CN1347077A - 差异磁轭型读磁头及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种读磁头,具有空气支承面(ABS),包含:一磁轭,具有第一和第二支臂,它们在磁头内部与ABS的距离为d1的一个位置相互连接,其中第一和第二支臂分别具有第一和第二端部边缘,该第一和第二边缘位于在ABS,彼此隔开距离为d2;第一和第二支臂,分别具有第一和第二分隔部,该第一和第二分隔部位于在ABS和距离d1之间,该第一和第二分隔部消除每个支臂的各支臂部分的磁和电联系;第一传感器,磁和电联系到跨越所述第一分隔部的第一支臂,以及第二传感器,磁和电联系到跨越所述第二分隔部的第二支臂;第一传感器具有第一锁定层结构,第二传感器具有第二锁定层结构;以及第一和第二锁定层结构分别具有彼此反向平行的第一和第二磁矩。

Description

差异磁轭型读磁头及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种差异磁轭型读磁头(differential yoke type read head)，更具体地说，涉及位于在磁轭(yoke)中的第一和第二支臂上的第一和第二传感器，该第一和第二传感器位置远离空气支承面(air bearing surface)，其中二传感器具有锁定层(pinned layer)，锁定层具有的磁矩的相位彼此相差180°。
背景技术
计算机的核心是磁盘驱动器，磁盘驱动器包含：旋转磁盘、浮动块(slider)、在旋转磁盘上方的悬臂和传动机构(actuator)臂；浮动块具有读写头(读磁头和写磁头)，该传动机构臂摆动悬臂，以便将读写头置于在旋转磁盘上所选择的圆形磁道上方。当磁盘未旋转时悬臂将浮动块偏置与磁盘表面相接触，但是，当磁盘旋转时，由于与浮动块的空气支承面(ABS)相邻的旋转磁盘的作用空气形成涡流，使浮动块腾空行进在该空气支承之上，与旋转磁盘表面稍有距离，其中ABS是面向旋转磁盘的传感器外露表面。当浮动块腾空行进在该空气支承之上时，利用写磁头将磁迹写入到旋转磁盘及利用读磁头从旋转磁盘读出磁信号磁场。读磁头和写磁头连接到一按照计算机程序操作以实现读写功能的处理电路。
典型的高性能的读磁头采用一种隧道结型(tunnel iunction)传感器，用于从旋转磁盘检测磁信号磁场。该传感器包含一夹在铁磁性锁定层和铁磁性自由层(free layer)之间的绝缘隧道或阻挡层(barrier layer)。一反铁磁性锁定层与该用于将锁定层的磁矩相对空气支承面(ABS)锁定为90°的锁定层对接(interface)。该隧道结型传感器位于在第一和第二铁磁屏蔽层之间。可作为第一和第二屏蔽层的第一和第二引线连接到该隧道结型传感器，用以从中传导传感电流。与其中传感电流平行于旋转阀型传感器中的主薄膜平面(CIP)传导的旋转阀(spin valve)型传感器相对照，传感电流垂直于传感器中的主薄膜平面(CPP)传导。自由层的磁矩响应于来自旋转磁盘的正负磁信号磁场相对于ABS从静止或零偏置点位置向上和向下自由旋转。最好平行于ABS的自由层的磁矩静止位置是当没有来自旋转磁盘的磁信号磁场情况下，传感电流通过传感器传导时的位置。
当锁定层和自由层的磁矩彼此平行时，隧道结型传感器对传感电流(Is)的电阻最小，当锁定层和自由层的磁矩反向平行(antiparalell)时，隧道结型传感器对传感电流(Is)的电阻最大。隧道结型传感器的电阻变化是cosθ的函数，其中θ是锁定层和自由层的磁矩之间的角度。当通过隧道结型传感器电阻传导传感电流Is时，由于来自旋转磁盘的信号磁场变化，使所检测的和作为再现信号处理的电位变化。接照磁阻系数(magnetoresistitive coefficient)dr/R量化隧道结型传感器的灵敏度，其中dr是隧道结型传感器的电阻从最小电阻(自由层和锁定层的磁矩平行时)到最大电阻(自由层和锁定层的磁矩反向平行时)的变化量，R是隧道结型传感器处于最小电阻时的电阻。与旋转阀型传感器的dr/R(为10％)相比较，隧道结型传感器的dr/R其量级为40％。
在一晶片上按行和列构成若干磁头组件，每个磁头组件是包括读磁头和写磁头的组合体。在晶片阶段(level)完成之后，将晶片切割形成成行的磁头组件，通过研磨处理将每行抛光(lap)，以便将该行抛光成预定的空气支承面(ABS)。在典型的隧道结型读磁头中，在ABS处的所有的各层，即第一屏蔽层、籽晶(seed)层、自由层、阻挡层、被锁定层、锁定层和第二屏蔽层中的每一个的第一边缘都是外露的。这些层的第二边缘置于在该磁头凹槽中。阻挡层是十分薄的一层，其量级为20埃，其使得在ABS处的自由层和锁定层彼此十分接近。当一行隧道结型磁头组件被抛光时，由于跨越ABS的自由层和锁定层被滑抹(smear)，磁性材料有引起其间短路很大的危险。当一对行旋转阀型传感器抛光时，在屏蔽层与自由层和锁定层两者之间或在屏蔽层与自由层和锁定层中之一之间有磁性材料被滑抹的很大危险。然而，短路的危险大于隧道结型读磁头的危险，这是由于传感电流垂直于而不是平行于各层传导。因此，有很强的感受，需要构成这样一种磁头组件，它们可以是隧道结型或者是旋转阀型，没有由于抛光使在ABS处各层短路的危险。
