CN1463027A - 阴极射线管的玻璃结构 - Google Patents

Abstract

在一种由屏面和漏斗组成并包括具有非圆形垂直截面的漏斗轭部分的真空阴极射线管中，当位于基准线和颈线之间的某个垂直截面的对角线区域的厚度为Td并且在同一垂直截面的长侧面部分的厚度为Th时，阴极射线管的玻璃结构满足0.5＜Th/Td＜1.01。当在圆形顶部的对角线区域的厚度为Dt′，长侧面部分的厚度为D_S′，短侧面部分的厚度为D_L′；在基准线处的对角线区域厚度为Dt，长侧面部分的厚度为D_S，短侧面部分的厚度为D_L，阴极射线管的玻璃结构满足1.3≤Dt′/Dt＜1.80。因此，由于能同时提高偏转效率和BSN边界，从而可以减小阴极射线管尺寸，降低其能量消耗，并提高其质量和生产率。另外，也可以提高小巧型阴极射线管的抗冲击性，减小加热过程中的损坏率并防止抽真空过程中的爆炸。

Description

阴极射线管的玻璃结构

发明领域

本发明涉及阴极射线管，更具体地，涉及阴极射线管的玻璃结构，其能够提高阴极射线管的偏转效率，防止BSN现象的发生并在提高偏转效率的同时有效降低作用在漏斗上的高应力。

背景技术

一般地，BSN(电子束阴影颈(beam shadow neck))是指一种现象，即其中偏转的电子束碰撞到轭部分的内表面并在屏幕上留下阴影。

如图1所示，传统彩色阴极射线管包括：涂覆在内表面上的R(红)·G(绿)·B(蓝)荧光面40；在前表面带有防爆装置的屏面10；焊接在屏面10后端的漏斗20；插在漏斗20的颈部并发射电子束60的电子枪130；用于偏转电子束60的偏转轭50；荫罩70，其装在屏面10的内表面与之保持一定间距并具有多个用于通过电子束60的孔；荫罩框架30，其固定支撑荫罩70以使荫罩70与屏面10保持一定间距；用于连接并支撑荫罩框架30和屏面10的弹簧80；用于屏蔽阴极射线管免受外界地磁场影响的内屏蔽90；以及装在屏面10的侧面周边并吸收外界冲击的增强带110。

传统彩色阴极射线管的一般制造工艺可分成前半工艺和后半工艺，前半工艺是将荧光面40涂覆到屏面10的内表面，后半工艺包括下面的几个过程。

首先，在密封过程中，将屏面10接合到漏斗20上，其中在包括荫罩组件的屏面10内涂覆有荧光面，在漏斗20中将玻璃料涂到密封表面上。此后，在封装过程中，将电子枪130插入漏斗20的颈部13。并且，在抽气过程中，将阴极射线管抽真空后将其密封。

