CN1459121A - 显象管装置 - Google Patents
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Abstract
一种显象管装置,具备:形成有荧光体屏幕的面板,与面板一体化的锥管,内置在锥管内的电子枪,将从电子枪射出的电子束(5)与外部磁场隔开的磁屏蔽(1),以及保持磁屏蔽(1)的框架(2),其中,磁屏蔽(1)在与框架(2)的接合部上具有向管轴一侧折曲的折曲部(20),折曲部(20)在管轴一侧边缘处的厚度T为0.08mm以下。由于通过减小厚度T,减少被端面(11)反射,不被框架(2)遮挡地到达屏幕上的电子束,所以可抑制在高偏转角的显象管装置中容易产生的晕影。
Description
技术领域
本发明涉及一种显象管装置。
背景技术
图12为表示彩色显象管装置大致结构的一例的剖视图。如图12所示,在由面板6和锥管7构成、保持真空的玻璃容器中内置有分色电极(荫罩板)3,减轻地磁对电子束5的轨道产生的影响的磁屏蔽1,以及对其进行支承的框架2。锥管7的颈部中内置有电子枪9。从电子枪9射出的电子束5在偏转线圈8的作用下偏转,通过在荫罩板3上形成的狭缝状开口,在面板6的内表面上形成的矩形荧光体屏幕4上扫描。
为了便于以下的说明,如图所示,设定出以垂直于管轴的水平方向的轴为X轴,垂直于管轴的上下方向的轴为Y轴,管轴为Z轴的XYZ-三维直角坐标系。在此,X轴和Y轴在管轴(Z轴)上交叉。
在这样的显象管装置中,一直存在着晕影的问题。所谓晕影是一种在电子束5向画面周边偏转时,应直接入射到荫罩板3上的电子束5因过扫描等被框架2等反射,之后入射到荫罩板3上,并到达荧光体屏幕4上,因此画面发光,对比度降低的现象。
对于这一问题,在特开平2-244542号公报中,公开了图13所示的将具有大致L字形截面的框架2的管轴一侧的边缘向面板6一侧折曲,设置折曲端部12的方案。这样一来,由于过扫描的电子束5在碰撞到折曲端部12的倾斜面后被反射到与屏幕4相反的一侧,所以防止了晕影的发生。
而且,在特开平11-120932号公报中,公开了在荫罩板3的与框架2的内表面相接合的裙部13的内表面上形成多个凹部的方案。这样一来,使过扫描而入射到裙部13的内表面上的电子束散射,防止了晕影的发生。
而且,在特开平5-314919号公报中,公开了形成将磁屏蔽1的框架2一侧的端部的角部向管轴方向折曲成与管轴大致垂直的折曲部的方案。这样一来,由于过扫描的电子束被折曲部遮挡而不能够到达屏幕上,所以能够防止晕影。
但是,在总偏转角为115°以上的显象管装置中,如图14A所示,不仅是具有1.8mm厚度的框架2,在仅有0.15mm左右厚度的磁屏蔽1的端面(与管轴相对向的面)上,通过本发明者的实验可知,电子束5将反射,在画面的左右部分上产生多条红绿蓝的纵线重复排列的线状晕影图形。
可认为产生这种晕影的理由如下所述。
在通常偏转角的显象管装置中,入射到磁屏蔽1的端面11上并反射的电子束5如图13所示,由于被框架2反射到与屏幕4相反一侧,所以不会发生晕影。但是,在总偏转角为115°以上的显象管装置中,如将图14A的磁屏蔽1的端面附近部分XIVB放大的图14B所示,入射到磁屏蔽1的端面(与管轴相对向的面)11上的电子束5的入射角减小。因此,入射到端面11中框架2附近区域并反射的电子束5a与图13同样地被框架2反射,但入射到端面11中远离框架2的区域并反射的电子束5b将不会与框架2碰撞地到达屏幕。而且,由于端面11的平面度较差,所以与以往那样屏幕发光的晕影图形不同,形成在屏幕内的局部上产生的可视性高的上述线状晕影图形。
通过图14A、14B可知,在这种高偏转角的显象管装置中产生的晕影不能够通过特开平2-244542号公报所公开的那种框架2边缘的折曲端部12来防止。
而且,在高偏转角的显象管装置中,由于入射到屏幕4的角部上的电子束5的轨迹与屏幕4的夹角小,所以当用特开平5-314919号公报中公开的弯曲部遮挡过扫描的电子束时,用于形成图像的电子束也被遮挡,产生屏幕上出现重影的不良情况。
而且,将磁屏蔽1的端面11远离管轴(即,使端面11从框架2的管轴一侧的边缘后退的量增大)时,可由框架2遮挡端面11反射的电子束。但是,由于磁屏蔽1的屏幕4一侧的与管轴大致垂直的折曲部的面积将减小,所以磁屏蔽的效果降低,而且将产生磁屏蔽1向框架2上的安装稳定性降低等问题。
另一方面,作为在总偏转角为115°以下的低偏转角的显象管装置中防止晕影的对策,特开平2-244542号公报的方法由于在边赋予荫罩板张力边进行架设的张力罩类型中框架的形状自由度受到限制而难以适用。而且,特开平11-120932号公报的方法由于必须要加工荫罩板的内表面而成本增加。而且,不能适用于张力罩类型。而且,特开平5-314919号公报的方法不能获得屏蔽通过角部以外的电子束的效果。
发明的公开
本发明的目的在于解决上述现有技术的问题。即,本发明的第一目的是提供一种防止了具有115°以上的非常大的总偏转角显象管装置中容易产生的上述线状晕影的显象管装置。而且,本发明的第二目的是提供一种通过简单、低成本的方法防止了晕影产生的显象管装置。
为了到达上述目的,本发明为以下的结构。
本发明的第一显象管装置为一种具备形成有荧光体屏幕的面板,与上述面板一体化的锥管,内置在上述锥管内的电子枪,将从上述电子枪射出的电子束与外部磁场隔开的磁屏蔽,以及保持上述磁屏蔽的框架的显象管装置,其特征在于,上述磁屏蔽在与上述框架的接合部上具有向管轴一侧折曲的折曲部,上述折曲部在上述管轴一侧边缘处的厚度为0.08mm以下。
本发明的第二显象管装置为一种具备形成有荧光体屏幕的面板,与上述面板一体化的锥管,内置在上述锥管内的电子枪,将从上述电子枪射出的电子束与外部磁场隔开的磁屏蔽,以及保持上述磁屏蔽的框架的显象管装置,其特征在于,上述磁屏蔽在与上述框架的接合部上具有向管轴一侧折曲的折曲部,上述折曲部在管轴一侧的边缘形成凹凸状。
根据上述第一和第二显象管装置,可减轻电子束被磁屏蔽的折曲部在管轴一侧的边缘(端面)反射而引起的晕影,其结果,可提供整个画面上的对比度提高的显象管装置。
本发明的第三显象管装置为一种具备形成有荧光体屏幕的面板,与上述面板一体化的锥管,内置在上述锥管内的电子枪,以及配置在上述电子枪和上述荧光体屏幕之间、限制从上述电子枪射出的电子束的通过区域的电子屏蔽板的显象管装置,其特征在于,上述电子屏蔽板在管轴一侧边缘处的厚度为0.08mm以下。
本发明的第四显象管装置为一种具备形成有荧光体屏幕的面板,与上述面板一体化的锥管,内置在上述锥管内的电子枪,以及配置在上述电子枪和上述荧光体屏幕之间、限制从上述电子枪射出的电子束的通过区域的电子屏蔽板的显象管装置,其特征在于,上述电子屏蔽板在管轴一侧的边缘形成凹凸状。
根据上述第三和第四显象管装置,可减轻电子束被电子屏蔽板的管轴一侧的边缘(端面)反射而引起的晕影,其结果,可提供整个画面上的对比度提高的显象管装置。
本发明的第五显象管装置为一种具备形成有荧光体屏幕的面板,与上述面板一体化的锥管,内置在上述锥管内的电子枪,以及配置在上述电子枪和上述荧光体屏幕之间、限制从上述电子枪射出的电子束的通过区域的电子屏蔽板的显象管装置,其特征在于,上述电子屏蔽板是其长度方向的大致中央部向管轴方向突出。
根据上述第五显象管装置,可减轻电子束被电子屏蔽板的管轴一侧的边缘(端面)反射而引起的晕影,其结果,可提供整个画面上的对比度提高的显象管装置。
附图的简单说明
图1A为表示本发明实施方式1所涉及的显象管装置的磁屏蔽和框架的接合部附近的构成例的局部放大剖视图。
图1B为表示本发明实施方式1所涉及的显象管装置的磁屏蔽和框架的接合部附近的其他构成例的局部放大剖视图。
图2A为表示本发明实施方式1所涉及的显象管装置的磁屏蔽和框架的接合部附近的另一构成例的局部放大俯视图。
图2B为图2A中IIB-IIB向剖视图。
图3为表示本发明实施方式2、3所涉及的显象管装置一例的大致结构的剖视图。
图4为表示构成本发明实施方式2所涉及的显象管装置的分色结构体的结构的分解立体图。
图5为表示构成本发明实施方式2、3所涉及的显象管装置的分色结构体整体结构的立体图。
图6为图5中VI向剖视图。
图7A为表示本发明实施方式2所涉及的显象管装置的电子屏蔽板的管轴侧边缘的构成例的放大剖视图。
图7B为表示本发明实施方式2所涉及的显象管装置的电子屏蔽板的管轴侧边缘的其他构成例的放大剖视图。
图8为表示本发明实施方式2所涉及的显象管装置的电子屏蔽板的管轴侧边缘的另一构成例的局部放大俯视图。
图9为表示构成本发明实施方式3所涉及的显象管装置的分色结构体的结构的分解立体图。
图10A为表示本发明实施方式3的显象管装置的电子屏蔽板的构成例的俯视图。
图10B为表示本发明实施方式3所涉及的显象管装置的电子屏蔽板的其他构成例的俯视图。
图11A为表示本发明实施方式3所涉及的显象管装置的电子屏蔽板的另一构成例的俯视图。
图11B为图11A中的XIB-XIB向放大剖视图。
图12为表示本发明实施方式1和以往的显象管装置一例的大致结构的剖视图。
图13为表示以往的用于防止晕影的构成例的剖视图。
图14A为用于说明具有图13的结构的高偏转角的显象管装置中防止晕影的剖视图。
图14B为图14A中XIVB部分的放大剖视图。
实施发明的优选方式
参照附图对本发明的实施方式加以说明。
(实施方式1)
在本实施方式中,对防止了总偏转角为115°以上的显象管装置中容易产生的线状晕影的显象管装置的一例进行说明。
显象管装置的整体结构与图12所示的以往的显象管装置大致一样,所以省略其详细说明。
图1A为与图14B同样地表示本发明的一实施方式所涉及的显象管装置的磁屏蔽屏幕侧端部附近的与管轴平行的面处的局部放大剖视图。
磁屏蔽1为了与具有大致为L字形截面的框架2接合而其与框架2接合一侧的端部在管轴一侧上具有向与管轴大致垂直的方向折曲的折曲部20。其结果,磁屏蔽1的折曲部20在管轴一侧的边缘上具备与管轴相对向、并与管轴大致平行的端面11。端面11与框架2的管轴一侧的边缘相比,从管轴向远离一侧后退。
在本例中,磁屏蔽1的折曲部20管轴一侧边缘处的厚度(端面11在管轴方向上的宽度)T为0.08mm以下。为了实现这一厚度,在图1A中,磁屏蔽1的折曲部20的厚度越靠近管轴一侧越薄。这种折曲部20的厚度变化可采用腐蚀、研磨加工、压力加工等形成。
这样,通过使磁屏蔽1的折曲部20管轴一侧边缘处的厚度(端面11在管轴方向上的宽度)T为0.08mm以下,起到如下的效果。在图14B所示的以往的磁屏蔽中,入射到端面11中远离框架2的区域中并反射的电子束5b到达屏幕而产生晕影,但在本实施方式中,这种电子束5b在磁屏蔽1的上表面(电子枪一侧的面)处反射到与屏幕相反一侧,不会到达屏幕。而且,入射到端面11中框架2附近区域上并反射的电子束5a与图14B的情况同样地在框架2处反射到与屏幕相反一侧,不会到达屏幕。因此,根据图1A的结构,可防止高偏转角的显象管装置中特有的晕影的产生。
图1B为与图14B同样地表示本发明其他实施方式所涉及的显象管装置的磁屏蔽的屏幕侧端部附近的与管轴平行的面处的局部放大剖视图。
本例中,为了使磁屏蔽1的折曲部20管轴一侧边缘处的厚度(边缘上与管轴相对向的端面11在管轴方向上的宽度)T为0.08mm以下,在折曲部20的边缘附近的位置上形成有阶梯状的台阶15。该台阶15可采用腐蚀、研磨加工、压力加工等形成。通过使折曲部20管轴一侧边缘处的厚度T为0.08mm以下,可获得与图1A相同的效果。
在图1A、图1B中,磁屏蔽1的折曲部20管轴一侧边缘处的厚度T优选为磁屏蔽1的未薄壁化的部分的基本厚度T0的三分之二以下。当厚度T大于基本厚度T0的三分之二时,本实施方式的实施效果将降低。
从上述图1A和图1B可知,在折曲部20管轴一侧的边缘附近薄壁化的情况下,优选地在折曲部20的电子枪一侧的表面上形成倾斜或者台阶。即,端面11上离框架2的电子枪一侧的表面的高度(管轴方向的距离)优选为0.08mm以下。因此,能够降低在端面11处反射后,不被框架2反射地到达屏幕上的电子束。
图2A为从与管轴平行的方向观察本发明另一实施方式所涉及的显象管装置的磁屏蔽1和框架2的接合部的局部放大主视图。图2B为图2A中的IIB-IIB向剖视图。
在本例中,如图2A所示,位于折曲部20管轴一侧的边缘、与管轴相对向的端面11形成振幅为h1、周期为W的波状曲面。其结果,入射到端面11上的电子束因其入射位置的不同而反射方向发生变化。因此,向方向50a反射的电子束到达屏幕,但因而随着朝向端面的入射位置逐渐离开,电子束的反射方向逐渐向方向50b、方向50c变化,因此,从反射位置到通过框架2的管轴一侧边缘的地点为止的距离逐渐加长,电子束容易被框架2挡住。而且,即使在假设电子束到达屏幕的情况下,由于电子束薄薄地大范围在屏幕上扩散,所以可防止晕影的发生。端面11的凹凸曲面的振幅h1越大,由端面11反射的电子束的扩散越大,越能够防止晕影的发生。
在图2A、图2B中,折曲部20上管轴一侧边缘处的厚度(端面11在管轴方向上的宽度)T优选地在0.08mm以下。这样一来,由于进一步得到与上述图1A、图1B的情况相同的效果,所以能够防止晕影的发生。要使管轴一侧的边缘附近薄壁化,可采用与上述图1A、图1B相同的方法。
此时,折曲部20上管轴一侧边缘处的厚度T优选地为磁屏蔽上未薄壁化的部分的基本厚度T0的三分之二以下。当厚度T大于基本厚度T0的三分之二时,本实施方式的上述效果降低。
上述的说明既可以仅适用于长边和短边的任一方,也可以适用于双方。
表示具体的实施例。
制作出偏转角为120°,长宽比为16∶9的32英寸和36英寸的、面板6的外表面为纯平的图12中所示结构的彩色显象管装置。框架2的厚度为1.8mm,磁屏蔽1的厚度(基本厚度T0)为0.15mm,在实施例1中,如图1A所示,使磁屏蔽1的折曲部20随着靠近管轴一侧而逐渐变薄,在实施例2中,如图1B所示,在折曲部20上形成阶梯状的台阶15。在实施例1、2中,磁屏蔽1的折曲部20上管轴一侧边缘处的厚度T均为0.08mm。在实施例3中,如图2A、图2B所示,磁屏蔽1的折曲部20上管轴一侧边缘处的端面11形成为波状曲面。此时,该波状的振幅h1为1~5mm,周期W为10mm。在比较例1中,如图14A、图14B所示,不使磁屏蔽1上管轴一侧边缘附近薄壁化,并且端面11不是形成凹凸面而是形成平面,除此之外与上述的实施例1~3相同。
通过肉眼对以上的实施例1~3和比较例1的彩色显象管装置的画面上显现的晕影按5级进行评价。评价基准如下。
水平1:可明显地识别出红、绿、蓝或白色的纵线的晕影。
水平3:可明显地识别出红、绿、蓝或白色的纵线的晕影,但其纵线的面积为水平1的1~1/3。
水平5:几乎不能够识别出红、绿、蓝或白色的纵线的晕影。或者虽然可识别出红、绿、蓝或白色的纵线的晕影,但其纵线的面积为水平1的1/3以下。
水平2为上述水平1和水平3中间的程度,水平4为上述水平3和水平5中间的程度。
实施例1~3的显象管装置均为水平4或者水平5。而比较例1的显象管装置为水平1。
而且,可确认在薄壁化到磁屏蔽1的折曲部20上管轴一侧边缘处的厚度T为磁屏蔽1的基本厚度(上述的例子中为0.15mm)T0的三分之二以下时,尤其是将晕影的发生水平改进到3以上。
(实施方式2)
在上述的实施方式1中,表示了本发明适用于由框架保持压力成形为圆顶状的荫罩板的被称为压力罩型的彩色显象管装置中的例子。在以下所述的本实施方式中,则表示本发明适用于边对平板状的荫罩板赋予张力变将其张设到框架上的被称为张力罩型的彩色显象管装置、或者采用孔眼格栅作为分色电极的彩色显象管装置的例子。本实施方式也优选地适用于总偏转角为115°以上的显象管装置中。
图3为本实施方式所涉及的张力罩型彩色显象管装置100在通过管轴的上下方向上的剖视图。为了便于以下的说明,设定出以通过管轴并与管轴垂直的水平方向上的轴为X轴,以通过管轴并与管轴垂直的垂直方向上的轴为Y轴,以管轴为Z轴的XYZ-三维直角坐标系。
面板101和锥管102为一体化,形成外壳103。面板101的内表面上成大致矩形地形成有荧光体屏幕104。离开荧光体屏幕104、并与其相对向、作为分色电极的荫罩板105架设在框架110上进行设置。框架110通过将设置在其外周面上的板簧状弹性支承体(未图示)卡止在面板101的内表面上植设的面板销(未图示)上而保持在面板101内。锥管102的颈部上内置有电子枪106。锥管102的外周面上设置有偏转线圈108,因此,来自电子枪106的电子束5向水平方向和垂直方向偏转,在荧光体屏幕104上扫描。
在框架110的电子枪106一侧的面上设置有电子屏蔽板120。电子屏蔽板120上管轴一侧的边缘比框架110上管轴一侧的边缘向管轴一侧突出,因此,限制电子束5在X-Y平面内的通过区域。即,电子屏蔽板120防止在电子束5由于某种原因从原来的轨道向外侧偏离时,电子束5碰撞到框架11,向平面104一侧反射而产生晕影。
而且,为了防止由于地磁等外部磁场的作用电子束5的轨道变化,电子束5射到荧光体屏幕104上所希望的位置之外的“失聚”,在框架110和偏转线圈108之间配置有磁屏蔽130。
图4为表示由框架110、电子屏蔽板120、和磁屏蔽130构成的分色结构体的结构的分解立体图。
框架110由仅离开指定距离而平行配置的一对长边框架111a、111b,和仅离开指定距离而平行配置的一对短边框架112a、112b构成。长边框架111a、111b是将金属板折曲成截面为中空三角柱形状而形成的,使其一侧面向荧光体屏幕一侧延伸,在其端部上架设荫罩板105。短边框架112a、112b是将金属板折曲成截面大致为コ字形而形成的。一对长边框架111a、111b和一对短边框架112a、112b组合成大致的矩形,将接合部焊接起来而构成框架110。
电子屏蔽板120是将一对长边屏蔽板121a、121b和一对短边屏蔽板122a、122b接合成大致矩形而构成的。
磁屏蔽130具有大致为台形的对向的一对长边侧板131a、131b和大致为台形的对向的一对短边侧板132a、132b,将其接合起来而形成大致四角锤面的一部分地构成。长边侧板131a、131b的框架110一侧的边上形成弯曲成与X-Y平面大致平行的长边裙部133a、133b。而且,短边侧板132a、132b的框架110一侧的边上形成短边裙部134a、134b(短边裙部134b未图示)。
在如上构成的框架110的长边框架111a、111b上顺序重合电子屏蔽板120的长边屏蔽板121a、121b,和磁屏蔽130的长边裙部133a、133b,在各自的接合部位115、125、135进行点焊。此时,磁屏蔽130的短边裙部134a、短边裙部134b分别插入短边屏蔽板122a和短边框架112a的间隙,以及短边屏蔽板122b和短边框架112b的间隙中。
这样一来,形成了图5所示的分色结构体。
图6表示出图5中与X-Z平面平行的VI-VI向剖视图。如图所示,由于电子屏蔽板120的短边屏蔽板122a,电子束5的通过区域受到限制。由于过扫描的电子束5被短边屏蔽板122a的电子枪一侧的表面反射到与屏幕相反的一侧,所以电子束5被短边裙部134a反射到屏幕一侧,防止了产生晕影。
图7A表示出图6中短边屏蔽板122a上管轴一侧边缘附近的部分VII的放大剖视图。在本例中,短边屏蔽板122a上管轴一侧边缘处的厚度(在管轴一侧边缘处与管轴相对向的端面123在管轴方向上的宽度)T为0.08mm以下。为了实现这一厚度,如图7A所示,短边屏蔽板122a的厚度随着靠近管轴一侧而逐渐变薄。这种短边屏蔽板122a的厚度变化可采用腐蚀、研磨加工、压力加工等形成。
这样,通过使短边屏蔽板122a上管轴一侧边缘处的厚度(端面123在管轴方向上的宽度)T为0.08mm以下,起到以下的效果。由于过扫描的电子束5a的大部分与短边屏蔽板122a的电子枪一侧的面碰撞而向与屏幕相反一侧反射,所以不会因电子束5a而产生晕影。虽然入射到端面123上的电子束5b反射到屏蔽一侧,而有可能产生晕影,但由于厚度T很小,反射到屏幕一侧的电子束的量降低,可将晕影减小到实际上不能识别的程度。
图7B为表示图6中短边屏蔽板122a上管轴一侧边缘附近的部分VII的其他构成例的放大剖视图。在本例中,为了使短边屏蔽板122a上管轴一侧边缘处的厚度(边缘上与管轴相对向的端面123在管轴方向上的宽度)T为0.08mm以下,在短边屏蔽板122a上形成阶梯状的台阶124。该台阶124可采用腐蚀、研磨加工、压力加工等形成。通过使短边屏蔽板122a上管轴一侧边缘处的厚度T为0.08mm以下,获得了与图7A的情况相同的效果。
短边屏蔽板122a在管轴一侧边缘处的厚度T优选地为短边屏蔽板122a上未薄壁化的部分的基本厚度T0的三分之二以下。当厚度T大于基本厚度T0的三分之二时,本实施方式的上述效果降低。
图8表示出本实施方式的短边屏蔽板122a的另一构成例,是从与管轴平行的箭头VIII方向观察图6的短边屏蔽板122a在管轴一侧边缘附近部分的放大俯视图。在本例中,位于短边屏蔽板122a的管轴一侧边缘处、与管轴相对向的端面123形成振幅为h1、周期为W的波状曲面。其结果,入射到端面123上的电子束因其入射位置的不同而如箭头51a、51b、51c所示反射方向发生变化。因此,即使被反射的电子束到达屏幕,由于电子束薄薄地大范围在屏幕上扩散,所以可防止晕影的产生。端面123的凹凸曲面的振幅h1越大,被端面123反射的电子束的扩散越大,越能够防止晕影的发生。
图8中,短边屏蔽板122a在管轴一侧边缘处的厚度(端面123在管轴方向上的宽度)T优选地为0.08mm以下。这样一来,由于可获得与上述图7A、图7B的情况相同的效果,所以能够防止晕影的产生。要使短边屏蔽板122a在管轴一侧边缘薄壁化,可采用与上述图7A、图7B相同的方法。
此时,短边屏蔽板122a在管轴一侧边缘处的厚度T优选地为短边屏蔽板122a上未薄壁化的部分的基本厚度T0的三分之二以下,当厚度T大于基本厚度T0的三分之二时,本实施方式的上述效果降低。
图6、图7A、图7B、图8中表示出一方的短边屏蔽板122a的结构,但另一方的短边屏蔽板122b也具有同样的结构。
在上述的说明中对短边屏蔽板122a、122b的结构进行了说明,但不仅是短边屏蔽板122a、122b,长边屏蔽板121a、121b也可以具有上述的结构,或者短边屏蔽板122a、122b和长边屏蔽板121a、121b均具有上述的结构。
表示具体的实施例。
制作出偏转角为120°、长宽比为16∶9的32英寸和36英寸的面板101的外表面为纯平的图3所示结构的彩色显象管装置。构成电子屏蔽板120的长边屏蔽板121a、121b和短边屏蔽板122a、122b的厚度(基本厚度T0)为0.15mm。在实施例4中,如图7A所示,长边屏蔽板121a、121b和短边屏蔽板122a、122b随着朝向管轴一侧逐渐变薄,在实施例5中,如图7B所示,长边屏蔽板121a、121b和短边屏蔽板122a、122b上形成阶梯状的台阶。在实施例4、5中,长边屏蔽板121a、121b和短边屏蔽板122a、122b在管轴一侧边缘处的厚度T均为0.08mm。在实施例6中,如图8所示,长边屏蔽板121a、121b和短边屏蔽板122a、122b在管轴一侧边缘处的端面123形成波状曲面。此时,该波状的振幅h1为1~5mm,周期W为10mm。在比较例2中,长边屏蔽板121a、121b和短边屏蔽板122a、122b在管轴一侧的边缘附近不薄壁化,并且端面不是形成凹凸面,而是形成平面,除此之外与上述的实施例4~6相同。
以与实施方式1中所说明的实施例相同地对实施例4~6和比较例2的彩色显象管装置的画面上显现的晕影进行评价。其结果,实施例4~5的显象管装置均为水平4或5。而比较例2的显象管装置为水平1。
(实施方式3)
在本实施方式中,以张力罩型为例对适用于总偏转角为115°以下的显象管装置中的彩色显象管装置进行说明。
由于本实施方式的彩色显象管装置的大致结构与实施方式2中所说明的图3相同,所以省略其说明。
图9表示由框架110、电子屏蔽板120、磁屏蔽130构成的本实施方式3的分色结构体的结构的分解立体图。图9的分色结构体与图4所示的分色结构体的不同之处仅在于电子屏蔽板120的形状。对与图4相同的结构赋予相同的附图标记而省略其说明。框架110、电子屏蔽板120、磁屏蔽130与实施方式2同样地进行组装,获得图5所示的分色结构体。
图10A为从管轴方向观察电子屏蔽板120的俯视图。在本例中,短边屏蔽板122a、122b是以其长度方向的大致中央部为顶点,两端部为谷形的倒V字形,向管轴方向突出。因此起到以下的效果。从电子枪射出的电子束5中入射到短边屏蔽板122a、122b的端面(与管轴相对向的面)123上的电子束有可能向屏幕方向反射。但是,如图所示,入射到长度方向的大致中央部上的顶点附近位置的电子束52a和入射到远离顶点位置上的电子束52b反射的方向不同。因此,即使反射的电子束到达屏幕上,由于电子束薄薄地大范围在屏幕上扩散,也可以防止晕影的产生。
图10B为从管轴方向观察本实施方式其他结构例所涉及的电子屏蔽板120的俯视图。在本例中,短边屏蔽板122a、122b是以其长度方向的大致中央部为顶点,以两端部为谷形的大致圆弧状,向管轴方向突出。即使是在本例中,也与图10A的情况相同,因入射到短边屏蔽板122a、122b的端面(与管轴相对向的面)123上的电子束在Y轴方向上的入射位置不同而反射方向发生变化。因此,即使反射的电子束到达屏幕上,由于电子束薄薄地大范围在屏幕上扩散,也能够防止晕影的产生。
