CN1353812A - 漏泄磁场探针 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种测定材料介电性质的漏泄磁场探针,包括产生电场的介质和屏蔽所产生电场的屏蔽介质,其中所述的屏蔽介质如此构成,使得电场至少部分地处于屏蔽介质之外。本发明的特征在于,屏蔽介质至少具有两个开孔,以使得电场在外部空间发生输出耦合。

Description

漏泄磁场探针

本发明涉及一种用于测量物体介电性能的漏泄磁场探针(Streu-feldsonde)，该探针配有可以产生电场的介质(Erzeugungsmittel)，还配有可以屏蔽所产生电场的屏蔽介质(Abschirmmittel)，其中，屏蔽介质至少使得一部分电场处于屏蔽介质以外。

这类漏泄磁场探针在现有技术中是已知的。这种漏泄磁场探针借助于电磁漏泄磁场，测定位于电磁漏泄磁场中的物体的介电性能。所以借助于这种漏泄磁场探针，能够测定物体有效的介电常数，以使得从另一方面间接地测出物体的种类、湿度和密度等。为了更好地理解漏泄磁场探针，尤其是更好地理解本发明，首先要了解这种漏泄磁场探针通常的背景技术。

上述的漏泄磁场探针通常被称作介电测定探针(Dielectrometer-sonde)。这种介电测定探针优先地产生频交变电场。然后所要检测的物体放入该高频交变场中，这就提高了位移电流。以这种方式形成的电容器是谐振电路的主要元件。这样通过场强度的谐振回路的放大系数，提高了介电测定探针的灵敏度，以确定介电常数的变化。由于将所检测物体放入而使介电常数放大，降低了谐振频率，从而抑制了所测物体的谐振损耗。

检测物体时有二种方案。其中之一是将所要检测的物体放入谐振器中，例如可从独立的专利申请DE19705260A1和附属的专利DE19734978A1中获知。其所示的装置是将介电测定探针的谐振器安装入一个机体中，该机体有一进口和一出口。根据其公开的装置，可通过进口和出口导入、导出束状(Strang)烟草制品尤其是香烟。这样采用其所公开的装置，利用香烟在谐振器中的出入可以影响谐振电路的谐振频率，从而可以测出香烟的某些性质，例如香烟的湿度和密度。在上述的公开中也详细地阐述了用来测量谐振位移的测量方法，所以在此不再重复该阐述，请参阅上述专利阐述的测量方法。

现有技术已经证明上述公开中所阐述的测量物体密度的装置和方法、特别是测量束状烟草制品密度的装置和方法是有效的。然而由于在上述公开的方法和装置中，采用调节电路(Regelkreis)测量密度，而这又同时会影响密度。所以用这种装置测得的密度，例如多次提到的束状烟草制品的密度，要进行精确地校准。

上述公开所阐述的方法是测量通过谐振器的物体的谐振曲线上至少二点谐振值。除了测量值的平均值和差值外，还可以算出材料的介电质性能如湿度以及密度。

特别在烟草加工工业中，所要检测的材料的湿度确实需要尽早测量，这就是说，所要加工的烟草的湿度需要被尽早地测出。所以在烟草加工工业中，有必要检测还是松散材料的烟草，也就是说在烟草还没加工制成束状前就进行测量，因为只有在此时才使烟草的湿度发生足够大的变化。假如烟草已经被加工成束状，那么就不能使其湿度产生足够的变化。由此可以看出，所要检测的物体必须不能作为试样本身被放入谐振器，而必须将所要检测的物体沿着发出漏泄磁场的谐振器通过。本发明就是涉及如此一种谐振器的实施方式，尤其是本文开头提到的本发明的漏泄磁场探针。