这里，当阴极射线管处于真空状态时，强张力和高压应力作用在屏面10和漏斗20上。

因此，在抽气过程后，为了分散作用在屏面10前表面上的高应力，执行粘结增强带110的增强过程。

未解释的标记数字11是漏斗主体部分，12是漏斗轭部分，51是偏转芯，52是偏转线圈。

在阴极射线管中，因为电子束60到达涂覆在屏面10内表面上的荧光面40上，所以形成图像。为了调和地移动电子束60，阴极射线管的内表面必须处于真空状态。

另外，为了在屏幕上形成图像，由电子枪130阴极发出的电子束60必须偏转，从而广泛散播在屏幕上，由芯51和线圈52组成的偏转轭50偏转电子束。

当电流流到偏转轭50的线圈52时，在芯51中产生磁场，电子束60在沿Z轴运动时被产生的磁场偏转。

这里，磁场的大小根据线圈52中流过的电流大小而变化。

一般地，电子束60的偏转角度和偏转中心根据偏转轭50的线圈52和芯51的大小、形状和位置确定。

另外，由于电器能量消耗规则的增强，已经在努力降低电器的能量消耗。如同其它电器一样，降低阴极射线管的能量消耗是一个必要的细节。

为了减小阴极射线管的尺寸并降低其能量消耗，必须减小偏转轭50中通过的电流。

但是，当减小电流时，由于芯51中产生的磁场的减弱，不能保证足够的偏转角度，因此不能形成图像。

另外，当增大偏转轭50的芯51和线圈52的绝对数量时，增大了材料成本和漏磁场的绝对数量，因此在产品的可靠性方面是不利的。

因此，由于减小阴极射线管尺寸并降低阴极射线管的能量消耗与偏转轭50的偏转效率非常相关，提高偏转轭50的效率是一条减小阴极射线管尺寸并降低其能量消耗的有效途径。

提高偏转效率的方法有很多。第一种方法是改变漏斗轭部分12和线圈52的截面形状，从圆形改为方形。在第一种方法中，由于电子束60和偏转轭50之间的距离缩短，电子束60能容易地被较小的偏转磁场偏转。

第二种方法是将偏转轭50的芯51和线圈52装在漏斗20的颈部13。

在第二种方法中，如图2所示，当偏转轭50的位置改变到靠近漏斗20的颈部13时，偏转轭50和电子束60之间的改变之前的距离D短于改变之后的距离d。因此，电子束60碰撞到漏斗20内表面上的重叠部分。

更详细地，当偏转中心向颈部13移动时，电子束60和偏转轭50之间的距离减小，电子束60能被较大的偏转磁场影响。

由于电子束60与漏斗20的轭部分12之间的距离减小，电子束60碰撞到轭部分12的内表面并在屏面投下阴影。

漏斗轭部分12的截面朝向漏斗轭部分12的颈部13而变小，通过减小电子束60和偏转轭50之间的距离，能提高偏转效率。

位置改变是指将偏转中心向颈部13移动，因此电子束60较早地在磁场中偏转。

另外，第三种方法是将电子束的扫描方式由水平扫描方式转换成垂直扫描方式。

一般地，阴极射线管水平长度与垂直长度的比为4∶3或16∶9。在水平扫描方式中，必须偏转距离4、16。但是在垂直扫描方式中，仅必须偏转距离3、9，对于相同的偏转，偏转电源比水平扫描方式中的偏转电源小。

图3表示使用垂直扫描方式时在阴极射线管漏斗20的轭部分12出现的BSN现象。如图3所示，BSN现象是由按垂直扫描方式排列的电子枪所引起的，并且主要出现在轭部分12的长侧面部分和对角线部分。

目前，在实际应用中，将所有三种方法综合在一起以提高偏转效率，偏转效率的提高使减小阴极射线管的尺寸和降低能量消耗成为可能。

同时，图4表示根据应用三种方法提高偏转效率，使电子束60碰撞到漏斗20的轭部分12内表面而产生的BSN现象。

更详细地，偏转效率越低，BSN现象出现的区域越朝向TOR(圆形顶部(top of round))移动；偏转效率越高，BSN现象出现的区域越朝向NSL(颈密封线)移动。

因此，在RL(基准线)和NSL(颈密封线)之间出现BSN现象是不可避免的。

根据偏转效率的增大出现BSN现象是减小阴极射线管尺寸并降低能量消耗的主要问题。

但是，用于提高偏转效率的方法根据电子束的偏转增大BSN现象的出现。BSN现象是指轭部分12内表面的阴影投射到屏面的现象，这是制造阴极射线管中非常重要的特征。

近几年，为了提高阴极射线管的偏转效率，将具有方形轭部分的漏斗和垂直扫描方式应用于阴极射线管，但是，与使用传统圆形轭部分的漏斗和水平扫描方式相比，这些应用导致更多的BSN现象发生。

更详细地，在应用具有方形轭部分的漏斗时，电子束60和轭部分12之间的距离减小。当偏转中心向颈部13移动时，由于电子束60的偏转角度增大并且电子束60向轭部分12的内表面移动，BSN现象的出现增多，因此可以降低阴极射线管的可靠性。

另外，在垂直扫描方式的阴极射线管中，从电子枪130发射电子束60的每个R、G、B阴极必须平行于垂直轴线排列。这里，与G电子束相比，从R、B阴极发射的电子束在垂直方向偏离Z轴一定距离。

