CN1294385A - 一种用以规划多个储存单元中的一特定储存单元的方法 - Google Patents

Abstract

一种用以规划多个储存单元中的一特定储存单元的方法,该多个储存单元格式化于一记录载体上,如CD－R、CD－RW或MO－disk等该方法包含对该特定储存单元的预形成沟槽内的绝对时间(ATIP)码所发生的ATIP码错误率作判定,及对该特定储存单元的反射信号的谷值作判定,依据判定结果,或决定一信息记录装置将形成一组信息图案于该特定储存单元上所需的最佳写录设定,或该特定储存单元被标示为不可写录。借此,该记录载体的所有储存单元可充分并适当地被规划,和具有读取的高可靠度。

Description

一种用以规划多个储存单元中的一 特定储存单元的方法

本发明是关于一记录载体(record carrier)的写录策略(record strategy)，该记录载体可以是例如一可写式光盘(如CD-R、CD-RW)，或是磁性光盘(MO-disk)等。特别地，本发明所提供的写录策略是一种用以规划多个储存单元中的一特定储存单元的方法。其应用预形成沟槽内的绝对时间(absolutetime in pregroove，ATIP)码所发生的ATIP码错误率以及反射信号的谷值作为判定，来决定可写录与否，以及于写录时所需的最佳写录设定(optimum recordsetting)。

现今记录载体，例如可写式光盘(如CK-R、CD-RW)、磁性光盘(MO-disk)等，其写录策略通常是先在该记录载体上形成一摇摆沟槽(wobbled groove)，借助由该沟槽来提供一信息记录装置(information record device)(例如光盘烧录机)对该记录载体进行读取或写录信息的依据。关于记录载体(如可写式光盘)应用预形成沟槽(pregroove)及ATIP码的写录策略的相关前案请参考美国专利第5，226，027号，以及Philip公司于1997年所出版的“Compact DiscRecordable System Description”(橘皮书，第三版)，其详细技术内容在此不作赘述。

然而，先前技术应用预形成沟槽及ATIP码等技术作为写录策略参考的记录载体，其在写录时仍常发生错误中断的情形，致使该记录载体于写录后其部分存有信息的储存单元甚至整个记录载体无法使用。

记录载体的储存单元无法写录成功的原因经归纳多为该记录载体本身具有缺陷或其遭受刮伤、污染等，而于写录程序之前未能将造成无法写录的因素事先成功地检测出来。记录载体(如可写式光盘)的储存单元无法成功写录的原因兹提列如下：

于该记录载体制造时：(1)ATIP码标记错误；(2)发生不符合橘皮书规范的错误；于该记录载体制造完成之后：(3)用来制造该记录载体的基板遭受刮伤；(4)记录载体遭受指印(finger print)、灰尘、污迹等污染；(5)记录载体的反射层遭受刮伤。

上述原因(1)及原因(2)是为影响记录载体制造品质的良窳的主要原因。其中造成记录载体缺陷的原因(2)，主要是记录载体于制造时其材料及程序控制上的问题，于记录载体制造完后较不易由记录载体表面的反射信号将其判断出来。然而以检测ATIP码的错误率的方法，将可检测出涵盖上述原因(1)及原因(2)造成的缺陷，而且ATIP码的错误率的检测很容易由现行的系统稍作改善即可达成，故可作为应用ATIP码的记录载体品质的指标。

上述于记录载体制造完成后因刮伤、污染等造成记录载体的储存单元无法写录成功的原因((3)、(4)及(5))，则可借助由读取记录载体表面的反射信号来将其检测出来。

因此本发明的一目的是提供应用预形成沟槽及ATIP码技术的记录载体一种写录策略。即，提供一种用以规划多个储存单元中的一特定储存单元的方法。该写录策略可以事先成功地检测出造成记录载体的储存单元无法写录的原因，进而避开造成无法写录的缺陷、刮伤、污染等区域，以达成记录载体的储存单元的完善写录规划。

本发明的另一目的是在不更动现行用以读／写一记录载体的信息记录装置的架构的前提下，应用检测ATIP码的错误率及检测记录载体表面的反射信号，即可提供记录载体一具高可靠度的写录策略。

先前技术应用预形成沟槽及ATIP码等技术作为写录策略参考的记录载体，其在写录时仍常发生错误中断的情形，致使该记录载体于写录后其部分存有信息的储存单元甚至整个记录载体无法使用。