发明内容
本发明将隧道结型传感器或旋转阀型传感器在磁头已经搭接(lap)到ABS之后的各层之间短路的危险降到最小。通过提供这样一种磁轭(yoke)实现这一点，该磁轭具有第一和第二支臂，它们在磁头内部与ABS的距离为d1的一个位置相互连接，其中第一和第二支臂分别具有第一和第二边缘，该第一和第二边缘位于在ABS，彼此隔开距离为d2；以及其中第一和第二支臂分别具有第一和第二分隔部(separation)，该第一和第二分隔部位于在ABS和距离d1之间，以消除磁轭的每一支臂的各支臂部分的磁联系。第一传感器磁耦合到跨越所述第一分隔部的第一支臂，以及第二传感器磁耦合到跨越所述第二分隔部的第二支臂。第一传感器具有第一锁定层结构，第二传感器具有第二锁定层结构；其中第一和第二锁定层结构分别具有彼此反向平行的第一和第二磁矩。其中在ABS处的第一和第二支臂的端部边缘之间的距离d2等于沿磁盘中的一磁道的各磁迹之间的距离。因此，随着磁盘旋转，端部边缘位于在一磁道上方，一个端部边缘将接收进入或出自磁头的磁场信号，另一个端部边缘将接收沿相反方向的磁场信号。每个磁场信号改变对应传感器的电阻，在一传感电流电路中组合这些电阻，由处理电路作为再现信号进行处理。与单传感器型磁头相比，不仅信号明显增强，而且，通过共模抑制，消除了电路中的噪声。最好一个传感器是反向平行(AP)锁定旋转阀型传感器，另一个传感器是单层锁定层型传感器。按照这种安排，紧接着在锁定层结构之间的一分隔层的锁定层结构具有的磁矩是反向平行的(彼此反相)，以便在一传感电流电路中组合旋转阀型传感器的电阻变化。本发明可以采用水平记录的磁介质或垂直记录的磁介质。在一优选实施例中，每个传感器是隧道结型传感器，然而，每个传感器也可以是旋转阀型传感器。在任一优选实施例中，降低了传感器的铁磁性层之间或这些层与第一和第二屏蔽层之间的滑抹的危险，以便将在读磁头搭接到ABS之后读磁头各层之间短路的危险降低到最小。
本发明的目的是提供一种读磁头，在将读磁头搭接到ABS之后其各层之间短路的危险很小。
本发明的另一目的是提供一种上述的读磁头，其明显增强信号并明显抑制共模噪声。
本发明的再一目的是提供一种具有一个或多个上述读磁头的磁盘驱动器，其中在该驱动器的磁盘中在沿磁盘的磁道的各磁迹之间的距离等于在ABS处的读磁头的端部边缘之间的距离，用于接收来自磁迹的磁场信号。
通过结合附图阅读如下的说明，将会认识到本发明的其它目的和附带的优点。
附图简要说明
图1是典型磁盘驱动器的平面图；
图2是从图1中所示平面2-2观看时磁盘驱动器的带有磁头的浮动块端部视图；
图3是其中采用多个磁盘和磁头的磁盘驱动器的正视图；
图4是典型的用于支承浮动块和磁头的悬臂系统的等轴透视图；
图5是沿在图2中所示平面5-5所取的磁头的ABS视图；
图6是沿在图2中所示剖面6-6观看时的浮动块和背负式(piggment)磁头的局部视图；
图7是沿在图2中所示剖面7-7观看时的浮动块和合并式(merged)磁头的局部视图；
图8是沿在图6中所示剖面8-8所取的浮动块的ABS的局部视图，表示背负式磁头中的读写元件；
图9是沿在图7中所示剖面9-9所取的浮动块的ABS的局部视图，表示合并式磁头中的读写元件；
图10是沿在图6或7中所示剖面10-10所取的视图，其中除去了在线圈层和引线上的所有材料；
图11是一侧视图，其中本发明采用一对隧道结型传感器；
图12是沿在图11中所示剖面12-12所取的视图；
图13是一侧视图，其中本发明采用一对旋转阀型传感器；
图14是一示意图，将本发明与磁盘上的水平记录磁道相结合；
图15是一示意图，将本发明与磁盘上的垂直记录磁道相结合。
具体实施方式
磁盘驱动器
下面参照附图1-3说明磁盘驱动器30，其中几个图中用相同的标号标注相同的或相似的部分。驱动器30包含一支承和旋转磁盘34的主轴32。利用一受电动机控制器38控制的主轴电动机36使主轴32旋转。浮动块42具有一组合的读和写磁头40，并由悬臂44和传动机构(actuator)臂46，传动机构臂46由传动机构47可旋转地定位。如图3中所示，在一个大容量直接存取存储设备(DASD)中可以采用多个磁盘、浮动块和悬臂。由传动机构47移动悬臂44和传动机构臂46，以便定位浮动块42，使得磁头40与磁盘34的表面处于传感(trancducing)的相互关系。当主轴电动机36使磁盘34旋转时，浮动块支承在磁盘34的表面和空气支承面(ABS)48之间的薄的(通常0.05微米)空气(空气支承)垫上。为了将信息写入到磁盘34的表面上的多个圆形磁道以及从该多个圆形磁道读出信息，可以采用磁头40。处理电路50与磁头40交换代表这种信息的信号，提供用于旋转磁盘34的主轴电动机驱动信号，以及向传动机构提供用于将浮动块移动到各不同磁道的控制信号。在图4中，所示浮动块42安装在悬臂44上。上述各组成部分可以安装在一个壳体的构架54上，如图3所示。
