CN1346061A - 一种制作微透镜列阵的方法 - Google Patents

一种制作微透镜列阵的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1346061A
CN1346061A CN 00116117 CN00116117A CN1346061A CN 1346061 A CN1346061 A CN 1346061A CN 00116117 CN00116117 CN 00116117 CN 00116117 A CN00116117 A CN 00116117A CN 1346061 A CN1346061 A CN 1346061A
Authority
CN
China
Prior art keywords
lens array
micro lens
mask
manufacturing
binary
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN 00116117
Other languages
English (en)
Other versions
CN1125352C (zh
Inventor
陈波
曾红军
杜春雷
郭履容
潘丽
邓启凌
周礼书
邱传凯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Institute of Optics and Electronics of CAS
Original Assignee
Institute of Optics and Electronics of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Institute of Optics and Electronics of CAS filed Critical Institute of Optics and Electronics of CAS
Priority to CN 00116117 priority Critical patent/CN1125352C/zh
Publication of CN1346061A publication Critical patent/CN1346061A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1125352C publication Critical patent/CN1125352C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
  • Optical Head (AREA)

Abstract

本发明公开了一种制作微透镜列阵的方法。该方法包含设计、制作二元掩模,将掩模经光学系统投影在光刻材料上,在曝光过程中移动掩模,刻蚀、复制等步骤。该方法克服了二元光学方法、激光直写技术、光刻热熔法等方法存在的缺陷和上述方法在制作大面积、大深度的连续浮雕微透镜列阵时的工艺困难。与上述方法比较,本发明制作工序少、生产成本低、生产的连续浮雕微透镜列阵成像质量好。故该方法可推广应用于高质量的微透镜列阵批量生产。

Description

一种制作微透镜列阵的方法
本发明涉及一种制作微透镜列阵的方法。
随着微透镜列阵在许多科学领域日益重要和广泛的应用,很多科技工作者致力于研究微透镜列阵的制作方法。目前虽然有一些微透镜列阵的制作方法,如二元光学方法、激光直写技术、光刻胶熔融法、激光诱导刻蚀和生长方法等,但这些方法都存在一定缺陷。
二元光学方法主要利用微电子技术中的VLSA工艺,在光学元件表面刻蚀出二元多台阶结构,形成二元微透镜列阵。理论上二元台阶级数越多衍射效率越高,但制作难度也加大,需要进行多次掩模套刻,工艺过程繁琐复杂,随之的制作误差又将导致元件的衍射率降低。而且该方法制作的二元透镜列阵还存在严重的衍射色差问题,通常只适用于单色或波长范围很窄的系统。因此这种方法的限制性很大。
激光直写技术利用连续光强输出激光直写系统的聚焦光束在光刻材料表面逐点曝光,曝光后的光刻材料经显影过程将连续的曝光分布转化为微透镜列阵的微浮雕结构。该方法的缺陷在于设备昂贵复杂,曝光时间较长,一般为十几小时乃至几十小时。并且由于激光聚焦光斑有一定的大小(约1μm),激光直写方式本质上是量化的;另一方面,由于聚焦光斑随深度增加逐渐离散,激光直写系统不能直接制作较大浮雕深度的连续浮雕微透镜列阵(深度不能超过几个微米)。
光刻热熔法通过二元掩模在光刻胶上曝光,经显影得到圆柱形小岛列阵,然后在一定温度下进行烘烤,使光刻胶处于熔融状态,每个圆柱形小岛由于流体自身的表面张力成近似球冠而形成微透镜单元。这种方法的缺陷在于为保证熔融状态的光刻胶不相连接,要求微透镜单元之间有一定的间隙,因此该方法制作的微透镜列阵单元之间存在大量的死区,这部分能量不仅不能利用,还会产生背景噪声。此外,热熔法制作的微透镜表面形貌不能控制,也不能制作小数值孔径的微透镜列阵。
本发明的目的在于克服现有技术的不足而提供一种快速有效的、制作大面积大深度微透镜列阵的方法—移动掩模法。
本发明的目的可通过以下步骤完成:
1、按照制作的微透镜列阵要求设计、制作二元掩模;
2、将二元掩模经光学系统投影在光刻材料上;
3、曝光,在曝光过程中移动掩模;
4、对光刻材料进行刻蚀;
5、复制。
本发明与现有技术相比有以下优点:
用该方法可以制作各种单元尺寸(几微米到几百微米)、各种数值孔径(0.01~0.3)、面积最大为100mm×100mm(进一步可达到400mm×400mm)的连续浮雕微透镜列阵,其表面粗糙度的Ra值小于10nm。
由于该方法能制作的微透镜列阵具有连续表面形貌,克服了二元光学方法的缺陷,消除了衍射色差,能够对宽带光波进行聚焦利成像。并且不需要套刻,彻底消除了多掩模套刻引入的套刻误差,衍射效率高于二元光学微透镜列阵。
该方法所需的曝光时间极短(十几秒),比激光直写方法所需曝光时间少二至三个数量级,并且不需购置昂贵的设备,节约了制作和生产成本。同时,该方法能够制作大面积和大深度的微透镜列阵。
该方法制作的连续浮雕微透镜列阵,其组成微透镜列阵的微透镜单元之间不存在死区,故具有接近100%的填充因子、良好的表面形貌和成像性能。
由于以上优点,该方法可推广应用于高质量的微透镜列阵的批量制作和生产。
下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明。
图1为本发明实施例1制作的微透镜列阵的一个透镜单元截面的表面曲线。
图2是本发明实施例1制作的微透镜列阵单个透镜成像的爱里斑。
图3为本发明实施例2制作的微透镜列阵的一个透镜单元截面的表面曲线。
图4是本发明实施例3制作的连续浮雕微透镜列阵的干涉显微照片。
实施例1是利用本发明制作一个小数值孔径微透镜列阵。根据实施例1所制作的微透镜列阵的纵向深度远小于横向宽度的要求,设计、制作二元掩模;并将二元掩模经光学系统投影在光刻材料上;然后曝光,并在曝光过程中移动掩模;再经过对光刻材料进行刻蚀,复制等制作步骤,得到小数值孔径微透镜列阵。该微透镜列阵的单元透镜尺寸400μm×400μm,N.A.数为0.017。图1中所示为实施例1制作的连续浮雕微透镜列阵一个透镜单元的截面的表面曲线,其横向深度为3.3μm,对角线深度为6.2μm。
图2是实施例1制作的微透镜列阵的单个透镜成像的爱里斑,主极大的横向宽度为38μm,接近衍射极限值37.2μm。
实施例2是利用本发明制作一个大数值孔径微透镜列阵。在单元大小固定的情况下,微透镜列阵的数值孔径越大,所需的刻蚀深度也越大。经过下列步骤:设计、制作微透镜列阵二元掩模;将二元掩模经光学系统投影在光刻材料上;曝光,在曝光过程中移动掩模;对光刻材料进行刻蚀和复制,完成大数值孔径微透镜列阵的制作。图3是实施例2制作的数值孔径为0.1,单元尺寸500μm,浮雕深度23μm的柱面透镜的表面曲线。
实施例3是利用本发明制作一个小单元尺寸微透镜列阵。首先,设计、制作二元掩模;然后将二元掩模经光学系统投影在光刻材料上进行曝光,并在在曝光过程中移动二元掩模;再经过对光刻材料进行刻蚀和复制等步骤,完成小单元尺寸微透镜列阵的制作。该微透镜列阵的透镜单元尺寸50μm×50μm,横向深度0.6μm,纵向深度1.2μm。图4是实施例3制作的连续浮雕微透镜列阵的干涉显微照片。

