CN1567476A - 闪存高速大区块的数据写入方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种闪存高速大区块的数据写入方法,该方法应用在数据处理器将数据写入该闪存中,如发生变更的数据不能写满整页时,可从闪存的备用区块里找一个区块作为特殊区块,将此变更数据写入特殊区块中暂存,并将下笔接续此变更数据的数据,继续写入特殊区块中,直到能将该页写满,再将特殊区块中暂存的数据搬移至备用区块的一暂存区块,并将特殊区块抹去成备用区块,如此,写入该闪存中的数据,即使发生变更的数据不能写满整页时,亦能将变更的数据继续写入,以达成加快写入数据的速度使用。
Description
技术领域
本发明涉及一种闪存高速大区块的数据写入方法,尤指可令写入至闪存中的数据,如发生变更的数据不能写满整页时,亦能将变更的数据继续写入的方法。
背景技术
目前由于近年来消费市场对与非式闪存(NAND FLASHMEMORY)的需求量愈来愈大,在产能增加以及生产技术的不断进步下,而有新型的与非式闪存的出现,如大区块闪存与MLC快闪记忆..等等。在技术进步下,其闪存的单价越来越便宜,但该闪存的数据存取,受到每一页只允许写入一次,以及只能按顺序写入数据的限制,导致数据的写入速度大幅减慢。
一般传统在与非式大区块闪存中,进行数据存取的数据写入方法:
请参阅图1所示,处理器从该闪存中事先设定的备用区块里,任选一个区块作为暂存区块11,再将该闪存的数据区块12中未被变更的数据从此数据区块12的首页,依照页数的顺序,一页一页地写入暂存区块11;
请再参阅图2所示,若判断出该数据区块12中被变更的数据足以写满整页时,则将此变更数据按照页数顺序,一页一页地写入暂存区块11;
请再参阅图3所示,若判断出该数据区块12中被变更的数据不足写满整页时,则将不满的部份用原数据区块12的数据13补满,并写入暂存区块11;
请再参阅图4所示,再将该数据区块12中被变更的数据以下未被变更的数据,依照页数的顺序,一页一页地写入暂存区块11,至页尾为止,再将原数据区块12抹去成备用区块,并由暂存区块11来取代原有的数据区块12。
然而,上述现有技术数据写入方法,在发生变更的数据不能写满整页时,仅能搬移原数据区块的数据进行补满,无法能将变更的数据继续写入,导致写入数据的速度变慢,对于运用该闪存的电子装置(如计算机)而言,将造成该电子装置整体运算(或处理)的速度,大幅减低。
发明内容
故,发明人鉴于前述现有技术与非式大区块闪存的数据写入方法,造成写入数据的速度变慢的缺陷,乃依其从事电子元件的制造经验和技术累积,特针对上述缺陷悉心研究各种解决的方法,在经过不断的研究、实验与改进后,终于开发设计出本发明的一种全新的闪存高速大区块的数据写入方法。
本发明的主要目的在于提供一种全新的闪存高速大区块的数据写入方法,该方法的处理器将数据写入该闪存中,如发生变更的数据不能写满整页时,可从闪存的一备用区块里找一个区块作为特殊区块,将此变更数据写入特殊区块中暂存,并将下笔接续此变更数据的数据,继续写入特殊区块中,直到能将该页写满后,再将特殊区块中暂存的数据搬移至备用区块的一暂存区块,并将特殊区块抹去成备用区块,因此写入该闪存中的数据,即使发生变更的数据不能写满整页时,亦能将变更的数据继续写入,以此达成加快写入数据速度的目的。
为便能对本发明的目的、形状、构造装置特征及其功效,做更进一步的认识与了解,兹举实施例并配合附图,详细说明如下。
附图说明
图1为现有技术数据写入方法的方块示意图。
图2为现有技术数据写入方法的方块示意图。
图4为现有技术数据写入方法的方块示意图。
图3为现有技术数据写入方法的方块示意图。
图5为本发明的数据写入方法的方块示意图。
图6为本发明的数据写入方法的方块示意图。
图7为本发明的数据写入方法的方块示意图。
图8为本发明的数据写入方法的方块示意图。
图9为本发明的数据写入方法的方块示意图。
图10为本发明的数据写入方法的方块示意图。
图11为本发明的数据写入方法的方块示意图。
图12为本发明的数据写入方法的方块示意图。
图中符号说明
11暂存区块 12数据区块
13数据
51暂存区块 52数据区块
53特殊区块 54部份
具体实施方式