图5是浮动块42和磁头40的ABS视图。该浮动块42具有支承磁头40的中心轨56以及侧轨58和60。轨56、轨58和轨60从横轨62延伸。关于磁盘34的旋转，横轨62处在浮动块的前缘64，磁头40处在浮动块的尾缘66。
图6是背负式磁头40横断面侧立视图，背负式磁头40包含：写磁头部分70和读磁头部分72，读磁头部分采用本发明的隧道结型传感器74。图8是图6的ABS视图。采用一非磁性电绝缘层75用于将传感器分开，将传感器和绝缘层75位于在非磁性电绝缘第一和第二读出间隙层(G1)76和(G2)78之间的各传感器分开。绝缘层75、76和78可以为氧化铝(Al2O3)层。第一和第二读出间隙层76和78夹在第一和第二铁磁屏蔽层80和82之间。响应于外部磁场，隧道结型传感器74的电阻产生变化。通过传感器传导的传感电流(Is)使这些电阻变化表现为电位的变化。这些电位的变化由处理电路50作为读回信号处理，如图3中所示。利用第一和第二引线通过隧道结型传感器74传导的传感电流(Is)垂直于其主薄膜表面的平面，下文将更详细地讨论。传感器可选择为旋转阀型传感器，下文将更详细地讨论。
磁头40的写磁头部分70包含夹在第一和第二绝缘层86和88之间的线圈层84。为了将该磁头平面化可以采用第三绝缘层90，以便消除在第二绝缘层中由线圈层84引起的波纹。第一和第二绝缘层以及第三绝缘层在本技术领域称之为“绝缘叠层”。线圈层84和第一和第二绝缘层86、88以及第三绝缘层90夹在第一和第二极靴(pole piece)层92和94之间。第一和第二极靴层92和94在背面间隙96处磁耦合并具有第一和第二极尖端98和100，第一和第二极尖端98和100在ABS由写入间隙层102分开。绝缘层103位于在第二屏蔽层82和第一和极靴层92之间。由于第二屏蔽层82和第一和极靴层92是分开的两层，因此，这种磁头被称之为背负式磁头。如在图2和图4中所示，第一和第二连接焊点104和106将来自旋转阀型传感器74的引线连接到在悬臂44上的引线112和114，第三和第四连接焊点116和118将来自线圈84(见图10)的引线120和122连接到在悬臂上的引线124和126。
图7和9除了第二屏蔽层82和第一极靴层92是共同的一层以外，与图6和8相同。这种类型的磁头被称之为合并式磁头。图6和8中略去了绝缘层103。
本发明说明
图11是一侧视图，表示其中采用一对隧道结型传感器的本发明一个实施例200。该实施例200具有磁轭202，该磁轭202具有在磁头内部在距ABS的距离d1处利用任何适宜的装置，例如横向件208，相互连接的第一和第二支臂204和206。第一和第二支臂204和206分别具有位于在ABS的第一和第二端部边缘210和212，并按距离d2隔开，下文将更详细地讨论。
第一和第二支臂204和206分别具有位于在ABS和距离d1之间的第一和第二分隔部214和216，该距离d1消除每个支臂的各支臂部分电磁耦合。第一隧道结型传感器218磁耦合到跨越第一分隔部214的第一支臂，和第二隧道结型传感器220磁耦合到跨越第二分隔部216的第二支臂。图12是沿在图11中所示剖面12-12所取的视图，表示桥接跨越第一支臂204的支臂部分的第一隧道结型传感器218。一个以相似方式所取的隧道结型传感器220和支臂206的视图与图12相似。
第一隧道结型传感器218包含一位于在铁磁性自由层(F)224和铁磁性锁定层(P)226之间的非磁性电绝缘阻挡层(B)222。自由层224具有一平行于ABS和传感器218中各层的主薄膜表面的磁矩228，其方向为出自页面或进入页面，如图11中所示。锁定层226对接并交换耦合到反铁磁性(AFM)锁定层230，锁定层230锁定该锁定层的垂直于ABS的磁矩232，其方向为出自磁头或进入磁头，如图11中所示。第二隧道结型传感器220包含一位于在铁磁性自由层242和反向平行(AP)的锁定层结构244之间的非磁性电绝缘阻挡层(B)240。自由层242具有一平行于ABS和传感器中各层的主薄膜表面的磁矩245，其方向为出自传感器或进入传感器，如图11中所示。AP锁定层结构244包含一位于在铁磁性第一AP锁定层(AP1)248和第二AP锁定层(AP2)250之间的反向耦合层(APC)246。第一AP锁定层(AP1)248对接并交换耦合到反铁磁性(AFM)锁定层252，该锁定层252锁定一垂直于ABS的第一AP锁定层的磁矩254，其方向为出自读磁头或进入读磁头，如图11中所示。通过第一AP锁定层248和第二AP锁定层250之间的强反向平行耦合，第二AP锁定层250具有的磁矩256反向平行于磁矩254。这种安排使得磁矩256和磁矩232反向平行或彼此反相，这使得第一和第二隧道结型传感器218和220的电阻组合增强了磁头的信号。
