CN1598639A - 超视距望远摄像方法及其装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及的超视距望远摄像方法,超视距观测被视物体,利用近红外带通滤光片拾取被测物体的近红外不可见光,采用电荷耦合成像芯片作为近红外不可见光图像拾取元件,经过视频生成电路及合成电路分别进入到图像处理设备和显示设备中。可以广泛用于需远距离观测的各种场合,包括雷达监控中盲区的补盲工作,适用范围广,可以突破气象能见距离的限制,在能见度不良的气象条件下,其观测距离是现有技术的1.5至2倍,同时可以将所视画面实时记录,进行分析处理。
Description
技术领域:
本发明涉及一种望远摄像的方法及其装置,尤其是指能够在能见度不良的气候下应用的超视距望远摄像方法及其装置。
背景技术:
现有技术中的观察设备(光学望远镜及通用摄像装置)是通过光学的放大原理来实现望远效果的,当人们的可见视线被雾、霾、空气中的尘埃或硝烟遮挡时人们便不能穿透其中进行观测,即无法突破气象能见度对人类视距的限制。
发明内容:
本发明的目的之一是提供一种在超视距离和能见度不良的气候下应用的超视距望远摄像方法。
本发明的另一个目的是提供一种具有简单结构,且能够超出光学望远镜和通用摄像装置的望远距离0.5-1倍的超视距望远摄像装置。
对于本发明的一种超视距望远摄像方法,超视距观测被视物体,利用近红外带通滤光片拾取被测物体的近红外不可见光,采用电荷耦合成像芯片作为近红外不可见光图像拾取元件,经过视频生成电路及合成电路分别进入到图像处理设备和显示设备中。
所述拾取被测物体的近红外不可见光波长范围是0.76μm-1.2μm。
对于本发明的一种超视距望远摄像装置,包括有光学长焦多变倍镜头、控制模块、视频生成电路及其合成电路、图像处理设备和显示设备,它还包括有近红外带通滤光片和电荷耦合成像芯片,所述光学长焦多变倍镜头设置在该装置的前部,所述电荷耦合成像芯片设置在该装置的后部,所述近红外带通滤光片则设置在光学长焦多变倍镜头与电荷耦合成像芯片之间,所述近红外带通滤光片的波长范围是0.76μm-1.2μm。
本发明超视距望远摄像方法及其装置的优点是:本发明中的方法及装置可以广泛应用于需远距离观测的种各场合,包括雷达监控中盲区的补盲工作,适用范围广,并可透过雾、霾进行目标观测,其观测距离是现有技术的1.5至2倍,同时可以将所视画面实时记录,进行分析处理。
附图说明:
图1为本发明中超视距望远摄像装置的结构示意图。
图中:1输入窗、2前置镜片组、3后置镜片组、4光量控制电机、5滤光片选择电机、6电荷耦合成像芯片、7视频生成电路及其合成电路、8图像处理设备、9显示设备、10近红外带通滤光片、11输出窗、12光圈、13变倍控制电机、14调焦控制电机。
下面结合附图对本发明做进一步说明。
具体实施方式:
如图中所示,本发明所涉及的超视距望远摄像方法,超视距观测被视物体,利用近红外带通滤光片10拾取被测物体的近红外不可见光,采用电荷耦合成像芯片6作为近红外不可见光图像拾取元件,经过视频生成电路及合成电路7分别进入到图像处理8和显示设备9中。
所述拾取被测物体的近红外不可见光波长范围是0.76μm-1.2μm。
本发明所涉及的超视距望远摄像装置,包括有光学长焦多变倍镜头、控制模块、视频生成电路及其合成电路7、图像处理设备8和显示设备9,它还包括有近红外带通滤光片10和电荷耦合成像芯片6,所述光学长焦多变倍镜头是由输入窗1、输出窗11、前置镜片组2、后置镜片组3、光圈12、变倍控制电机13、调焦控制电机14、光量控制电机4所构成,通过控制模块对电机的控制实现光学长焦多变倍镜头的调控,所述光学长焦多变倍镜头设置在该装置的前部,所述电荷耦合成像芯片6设置在该装置的后部,所述近红外带通滤光片10则设置在光学长焦多变倍镜头的输出窗11与电荷耦合成像芯片6之间,所述近红外带通滤光片10的波长范围是0.76μm-1.2μm。
本发明超视距望远摄像装置的一种实施例中的近红外带通滤光片10上还设有滤光片选择电机5,通过滤光片选择电机5可以调整变换不同参数的近红外带通滤光片10,以达到最远的观测距离和最清晰图像效果。
Claims (3)
1.一种超视距望远摄像方法,其特征在于:超视距观测被视物体,利用近红外带通滤光片拾取被测物体的近红外不可见光,采用电荷耦合成像芯片作为近红外不可见光图像拾取元件,经过视频生成电路及合成电路分别进入到图像处理设备和显示设备中。
2.根据权利要求1所述的超视距望远摄像方法,其特征在于:所述拾取被测物体的近红外不可见光波长范围是0.76μm-1.2μm。
3.一种超视距望远摄像装置,包括有光学长焦多变倍镜头、控制模块、视频生成电路及其合成电路、图像处理设备和显示设备,其特征在于:它还包括有近红外带通滤光片和电荷耦合成像芯片,所述光学长焦多变倍镜头设置在该装置的前部,所述电荷耦合成像芯片设置在该装置的后部,所述近红外带通滤光片则设置在光学长焦多变倍镜头与电荷耦合成像芯片之间,所述近红外带通滤光片的波长范围是0.76μm-1.2μm。
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