加速度传感器都与具有层压弯曲部分的悬体集成在一起。
从传感器输出的信号包括气流相关噪声和写电流相关噪声。由气流引起的噪声通常具有非常低的频率分量，即小于20kHz。由写电流引起的噪声通常具有非常高的频率，即大于2MHz。因此，本发明让大约200KHz的滑块的颠簸模式频率和大约1.7MHz的滑块体的第一弯曲模式频率的频率分量通过，而去除由气流引起的低频噪声和由写电流引起的高频噪声。
下表1-3分别表明了滑块的R/W元件的期望加速度以及施加到盘上的软、中等软和硬不平处的悬体的微坑上的期望的力的模拟结果。
               表1：滑块/润滑剂相互作用
力： 备注
    Fz  1.5mN
    Fx  1.5mN
持续时间：  6μs 假设0.5μs上升时间、5.0μs峰值持续时间、和0.5μs衰减。
结果：
   R/W的FHM  10nm
   R/W的加速度  8,000m/s2  200kHz振荡
   微坑的加速度  2,400m/s2
   应力(stress)(x)  200,000N/m/m
   应变(strain)(x)  4.00×10-7
   微坑的力  0.6mN
表2：滑块/中等硬度不平处相互作用
力： 备注
    Fz  1.5mN
    Fx 1.5mN
持续时间： 1μs 假设0.2μs上升时间、0.6μs峰值持续时间、和0.2μs衰减。
结果：
   R/W的FHM 5nm
   R/W的加速度 26,000m/s2  200kHz和1.7MHz振荡
   微坑的加速度 7,000m/s2
   应力(stress)(x) 7 5,000N/m/m
   应变(strain)(x) 1.9×10-7
   微坑的力 0.5mN
表3：滑块/硬不平处相互作用
力： 备注
    Fz 1.5mN
    Fx 1.5mN
持续时间： 0.5μs 假设0.1μs上升时间、0.3μs峰值持续时间、和0.1μs衰减。
结果：
   R/W的FHM 1.4nm
   R/W的加速度 30,000m/s2 1.7MHz振荡
   微坑的加速度 8,000m/s2
   应力(stress)(x) 80,000N/m/m 1.7MHz
   应变(strain)(x) 2.0×10-7 1.7MHz
   微坑的力 0.22mN
计算出R/W元件的模拟加速度在8000到30000m/s2之间(或800-3000G)。计算出施加到微坑的模拟力在0.22mN到0.6mN之间。
图2A示出了根据本发明的具有集成加速计的第一示例实施例的滑块、悬体和弯曲部分的侧视图。图2B示出了图2A所示的集成加速计的第一示例实施例的压电材料层的顶视图。在图2A中，滑块201以公知方式附着在悬体弯曲部分202上。弯曲部分202是层压弯曲部分，如授予Erpelding等人的美国专利第4,996,623号或授予Bennin等人的美国专利第5,491,597号所公开一样，通过引用而将上述两者都合并于此。弯曲部分202通过提供万向接头(gimbal)功能的微坑204接触悬体承载梁203。加速计205制作为弯曲部分202的组成(integral)部分。
图2C示出了图2A中作为视图A的根据本发明的加速计205的第一示例实施例的剖面图。弯曲部分202包括由例如不锈钢形成的金属层206。利用公知技术在金属层206上形成第一绝缘材料层207。由例如聚酰亚胺形成第一绝缘层207。利用公知技术由例如铜在第一绝缘层207上形成第一导电材料层208。利用公知技术在第一导电材料层208上形成诸如聚(偏氟乙烯)(PVDF)的压电材料层209作为膜。利用公知技术由例如铜在压电材料层209上形成第二导电材料层210。利用公知技术由例如聚酰亚胺在第二导电层210上形成第二绝缘层211。在将弯曲部分202附着到悬体承载梁203之后，将滑块201粘合到弯曲部分202和集成加速计205。