这里，由于随着与Z轴之间距离的出现，R、B阴极更靠近偏转磁场，因此电子束60向垂直方向偏转，并碰撞到漏斗轭部分12长侧面的内表面，从而出现BSN现象。

上述现象更多地出现在漏斗轭部分12、RL(基准线)和NSL(颈密封线)之间。

在小巧和垂直扫描方式的阴极射线管中，BSN现象沿对角线区域和长侧面区域出现，特别是，它主要出现在漏斗轭部分12对角线区域周围的长侧面的内表面。

这里，当漏斗轭部分12移到垂直Z轴(中心轴)的方向时，也就是，离得更远，BSN现象减少，但是，偏转效率下降，因此不可能减小阴极射线管尺寸并降低能量消耗。

同时，在目前显示器市场中，为了易于保证安装空间，减小显示器的体积是关键的。例如，LCD(液晶显示器)和PDP等，是典型的小巧型显示器。与它们相比，阴极射线管笨重而庞大，在安装的便利性方面这是一个缺点，因此需要减小其尺寸。

在这种趋势下，为了减小阴极射线管的尺寸，重要的是保证偏转角度，基于此，轭部分12是方形的，但是，因为在结构方面这是不稳定的形状，在屏面10和漏斗20上作用有高应力。

图5是表示漏斗20轭部分12上应力分布的示意图。如图5所示，通过减小漏斗20的总长度以减小阴极射线管的尺寸，应力作用在阴极射线管的轭部分12。在图5中，点线箭头代表压应力，实线箭头代表张应力。这里，在玻璃制的漏斗中，增强的应力分布是一个致命的问题。

更详细地，当漏斗轭部分12是方形时，由于轭部分12对角线区域的外表面上的拉应力增大，玻璃上高应力的问题必须解决。

换句话说，当阴极射线管尺寸减小时，漏斗20的总长度缩短，另外，当轭部分12是方形时，轭部分12上的应力增大，电子枪的电子束60到达荧光粉40的偏转角度增大，因此产生BSN现象。在这种情况下，在荧光粉周围投下阴影，这可能降低阴极射线管的可靠性。

发明内容

为了解决上述问题，本发明的目的是提供一种阴极射线管的玻璃结构，以提高阴极射线管的偏转效率，抑制BSN现象的出现并有效降低作用在漏斗上的高应力。

为了达到上述目的，在由屏面和漏斗组成并包括具有非圆形垂直截面的漏斗轭部分的真空阴极射线管中，当位于基准线和颈密封线之间的某个垂直截面的对角线区域的厚度为Td并且在同一垂直截面的长侧面厚度为Th时，阴极射线管的玻璃结构满足0.5＜Th/Td＜1.01。

另外，为了达到上述目的，当圆形顶部的对角线区域的厚度为Dt′，长侧面厚度为D_S′，短侧面厚度为D_L′；基准线处的对角线区域厚度为Dt，长侧面厚度为D_S，短侧面厚度为D_L，本发明的阴极射线管的玻璃结构满足1.3≤Dt′/Dt＜1.80。

