CN1311350A - 导电膜蚀刻剂及蚀刻方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种导电膜蚀刻剂及蚀刻方法,其特征在于它由盐酸、增稠剂、增塑剂、消泡剂和水组成,通过化学反应使导电膜的In⁺³和Sn⁺⁴被盐酸溶解,用丝网印刷方法,蚀刻出电极图形,再经冲洗处理即可,该产品蚀刻的电极图形清晰,无污染,提高了电子制产品质量和性能。

Description

导电膜蚀刻剂及蚀刻方法

本发明涉及一种导电膜蚀刻剂，用于制造电子产品的电极图形，特别适用于制作弱光型非晶硅电池的透明电极的电极图形。

本发明还涉及刻蚀剂的蚀刻方法。

导电膜是由SnIno₂制作的导电材料，溅射在玻璃板成膜，过去制作弱光型非晶硅电池的电极图形是用耐酸油墨，通过丝网印刷覆盖在导电膜上，未覆盖的部分用盐酸溶解，覆盖部分保留下来即为电极图形，其缺点是制作的电极图形线条不清晰，外观不整洁，电极导电膜易污染，成本高。

本发明的目的正是为了克服上述已有技术的缺点与不足，而提供一种通过化学反应采用印刷的方法的一种导电膜蚀刻剂，从而可得到优良的电极图形，提高产品质量。

本发明的另一目的是提供刻蚀剂的蚀刻方法。

本发明的技术是利用导电膜的SnIno₂可与盐酸迅速反应的原理而研制的蚀刻剂。其化学反应为 ，再加入一些辅助材料制成涂料式的蚀刻剂。

本发明目的是通过下列技术方案实现的：

导电膜蚀刻剂，其特征在于它是由下述重量配比的原料制成的涂料：

盐酸   20-30份

增稠剂 0.2-50份

增塑剂 8-12份

消泡剂 3-4份

水     80-90份。

增稠剂是甲基纤维素、羟丙基纤维素、羟甲基纤维素、黄原胶、淀粉其中任意一种。

增塑剂是邻苯二甲酸二甲酯、癸二酸二丁酯、乙二酸二辛酯、磷酸三甲酚酯其中的任意一种。

消泡剂是十四醇、乙二醇壬醚、B173、NoPco.600B、磷酸三丁酯其中任意一种。

本发明的蚀刻剂的刻蚀方法为：将蚀刻剂用屏蔽网制成图形用丝印的方法印在导电膜上，放入空气中自然反应，时间为2小时，或放入烘箱内烘烤，其温度为60℃±2，时间3-5分钟即可蚀刻导电膜，然后在清水中冲洗或浸泡4小时，即刻蚀成透明的电极图形。

由于采取上述技术方案，使本发明技术与已有技术相比具有如下优点及效果：

a)本发明的蚀刻剂具有溶解速度快、蚀刻线条清晰，外观整洁，一致性好，不损伤导电膜，不污染导电膜表面，从而可提高电子产品的质量和性能；

b)蚀剂剂组方简单，配方合理科学，产品成本低，气味小，污染小；

c)蚀刻方法简单，省工省力，适用范围广。

实施例1：

取盐酸20g，甲基纤维素0.2g，邻苯二甲酸二甲酯12g，十四醇3g，水80g，将上述原料依次加入容器内经搅拌制成本发明的蚀刻剂。

实施例2：

取盐酸25g，羟丙基纤维素0.5g，癸二酸二丁酯10g，乙二醇壬醚4g，水25g，将上述原料依次加入容器内经搅拌制成本发明的蚀刻剂。

实施例3：

取盐酸30g，羟甲基纤维素1.0g，乙二酸二辛酯11g,B1733g，水90g，将上述原料依次加入容器内经搅拌制成本发明的蚀刻剂。

实施例4：

取盐酸22g，黄原胶20g，磷酸三甲酚酯10g,NoPco.600B4.5g，水88g，将上述原料依次加入容器内经搅拌制成本发明的蚀刻剂。

实施例5：

取盐酸28g，淀粉50g，磷酸三甲酚酯8g，磷酸三丁酯3.5g，水85g。将上述原料依次加入容器内经搅拌制成本发明的蚀刻剂。

用实施例1蚀刻剂对4个单元电池组成的外联弱光型非晶硅光电池的透明电极图形时，把屏蔽网作成外联形状，通过丝印方法，把它印在沉积有导电膜的玻璃上，在涂有蚀刻剂的部分即被溶解，未溶解部分即保留下来，成为电极图形。

Claims (5)

1、导电膜蚀刻剂，其特征在于它是由下述重量配比的原料制成的涂料：

盐酸   20-30份

增稠剂 0.2-50份

增塑剂 8-12份

消泡剂 3-4份

水     80-90份。

2、根据权利要求1所述的蚀刻剂，其特征在于所述的增稠剂是甲基纤维素、羟丙基纤维素、羟甲基纤维素、黄原胶、淀粉其中任意一种。

3、根据权利要求1所述的蚀刻剂，其特征在于所述的增塑剂是邻苯二甲酸二甲酯、癸二酸二丁酯、乙二酸二辛酯、磷酸三甲酚酯其中的任意一种。

4、根据权利要求1所述的蚀刻剂，其特征在于所述的消泡剂是十四醇、乙二醇壬醚、B173、NoPco/600B、磷酸三丁酯其中任意一种。

5、如权利要求1所述的蚀刻剂的蚀刻方法，其特征在于将蚀刻剂用屏蔽网制成图形用丝印的方法印在导电膜上，放入空气中自然反应，时间为2小时，或放入烘箱内烘烤，其温度为60℃±2，时间3-5分钟即可蚀刻导电膜，然后在清水中冲洗或浸泡4小时，即刻蚀成透明的电极图形。