采用这种漏泄磁场探针时，使所要检测的物体通过谐振器外面的漏泄磁场。为此，谐振器优选如此构成，谐振器的电场至少有一部分在屏蔽介质之外，而其余的电场以及磁场则在屏蔽介质之内，如此就不会与所要检测的物体例如松散的烟草发生相互影响。这样对于本文开头提出的漏泄磁场探针，只有处于屏蔽介质之内的一部分电场在外面被耦合。在外面被耦合了的电漏泄磁场与所要检测的物质发生相互作用。已经证实在微波区域内测定所要检测物质的湿度例如烟草的湿度，是有利的。

为了准确确定所要测量的物体在利用这种漏泄磁场探针时的上述损失，必须避免漏泄磁场探针的发射损失(Abstrahlungsverluste)。这是必要的，因为在所要检测的物体中除了这种损失外，对于非磁性材料除了已知的在导线里的欧姆损失外，只有介电损失。最后是关于测量的目的，所以应尽可能地减少发射损失。这种发射损失的减少就意味着电场的远场(Fernfeld)减少，这样只在漏泄磁场探针的附近存在近场(Nahfeld)。当远场的发射部分对于所有可能的角度位置由于它的反相性而消失时，那么就特别会避免上述的发射损失。然而这种在远场的发射部分的相互消失只有在如下情况下才是可能的，即当发射孔的直径远小于所用的波长时，通过该孔从漏泄磁场探针的屏蔽介质中发射出漏泄磁场。不过这又导致了如下缺点，由于漏泄磁场探针中的漏泄磁场发射孔的直径小，只能在这个区域进行测量，例如测量所要检测物体的湿度。所以由于这种构造的漏泄磁场探针，即具有小孔的漏泄磁场探针，人们得到的只是所要检测的物体的点部的介电常数测量值。当所要检测的物体不均匀时，这又是不利的。例如对于松散物体就会出现这种不均匀性。例如在烟草加工工业中用的松散的烟草，由于在松散的烟草中的单根烟草纤维是随意安放的，所以就有非常大的不均匀性。因而，采用点式测量方式的漏泄磁场探针，只能非常不准确地测得这种不均匀的烟草的湿度。

为了克服上述缺点，现有技术建议使用多个这种漏泄磁场探针。用多个漏泄磁场探针或谐振器使得如下测量成为可能，如在气候不平衡的条件下，不仅不同烟叶中的分布不平衡，即使在单片烟叶中其湿度分布常常也是不平均的，所以烟叶的湿度只能近似地确定，这样可以通过采用多个上述的漏泄磁场探针进行测量。例如，这种具有多个探针的装置可从EP-A-0 558 759 A1中获知。

然而上述的具有多个谐振器或漏泄磁场探针的装置的不足之处在于，例如当在微波区域内进行测量时，微波必须通过能量分配仪进行拆分，而在谐振器或探针的后面微波又必须被混合在一起。这就造成了高的构件费用。此外，为了确保所有的谐振器以相同的谐振频率工作，在这样的测量装置中必须采用昂贵的谐振器。总之，以现有的技术去克服辐射问题，其技术上的成本非常高。

所以，本发明的任务就是改善在本文开头所提到的漏泄磁场探针，即避免上述的缺点，而制备出一种可实用的漏泄磁场探针，该探针也能可靠地检测不均匀的或松散的材料的介电性能，特别是湿度；同时，该探针具有简单的构造。