压电材料层209和在该压电材料层209的两面形成的第一和第二导电材料层208和210(图2B中未示出)的图案形成为使得这三层仅对应于滑块201的后缘的顶部(即滑块201的R/W元件末端)。当发生HDI且将力212施加到滑块201的后缘时，滑块201通常沿颠簸方向移动，如箭头213和214所示。由于金属层206的惯性和刚性，所得到的加速度压缩压电材料层209。当压缩压电材料层209时，跨压电材料层209产生几毫伏的电压差，如电压V所示。利用公知电压检测技术容易地检测电压差。通过监视跨压电材料层209产生的电压，可判定由HDI赋予滑块201的加速度。通过在压电材料层209的输出和电压检测装置之间添加低通和/或高通、和/或峰值滤波器，可进一步改善检测精度。峰值滤波器的最佳中心频率是滑块的颠簸频率。
图3A示出了根据本发明的具有用于检测微坑压力的集成压力传感器的示例实施例的滑块、悬体和弯曲部分的侧视图。图3B示出了图3A所示的根据本发明的用于检测微坑压力的集成压力传感器的示例实施例的压电材料层的顶视图。在图3A中，滑块301以公知方式附着在悬体弯曲部分302上。弯曲部分302是层压弯曲部分，如授予Erpelding等人的美国专利第4,996,623号或授予Bennin等人的美国专利第5,491,597号所公开一样，通过引用而将上述两者都合并于此。弯曲部分302通过提供万向接头功能的微坑304接触悬体承载梁303。压力传感器305制作为弯曲部分302的组成部分。
图3C示出了图3A中作为视图B的根据本发明的用于检测微坑压力的压力传感器305的示例实施例的剖面图。弯曲部分302包括由例如不锈钢形成的金属层306。利用公知技术在金属层306上形成第一绝缘材料层307。由例如聚酰亚胺形成第一绝缘层307。利用公知技术由例如铜在第一绝缘层307上形成第一导电材料层308。利用公知技术在第一导电材料层308上形成诸如PVDF的压电材料层309作为膜。利用公知技术由例如铜在压电材料层309上形成第二导电材料层310。利用公知技术由例如聚酰亚胺在第二导电材料层310上形成第二绝缘层311。在将弯曲部分302附着到悬体承载梁303之后，将滑块301粘合到弯曲部分302和集成压力传感器305上。
压电材料层309和在该压电材料层309的两面形成的第一和第二导电材料层308和310(图3B中未示出)的图案形成为使得这三层存在于微坑接触区314周围。尽管应理解也可使用替换形状，图3B示出了基本圆形的图案。当发生HDI且将力312施加到滑块301的后缘时，滑块301沿z轴向微坑304移动，悬体的惯性压缩压电材料层309，导致跨压电材料层309的几毫伏的可检测的电压。通过在压电材料层309的输出和电压检测装置之间添加低通和/或高通、和/或峰值滤波器，可进一步改善检测精度。峰值滤波器的最佳中心频率是滑块的颠簸频率。
图4A示出了根据本发明的具有用于检测滑块的垂直加速度和第一颠簸模式的集成加速计的第二示例实施例的滑块、悬体和弯曲部分的侧视图。图4B示出了图4A所示的集成加速计的第二示例实施例的压电材料层的顶视图。在图4A中，滑块401以公知方式附着在悬体弯曲部分402上。图4A中仅示出了与集成加速计对应的那部分弯曲部分402。弯曲部分402是层压弯曲部分，如授予Erpelding等人的美国专利第4,996,623号或授予Bennin等人的美国专利第5,491,597号所公开一样，通过引用而将上述两者都合并于此。弯曲部分402通过提供万向接头功能的微坑404接触悬体承载梁403。加速计405制作为弯曲部分402的组成部分。