Claims (1)

1、一种制作微透镜列阵的方法,其特征在于包括下列步骤:(1)按照制作的微透镜列阵要求设计、制作二元掩模;(2)将二元掩模经光学系统投影在光刻材料上;(3)曝光,在曝光过程中移动二元掩模;(4)对光刻材料进行刻蚀;(5)复制。
CN 00116117 2000-09-25 2000-09-25 一种制作微透镜列阵的方法 Expired - Fee Related CN1125352C (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 00116117 CN1125352C (zh) 2000-09-25 2000-09-25 一种制作微透镜列阵的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 00116117 CN1125352C (zh) 2000-09-25 2000-09-25 一种制作微透镜列阵的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1346061A true CN1346061A (zh) 2002-04-24
CN1125352C CN1125352C (zh) 2003-10-22

Family

ID=4585537

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 00116117 Expired - Fee Related CN1125352C (zh) 2000-09-25 2000-09-25 一种制作微透镜列阵的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN1125352C (zh)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100343698C (zh) * 2003-05-29 2007-10-17 中国科学院光电技术研究所 一种连续深浮雕非球面微透镜阵列制作方法
CN100371738C (zh) * 2004-05-24 2008-02-27 中国科学院光电技术研究所 半色调掩模光刻热熔成形微透镜阵列方法
CN100451734C (zh) * 2004-05-24 2009-01-14 中国科学院光电技术研究所 人眼高阶像差矫正方法
CN100493894C (zh) * 2005-10-20 2009-06-03 南京大学 聚合物表面的亚微米和微米微透镜阵列的制备方法
CN1552589B (zh) * 2003-05-29 2010-05-05 中国科学院光电技术研究所 连续微透镜列阵放大显示防伪方法
CN101192000B (zh) * 2007-11-15 2010-06-02 中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所 中心对称连续微结构衍射元件掩模的制作方法
CN101126897B (zh) * 2007-08-31 2011-06-29 中国科学院光电技术研究所 一种基于微透镜阵列的连续面形微结构成形方法
CN102141639A (zh) * 2011-04-18 2011-08-03 南昌航空大学 一种基于数字掩模光刻技术制作微透镜阵列的方法
CN102540284A (zh) * 2012-02-07 2012-07-04 中国科学院光电技术研究所 基于负性光刻胶和掩膜移动曝光工艺的微透镜阵列制备方法
CN102785025A (zh) * 2012-06-21 2012-11-21 西安交通大学 利用飞秒激光增强化学刻蚀制备大规模微透镜阵列的方法
CN101317105B (zh) * 2005-11-30 2013-11-06 意法半导体(胡希)公司 包含高填充率的微透镜阵列的互补型金属氧化物半导体成像器