隧道结型传感器218和220的所有各层除了用于阻挡层222和240的以外都是导电的。典型的材料对于自由层224和242是镍铁(NiFe)；对于阻挡层222和240是氧化铝(Al2O3)；对于锁定层226和248是钴(Co)或钴铁(CoFe)；对于反向平行耦合层246是钌(Ru)；对于反铁磁性层230和252是铂锰(PtMn)。
如图11中所示，第一引线260将第一隧道结型传感器218连接到处理电路50，第二引线262将第二隧道结型传感器220连接到处理电路50。第一引线260可以连接到自由层224的薄膜表面中心部分，第二引线262可以连接到自由层242的薄膜表面中心部分。如图11中所示，第一和第二传感器218和220电连接到磁轭202的顶部部分。磁轭最好为镍铁(NiFe)，以便导磁和导电。因此，第一和第二传感器218和220以及处理电路50彼此串联，使得处理电路50产生的传感电流Is垂直于传感器中的薄膜表面通过第一隧道结型传感器218传导，因此，通过磁轭202的顶部部分，并因此垂直于第二隧道结型传感器220中的薄膜表面，并因此传导到处理电路50，构成串联电路。
使端部边缘210和212之间的距离d2的大小等于旋转磁盘的磁道上各磁迹之间的距离，下文将更详细地讨论。下面，假设在端部边缘210处的信号磁场H1方向向上，这将使磁矩228向上旋转进入磁头。这就使磁矩228和232变得彼此更平行，将降低第一隧道结型传感器218的电阻。下面假设信号磁场H2方向向下，与端部边缘212相邻的磁头远离，这将使自由层的磁矩245向下旋转进入磁头。这就使磁矩245和256变得彼此更平行，将降低第二隧道结型传感器220的电阻。隧道结型传感器218和220两者的电阻都降低并组合以对于传感电流Is形成较低的电阻。如果信号磁场H1和信号磁场H2的方向相反，第一和第二隧道结型传感器218和220两者的电阻都增加并组合以对于传感电流Is增加电阻。因此，通过抑制共模参量，信号明显增加，电路中的噪声降低。由处理电路50作为再现信号处理隧道结型传感器218和220的电阻变化。
图13表示本发明的另一实施例300，除了采用第一和第二旋转阀型传感器302和304取代隧道结型传感器218和220，以及与处理电路50的连接不同(下文将更详细地解释)以外，与图11中所示的实施例200相同。旋转阀型传感器302和304除了如下所述以外与隧道结型传感器218和220相同，旋转阀型传感器302采用非磁性导电性隔层(S)306取代阻挡层222，以及旋转阀型传感器304采用非磁性导电性隔层(S)308取代阻挡层240。如图13中所示，第一引线310将第一旋转阀型传感器302连接到处理电路50，第二引线312将第二旋转阀型传感器304连接到处理电路50。第一引线310和第二引线312最好通过一对接结点连接到旋转阀型传感器302和304的端部边缘，该对接结点在5 018 037号美国专利中另有说明。因此，传感电流Is在一个边缘进入第一旋转阀型传感器302，在一相反边缘自第一旋转阀型传感器导出，因此从该处通过磁轭202的顶部部分传导，再在一个端部边缘进入第二旋转阀型传感器304，又在一相反边缘自从第二旋转阀型传感器304导出，再利用引线312返回传导到处理电路50。因此，第一和第二旋转阀型传感器302和304与处理电路50彼此串联，与图11中所示的实施例200相同。在接收磁场信号H1和H2时，图13中所示的实施例300的工作情况与图11中所示的实施例200的工作情况基本相同。
图14是一示意图，表示磁头200/300之一与来自旋转磁盘(例如图1中所示的磁盘34)的磁道400中的一部分的结合。磁道400己水平记录有磁迹，该磁迹其方向从左到右或从右到左平行于磁盘的表面。遇到磁迹的位置称为转换点(transition)，例如转换点402和404。这些转换点之间的距离为d3，其等于磁头在ABS处的端部边缘之间的距离d2。按照图14中所示的配置，端部边缘210接收正行程的磁场信号，端部边缘212接收负行程的磁场信号，该磁场信号对应于图11和13中所示的磁场信号，并且如以上讨论的，导致传感器中的电阻降低。当随着磁道400从右向左移动，端部边缘210和212接收在接下来的转换点处的接下来的磁场信号时，如以上讨论的，各传感器的电阻增加。