附图的简要说明

所提供的附图是为了进一步理解本发明，包括在本说明书中并作为本说明书的一部分。附图图解了本发明的实施方式，并与说明书一起用于解释本发明的原理。

在附图中：

图1是表示传统阴极射线管的垂直截面剖视图；

图2是表示随传统阴极射线管偏转中心的移动而出现BSN现象的示意图；

图3是表示BSN现象在垂直扫描方式中出现的示意图；

图4是表示随偏转效率增大而出现BSN现象的示意图；

图5是表示当阴极射线管内部抽真空时应力分布的示意图；

图6是表示描述本发明每个限定值的示意图；

图7是表示本发明漏斗轭部分的剖视图；

图8是表示本发明漏斗轭部分的剖视图；

图9是表示本发明漏斗轭部分截面厚度变化的曲线图；

图10是表示传统漏斗轭部分中厚度比随高度变化的曲线图；

图11是表示本发明漏斗轭部分中厚度比随高度变化的曲线图；

图12是表示本发明漏斗轭部分中截面厚度随高度变化的曲线图；

图13a是表示本发明漏斗轭部分在TOR(圆形顶部)截面厚度的剖视图；

图13b是表示本发明漏斗轭部分在RL(基准线)截面厚度的剖视图；

图13c是表示图13a和13b中漏斗轭部分对角线区域厚度的示意图；

图14是表示本发明漏斗轭部分的对角线区域厚度与应力之间关系的曲线图；

图15是表示本发明漏斗轭部分的对角线区域厚度与BSN边界之间关系的曲线图

优选实施方式的详细描述

图6是描述本发明阴极射线管的玻璃结构的基准线和基准点的示意图。

TOR(圆形顶部)是指偏转轭漏斗20的轭部分22与漏斗20的体部分21交界的界线。

NSL(颈密封线)是指漏斗20的轭部分22与放置电子枪130的颈部分23交界的界线。

RL(基准线)是指漏斗20上假想的参考线，当Z轴(中心轴)与RL的交叉点与屏幕对角有效区的端点17连接成直线时，直线与Z轴的夹角定义为偏转角(θ)。

并且，图6中的偏转角度(θ)是实际偏转角度的一半。

有效区是指当阴极射线管工作时图像显示在屏面10的屏幕上的区域，有效区的端点17是指图像对角线的端点。

另外，在图6中，小巧型阴极射线管定义为当有效区的对角线端点17连接到基准点18(图6中所示的假想参考点)时与Z轴的倾角不小于50°并小于70°的阴极射线管。

另外，偏转中心是指电子束被偏转轭偏转的点，在本发明中，偏转轭50的芯51的中心是偏转中心。

同时，为了减少BSN现象的出现，通过增大漏斗20轭部分12的截面，以增大电子束和偏转轭之间的距离；或通过将偏转轭的中心朝屏面10移动，使电子束的偏转点朝屏面10移动。

但是，由于这些方法降低偏转轭50的效率，因此不可能减小阴极射线管的尺寸并降低其能量消耗。

因此，为了减少BSN现象的出现并同时增大偏转轭50的偏转效率，在必须仅减小轭部分22的内表面厚度的同时固定BSN现象出现部分的外表面，或者必须优化轭部分22的内表面形状。

在传统漏斗的设计概念中，为了减小轭部分的内表面厚度或者优化其内表面的形状，在漏斗20的RL基础上增大/减小或改变厚度或形状。

但是，在传统漏斗的设计概念中，不可能使偏转效率足以减小阴极射线管尺寸并降低其能量消耗。

因此，在本发明中，为了减少BSN现象出现，在漏斗轭部分的RL～NSL周围并在BSN边界的基础上保证偏转效率增大到足以减小阴极射线管尺寸并降低其能量消耗，漏斗20轭部分22的结构满足下面的方程。

首先，图7表示从漏斗轭部分22上的某点截取截面形状以垂直于Z轴线。

Z轴线是连接颈部中心到屏面中心的直线。

这里，在图7中，当对角线区域210的厚度为Td，长侧面部分220的厚度为Th，轭部分22的内表面满足下面的方程1：

       0.5＜Th/Td＜1.01-------------------(1)

这意味着漏斗轭部分22的长侧面部分的厚度Th比对角线区域的厚度薄。

一般地，在漏斗轭部分22中，从NSL(颈密封线)到TOR(圆形顶部)，截面形状从圆形变化到非圆形。在这种情况下，由于轭部分22的长侧内表面与电子束之间的距离比仅为圆形的传统阴极射线管的距离短，这可以弱化BSN现象的出现，最大张应力作用到TOR(圆形顶部)，因此阴极射线管的结构强度弱。

因此，为了优化漏斗轭部分22的内表面形状，长侧面部分的厚度和对角线区域的厚度必须满足方程1，从而能改善偏转效率和BSN边界。

另外，为了减小作用在轭部分22的对角线区域210上的张应力，对角线区域210的厚度增大，从而能提高阴极射线管的结构强度。

因此，为了保证偏转角度不小于100°的小巧型阴极射线管的结构强度，阴极射线管优选满足0.8＜Th/Td＜1.01。

图8表示用于防止随偏转效率的增大而使BSN现象出现在NSL～RL区域的漏斗轭部分22的截面形状。

这里，在NSL～RL区域，最薄的部分是T_min，最厚的部分是T_max，漏斗轭部分22的内表面满足下面的方程2：

            1.1＜T_max/T_min＜2.2-----------------------(2)