本发明一种闪存高速大区块的数据写入方法,在处理器将数据写入该闪存中,如发生变更的数据不能写满整页时,可从闪存的备用区块里找一个区块作为特殊区块,将此变更数据写入特殊区块中暂存,并将下笔接续此变更数据的数据,继续写入特殊区块中,直到能将该页写满,再将特殊区块中暂存的数据搬移至备用区块的一暂存区块,并将特殊区块抹去成备用区块,如此,写入该闪存中的数据,即使发生变更的数据不能写满整页时,亦能将变更的数据继续写入,以达成加快写入数据的速度使用。
本发明的一最佳实施例中,请参阅图5所示,该方法处理器从该闪存中事先设定的备用区块里,任选一个区块作为暂存区块51,再将该闪存的数据区块52中未被变更的数据从此数据区块52的首页,依照页数的顺序,一页一页地写入暂存区块51中。
请再参阅图6所示,若判断出该数据区块52中被变更的数据足以写满整页时,则将此变更数据按照页数顺序,一页一页地写入暂存区块51。
请再参阅图7所示,若判断出该数据区块52中被变更的数据不足写满整页时,则从备用区块里任选一个区块作为特殊区块53,并将该不足写满整页的数据写入特殊区块53中暂存。
请再参阅图8、图9、图10所示,判断下笔写入的数据是否接续此变更数据,若是,则继续判断该笔数据加上特殊区块53里的数据是否可写满整页,若是,则将特殊区块53中暂存的数据读出并与该笔欲写入的数据汇整补满后,一起写入暂存区块51,并将特殊区块53抹去成备用区块;若不是,则将数据继续写入特殊区块53中,如此重复此动作,直到能将该页写满时,再将特殊区块53中暂存的数据读出并与该笔欲写入的数据汇整补满后,一起写入暂存区块51,并将特殊区块53抹去成备用区块。
再者,请再参阅图11所示,若每次下笔欲写入的数据皆接续此变更数据,则重复上述的步骤,将数据一页一页地写入暂存区块51,至页尾为止,最后再将原数据区块52抹去成备用区块,并由暂存区块51来取代原有的数据区块52,再重复上述的步骤的动作。
请再参阅图12所示,若判断出下笔写入的数据不是接续此变更数据时,则将特殊区块53的数据读出,其不满整页的部份54用数据区块52的数据汇整补满后,写入暂存区块51,并将特殊区块53抹去成备用区块,再将数据区块52中该被变更的数据以下未被变更的数据,依照页数的顺序,一页一页地写入暂存区块51,至页尾为止,最后再将原数据区块52抹去成备用区块,并由暂存区块51来取代原有的数据区块52,再重复上述的步骤的动作。
如此,本发明的方法于写入该闪存中的数据,即使发生变更的数据不能写满整页时,亦能将变更的数据继续写入,以达成加快写入数据的速度。
综上所述,本发明上述的闪存高速大区块的数据写入方法于使用时,确实能达到其功效及目的,故本发明诚为一实用性优异的发明,符合发明专利的申请要件,依法提出申请。
以上所述,仅为本发明最佳具体实施例而已,惟本发明的构造、特征并不局限于此,在本发明领域内任何熟悉该技艺者,可轻易进行的变化或修改,皆应涵盖在本案的专利范围内。
Claims (3)
1.一种闪存高速大区块的数据写入方法,其特征在于,该方法按下列的步骤进行处理:
首先,处理器从该闪存中事先设定的备用区块里,任选一个区块作为暂存区块,再将该闪存的数据区块中未被变更的数据从此数据区块的首页,依照页数的顺序,一页一页地写入暂存区块中;
若判断出该数据区块中被变更的数据足以写满整页时,则将此变更数据按照页数的顺序,一页一页地写入暂存区块;
若判断出该数据区块中被变更的数据不足写满整页时,则从备用区块里任选一个区块作为特殊区块,并将该不足写满整页的数据写入特殊区块中暂存;
再判断下笔写入的数据是否接续此变更数据;
若判断出下笔写入的数据不是接续此变更数据时,则将特殊区块的数据读出,其不满整页的部份用数据区块的数据汇整补满后,写入暂存区块,并将特殊区块抹去成备用区块,再将数据区块中该被变更的数据以下未被变更的数据,依照页数的顺序,一页一页地写入存区块,至页尾为止,最后再将原数据区块抹去成备用区块,并由暂存区块来取代原有的数据区块。
2.如权利要求1所述的闪存高速大区块的数据写入方法,其特征在于,
若判断出下笔写入的数据是接续此变更数据时,
则继续判断该笔数据加上特殊区块里的数据是否可写满整页,
若是,则将特殊区块中暂存的数据读出并与该笔欲写入的数据汇整补满后,一起写入暂存区块,并将特殊区块抹去成备用区块;