图15是一示意图，表示磁头200/300之一与磁盘的磁道500的结合，磁道500是按照垂直于磁盘表面向上或向下取向的磁迹垂直记录的。各磁迹之间的典型的转换点表示于502、504和506。在这一实施例中，端部边缘210和212居中在各转换点之间，例如边缘210居中在502和504之间，边缘212居中在504和506之间，各转换点中心之间的距离为d3，等于边缘210和212之间的距离d2。
讨论
应当理解，倘若这些锁定层结构226和244彼此相位反相，锁定层结构226和244可以按与图11和13中所示的不同方式形成。例如，每一锁定层结构可以是单一锁定层，它们的磁矩彼此反向平行。在这种情况下，锁定层230和252将必须具有不同的阻挡(blocking)温度，以便磁矩可以分别设置而不会影响第一锁定层的设置。阻挡温度是这样一个温度，在该温度下在存在磁场的情况下锁定层的磁旋(magnetic spins)自由旋转。例如，第一锁定层230可以是锰铁(FeMn)，其阻挡温度为160℃；第二锁定层252可以是锰铂(PtMn)，其阻挡温度为350℃。因此，第一锁定层230的阻挡温度低于第二锁定层252的阻挡温度，这意味着必须在第一锁定层230的磁旋设置之前设置第二锁定层252的磁旋。例如，在存在其取向与磁矩256方向相同的磁场的情况下，部分完成的磁头经受的温度会为或接近第二锁定层252的阻挡温度。当这一磁头和磁场终止时，第二锁定层252的磁旋其取向平行于磁矩256。然后在存在其取向与磁矩232方向相同的磁场的情况下，当部分完成的磁头经受较低的温度160℃时，第一锁定层230的磁旋的取向平行于磁矩232。由于第一和第二传感器的磁矩彼此反向平行，相位相反，起如上所述的作用。另外可以选择，使其中一个传感器采用三重AP锁定层结构，第二传感器采用双重AP锁定层结构。应指出，最后这一选择会使两个传感器对于发源于锁定层结构的磁场具有十分低的去磁作用，该结构能更适宜地偏置各自由层的磁矩，使之平行于ABS。再者，如上所述，相邻于作为阻挡层或隔层的分隔层的各磁矩是反向平行的。
显然，对于本领域的技术人员来说，根据这些技术见解易于提出本发明的其它实施例和各种改进。因此，当结合上述说明和附图分析时，可看出本发明仅是由如下的权利要求限定的，其包含所有这些实施例和改进。

Claims (41)

1.一种读磁头，具有空气支承面(ABS)，包含：
一磁轭，具有第一和第二支臂，它们在磁头内部与ABS的距离为d1的一个位置相互连接，其中第一和第二支臂分别具有第一和第二端部边缘，该第一和第二边缘位于在ABS，彼此隔开距离为d2；
所述第一和第二支臂，分别具有第一和第二分隔部，该第一和第二分隔部位于在ABS和距离d1之间，该第一和第二分隔部消除每个支臂的各支臂部分的磁和电联系；
第一传感器，磁和电联系到跨越所述第一分隔部的第一支臂，以及第二传感器，磁和电联系到跨越所述第二分隔部的第二支臂；
第一传感器具有第一锁定层结构，第二传感器具有第二锁定层结构；以及
第一和第二锁定层结构分别具有彼此反向平行的第一和第二磁矩。
2.如权利要求所述1的读磁头，其特征在于，第一锁定层结构是反向平行(AP)的锁定层结构，第二锁定层结构是单层的锁定层结构。
3.如权利要求2所述的读磁头，其特征在于，距离d2等于沿磁盘中的一磁道的各磁迹之间的距离。
4.如权利要求3所述的读磁头，包含：
第一和第二引线，分别用于将第一和第二传感器连接到一处理电路，使传感电流传导通过二传感器。
5.如权利要求4所述的读磁头，其特征在于，每个传感器是隧道结型传感器。
6.如权利要求4所述的读磁头，其特征在于，每个传感器是旋转阀型传感器。
7.一种读磁头，具有空气支承面(ABS)，包含：
第一传感器，包含：
具有磁矩的铁磁性锁定层结构；
一锁定层，交换耦合到该锁定层结构，用于锁定该锁定层结构的磁矩；
一自由层；以及
一分隔层，位于在自由层和锁定层结构之间；
第二传感器，包含：
具有磁矩的铁磁性锁定层结构；
一锁定层，交换耦合到该锁定层结构，用于锁定该锁定层结构的磁矩；
一自由层；以及
一分隔层，位于在自由层和锁定层结构之间；
一磁轭，具有第一和第二支臂，它们在磁头内部与ABS的距离为d1的一个位置相互连接，其中第一和第二支臂分别具有第一和第二端部边缘，该第一和第二边缘位于在ABS，彼此隔开距离为d2；
第一和第二支臂，分别具有第一和第二分隔部，该第一和第二分隔部位于在ABS和距离d1之间，该第一和第二分隔部消除第一和第二支臂的各支臂部分的磁和电联系；
第一传感器，磁和电联系到跨越所述第一分隔部的第一支臂，以及第二传感器，磁和电联系到跨越所述第二分隔部的第二支臂；
第一传感器具有第一锁定层结构，第二传感器具有第二锁定层结构；以及