上述的任务可通过采用本文开头所提到的那种漏泄磁场探针得以解决，即为了电场的输出耦合(Auskopplung)，屏蔽介质上有至少二个孔。

通过根据本发明的在屏蔽介质的两处对漏泄磁场的输出耦合，使得如下测量是有利的，即通过小孔/小出口，漏泄磁场向外辐射，或者与所要检测的物体的接触，从而也能检测出不均匀物体的介电性能。从这些介电性能可确定所要检测的物体的湿度。这样，根据本发明，对于不均匀的物体，如象具有不均匀的湿度和密度分布的烟叶，具有用于电场输出耦合或用于电场与所要检测物体耦合的足够多的点，而使得得到各点测量值的平均值成为可能，这就可能比迄今为止的现有技术得到更为准确的测量值。特别是通过本发明也可以避免如下缺点，即EP-A-O 558 759 A1中的一种由许多相互独立的漏泄磁场探针组成的装置所具有的缺点：此处所必需的昂贵的各个探针的结构一致性，以及在探针之前和之后的电磁波所必需的拆分和合并，在本发明中不再是必需的了，因为本发明只用单独一个漏泄磁场探针或单独一个漏泄磁场谐振器，而其同时在外面多处产生漏泄磁场的输出耦合。这样，用发明的谐振器完全可能覆盖一个大的面积范围，而不必忍受较大的孔即辐射的缺点。所以，本发明以有利的方式特别适于应用于烟草加工工业。因为在烟草加工工业中，如已经多次提及的那样，特别需要分析不均匀的、松散的烟草或烟的密度和湿度。现在借助于本发明，完全可以简单地同时高准确度地进行这样的分析。

介质所产生的电磁场优选为高频交变场。此处，产生交变电场的介质优选如此形成，使得漏泄磁场探针形成一个谐振器，就是说高频交变场处于谐振状态。与此相关的优选的测量方法和详细的测量装置已经在上述的德国专利申请DE 197 05 260 A1和DE197 34 978 A1中阐述了。所以在此不再作重复的解释了，因为在这些公开中所阐述的方法可以由微波测量技术领域的专业人员毫无困难地应用到本发明之中。

在本发明一个优选的实施方式中，屏蔽介质是由作为产生介质的机体构成的。此处，开孔(Oeffnung)是由机体上的小孔构成的。机体优选为金属机体。

一个特别优选的实施方式是电场在与该电场相同振幅的位置处输出耦合，其中屏蔽介质中或在机体上的开孔是如此设置的，即其处于相同振幅处。特别优选的是在相同振幅处为对应的最大电场。其中，处于谐振状态的电场屏蔽，在对应电场的极化半波最大处被阻断；部分电场的输出耦合向着屏蔽介质的外部辐射，形成漏泄磁场，每一输出耦合不辐射，即不存在远场。按照这种方式，本发明的该实施方式特别利于将漏泄磁场限制在所制得的漏泄磁场探针的最近邻处。通过漏泄磁场电分量的对应极化，该漏泄磁场电分量源于漏泄磁场探针，在屏蔽介质的不同开孔之间没有长的连接场力线(Feldlinie)，而此类场力线会导致辐射，因为在屏蔽介质各开孔之间的外部场中不存在电位差。

在这种实施方式中特别有利的是，可以完全避免多个漏泄磁场探针或漏泄磁场谐振器的连接排列。相反，借助本发明的这种实施方式，一个单独的漏泄磁场谐振器就足够了，只要采用几个开孔、使用几个测量点即可，而且还可以测定不均匀的材料。这样，借助于这种实施方式，可以毫无问题地测量如烟叶或松散烟草等具有不均匀密度和湿度分布的材料。

在本发明的另一个实施方式中，产生谐振状态电场的介质为波导管。此处，波导管优选通过两端短路形成谐振线(Leitungsresonator)。波导管的长度优选如此选择，即为半波长的整数倍。特别优选的是，波导管的长度为半波长的3倍，更优选的是在谐振中其至少为半波长的10倍。在这些实施方式中，可以通过将任意的测量点总数进行简单地平均，进行预先设定。例如，为了预先设定测量点的总表面，谐振线可以设置为回纹(Maeander)。采用这种方式可以使单位表面上的测量点总数达到最大。表面优选为待测松散材料通过的壁的表面，例如待测松散烟草通过的表面。