在本实施方式中,短边屏蔽板122a、122b相对于中央部的两端部的突出量h2较大为好。换言之,图10A中倒V字形的突出的顶角较小为好。在图10B中,圆弧状突出的曲率半径较小为好。突出量h2越大,入射到端面123上的电子束与Y轴方向上的入射位置相对应的反射方向的变化量增大,晕影的降低效果大。但是,当突出量h2过大时,入射到四角附近的电子束将不被短边屏蔽板122a、122b遮挡,有可能产生晕影。但是,在偏转角相对较小的显象管装置中,由于电子束相对于屏幕的入射角相对较小所以能够较大地设定突出量h2。因此,本实施方式优选地适用于总偏转角比较小(例如总偏转角为115°以下)的显象管装置中。
在本实施方式中,短边屏蔽板122a、122b在管轴一侧边缘处的厚度(与管轴相对向的端面123在管轴方向上的宽度)优选地为0.08mm以下。要实现这一尺寸,既可以象实施方式2所说明的图7A那样随着靠近管轴一侧而逐渐变薄,也可以象图7B那样形成阶梯状的台阶。加工方法也可以采用和实施方式2所说明的方法相同的方法。由于通过减薄短边屏蔽板122a、122b在管轴一侧边缘处的厚度,端面123的面积将减小,所以入射到端面123上的电子束量减少,其结果,可抑制晕影的产生。
此时,短边屏蔽板122a、122b在管轴一侧边缘处的厚度T优选地为短边屏蔽板122a、122b上未薄壁化的部分的基本厚度T0的三分之二以下,当厚度T大于基本厚度T0的三分之二时,上述的效果降低。
通过上述的说明对短边屏蔽板122a、122b的结构进行了说明,但也可以不仅是短边屏蔽板122a、122b,长边屏蔽板121a、121b也可以具有上述的结构,或者短边屏蔽板122a、122b和长边屏蔽板121a、121b均具有上述的结构。
表示具体的实施例。
制作出偏转角为98°、长宽比为16∶9的24英寸的面板101的外表面为纯平的图3所示结构的彩色显象管装置。构成电子屏蔽板120的长边屏蔽板121a、121b和短边屏蔽板122a、122b的厚度(基本厚度T0)为0.3mm。在实施例7中,如图10A所示,短边屏蔽板122a、122b在管轴一侧的边缘制成中央部向管轴一侧突出的倒V字形。图10A所示的倾斜角度(底角)θ为3.3°。在实施例8中,如图10B所示,短边屏蔽板122a、122b在管轴一侧的边缘形成中央部向管轴一侧突出的圆弧状。该圆弧的曲率半径为2700mm。在比较例3中,不是使短边屏蔽板122a、122b在管轴一侧的边缘突出,而是形成直线状,除此之外与上述的实施例7、8相同。
与实施方式1所说明的实施例同样地对实施例7、8和比较例3的彩色显象管装置的画面上显现的晕影进行评价。其结果,实施例7、8的显象管装置均为水平4或5。而比较例1的显象管装置为水平1。
在实施方式3中,如图11A和作为图11A的XIB-XIB向放大剖视图的图11B所示,可以使短边屏蔽板122a、122b在管轴一侧边缘向电子枪一侧倾斜。这样一来,由于可减小入射到短边屏蔽板122a、122b的管轴一侧的端面123上的电子束5b中相对于该端面123的入射角,所以可使电子束5b向与屏幕相反的一侧反射。其结果,能够进一步降低晕影。图11A、图11B为图10A的结构的变形例,即使在图10B中,也同样地可以使短边屏蔽板122a、122b在管轴一侧的边缘向电子枪一侧倾斜。而且,也可以使长边屏蔽板121a、121b在管轴一侧的边缘同样地向电子枪一侧倾斜。另外,在长边屏蔽板121a、121b和/或短边屏蔽板122a、122b具有实施方式2所说明的结构的情况下,也同样地可以使长边屏蔽板121a、121b和/或短边屏蔽板122a、122b在管轴一侧的边缘向电子枪一侧倾斜。
实施方式2、3中的电子屏蔽板120是由与屏蔽板130不同的部件构成的。但是,本发明的电子屏蔽板的结构并不仅限于此。本发明的电子屏蔽板只要是具有限制从电子枪向屏幕方向射出的电子束在与管轴垂直的面内的通过区域的功能的部件,则可以是任何形态。因此,例如,在实施方式1中,磁屏蔽1的折曲部20向管轴一侧突出到头的情况下,其折曲部20相当于电子屏蔽板。而且,在保持荫罩板的框架自身具备作为电子屏蔽板的功能的情况下,其框架相当于电子屏蔽板。