第一和第二锁定层结构分别具有彼此反向平行的第一和第二磁矩。
8.如权利要求7所述的读磁头，包含：
非磁性非导电性第一和第二读出间隙层；
该磁轭和传感器，位于在第一和第二读出间隙层之间；
铁磁性第一和第二屏蔽层；以及
第一和第二读出间隙层位于在第一和第二读出屏蔽层之间。
9.如权利要求所述8的读磁头，其特征在于，第二传感器中的第二锁定层结构是反向平行(AP)锁定层结构，该结构包含：
铁磁性第一和第二反向平行(AP)锁定层，第一AP锁定层和第二传感器中的锁定层对接，第二AP锁定层和第二传感器中的分隔层对接；以及
一反向平行(AP)锁定层，位于在第一和第二AP锁定层之间并与之对接。
10.如权利要求所述9的读磁头，其特征在于，距离d2等于沿磁盘中的一磁道的各磁迹之间的距离。
11.如权利要求所述10的读磁头，包含：
第一和第二传感器中的每一分隔层，为非磁性电绝缘阻挡层。
第一和第二引线，连接到二传感器，用于将垂直于传感器中的各层的主薄膜平面的传感电流传导通过传感器。
12.如权利要求所述10的读磁头，包含：
第一和第二传感器中的分隔层，为非磁性导电隔层；以及
第一和第二引线，连接到二传感器，用于将平行于传感器中的各层的主薄膜平面的传感电流传导通过传感器。
13.一种读磁头组件，具有空气支承面(ABS)，包含：
写磁头，包含：
铁磁性第一和第二极靴层，它们具有一磁轭部分，位于在极尖端部分和背面间隙部分之间，
非磁性写入间隙层，位于在第一和第二极靴层的极尖端部分之间；
一绝缘叠层，其中嵌入至少一个线圈层，位于在第一和第二极靴层的磁轭部分之间，以及
第一和第二极靴层，在它们的背面间隙部分连接；
一读磁头，包含：
第一传感器，包含：
具有磁矩的铁磁性锁定层结构；
一锁定层，交换耦合到该锁定层结构，用于锁定该锁定层结构的磁矩；
一自由层；以及
一分隔层，位于在自由层和锁定层结构之间；
第二传感器，包含：
具有磁矩的铁磁性锁定层结构；
一锁定层，交换耦合到该锁定层结构，用于锁定该锁定层结构的磁矩；
一自由层；以及
一分隔层，位于在自由层和锁定层结构之间；
一磁轭，具有第一和第二支臂，它们在磁头内部与ABS的距离为d1的一个位置相互连接，其中第一和第二支臂分别具有第一和第二端部边缘，该第一和第二边缘位于在ABS，彼此隔开距离为d2；
第一和第二支臂，分别具有第一和第二分隔部，该第一和第二分隔部位于在ABS和距离d1之间，该第一和第二分隔部消除第一和第二支臂的各支臂部分的磁和电联系；
第一传感器，磁和电联系到跨越所述第一分隔部的第一支臂，以及第二传感器，磁和电联系到跨越所述第二分隔部的第二支臂；
第一传感器的锁定层结构具有磁矩，第二传感器的锁定层结构具有磁矩；
第一和第二传感器的锁定层结构的磁矩彼此反向平行；
非磁性非导电性第一和第二读出间隙层；
该磁轭和传感器，位于在第一和第二读出间隙层之间；
铁磁性第一屏蔽层；以及
第一和第二间隙层，位于在第一屏蔽层和第一极靴层之间。
14.如权利要求所述13的读磁头组件，包含：
铁磁性第二屏蔽层；
非磁性隔离层，位于在第二屏蔽层和第一极靴层之间。
15.如权利要求所述13的读磁头组件，其特征在于，第二传感器中的第二锁定层结构是反向平行(AP)锁定层结构，该结构包含：
铁磁性第一和第二反向平行(AP)锁定层，第一AP锁定层和第二传感器中的锁定层对接，第二AP锁定层和第二传感器中的分隔层对接；以及
一反向平行(AP)耦合层，位于在第一和第二AP锁定层之间并与之对接。
16.如权利要求所述15的读磁头组件，其特征在于，距离d2等于沿磁盘中的一磁道的各磁迹之间的距离。
17.如权利要求所述16的读磁头组件，包含：
第一和第二传感器中的每一分隔层，为非磁性电绝缘阻挡层。
第一和第二引线，连接到二传感器，用于将垂直于传感器中的各层的主薄膜平面的传感电流传导通过传感器。
18.如权利要求所述16的读磁头组件，包含：
第一和第二传感器中的每一分隔层，为非磁性导电隔层。
第一和第二引线，连接到二传感器，用于将平行于传感器中的各层的主薄膜平面的传感电流传导通过传感器。
19.一种磁盘驱动器，包含至少一个具有空气支承面(ABS)的磁头组件，该磁头组件包含一写磁头和一读磁头，其中
一写磁头，包含：
铁磁性第一和第二极靴层，它们具有位于在极尖端部分和背面间隙部分之间的磁轭部分；
非磁性写入间隙层，位于在第一和第二极靴层中的极尖端部分之间；
一绝缘叠层，其中嵌入至少一个线圈层，位于在第一和第二极靴层的磁轭部分之间，以及
第一和第二极靴层，在它们的背面间隙部分连接；以及
一读磁头，包含：
第一传感器，包含：
具有磁矩的铁磁性锁定层结构；
一锁定层，交换耦合到该锁定层结构，用于锁定该锁定层结构的磁矩；
一自由层；
一分隔层，位于在自由层和锁定层结构之间；
第二传感器，包含：
具有磁矩的铁磁性锁定层结构；
一锁定层，交换耦合到该锁定层结构，用于锁定该锁定层结构的磁矩；
一自由层；以及
一分隔层，位于在自由层和锁定层结构之间；
一磁轭，具有第一和第二支臂，它们在磁头内部与ABS的距离为d1的一个位置相互连接，其中第一和第二支臂分别具有第一和第二端部边缘，该第一和第二边缘位于在ABS，彼此隔开距离为d2；
第一和第二支臂，分别具有第一和第二分隔部，该第一和第二分隔部位于在ABS和距离d1之间，该第一和第二分隔部分别消除第一和第二支臂的各支臂部分的磁和电联系；
第一传感器，磁和电联系到跨越所述第一分隔部的第一支臂，以及第二传感器，磁和电联系到跨越所述第二分隔部的第二支臂；
第一传感器的锁定层结构具有磁矩，第二传感器的锁定层结构具有磁矩；
第一和第二传感器的锁定层结构的磁矩彼此反向平行；
非磁性非导电性第一和第二读出间隙层；
该磁轭和传感器，位于在第一和第二读出间隙层之间；
铁磁性第一屏蔽层；以及
第一和第二间隙层，位于在第一屏蔽层和第一极靴层之间；
一壳体，
一磁盘，可旋转地支承在该壳体中，具有沿多个磁道的一系列磁迹，各磁迹之间的距离d3等于所述距离d2；
一支承件，安装在壳体内，用于支承磁头组件，使所述ABS面向所述磁盘，以便使磁头组件与磁盘形成传感关系；
一主轴电动机，用于旋转磁盘；
一传动机构定位装置，连接到该支承件，用于相对于所述磁盘将磁头移动到多个位置；以及
一处理器，连接到该磁头、主轴电动机和传动机构，用于与磁头交换信号、控制磁盘的运动和控制磁头的位置。
20.如权利要求19所述的磁盘驱动器，包含：
铁磁性第二屏蔽层；
非磁性隔离层，位于在第二屏蔽层和第一极靴层之间。
21.如权利要求19所述的磁盘驱动器，其特征在于，第二传感器中的锁定层结构是反向平行(AP)锁定层结构，该结构包含：
铁磁性第一和第二反向平行(AP)锁定层，第一AP锁定层和第二传感器中的锁定层对接，第二AP锁定层和第二传感器中的分隔层对接；以及
一反向平行(AP)耦合层，位于在第一和第二AP锁定层之间并与之对接。
22.如权利要求21所述的磁盘驱动器，包含：
第一和第二传感器中的每一分隔层，按照非磁性电绝缘阻挡层形成；以及
第一和第二引线，连接到二传感器，用于将垂直于传感器中的各层的主薄膜平面的传感电流传导通过传感器。
23.如权利要求21所述的磁盘驱动器，包含：
第一和第二传感器中的每一分隔层，按照非磁性导电隔层形成；以及
第一和第二引线，连接到二传感器，用于将平行于传感器中的各层的主薄膜平面的传感电流传导通过传感器。
24.一种制造读磁头的方法，该读磁头具有空气支承面(ABS)，该方法包含的步骤有：
形成一磁轭，其具有第一和第二支臂，它们在磁头内部与ABS的距离为d1的一个位置相互连接，其中第一和第二支臂分别具有第一和第二端部边缘，该第一和第二边缘位于在ABS，彼此隔开距离为d2；
形成第一和第二支臂，分别具有第一和第二分隔部，该第一和第二分隔部位于在ABS和距离d1之间，该第一和第二分隔部消除每个支臂的各支臂部分的磁和电联系；
使第一传感器磁和电联系到跨越所述第一分隔部的第一支臂，以及使第二传感器磁和电联系到跨越所述第二分隔部的第二支臂；
形成具有第一锁定层结构的第一传感器，以及形成具有第二锁定层结构的第二传感器；
其中第一和第二锁定层结构分别具有彼此反向平行的第一和第二磁矩。
25.如权利要求所述24的制造读磁头的方法，其特征在于，第一锁定层结构是反向平行(AP)的锁定层结构，第二锁定层结构是单层的锁定层结构。
26.如权利要求25所述的制造读磁头的方法，其特征在于，形成距离d2，使其等于沿磁盘中的一磁道中的各磁迹之间的距离。
27.如权利要求26所述的制造读磁头的方法，包含：
分别将第一和第二引线连接到第一和第二传感器，使传感电流传导通过二传感器。
28.如权利要求27所述的制造读磁头的方法，其特征在于，每个传感器是按照隧道结型传感器形成的。
29.如权利要求27所述的制造读磁头的方法，其特征在于，每个传感器是按照旋转阀型传感器形成的。
30.一种制造读磁头的方法，该读磁头具有空气支承面(ABS)，包含的步骤有：
制造第一传感器，其包含的步骤有：
形成一具有磁矩的铁磁性锁定层结构；
形成一锁定层，其交换耦合到该锁定层结构，用于锁定该锁定层结构的磁矩；
形成一自由层；以及
在自由层和锁定层结构之间形成一分隔层；
制造第二传感器，其包含的步骤有：
形成一具有磁矩的铁磁性锁定层结构；
形成一锁定层，其交换耦合到该锁定层结构，用于锁定该锁定层结构的磁矩；
形成一自由层；以及
在自由层和锁定层结构之间形成一分隔层；
形成一磁轭，其具有第一和第二支臂，它们在磁头内部与ABS的距离为d1的一个位置相互连接，其中第一和第二支臂分别具有第一和第二端部边缘，该第一和第二边缘位于在ABS，彼此隔开距离为d2；