在再一个优选的实施方式中，其采用十字型的波导管。此处优选的是，十字型波导管的总长度是半波长的奇数整数倍。在这样的实施方式中，在导线的中心，电场如微波场输入耦合到波导管中。这样的设置可以抑制当波导管长度较大时，在非所需的谐振频率下产生额外的谐振；也可以选择回纹型的波导管设置。在波导管较长时，或者在屏蔽介质上如在起介质作用的谐振器周围的机体上有多个开孔时，这样的谐振会产生相互干扰的谐振。选择额定频率为半波长的奇数整数倍，是与此有关的一种应对措施。那么，在谐振线的中心处产生总量最高的场强。只要在这些位置处，场输入耦合在谐振线中，那么所有的谐振为n的偶数，均被抑制，因为每一处都有零场强位。在另外一个实施方式中，也保证对不需要的谐振进行这样的抑制，在该实施方式中提供了在谐振线中使电场对称地输入耦合在波导管的中心处。

在前面已经提及的十字型谐振线设置中，特别优选的是，十字型每个臂的长度为相应的谐振半波长的5倍。按照这种方式，包括设定在中心处的一个测量点在内，要在机体上为谐振线设定5个测量点或开孔。这种方式是本发明的一种特别简单和紧凑的实施方式，它同时设定了足够多的用于进行测量的测量点。

在前面提及的十字型波导管设置中，谐振线和围绕谐振线的机体之间的距离，优选在外部空间中通过电场的输出耦合处，总是设置一个与谐振线相连的销针，该销针与谐振线垂直。此处需要注意，销针的长度要到达波导管或谐振线的长度，该销针长度从谐振线起，直至每个测量孔或屏蔽介质上的每个开孔。

特别优选的是波导管的电阻较高。采用这样的波导管，其所形成的谐振线的质量特别高，从而使得测量结果也特别好。

在本发明的另外一个实施方式中，电场通过围绕着谐振线的机体上的开孔，输入耦合(Einkopplung)在该机体中，这些开孔位于机体上本来的测量开孔的对面。此处，借助于相应的天线，可以进行输入耦合和输出耦合。如前所述，在谐振器中，电场优选输入耦合在谐振器的中心处。输出耦合可以设定在谐振线的导线端部附近处，因为此处在被抑制的干扰模式中其转换很低；输出耦合没有必要强迫进行。与此有关的是需要指出，应该完全避免输出耦合天线的对称设置，即避免这类转换的对称输出耦合。

在又一个优选的实施方式中，利用空腔谐振器作为发生谐振电场的介质。在空腔谐振器中，电场的输入耦合也优选发生在空腔谐振器的中心处。在外部或在测量物体上，空腔谐振器所产生的谐振电场通过天线进行耦合。这些天线优选为电介质圆柱体，更优选为一种有介电性质的有机玻璃(Plexiglas)的圆柱体。

本发明其它的优选实施方式可按从属权利要求进行。

下面借助于附图对本发明的优选实施方式进行描述。其中：

图1显示的是本发明的基本原理。

图2为本发明采用回纹波导管时的实施方式。

图3为图2所示实施方式的侧视图。

图4为本发明采用十字型波导管时的实施方式。

图5为图4所示实施方式的分解图。

图6为图4所示实施方式的侧视图。

图7为本发明采用空腔谐振器时实施方式的示意图。

图8为图7空腔谐振器的电场分布图。

图9为图7空腔谐振器的干扰场分布图。

图1是本发明原理的示意图。字母E代表电场，字母H代表相应的磁场，字母I代表所采用波导管的长度；符号“+”和“-”代表电场E的相应的半波。如前所述，本发明屏蔽介质上的开孔设置在屏蔽介质的如此位置，即其邻近于图1中电场E带+号的相应振幅最大处。

图2所示的为本发明采用回纹谐振线2时实施方式示意图。所示的谐振线2处于平行于图2纸平面的平面中；谐振线2位于机体4中。机体4拥有壁4a，其为观看者移入图2中。为了显示回纹谐振线2，壁4a在虚线6内被打断。