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101718952B (zh) * 2009-12-25 2012-04-18 中国科学院光电技术研究所 基于移动编码掩模原理制备多层浮雕结构复合膜层的方法

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100343698C (zh) * 2003-05-29 2007-10-17 中国科学院光电技术研究所 一种连续深浮雕非球面微透镜阵列制作方法
CN1552589B (zh) * 2003-05-29 2010-05-05 中国科学院光电技术研究所 连续微透镜列阵放大显示防伪方法
CN100371738C (zh) * 2004-05-24 2008-02-27 中国科学院光电技术研究所 半色调掩模光刻热熔成形微透镜阵列方法
CN100451734C (zh) * 2004-05-24 2009-01-14 中国科学院光电技术研究所 人眼高阶像差矫正方法
CN100493894C (zh) * 2005-10-20 2009-06-03 南京大学 聚合物表面的亚微米和微米微透镜阵列的制备方法
CN101317105B (zh) * 2005-11-30 2013-11-06 意法半导体(胡希)公司 包含高填充率的微透镜阵列的互补型金属氧化物半导体成像器
CN101126897B (zh) * 2007-08-31 2011-06-29 中国科学院光电技术研究所 一种基于微透镜阵列的连续面形微结构成形方法
CN101192000B (zh) * 2007-11-15 2010-06-02 中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所 中心对称连续微结构衍射元件掩模的制作方法
CN102141639A (zh) * 2011-04-18 2011-08-03 南昌航空大学 一种基于数字掩模光刻技术制作微透镜阵列的方法
CN102540284A (zh) * 2012-02-07 2012-07-04 中国科学院光电技术研究所 基于负性光刻胶和掩膜移动曝光工艺的微透镜阵列制备方法
CN102540284B (zh) * 2012-02-07 2013-11-20 中国科学院光电技术研究所 基于负性光刻胶和掩膜移动曝光工艺的微透镜阵列制备方法
CN102785025A (zh) * 2012-06-21 2012-11-21 西安交通大学 利用飞秒激光增强化学刻蚀制备大规模微透镜阵列的方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN1125352C (zh) 2003-10-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1125352C (zh) 一种制作微透镜列阵的方法
US6835535B2 (en) Microlens arrays having high focusing efficiency
EP0690028B1 (en) Process for producing micro lens
TW458835B (en) Laser machining apparatus
DE69531644T2 (de) Projektionsbelichtungsgerät und Herstellungsverfahren für eine Mikrovorrichtung
CN109061780B (zh) 一种双波长同轴独立聚焦的超表面透镜
TWI395978B (zh) 光學元件與製造光學元件的方法
CN111007587B (zh) 一种全介质、宽带偏振与相位调控超表面及远场超分辨聚焦器件
US8728719B2 (en) Diffractive laser beam homogenizer including a photo-active material and method of fabricating the same
KR20080046610A (ko) 레이저 광학 장치
CN101007367A (zh) 微细结构体的制造方法、制造装置及设备
KR20040068694A (ko) 마이크로 렌즈 어레이의 제조방법
CN111999902B (zh) 一种飞秒激光双光子加工装置
CN112859534A (zh) 一种基于边缘光抑制阵列的并行直写装置和方法
EP2287643B1 (en) Diffractive laser beam homogenizer including a photo-active material and method of fabricating the same
US6373633B1 (en) Shaping irradiance profiles using optical elements with positive and negative optical powers
US7052806B2 (en) Exposure controlling photomask and production method therefor
CN109343162A (zh) 基于超透镜的激光直写装置及其激光直写方法
JP3455966B2 (ja) 露光用マスク
EP0368482A1 (en) Method of making a product with a feature having a multiplicity of fine lines
US7092165B2 (en) Microlens arrays having high focusing efficiency
CN102681170A (zh) 一种制作阵列部分环带光子筛匀光器的方法
US7307693B2 (en) Illumination optical device, photolithography machine, and exposure method
CN112987511A (zh) 一种基于超透镜阵列的激光并行直写装置及方法
TW200411330A (en) Method of forming optical images, diffraction element for use with this method, apparatus for carrying out this method and process for manufacturing a device using this method

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C19 Lapse of patent right due to non-payment of the annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee