CN1511977A - 圆片级封装中阳级、阴极和匀流板的间距可调的电镀杯 - Google Patents

圆片级封装中阳级、阴极和匀流板的间距可调的电镀杯 Download PDF

Info

Publication number
CN1511977A
CN1511977A CNA021599335A CN02159933A CN1511977A CN 1511977 A CN1511977 A CN 1511977A CN A021599335 A CNA021599335 A CN A021599335A CN 02159933 A CN02159933 A CN 02159933A CN 1511977 A CN1511977 A CN 1511977A
Authority
CN
China
Prior art keywords
cup
anode
negative electrode
even flow
spacing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA021599335A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1238571C (zh
Inventor
王水弟
贾松良
胡涛
蔡坚
张忠会
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tsinghua University
Original Assignee
Tsinghua University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tsinghua University filed Critical Tsinghua University
Priority to CN 02159933 priority Critical patent/CN1238571C/zh
Publication of CN1511977A publication Critical patent/CN1511977A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1238571C publication Critical patent/CN1238571C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Abstract

圆片级封装中阳极、阴极和匀流板的间距可调的电镀杯属于集成电路封装技术领域,其特征在于,它含有:由下方开有电镀进口的内杯,下方开有电镀出口的外杯和盖板组成的杯体,固定于盖板底面上的阴极(硅圆片),套在内杯中多个高度不同的调节杯,自下而上依次被不同高度的调节环扣在内杯中的匀流板和阳极,自上而下固定着内杯中调节环的固定环以及位于盖板和固定环之间以便自身内壁的下斜面和固定环上端的斜面一起形成电镀液出口通道的外杯盖。盖板上还有调节阴极同阳极和匀流板的间距以及上述电镀液出口处截面宽度的调节螺钉。所述阳极是非自耗性的镀铂的钛网。它具有可适应不同尺寸硅圆片的电镀需要,而且增加了阳极的使用寿命和减少维修工作量。

Description

圆片级封装中阳极、阴极和匀流板的间距可调的电镀杯
技术领域
圆片级封装中阳极、阴极和匀流板的间距可调的电镀杯属于电路封装技术领域。
背景技术
传统的集成电路封装是在硅圆片上进行前工序加工后就送到封装厂进行划片、引线键合、封装和测试。圆片级封装(Wafer Level Package)则是硅圆片在前工序完成后,并不马上送到封装厂进行划片、引线键合、封装和测试,而是继续在硅圆片上的芯片的引出端上制作焊凸点,如金凸点、铅锡焊球等,然后再去划片分离成独立器件。
在硅圆片上制作金凸点或铅锡凸点方法很多,最多的是采用电镀的方法。
电镀是一项传统的和成熟的表面加工技术。在硅圆片上电镀金属层,例如,金、铜和铅锡合金等,是随着集成电路技术的发展而产生的新工艺。如美国专利US6221473、中国专利CN1290310和CN1291243等,都是同该技术有关的专利。这些专利技术的基本结构和原理大同小异。在硅片上进行电镀的基本装置都是由以下几部分组成:电镀液通过循环泵流入电镀杯,杯内有阳极,被镀的硅片作为阴极在电镀杯的上方(垂直喷镀)或侧面(水平电镀),同时还有一个电源。但是各种装置都有各自的特点,比如有的装置硅片是固定的,有的装置硅片可以在X、Y、Z三个方向上移动和转动;有的装置只有一个阳极,有的则有几个阳极、几个电源。不管哪种结构,都有一个最重要的技术指标:硅片上的电镀层要均匀。电镀的均匀性同两个因素有关:阳极与阴极之间的电场要均匀,硅圆片表面附近电镀液要及时补充,同时所镀的离子浓度要均匀。
通常的圆片级封装用的垂直喷镀装置如图1所示:1是硅圆片即阴极;2是电镀杯;3是氮气;4是过滤器;5是取样口;6是流量计;7是泵;8是储液槽;9是加热器。其缺点是:不能根据硅圆片尺寸的不同适时地调节电镀杯内阴极、阳极和匀流板的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种圆片级封装中阳极、阴极和匀流板的间距可调的电镀杯。
本发明的特征在于,它含有:上述由下方开有电镀液进口的内杯、下方开有电镀液出口的外杯和盖板组成的杯体,固定于盖板底面上的阴极(硅圆片),套在内杯中的多个高度不同的调节环,自下而上依次被不同高度的调节环扣在内杯中的匀流板和阳极,自上而下地固定着内杯中调节环的固定环以及位于盖板和固定环之间以便自身内壁的下斜面和固定环上端的斜面一起构成电镀液出口通道的外杯盖。各个调节环的高度自上而下是递减的,在电镀3~6英寸不同尺寸的硅圆片时,调节环是8个每个的高度自上而下递减的调节环,在所述的盖板上有用于调节阴极同阳极的匀流板的间距以及调节外杯盖和固定环之间电镀液出口处截面宽度的调节螺钉,所述的阳极是非自耗性的镀铂的钛网。
试验证明:用8个每个的高度自上而下地递减的调节环即可满足3~6英寸不同尺寸硅圆片上的电镀需要。
附图说明
图1,圆片级封装的垂直喷镀装置的原理图。
图2,本发明提示的阳极、阴极和匀流板的间距可调的电镀杯的纵剖视图。
(1)匀流板 (2)阳极 (3)调节螺钉 (4)盖板 (5)硅圆片(阴极)
(6)外杯盖 (7)固定环 (8)40mm调节环 (9)30mm调节环
(10)20mm调节环 (11)10mm调节环 (12)内杯 (13)6mm调节环
(14)5mm调节环 (15)4mm调节环 (16)外杯 (17)3mm调节环
具体实施方式
我们设计的电镀杯结构如图2所示。电镀液从入口处进入电镀杯内,先通过杯匀流板(1),然后是阳极(2)。阳极是非自耗性的镀铂的钛网。电镀液最后通过外杯盖(6)和固定环(7)之间的空隙流入外杯(16)。电镀时硅圆片(5)放在盖板(4)的下面,被电镀面朝下,硅圆片同电源的阴极相连,所以硅圆片就是电镀时的阴极。阳极与阴极之间的距离影响电场的分布。电镀液入口的直径、流速、匀流板的厚度、匀流板上孔的大小和孔的分布等参数对杯内电镀液的流动状态有很大影响,在这些参数经计算机模拟优化固定后,则匀流板在内杯的位置成为影响电镀液流速分布的唯一参数,国外类似的电镀装置中的阳极、阴极和匀流板之间的距离大都是固定的,也许他们通过很多试验后,把阳极、阴极和匀流板互相之间的距离作为固定参数固定了下来。
为了使该电镀装置具有高度灵活性,以适应在3~6英寸不同尺寸硅圆片上的电镀需要,我们采用了独特的不同调节环组合的方式,让阳极与阴极之间的距离可以任意调节,匀流板与硅圆片(阴极)之间的距离也可以任意调节,我们的方法就是加工8个高度不同的调节环,高度分别为3mm、4mm、5mm、6mm、10mm、20mm、30mm、40mm,它可以上下任意放置,阳极和匀流板可以任意放在两个环之间,这就实现了阳极与阴极、匀流板与硅圆片(阴极)之间距离的任意可调。另外,盖板上还有调节螺钉(3),它不但可以调节阳极同阴极和匀流板之间的距离,也可以调节外杯盖(6)和固定环(7)之间的空隙的大小,以便调节电镀液出口的流速。通过这些调节,可以实现在最理想的状态下电镀和得到均匀的电镀层。

Claims (5)

1.圆片级封装中阳极、阴极和匀板的间距可调的电镀杯,含有由内杯、外杯、外杯盖和盖板组成的杯体和位于杯体中的阳极、阴极和匀流板,其特征在于,它含有:上述由下方开有电镀液进口的内杯、下方开有电镀液出口的外杯和盖板组成的杯体,固定于盖板底面上的阴极(硅圆片),套在内杯中的多个高度不同的调节环,自下而上依次被不同高度的调节环扣在内杯中的匀流板和阳极,自上而下地固定着内杯中调节环的固定环以及位于盖板和固定环之间以便自身内壁的下斜面和固定环上端的斜面一起构成电镀液出口通道的外杯盖。
2.根据权利的要求:1所述的圆片级封装中阳极、阴极和匀流板的间距可调的电镀杯,其特征在于:各个调节环的高度自上而下是递减的。
3.根据权利要求1,2所述的圆片级封装中阳极、阴极和匀流板的间距可调的电镀杯,其特征在于:在电镀3~6英寸不同尺寸的硅圆片时,调节环是8个每个的高度自上而下递减的调节环。
4.根据权利要求1所述的圆片级封装中阳极、阴极和匀流板的间距可调的电镀杯,其特征在于:在所述的盖板上有用于调节阴极同阳极的匀流板的间距以及调节外杯盖和固定环之间电镀液出口处截面宽度的调节螺钉。
5.根据权利的要求1所述的圆片封装中阳极、阴极和匀流板的间距可调的电镀杯,其特征在于:所述的阳极是非自耗性的镀铂的钛网。
CN 02159933 2002-12-30 2002-12-30 圆片级封装中阳极、阴极和匀流板的间距可调的电镀杯 Expired - Lifetime CN1238571C (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 02159933 CN1238571C (zh) 2002-12-30 2002-12-30 圆片级封装中阳极、阴极和匀流板的间距可调的电镀杯

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 02159933 CN1238571C (zh) 2002-12-30 2002-12-30 圆片级封装中阳极、阴极和匀流板的间距可调的电镀杯

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1511977A true CN1511977A (zh) 2004-07-14
CN1238571C CN1238571C (zh) 2006-01-25

Family

ID=34237688

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 02159933 Expired - Lifetime CN1238571C (zh) 2002-12-30 2002-12-30 圆片级封装中阳极、阴极和匀流板的间距可调的电镀杯