弯曲部分包括由例如不锈钢形成的金属层406。利用公知技术由例如聚酰亚胺在金属层406上形成第一绝缘材料层407。利用公知技术由例如铜在第一绝缘层407上形成第一导电材料层408。利用公知技术在第一导电材料层408上形成诸如PVDF的压电材料层409作为膜。利用公知技术由例如铜在压电材料层409上形成第二导电材料层410。利用公知技术由例如聚酰亚胺在第二导电层410上形成第二绝缘层411。在将弯曲部分402附着到悬体承载梁403之后，将滑块401粘合到弯曲部分402和集成加速计405上。
压电材料层409和在该压电材料层409的两面形成的第一和第二导电材料层408和410(图4B中未示出)的图案形成为使得这三层对应于微坑接触区414周围滑块401的整个顶端。图4B示出了压电材料层409的图案。尽管图4B示出了基本方形的图案，但是应理解也可使用替换形状。加速计405覆盖滑块401的整个顶端，并由此在滑块401的顶端提供基本平坦的接合(bonding)表面，以将滑块401接合到弯曲部分402上。加速计405检测滑块401在z轴方向上的平移加速度和滑块体401的第一弯曲模式幅度。当发生HDI且滑块401向微坑404移动时，悬体的惯性压缩压电材料层409，导致跨压电材料层409的几毫伏的可检测的电压。通过在压电材料层409的输出和电压检测装置之间添加低通和/或高通、和/或峰值滤波器，可进一步改善检测精度。峰值滤波器的最佳中心频率是滑块的颠簸频率。
图5A示出了根据本发明的具有用于检测滑块的颠簸运动和弯曲运动的集成加速计的第三示例实施例的滑块、悬体和弯曲部分的侧视图。图5B示出了图5A所示的集成加速计的第三示例实施例的压电材料层的顶视图。在图5A中，滑块501以公知方式附着到悬体弯曲部分502。图5A中仅示出了与集成加速计对应的那部分弯曲部分502。弯曲部分502通过提供万向接头功能的微坑504接触悬体承载梁503。加速计505a和505b制作为滑块501的组成部分。
弯曲部分502包括由例如不锈钢形成的金属层506。利用公知技术在金属层506上形成第一绝缘材料层507。第一绝缘层507由例如聚酰亚胺形成。在第一绝缘层507上由例如聚酰亚胺形成第一导电层508。在第一导电材料层508上形成压电材料层509。利用公知技术由例如PVDF形成压电材料层509作为膜。利用公知技术由例如铜在压电材料层509上形成两个第二导电材料层510a和510b。第二导电材料层510a和510b形成分离图案，如图5B所示。利用公知技术由例如聚酰亚胺在第二导电材料层510a和510b上形成第二绝缘层511。在将弯曲部分502附着到悬体承载梁503之后，将滑块501粘合到弯曲部分502和集成加速计505上。
第一和第二导电材料层510a和510b的图案形成为使得它们分别对应于滑块501顶端微坑接触区514周围的前侧和后侧，如图5B所示。附加地或可替换地，压电材料层508可如图5B所示形成图案。第二导电材料层510也可如图5B所示形成图案。当压电材料层508如图5B所示形成图案时，第一导电材料层508或第二导电材料层510中至少一个必须如图5B所示形成图案。在任何替换配置中，加速计505a对应于滑块501的顶部的前面或者说前端，而加速计505b对应于滑块501的顶部的后面或者说尾部，由此在滑块501的顶端提供大致平坦的接合表面，用于将滑块501接合到弯曲部分502上。可基于测量电压V1和V2的差，即V1-V2，来检测滑块501的颠簸模式。可基于测量电压V1和V2的和，即V1+V2，来检测滑块体501的第一弯曲模式。通过在压电材料层509的输出和电压检测装置之间添加低通和/或高通、和/或峰值滤波器，可进一步改善检测精度。