以上所说明的实施方式均是为了使本发明的技术内容明了,并不解释为本发明仅限于这种具体实例,在其发明的精神和权利要求书所记载的范围内可进行各种变更加以实施,应广义地解释本发明。
Claims (24)
1.一种显象管装置,具备:形成有荧光体屏幕的面板,与上述面板一体化的锥管,内置在上述锥管内的电子枪,将从上述电子枪射出的电子束与外部磁场隔开的磁屏蔽,保持上述磁屏蔽的框架,其特征是,
上述磁屏蔽在与上述框架的接合部上具有向管轴一侧折曲的折曲部,
上述折曲部在上述管轴一侧边缘处的厚度为0.08mm以下。
2.如权利要求1所述的显象管装置,其特征是,上述磁屏蔽在上述边缘的附近具有阶梯状的台阶。
3.一种显象管装置,具备:形成有荧光体屏幕的面板,与上述面板一体化的锥管,内置在上述锥管内的电子枪,将从上述电子枪射出的电子束与外部磁场隔开的磁屏蔽,保持上述磁屏蔽的框架,其特征是,
上述磁屏蔽在与上述框架的接合部上具有向管轴一侧折曲的折曲部,
上述折曲部在管轴一侧的边缘形成凹凸状。
4.如权利要求3所述的显象管装置,其特征是,上述折曲部在上述边缘处的厚度为0.08mm以下。
5.如权利要求3所述的显象管装置,其特征是,上述磁屏蔽在上述边缘的附近具有阶梯状的台阶。
6.如权利要求1或3所述的显象管装置,其特征是,上述磁屏蔽在上述边缘附近的部分通过腐蚀、研磨加工、压力加工等而薄壁化。
7.如权利要求1或3所述的显象管装置,其特征是,上述磁屏蔽在上述边缘处的厚度为上述磁屏蔽的基本厚度的三分之二以下。
8.如权利要求1或3所述的显象管装置,其特征是,上述折曲部在管轴一侧的上述边缘与上述框架的管轴一侧的边缘相比,向远离管轴一侧后退。
9.如权利要求1或3所述的显象管装置,其特征是,总偏转角为115°以上。
10.一种显象管装置,具备:形成有荧光体屏幕的面板,与上述面板一体化的锥管,内置在上述锥管内的电子枪,配置在上述电子枪和上述荧光体屏幕之间、限制从上述电子枪射出的电子束的通过区域的电子屏蔽板,其特征是,
上述电子屏蔽板在管轴一侧边缘处的厚度为0.08mm以下。
11.如权利要求10所述的显象管装置,其特征是,上述电子屏蔽板在上述边缘的附近具有阶梯状的台阶。
12.一种显象管装置,具备:形成有荧光体屏幕的面板,与上述面板一体化的锥管,内置在上述锥管内的电子枪,配置在上述电子枪和上述荧光体屏幕之间、限制从上述电子枪射出的电子束的通过区域的电子屏蔽板,其特征是,
上述电子屏蔽板在管轴一侧的边缘形成凹凸状。
13.如权利要求12所述的显象管装置,其特征是,上述电子屏蔽板在上述边缘处的厚度为0.08mm以下。
14.如权利要求12所述的显象管装置,其特征是,上述电子屏蔽板在上述边缘的附近具有阶梯状的台阶。
15.如权利要求10或12所述的显象管装置,其特征是,上述电子屏蔽板在上述边缘附近的部分通过腐蚀、研磨加工、压力加工而薄壁化。
16.如权利要求10或12所述的显象管装置,其特征是,上述电子屏蔽板在上述边缘处的厚度为上述电子屏蔽板的基本厚度的三分之二以下。
17.如权利要求10或12所述的显象管装置,其特征是,总偏转角为115°以上。
18.一种显象管装置,具备:形成有荧光体屏幕的面板,与上述面板一体化的锥管,内置在上述锥管内的电子枪,配置在上述电子枪和上述荧光体屏幕之间、限制从上述电子枪射出的电子束的通过区域的电子屏蔽板,其特征是,
上述电子屏蔽板是其长度方向的大致中央部向管轴方向突出。
19.如权利要求18所述的显象管装置,其特征是,上述突出部分的形状为倒V字形或圆弧形。
20.如权利要求18所述的显象管装置,其特征是,上述电子屏蔽板在上述管轴一侧边缘处的厚度为0.08mm以下。
21.如权利要求18所述的显象管装置,其特征是,上述电子屏蔽板在上述管轴一侧的边缘附近具有阶梯状的台阶。
22.如权利要求18所述的显象管装置,其特征是,上述电子屏蔽板在上述管轴一侧的边缘附近的部分通过腐蚀、研磨加工、压力加工而薄壁化。
23.如权利要求18所述的显象管装置,其特征是,上述电子屏蔽板在上述管轴一侧边缘处的厚度为上述电子屏蔽板的基本厚度的三分之二以下。
24.如权利要求18所述的显象管装置,其特征是,总偏转角为115°以下。
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