在方程2中，在通过改变内表面形状提高偏转效率时外表面保持为最佳形状，以保证BSN边界。

未说明的标记数字100是传统轭部分12的内表面，200是本发明轭部分22的内表面。

表1

Td	3.4	3.4	3.4	3.4	3.4	3.4
							Th	1.4	2.0	2.7	3.4	4.1	4.8
Th/Td	0.4	0.6	0.8	1	1.2	1.4
							BSN(mm)	6.0	5.0	4.1	3.1	2.2	1.2
张应力(MPa)	13.4	11.8	11.2	10.7	10.2	9.5

表1和图9表示具有非圆形截面轭部分、Th/Td为17英寸、120°偏转的阴极射线管的BSN边界和最大张应力。

一般阴极射线管的最大临界应力为12MPa，在图9中，Th/Td值必须位于临界线1的右侧。

在张应力不小于最大临界应力状态时，根据结构强度的弱化，阴极射线管可能在小的冲击下很容易损坏，也可能在加热过程中增大损坏率，从而降低生产率。

另外，在小巧型阴极射线管中，抽气过程中爆炸的增多也会降低生产率并降低安全方面的可靠性。

BSN现象，通过电子束碰撞到轭部分内表面上使阴影投射到屏幕上，为阴极射线管的质量特性中最重要的特性，为了保证安全性，BSN边界必须至少不小于3.0mm。因此，在图9中，Th/Td值必须位于临界线2的左侧。

同时，当Th/Td值位于临界线2的右侧时，意味着BSN边界不大于3.0mm，这可能引发问题。

重要的是，当BSN边界缩短时不可能提高偏转效率。换句话说，偏转效率与BSN成反比。

更详细地，偏转效率的增大减小BSN边界，偏转效率的减小增大BSN边界。

另外，Th/Td值越靠向临界线的右侧，BSN边界减小，BSN边界的减小增大偏转轭的调整时间，从而延长生产时间。

因此，当Th/Td值仅位于图9中的临界线1和临界线2之间，在能增大BSN边界和偏转效率的同时作用在阴极射线管上的应力不大于最大临界应力。

图10表示具有非圆形轭部分形状的传统阴极射线管的Th/Td值，图11表示根据本发明在具有非圆形轭部分形状的阴极射线管中的Th/Td值。

在图10中，Th/Td比在15mm～NSL之间不小于1.1并且是单调递增的。在图11中，Th/Td比在15mm～NSL之间不大于1.1并且是单调递减后增大。

同时，在图9中，当Th/Td比减小时，BSN现象的出现增多。

同时，如传统工艺中所描述的，当增大偏转效率以减小阴极射线管尺寸并降低其能量消耗时，BSN现象的出现点从RL～TOR移动到RL～NSL。

特别是，在RL～NSL中，由于在NSL～15mm中出现较多的BSN现象，因此确定轭部分内表面的厚度以增大NSL～15mm中的BSN边界。

表2

Tmax	3.4	3.4	3.4	3.4	3.4
						Tmin	3.4	2.3	1.7	1.4	1.1
Tmix/Tmax	1.0	1.5	2.0	2.5	3.0
						BSN(mm)	1.9	3.5	4.3	4.8	5.1
张应力(MPa)	10.7	10.8	11.2	13.6	18.4

表2和图12表示当在阴极射线管的RL～NSL中最大轭部分厚度为T_max并且最小轭部分厚度为T_min时，根据T_max/T_min比确定BSN边界和张应力之间的关系。

如图12所示，当T_max/T_min值位于临界线1的左侧时，阴极射线管的最大张应力不大于12MPa；当T_max/T_min值位于临界线2的右侧时，BSN边界不小于3.0mm。

因此，仅当T_max/T_min值位于临界线1和临界线2之间的区域时，能达到增大阴极射线管的结构强度、BSN边界和偏转效率，从而可以减小阴极射线管的尺寸并降低其能量消耗。

如上所述，关键是提高阴极射线管的偏转效率，以减小阴极射线管的尺寸并降低其能量消耗。但是，当偏转效率增大时，BSN边界减小，BSN边界的减小对阴极射线管质量有坏的影响，增大生产时间并降低生产率。