图6示出了根据本发明的用于检测HDI的电路600的示意方框图。图6示出了根据本发明以公知方式附着在具有集成加速计和/或压力传感器的层压悬体弯曲部分602上的滑块601。弯曲部分602通过提供万向接头功能的微坑604接触悬体承载梁603，图6中仅示出了悬体承载梁603的一部分。如上所述，HDI传感器605制作为弯曲部分602的组成部分。又如上所述，HDI传感器605可为加速计和/或压力传感器。
当发生头-盘相互作用事件时，滑块601在垂直方向上物理摆动。与弯曲部分602集成在一起的HDI传感器605检测该摆动并产生对应的传感器信号606。滑块601的摆动模式可为当例如滑块601接触硬不平处时的单一脉冲或者当例如滑块601通过异常厚的润滑剂与盘(图6中未示出)接触时具有滑块601的颠簸频率的周期性的振荡。将传感器信号606输入到信号放大器607。将信号放大器607的输出耦接到滤波器电路608。滤波器电路608可为高通滤波器，从而丢弃低频噪音。最好将高通滤波器的截止频率设置为低于滑块601的颠簸模式频率，从而使得响应于滑块颠簸运动而产生的传感器信号606通过滤波器电路608。滤波器电路608也可为低通滤波器，从而丢弃写电流产生的电噪声。通常，写电流具有大于1MHz的频率分量，而滑块颠簸模式频率是几百千赫。因此，最好将低通滤波器的截止频率设置为典型的写电流频率和滑块颠簸模式频率之间的频率。并且最好结合低通和高通滤波器。可替换地，可使用仅传输具有特定频率的传感器信号的带通滤波器。当使用带通滤波器时，最好选择滑块601的颠簸模式频率。可颠倒信号放大器607和滤波器电路608的顺序，即信号可先滤波，然后放大。
在由滤波器电路608调节传感器信号之后，将信号幅度输入到比较器电路609。比较器电路609比较调节后的传感器信号和预定阈值610。当调节后的传感器信号的幅度大于阈值610时，比较器电路609产生写禁止信号611。当HDD控制器612(或控制该写处理的读/写信道)接收写禁止信号611时，HDD控制器612立即停止输出到磁头(图6中未示出)的写电流，使得在写处理期间，头与盘相距合适的距离。另外，因为有时HDI引起写头的偏离轨道运动，所以HDD控制器612停止该写电流，使得相邻轨道上的数据不被错误地重写(overwrite)。随后，当消除写禁止信号时，控制器612重新尝试将同一数据写到同一位置上。
尽管为了便于理解而详细描述了以上发明，但是很明显可以做出所附权利要求范围内的某些改变和变更。因此，给出的实施例视为说明性的而非限制性的，并且本发明不限于这里给出的细节，而可在所附权利要求的范围和等同物内进行修改。
相关申请的交叉引用
本申请涉及未决的共同转让的并同时提交的专利申请第10/664,295号(代理人卷号HSJ920030073US1)，名为“与悬体集成在一起的头盘相互作用传感器”，通过引用而将其合并于此。

Claims (22)

1.一种盘驱动器，包括：
具有微坑的悬体承载梁；和
与该悬体承载梁耦接的层压弯曲部分，该弯曲部分具有适配为容纳滑块的表面和适配为接触微坑的表面，该弯曲部分包括头-盘相互作用传感器，用于在该滑块接触盘驱动器的盘时输出传感器信号。
2.根据权利要求1的盘驱动器，其中该头-盘相互作用传感器是加速计，用于感测由接触该盘驱动器的盘的滑块产生的弯曲部分的加速度。
3.根据权利要求2的盘驱动器，其中该头-盘相互作用传感器还包括压力传感器，用于感测弯曲部分和微坑之间由接触该盘驱动器的盘的滑块产生的压力。