与谐振线2相关的是一介电的波导管，该波导管在其端部8短接，以产生谐振线2。

另外，机体4还拥有开孔10。开孔10为圆形，其直径小于由谐振线2所产生的谐振波长。在开孔10的范围内，用从开孔10的中间点沿其径向延伸的小箭头表示从谐振线2、在机体壁4a的位置处、沿图2观看者的方向于外部输出耦合的电漏泄磁场。该电漏泄磁场从垂直于谐振线2显示平面的方向、沿设置于开孔10中间点高度方向的销针12向外辐射。销针12起着输出耦合天线的作用，使得电漏泄磁场从谐振线2向着机体4的外面进行输出耦合。

开孔10以及销针12如此设置，使得开孔10及销针12位于谐振线2所产生电场的相应振幅最大处。参阅图1，销针12位于图1中电场E带+号的相应振幅最大处。

图3是图2所示实施方式的侧视图。相同的部件采用相同的附图标记。从谐振线2上的销针12出发，弧形向外又碰在机体壁4a的外侧4b上的小箭头，代表了源自谐振线2、借助于销针12进行输出耦合的漏泄磁场；谐振线2位于机体壁4a的开孔10中。

另外，图3中给出了起着屏蔽介质作用的机体4的下壁4c。下壁4c平行于机体的上壁4a，在下壁4c的中心处具有开孔14。在开孔14中，有一输入耦合天线16，其纵轴垂直于下壁4c。借助于输入耦合天线16，场输入耦合于机体4或谐振线2中。

如果某种材料要测试其介电性质，那么该材料直接在机体4之壁4a的外侧4b上经过漏泄磁场探针1；该漏泄磁场探针1用输入耦合天线16来保证电场的供应。例如，如果要测试松散烟草的介电性质，以确定烟草的湿度等，那么可以将其在壁4a的第一面4b上，通过图3中壁4a上小箭头所代表的、谐振线2的漏泄磁场。这可以如此实现，即漏泄磁场探针1是一几乎垂直但与垂直面略有倾斜的壁部件，松散的烟草可以沿其上面滑过。当松散的烟草滑过由销针12所辐射的漏泄磁场时，谐振线12的谐振曲线发生改变。有关这种谐振频率的改变以及谐振频率的衰减，可以参阅德国专利申请DE 197 05 260 A1和DE 19734 978 A1中描述的方法和测量装置。然后可以测定滑过壁4a外侧4b的松散烟草的平均湿度。

漏泄磁场探针的机体4优选由具有较低温度膨胀系数的材料制得。这类材料优选含有由约64％的铁和约36％的镍构成的合金。机体4可以配有没有示出的温度调节装置，该装置至少可以将机体4的工作温度保持几乎恒定。机体4的温度调节装置也可以配有没有示出的温度传感器，该传感器控制一没有示出的半导体，该半导体的热损耗可以至少使机体4的温度保持几乎恒定，优选恒定在室温之上。更优选的是壁4a、4c以及机体4的内部侧壁至少部分地涂覆有耐腐蚀的金属，或至少部分地由此类金属构成。这种涂层优选由导电体金属制成。也可以在外表面4b、4d以及机体4的外部侧面涂覆耐腐蚀的金属，该涂覆金属优含有金。除此之外，机体4的表面4a优选额外地至少部分涂覆有聚芳醚酮(Polyaryletherketon，PEAK)类塑料，特别是聚醚醚酮(PEEK)类塑料。也可以在平行于第一壁4a的外侧4b上另涂覆一层没有示出的、由这样的塑料制成的涂层。

图4示出了漏泄磁场探针1的另一个实施方式。此处，相同的部件也用相同的附图标记表示。在图4所示的漏泄磁场探针1中，谐振线2为十字型。此处，谐振线2也由介电的波导管形成，该波导管在其端部短接。在该具有十字型谐振线2的漏泄磁场探针1中，销针12将谐振线2的谐振电场耦合在待测的材料上。