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN1238571C (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101280446B (zh) * 2007-12-28 2010-04-14 清华大学 硅片电镀用的科研实验系统
CN101851775A (zh) * 2010-06-11 2010-10-06 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种适用于自下而上电镀方法制作tsv的电镀挂件
CN101771104B (zh) * 2009-12-30 2011-08-31 中国电子科技集团公司第二研究所 硅太阳能电池片电极电镀喷杯
CN103343380A (zh) * 2013-07-01 2013-10-09 南通富士通微电子股份有限公司 电镀用阳极组件和电镀装置
CN106637322B (zh) * 2017-02-28 2018-05-18 扬州大学 一种半导体硅片微点电镀槽
CN111394758A (zh) * 2020-05-14 2020-07-10 绍兴上虞顺风金属表面处理有限公司 一种基于金属表面化处理领域的电镀工艺及设备

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101280446B (zh) * 2007-12-28 2010-04-14 清华大学 硅片电镀用的科研实验系统
CN101771104B (zh) * 2009-12-30 2011-08-31 中国电子科技集团公司第二研究所 硅太阳能电池片电极电镀喷杯
CN101851775A (zh) * 2010-06-11 2010-10-06 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种适用于自下而上电镀方法制作tsv的电镀挂件
CN103343380A (zh) * 2013-07-01 2013-10-09 南通富士通微电子股份有限公司 电镀用阳极组件和电镀装置
CN103343380B (zh) * 2013-07-01 2016-03-09 南通富士通微电子股份有限公司 电镀用阳极组件和电镀装置
CN106637322B (zh) * 2017-02-28 2018-05-18 扬州大学 一种半导体硅片微点电镀槽
CN111394758A (zh) * 2020-05-14 2020-07-10 绍兴上虞顺风金属表面处理有限公司 一种基于金属表面化处理领域的电镀工艺及设备
CN111394758B (zh) * 2020-05-14 2023-11-03 绍兴上虞顺风金属表面处理有限公司 一种基于金属表面化处理领域的电镀工艺及设备

Also Published As

Publication number Publication date
CN1238571C (zh) 2006-01-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4367123A (en) Precision spot plating process and apparatus
US6896784B2 (en) Method for controlling local current to achieve uniform plating thickness
CN101275267B (zh) 改良厚度均匀性的电镀装置与电镀方法
US6093291A (en) Electroplating apparatus
US9359683B2 (en) Method of forming metal and metal alloy features
CN1238571C (zh) 圆片级封装中阳极、阴极和匀流板的间距可调的电镀杯
CN113564650B (zh) 一种电沉积方法和电沉积装置
CN2589490Y (zh) 圆片级封装中阳级、阴极和匀流板的间距可调的电镀杯
US6287444B1 (en) Method for producing very small metal ball
US6723224B2 (en) Electro-chemical polishing apparatus
CN102181895B (zh) 半导体集成电路的引线框架一次电镀工艺
US20060163058A1 (en) Apparatus for plating a semiconductor wafer and plating solution bath used therein
US20040104119A1 (en) Small volume electroplating cell
JP3677911B2 (ja) 半導体ウエハのめっき方法及びその装置
CN202246956U (zh) 引线框架电镀夹具
JP3400278B2 (ja) 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
CN1318651C (zh) 镀敷装置、镀敷方法及半导体装置的制造方法
CN217491876U (zh) 集成电路引线框架电镀箱的喷浸可选的工艺槽
JP2001131797A (ja) 半導体製造方法及びその装置
CN218345565U (zh) 集成电路引线框架设备的耐腐蚀电镀槽
KR100454505B1 (ko) 경사형 전극링을 갖는 전기 도금 장치
KR102680532B1 (ko) 릴투릴 방식의 극세선 전해 후막 도금 장치 및 도금 방법
JP2513357B2 (ja) リ―ドの半田メッキ装置
JP3606795B2 (ja) 噴流式バンプ形成装置
CN1920103B (zh) 锌电解新阳极板直流电镀膜工艺

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
EE01 Entry into force of recordation of patent licensing contract

Assignee: WUXI ZHONGWEI HIGH TECH ELECTRONIC CO.,LTD.

Assignor: Tsinghua University

Contract fulfillment period: 2008.7.28 to 2013.7.31

Contract record no.: 2008320001027

Denomination of invention: Electroplating cup with adjustable spacing between cathode, anode and uniform stream plate in wafer level package

Granted publication date: 20060125

License type: Exclusive license

Record date: 20081022

LIC Patent licence contract for exploitation submitted for record

Free format text: EXCLUSIVE LICENSE; TIME LIMIT OF IMPLEMENTING CONTACT: 2008.7.28 TO 2013.7.31; CHANGE OF CONTRACT

Name of requester: WUXI ZHONGWEI HIGH-TECH ELECTRONICS CO., LTD.

Effective date: 20081022

CX01 Expiry of patent term
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20060125