若不是,则将数据继续写入特殊区块中,如此重复此动作,直到能将该页写满时,再将特殊区块中暂存的资料读出并与该笔欲写入的数据汇整补满后,一起写入暂存区块,并将特殊区块抹去成备用区块。
3.如权利要求2所述的闪存高速大区块的数据写入方法,其特征在于,
若每次下笔欲写入的数据皆接续此变更数据,则重复上述的步骤,将数据一页一页地写入暂存区块,至页尾为止,最后再将原数据区块抹去成备用区块,并由暂存区块来取代原有的数据区块。
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CN (1) | CN100428358C (zh) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100397323C (zh) * | 2005-06-28 | 2008-06-25 | 群联电子股份有限公司 | 具高速外围部件互连总线的虚拟usb介面闪存存储装置 |
CN101425338A (zh) * | 2007-10-29 | 2009-05-06 | 群联电子股份有限公司 | 非易失性存储器的写入方法及使用此方法的控制器 |
CN101464836B (zh) * | 2007-12-20 | 2010-10-20 | 宇瞻科技股份有限公司 | 闪存储存装置的数据储存方法 |
CN101464834B (zh) * | 2007-12-19 | 2011-01-26 | 群联电子股份有限公司 | 闪存数据写入方法及使用此方法的控制器 |
CN101566969B (zh) * | 2008-04-21 | 2011-05-18 | 群联电子股份有限公司 | 提升非易失性存储器存储装置的管理效能的方法及控制器 |
CN102541459A (zh) * | 2010-12-17 | 2012-07-04 | 西安奇维测控科技有限公司 | 一种电子硬盘的页数据管理办法 |
CN101630233B (zh) * | 2008-07-17 | 2012-07-11 | 群联电子股份有限公司 | 用于闪存的数据存取方法、储存系统与控制器 |
US8225028B2 (en) | 2008-10-28 | 2012-07-17 | Silicon Motion, Inc. | Memory devices and methods for programming flash memory utilizing spare blocks |
CN102122269B (zh) * | 2010-01-07 | 2012-10-03 | 慧荣科技股份有限公司 | 闪存的写入逾时控制方法及其记忆装置 |
US8606987B2 (en) | 2007-12-07 | 2013-12-10 | Phison Electronics Corp. | Data writing method for flash memory and controller using the same |
CN103455428A (zh) * | 2012-05-31 | 2013-12-18 | 慧荣科技股份有限公司 | 数据储存装置与闪存操作方法 |
CN102866861B (zh) * | 2010-01-13 | 2015-11-18 | 群联电子股份有限公司 | 闪存储存系统、闪存控制器与数据写入方法 |
CN105700828A (zh) * | 2016-01-15 | 2016-06-22 | 北京市博汇科技股份有限公司 | 一种数据写入、读取方法及装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5696929A (en) * | 1995-10-03 | 1997-12-09 | Intel Corporation | Flash EEPROM main memory in a computer system |
KR100577380B1 (ko) * | 1999-09-29 | 2006-05-09 | 삼성전자주식회사 | 플래시 메모리와 그 제어 방법 |
US6704835B1 (en) * | 2000-09-26 | 2004-03-09 | Intel Corporation | Posted write-through cache for flash memory |