更详细地，由于不可能为了增大BSN边界无限制地增大偏转效率，因此不容易减小阴极射线管的尺寸并降低其能量消耗。

但是，在应用根据本发明的轭部分结构时，由于偏转效率和BSN边界能同时增大，就可能减小阴极射线管尺寸并降低其能量消耗，从而能提高阴极射线管的质量和生产率。

另外，能防止在减小尺寸过程中结构强度的弱化引起的冲击形成的损坏，加热过程的损坏率高和真空抽气过程的爆炸。

此后，将描述根据本发明另一种实施方式的阴极射线管的玻璃结构。这种阴极射线管的玻璃结构能保证BSN边界抗冲击，加热过程中损坏率减小，防止真空抽气过程的爆炸，不但通过降低漏斗20的TOR周围形成的强张应力还通过减少BSN现象(RL周围的电子束60碰撞到轭部分12的内表面并在屏幕上投下阴影)提高产品的可靠性。

首先，如图13a所示，在TOR点的对角线区域厚度定义为Dt′，如图13b所示，在RL的对角线区域厚度定义为Dt。

下面，将更详地细描述此实施方式。

首先，在下面的表3中，“17圆”和“17RAC”栏是传统的具有90°偏转的阴极射线管，“#1”、“#2”和“#3”栏是根据本发明具有非圆形轭部分和120°偏转的阴极射线管。

表3

	17圆	17RAC	#1	#2	#3
						Dt(RL)	2.03	2.91	3.28	2.28	2.46
Dt′(TOR)	2.25	3.71	3.71	2.71	3.79
						Dt′/Dt	1.11	1.27	1.13	1.19	1.54
最大张应力	7MPa	7.5MPa	12MPa	22MPa	12MPa
						BSN	3.2mm	4.0mm	1.5mm	3.2mm	3.0mm

如表3所示，在“17圆”和“17RAC”栏中，Dt′/Dt比在1.1～1.3的范围内。

一般地，阴极射线管必须具有约3mm的BSN边界，并且最大张应力必须不大于12MPa。

同时，“#1”栏表示当Dt′/Dt比在1.1～1.3的范围内与传统90°偏转相同时的最大张应力和BSN边界。

但是，为了保证最大临界张应力12MPa，当Dt和Dt在3.0mm～3.9mm的范围内时，就能满足最大张应力，但是，因为BSN边界为1.5mm，不能满足现有的BSN边界为3.0mm。

并且，在“#2”栏中，当漏斗20的对角线厚度Dt和Dt在2.0mm～2.9mm的范围内时，由于最大张应力是22MPa，这大大超过了最大临界应力。

另外，在“#3”栏中，Dt′/Dt比大于传统的阴极射线管，能满足BSN边界和最大张应力。

在小巧型布劳恩管(brown tube)中，如表3所示，当Dt是2.46以保证BSN边界时，BSN边界约为3.0mm，当固定BSN边界为3.0mm(固定Dt为2.46)时，Dt′变化，图14表示作用在轭部分上的最大张应力的变化。

如图14所示，Dt′增大得越大，最大临界应力逐渐减小。在考虑最大临界应力为12MPa时，Dt′必须不小于3.5mm，以保证应力不大于最大临界应力。这里，阴极射线管能保证结构强度。

图15表示BSN边界与Dt间的关系，Dt增大得越大，BSN边界减小。如上所述，一般地BSN边界必须在2.7mm～3.0mm的范围内，Dt′必须不大于2.7mm。

因此，如图14和15所示，为了同时保证张应力和BSN边界，Dt′必须不小于3.5mm，Dt必须不大于2.7mm。

表4

Dt	3.50	3.18	2.92	2.69	2.50	2.33	2.19	2.06	1.94	1.84
											Dt′	3.50	3.50	3.50	3.50	3.50	3.50	3.50	3.50	3.50	3.50
Dt′/Dt	1.00	1.10	1.20	1.30	1.40	1.50	1.60	1.70	1.80	1.90
											Dt	2.70	2.70	2.70	2.70	2.70	2.70	2.70	2.70	2.70	2.70
Dt′	2.70	2.97	3.24	3.51	3.78	4.05	4.32	4.59	4.86	5.13