在图4所示的漏泄磁场探针的十字型谐振线2中，使得漏泄磁场在外部空间发生输出耦合的销针12设置为与谐振线2或图4平面垂直。

图5显示了图4所示漏泄磁场探针1构造的分解示意图。此处相同的部件采用相同的附图标记。图5显示了机体4。在机体4中，谐振线2埋入十字型孔隙18中。在图5的谐振线2透视图中，可以清楚地看到垂直于谐振线2的销针12。图4和图5所示的漏泄磁场探针1的机体4是扁平的，以便得到上面所提及的用于松散烟草的装料面。机体4上加装盖20。盖20由导电材料构成，并具有开孔10。在销针12的弧形加长中，圆形开孔10的中间点恰好位于销针12的上方。在图5的上方还示出了盖板22。盖板22是由上面提及的不导电的非金属材料PEEK构成，其作用是保护机体4中的孔隙18、带有销针12的谐振线2以及盖20免受外界的影响。

图6是图4和图5中所示漏泄磁场探针1的侧视示意图。该图中，相同的部件仍采用与上面相同的附图标记，但没有显示盖板22。另外，在图6中电场E通过虚线予以立体示意。参阅图6，通过谐振线2形成谐振的电场E的最大值，恰好处于销针12的位置，使得小箭头所示的漏泄磁场发生输出耦合。由于涉及相应的最大值(见图1)，因而只有小箭头所示的漏泄磁场才会通过盖20上的开孔10，按照小箭头所示方向向外发生耦合。但由于所详细解释的原因，不形成远场，即辐射损失。

为了进行输入耦合，在机体4的开孔24中导入输入耦合天线16。输入耦合天线16恰好在设置在中心处的销针12之下(见图5)。为了进行输出耦合，通过位于机体4的边缘、在机体4的下壁4c上所设置的开孔28，设置输出耦合天线。

图7是采用空腔谐振器30的漏泄磁场探针1的示意图。因而，图7表示的是有关H303一谐振器。这意味着，在谐振器中，在x-和z-方向上有三个半波能够传播，而在y-方向上没有半波能够传播(见图7中的坐标x，y，z)。在图7的空腔谐振器中，也通过耦合天线16及26进行输入耦合和输出耦合。图7中，输出耦合天线26到空腔谐振器30侧壁32之间的间隔b′，与空腔谐振器30的总宽度b之间的比例为28/100。

图7的空腔谐振器30在其盖20上也有开孔10。在每个开孔之下，有一个没有示出的有机玻璃圆柱体，该有机玻璃圆柱体总是作为没有示出的天线。在没有示出的天线和盖20之间，可以形成所需要的漏泄磁场。按照图7，只有谐振电场相应的最大值才能总是配有向外的开孔10。

图8是电场分布的三维图。图8示出了图7中符号“+”所表示的电场最大值。

除了在图8中所示的谐振H303外，在空腔谐振器中还存在其它的谐振。所有的偶数谐振(例如H203、H204、H404)可以容易地予以抑制，因为其在中间点处均为电场E的零区间，在这些位置可以用输入耦合天线16进行输入耦合。

但在H103与H301处，干扰谐振发生叠加。这种谐振在对称轴上总宽度约28％处，有一电场E的零区间。由于这一原因，在图7中，输出耦合天线26设置在空腔谐振器30总宽度b的28％(b′)处。每个空腔谐振器都可得到这一试验值。图9是谐振H103与H301的电场E的三维场分布图。

Claims (25)

1、一种测定材料特别是松散烟草介电性质的漏泄磁场探针，它包括产生电场(E)的介质(2，30)和屏蔽所产生电场(E)的屏蔽介质(4，4a，4c，20)，其中所述的屏蔽介质(4，4a，4c，20)如此构成，使得电场(E)至少部分地处于屏蔽介质(4，4a，4c，20)之外；其特征在于，屏蔽介质(4，4a，4c，20)至少具有两个开孔(10)，以使得电场输出耦合。