4.根据权利要求2的盘驱动器，其中该加速计包括压电材料层和导电材料层，该压电材料层和导电材料层各自形成为层压弯曲部分的一层，并且各自的图案形成为基本上对应于滑块后部的顶表面。
5.根据权利要求1的盘驱动器，其中该头-盘相互作用传感器是压力传感器，用于感测弯曲部分和微坑之间由接触该盘驱动器的盘的滑块产生的压力。
6.根据权利要求5的盘驱动器，其中该压力传感器包括压电材料层和导电材料层，该压电材料层和导电材料层各自形成为层压弯曲部分的一层，并且各自的图案形成为基本上对应于与该微坑对应的弯曲部分的表面区域。
7.根据权利要求6的盘驱动器，其中当该滑块接触该盘驱动器的盘时，压电材料层在该压电材料层的顶部和底部之间产生电压，该压电材料层的顶部和底部之间产生的电压对应于该滑块接触该盘驱动器的盘的力的大小。
8.根据权利要求6的盘驱动器，其中该压电材料层和导电材料层形成图案为基本方形。
9.根据权利要求6的盘驱动器，其中该压电材料层和导电材料层的图案形成为基本圆形。
10.根据权利要求5的盘驱动器，其中该压力传感器包括各自形成为该层压弯曲部分的一层的压电材料层和导电材料层，该压电材料层和导电材料层各自形成图案以形成第一区和第二区，该第一和第二区分别对应于滑块的前部和后部，并分别对应于适配为接触该微坑的弯曲部分的表面的第一和第二表面区域。
11.根据权利要求10的盘驱动器，其中该压电材料层的第一区在该滑块接触该盘驱动器的盘时产生该压电材料层的第一区的顶部和底部之间的第一电压，该压电材料层的第二区在该滑块接触该盘驱动器的盘时产生该压电材料层的第二区的顶部和底部之间的第二电压，分别在压电材料层的第一和第二区的顶部和底部之间产生的第一和第二电压各自对应于该滑块接触该盘驱动器的盘的力的大小，并且
其中基于该第一电压和第二电压之差而判定该滑块的颠簸模式。
12.根据权利要求10的盘驱动器，其中该压电材料层的第一区在该滑块接触该盘驱动器的盘时产生该压电材料层的第一区的顶部和底部之间的第一电压，该压电材料层的第二区在该滑块接触该盘驱动器的盘时产生该压电材料层的第二区的顶部和底部之间的第二电压，分别在压电材料层的第一和第二区的顶部和底部之间产生的第一和第二电压各自对应于该滑块接触该盘驱动器的盘的力的大小，并且
其中基于该第一和第二电压之和而判定该滑块体本体的第一弯曲模式。
13.根据权利要求1的盘驱动器，还包括通过禁止对该盘驱动器的写操作来响应该传感器信号的写禁止电路。
14.根据权利要求13的盘驱动器，其中该写禁止电路包括调节该传感器信号的滤波器电路。
15.根据权利要求14的盘驱动器，其中该滤波器电路是具有大于大约20kHz的通频带的低通滤波器。
16.根据权利要求14的盘驱动器，其中该滤波器电路是具有小于大约2MHz的通频带的高通滤波器。
17.根据权利要求14的盘驱动器，其中该滤波器电路是具有大约20kHz和大约2MHz之间的通频带的带通滤波器。
18.根据权利要求14的盘驱动器，其中该滤波器电路是具有对应于大约该滑块的颠簸频率的通频带的带通滤波器。
19.根据权利要求14的盘驱动器，其中该滤波器电路是具有大约200kHz处的窄通频带的带通滤波器。
20.根据权利要求14的盘驱动器，其中该滤波器电路是具有对应于大约该滑块本体的弯曲模式频率的通频带的带通滤波器。
21.根据权利要求14的盘驱动器，其中该滤波器电路是具有大约1.6MHz处的窄通频带的带通滤波器。
22.根据权利要求14的盘驱动器，其中该滤波器电路是具有包括大约200kHz和大约1.6MHz的通频带的带通滤波器。
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