形成第一和第二支臂，分别具有第一和第二分隔部，该第一和第二分隔部位于在ABS和距离d1之间，该第一和第二分隔部消除第一和第二支臂的各支臂部分的磁和电联系；
将第一传感器磁和电联系到跨越所述第一分隔部的第一支臂，以及将第二传感器磁和电联系到跨越所述第二分隔部的第二支臂；
形成第一传感器中的具有磁矩的第一锁定层结构，形成第二传感器中的具有磁矩的第二锁定层结构；其中第一和第二传感器中的锁定层结构分别具有彼此反向平行的磁矩。
31.如权利要求30所述的制造读磁头的方法，包含：
形成非磁性电非导电性第一和第二读出间隙层；
在第一和第二读出间隙层之间形成该磁轭和传感器；
形成铁磁性第一和第二屏蔽层；以及
在第一和第二读出屏蔽层之间形成第一和第二读出间隙层。
32.如权利要求所述31的制造读磁头的方法，其特征在于，制造第二传感器中的锁定层结构的步骤包含：
形成铁磁性第一和第二反向平行(AP)锁定层，第一AP锁定层和第二传感器中的锁定层对接，第二AP锁定层和第二传感器中的分隔层对接；以及
在第一和第二AP锁定层之间形成一反向平行(AP)耦合层并与之对接。
33.如权利要求所述32的制造读磁头的方法，其特征在于，形成距离d2，使其等于沿磁盘中的一磁道的各磁迹之间的距离。
34.如权利要求所述33的制造读磁头的方法，包含：
按照非磁性电绝缘阻挡层形成第一和第二传感器中的每一分隔层；以及
将第一和第二引线连接到二传感器，用于将垂直于传感器中的各层的主薄膜平面的传感电流传导通过传感器。
35.如权利要求所述33的制造读磁头的方法，包含：
按照非磁性导电隔形成第一和第二传感器中的每一分隔层；以及
将第一和第二引线连接到二传感器，用于将平行于传感器中的各层的主薄膜平面的传感电流传导通过传感器。
36.一种制造磁头组件的方法，该磁头组件具有空气支承面(ABS)，该方法包含的步骤有：
制造写磁头，其包含的步骤有：
在极尖端、磁轭和背面间隙区域之间形成铁磁性第一和第二极靴层，其中该磁轭区域位于在极尖端和背面间隙区域之间；
在极尖端区域的第一和第二极靴层之间形成非磁性非导电性写入间隙层；
在磁轭区域中的第一和第二极靴层之间形成一绝缘叠层，其中嵌入至少一个线圈层；以及
将第一和第二极靴层在所述背面间隙区域连接；以及
制造读磁头，包含步骤有：
制造第一传感器，其包含的步骤有：
形成一具有磁矩的铁磁性锁定层结构，；
形成一锁定层，其交换耦合到该锁定层结构，用于锁定该锁定层结构的磁矩；
形成一自由层；以及
在自由层和锁定层结构之间形成一分隔层；
制造第二传感器，包含的步骤有：
形成一具有磁矩的铁磁性锁定层结构；
形成一锁定层，其交换耦合到该锁定层结构，用于锁定该锁定层结构的磁矩；
形成一自由层；以及
在自由层和锁定层结构之间形成一分隔层；
形成一磁轭，其具有第一和第二支臂，它们在磁头内部与ABS的距离为d1的一个位置相互连接，其中第一和第二支臂分别具有第一和第二端部边缘，该第一和第二边缘位于在ABS，彼此隔开距离为d2；
形成第一和第二支臂，分别具有第一和第二分隔部，该第一和第二分隔部位于在ABS和距离d1之间，该第一和第二分隔部消除第一和第二支臂的各支臂部分的磁和电联系；
将第一传感器磁和电联系到跨越所述第一分隔部的第一支臂，以及将第二传感器磁和电联系到跨越所述第二分隔部的第二支臂；以及
形成具有磁矩的第一传感器的锁定层结构，形成具有磁矩的第二传感器的锁定层结构，其中第一和第二传感器的锁定层结构的磁矩彼此反向平行。
37.如权利要求所述36的制造磁头组件的方法，包含：
形成铁磁性第二屏蔽层；以及
在第二屏蔽层和第一极靴层之间形成非磁性隔离层。
38.如权利要求所述36的制造磁头组件的方法，其中形成第二传感器中的第二锁定层结构，其步骤包含：
形成铁磁性第一和第二反向平行(AP)锁定层，第一AP锁定层和第二传感器中的锁定层对接，第二AP锁定层和第二传感器中的分隔层对接；以及
在第一和第二AP锁定层之间形成一反向平行(AP)耦合层并与之对接。
39.如权利要求所述38的制造磁头组件的方法，其特征在于，形成距离d2，使之等于沿磁盘中的一磁道的各磁迹之间的距离。
40.如权利要求所述38的制造磁头组件的方法，包含：
按照非磁性电绝缘层形成第一和第二传感器中的每一分隔层；以及
将第一和第二引线连接到二传感器，以便将垂直于传感器中的各层的主薄膜平面的传感电流传导通过传感器。
41.如权利要求所述38的制造磁头组件的方法，包含：
按照非磁性导电隔层形成第一和第二传感器中的每一分隔层；以及
将第一和第二引线连接到二传感器，以便将平行于传感器中的各层的主薄膜平面的传感电流传导通过传感器。
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