在表4的上部分，Dt′固定为3.5mm，在表4的下部分中，Dt固定为2.7mm。

首先，当Dt′/Dt比小于1.30时，Dt′固定为一个阈值，Dt是2.92mm，在图15中，BSN边界不大于2.7mm，阴影投射在屏幕上。

相反，当Dt固定为一个阈值，Dt′是3.24mm，在图14中，张应力不小于12MPa，这削弱了阴极射线管的稳定性。

当Dt′/Dt比不小于1.80，BSN边界和张应力中没有问题，Dt和Dt′的厚度差不小于2mm。当玻璃在加热过程中冷却时，由于表面和内部的冷却速度不平衡，可能损坏玻璃。

因此，为了通过减小玻璃的张应力保证稳定性，保证BSN边界的屏幕质量并防止不平衡冷却造成的损坏，Dt′/Dt比必须满足下面的方程3：

         1.3≤Dt′/Dt＜1.80---------------------(3)

在应用本发明的轭部分结构时，由于能同时改善偏转效率和BSN边界，就可以减小阴极射线管的尺寸，降低其能量消耗并提高阴极射线管的质量和生产率。

另外，也可以提高小巧型阴极射线管的抗冲击性，减小加热过程中的损坏率并防止真空抽气过程中的爆炸。

Claims (18)

1、一种阴极射线管，包括屏面和漏斗，所述漏斗包括具有非圆形垂直截面的漏斗轭部分，其中位于基准线和颈密封线之间的某个垂直截面的对角线区域的厚度为Td并且在同一垂直截面的长侧面部分厚度为Th，阴极射线管的玻璃结构满足

0.5＜Th/Td＜1.01。

2、如权利要求1所述的玻璃结构，其中位于基准线和颈线之间的轭部分的长侧面方向厚度或对角线方向厚度以单调递增函数的形状和单调递减函数的形状变化，并且存在至少一个相对的最大值和一个相对的最小值。

3、如权利要求2所述的玻璃结构，其中最大厚度为T_max，最小厚度为T_min，T_max/T_min满足

1.1＜T_max/T_min＜2.2。

4、如权利要求1所述的玻璃结构，其中Th/Td满足

0.8＜Th/Td＜1.01。

5、如权利要求1所述的玻璃结构，其中阴极射线管的玻璃结构满足

Th＜Tv，

其中Tv是同一垂直截面的截面部分厚度。

6、如权利要求1或2所述的玻璃结构，其中电子束的偏转角度不小于100°。

7、如权利要求1所述的玻璃结构，其中所述阴极射线管使用垂直扫描方法，电子枪的R(红)·G(绿)·B(蓝)平行于短轴线。

8、一种阴极射线管，包括屏面和漏斗，漏斗包括具有非圆形垂直截面的漏斗轭部分，其中位于基准线和颈线之间的某个垂直截面的对角线区域的厚度为Td；同一垂直截面的长侧面厚度为Th；圆形顶部的对角线区域的厚度为Dt′，长侧面部分的厚度为D_S′，短侧面部分的厚度为D_L′；基准线处的对角线区域厚度为Dt，长侧面部分的厚度为D_S，短侧面部分的厚度为D_L；阴极射线管的玻璃结构满足

1.3≤Dt′/Dt＜1.80。

9、如权利要求8所述的玻璃结构，其中所述阴极射线管的玻璃结构满足

Dt′＜D_S′。

10、如权利要求8所述的玻璃结构，其中所述阴极射线管的玻璃结构满足

Dt′＜D_L′。

11、如权利要求8所述的玻璃结构，其中所述阴极射线管的玻璃结构满足

D_S′＜D_L′。

12、如权利要求8所述的玻璃结构，其中所述阴极射线管的玻璃结构满足

D_S′/Dt′＞1。

13、如权利要求8所述的玻璃结构，其中所述阴极射线管的玻璃结构满足

Dt′＞3.5mm。

14、如权利要求8所述的玻璃结构，其中所述阴极射线管的玻璃结构满足

Dt＜2.7mm。

15、如权利要求8所述的玻璃结构，其中所述阴极射线管具有不小于100°的偏转角度。

16、如权利要求8所述的玻璃结构，其中所述阴极射线管使用垂直扫描方法，电子枪的R(红)·G(绿)·B(蓝)平行于短轴线。

17、如权利要求8所述的玻璃结构，其中所述阴极射线管的玻璃结构满足

0.5＜Th/Td＜1.01。

18、如权利要求8所述的玻璃结构，其中所述阴极射线管的玻璃结构满足

0.8＜Th/Td＜1.01。

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