CN1362708A (zh) * | 2001-01-02 | 2002-08-07 | 吴秀林 | 一种闪存芯片的读写方法 |
-
2003
- 2003-06-24 CN CNB031487327A patent/CN100428358C/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100397323C (zh) * | 2005-06-28 | 2008-06-25 | 群联电子股份有限公司 | 具高速外围部件互连总线的虚拟usb介面闪存存储装置 |
CN101425338A (zh) * | 2007-10-29 | 2009-05-06 | 群联电子股份有限公司 | 非易失性存储器的写入方法及使用此方法的控制器 |
CN101425338B (zh) * | 2007-10-29 | 2011-05-18 | 群联电子股份有限公司 | 非易失性存储器的写入方法及使用此方法的控制器 |
US8606987B2 (en) | 2007-12-07 | 2013-12-10 | Phison Electronics Corp. | Data writing method for flash memory and controller using the same |
CN101464834B (zh) * | 2007-12-19 | 2011-01-26 | 群联电子股份有限公司 | 闪存数据写入方法及使用此方法的控制器 |
CN101464836B (zh) * | 2007-12-20 | 2010-10-20 | 宇瞻科技股份有限公司 | 闪存储存装置的数据储存方法 |
CN101566969B (zh) * | 2008-04-21 | 2011-05-18 | 群联电子股份有限公司 | 提升非易失性存储器存储装置的管理效能的方法及控制器 |
CN101630233B (zh) * | 2008-07-17 | 2012-07-11 | 群联电子股份有限公司 | 用于闪存的数据存取方法、储存系统与控制器 |
US8225028B2 (en) | 2008-10-28 | 2012-07-17 | Silicon Motion, Inc. | Memory devices and methods for programming flash memory utilizing spare blocks |
CN102122269B (zh) * | 2010-01-07 | 2012-10-03 | 慧荣科技股份有限公司 | 闪存的写入逾时控制方法及其记忆装置 |
CN102866861B (zh) * | 2010-01-13 | 2015-11-18 | 群联电子股份有限公司 | 闪存储存系统、闪存控制器与数据写入方法 |
CN102541459A (zh) * | 2010-12-17 | 2012-07-04 | 西安奇维测控科技有限公司 | 一种电子硬盘的页数据管理办法 |
CN103455428A (zh) * | 2012-05-31 | 2013-12-18 | 慧荣科技股份有限公司 | 数据储存装置与闪存操作方法 |
CN103455428B (zh) * | 2012-05-31 | 2016-10-05 | 慧荣科技股份有限公司 | 数据储存装置与闪存操作方法 |
US10007601B2 (en) | 2012-05-31 | 2018-06-26 | Silicon Motion, Inc. | Data storage device and operating method for flash memory |
CN105700828A (zh) * | 2016-01-15 | 2016-06-22 | 北京市博汇科技股份有限公司 | 一种数据写入、读取方法及装置 |
CN105700828B (zh) * | 2016-01-15 | 2019-02-01 | 北京市博汇科技股份有限公司 | 一种数据写入、读取方法及装置 |
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