2、如权利要求1所述的漏泄磁场探针，其中，所述的开孔(10)如此设置，使得电场(E)在相同振幅的位置发生输出耦合。

3、如前述权利要求之一所述的漏泄磁场探针，其中，所述的介质(2，30)如此设置，使得电场(E)处于谐振状态。

4、如前述权利要求之一所述的漏泄磁场探针，其中，所述的介质(2，30)如此设置，使得电场(E)为高频交变场。

5、如权利要求4所述的漏泄磁场探针，其中，所述的开孔(10)如此设置，使得电场(E)在其最大值的位置处发生输出耦合。

6、如权利要求5的漏泄磁场探针，所述的开孔(10)如此设置，使得电场(E)在电场最大值位置处发生输出耦合，而且所述的电场最大值具有相同的符号。

7、如权利要求1所述的漏泄磁场探针，其中，所述的屏蔽介质(4，4a，4c，20)为所述的介质(2，30)的机体(4)。

8、如前述权利要求之一所述的漏泄磁场探针，其中，所述的开孔(10)的直径小于电场(E)的波长。

9、如前述权利要求之一所述的漏泄磁场探针，其中，所述的介质(2，30)为波导管(2)。

10、如权利要求9所述的漏泄磁场探针，其中，所述的波导管在其两端(8)短接，形成谐振线(2)。

11、如权利要求9或10所述的漏泄磁场探针，其中，所述的波导管(2)的长度约为n×λ/2，n≥3，优选≥10。

12、如权利要求9-11之一所述的漏泄磁场探针，其中，所述的波导管(2)为回纹管。

13、如权利要求11或12所述的漏泄磁场探针，其中，n为奇数，而且在波导管(2)的中心处电场(E)输入耦合于波导管(2)中。

14、如权利要求10-12之一所述的漏泄磁场探针，其中，所述的波导管(2)为十字型。

15、如权利要求14所述的漏泄磁场探针，其中，十字型波导管的每一臂的长度为5×λ/2。

16、如权利要求10-15之一所述的漏泄磁场探针，其中，所述的波导管(2)具有高电阻。

17、如权利要求10-16之一所述的漏泄磁场探针，其中，所述的波导管(2)在其电场(E)的输出耦合处、垂直于其弧形安装有销针(12)。

18、如权利要求8、17以及前述任一权利要求所述的漏泄磁场探针，其中，所述的销针(12)桥接设置于机体(4)内部的波导管(2)和机体外壁(4a)之间的间隔。

19、如权利要求11-18之一所述的权利要求，其中，为了在屏蔽介质(4，4a，4c，20)之外产生电场(E)，构成完整的测量电路所必须的测量输出耦合位于漏泄磁场输出耦合的对面。

20、如权利要求19的漏泄磁场探针，其中，所述的测量输出耦合(26)为相互对称排列的点。

21、如权利要求1-9之一所述的漏泄磁场探针，其中，所述的介质(2，30)为空腔谐振器(30)。

22、如权利要求21所述的漏泄磁场探针，其中，所述的电场(E)的输入耦合发生在空腔谐振器(30)的中心处。

23、如权利要求21或22所述的漏泄磁场探针，其中，为了在外部空间使电场(E)发生输出耦合，在所述的屏蔽介质(4，4a，4c，20)内设置天线(12)，其将所述的屏蔽介质(4，4a，4c，20)内的空腔谐振器(30)与外部空间连接，从而在外部空间产生电场的输出耦合。

24、如权利要求23所述的漏泄磁场探针，其中，所述的天线(12)为电介质的圆柱体，优选为有机玻璃的圆柱体。

25、一种测定材料介电性质的方法，包括以下步骤：

在屏蔽介质(4，4a，4c，20)内产生谐振电场(E)；

通过屏蔽介质(4，4a，4c，20)上的开孔(10)，使得一部分谐振电场(E)在相应电场(E)的最大值处一定空间内发生耦合，形成漏泄磁场，待测的材料处于该漏泄磁场中；

测定谐振电场(E)的谐振频率的变化。

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