本发明的一目的是提供应用预形成沟槽及ATIP码技术的记录载体的一种写录策略。即，提供一种用以规划多个储存单元中的一特定储存单元的方法。该写录策略可以事先成功地检测出造成记录载体的储存单元无法写录的原因，进而避开造成无法写录的缺陷、刮伤、污染等区域，以达成记录载体的储存单元的完善写录规划。

本发明的另一目的是在不更动现行用以读／写一记录载体的信息记录装置的架构的前提下，应用检测ATIP码的错误率(或错误数目)及检测记录载体表面的反射信号，即可提供记录载体一具高可靠度的写录策略。

根据本发明的一第一较佳具体实施例，提供了一种应用检测ATIP码出现的错误数目来规划多个储存单元中的一特定储存单元的方法，该多个储存单元是格式化于一记录载体上，并且该记录载体具有一预先形成的沟槽。该信息记录装置的写录设定被区分为第一至第N共N个接续阶段，N为一自然数。该N个阶段中的每一阶段皆提供该信息记录装置一参考写录速度(S₁～S_N)以及一参考写录功率(P₁～P_N)。N个依序分别对应至该N个阶段的接续的错误数目范围被设立，以提供该信息记录装置决定写录速度及写录功率之用。判断关于该特定储存单元的ATIP码发生错误码的数目若落于该N个接续错误数目范围中对应至第Ⅰ阶段的范围内，则决定该信息记录装置将形成信息图案于该特定储存单元上所需的写录速度(S)及写录功率(P)分别为该第Ⅰ阶段所提供的参考写录速度(S₁)及参考写录功率(P₁)。

根据本发明的一第二较佳具体实施例，提供了一种应用检测ATIP码出现的错误数目以及检测记录载体表面的反射信号来规划多个储存单元中的一特定储存单元的方法，该多个储存单元是格式化于一记录载体上，并且该记录载体具有一预先形成的沟槽。该信息记录装置的写录设定是被区分为第一至第N共N个接续阶段，N为一自然数。该N个阶段中的每一阶段皆提供该信息记录装置一参考写录速度(S₁～S_N)以及一参考写录功率(P₁～P_N)。N个依序分别对应至该N个阶段的接续的错误数目范围以及N个依序分别对应至该N个阶段的接续的反射信号范围被设立，以提供该信息记录装置决定写录速度及写录功率之用。判断关于该特定储存单元的ATIP码发生错误码的数目若落于该N个接续错误数目范围中对应至第Ⅰ阶段的范围内，并且关于该特定储存单元的反射信号的谷值若落于该N个接续反射信号范围中对应至第J个阶段的范围内，则选择该第Ⅰ阶段及该J阶段中较高的阶段，并且决定该信息记录装置将形成信息图案于该特定储存单元上所需的写录速度(S)及写录功率(P)分别为该所谓较高阶段所提供的参考写录速度及参考写录功率。

根据本发明的一第三较佳具体实施例，提供了一种应用检测ATIP码出现的错误率(E)来规划多个储存单元中之一特定储存单元的方法，该多个储存单元是格式化于一记录载体上，并且该记录载体具有一预先形成的沟槽。该信息记录装置的写录设定被区分为第一至第N共N个接续阶段，N为一自然数。该N个阶段中的每一阶段皆提供该信息记录装置一参考写录速度(S₁～S_N)以及一参考写录功率(P₁～P_N)。从第一至第N阶段，每一阶段给定一随阶段逐渐升高的错误率阀值(threshold error rate)。该方法是将关于该特定储存单元的ATIP码所发生的ATIP码错误率与从第一阶段至第N阶段的错误阀值作比较，直到关于该特定储存单元的ATIP码所发生的ATIP码错误率低于该N个阶段中于第Ⅰ阶段的错误率阀值，其中I是为1至N范围中之一整数指标。如果该第Ⅰ阶段不成立，则标示该特定储存单元为不可写录。如果该第Ⅰ阶段成立，则决定该信息记录装置将形成该组信息图案于该特定储存单元上所需的写录速度及写录功率分别为该第Ⅰ阶段所提供的参考写录速度(S_I)及参考写录功率(P_I)。

根据本发明的一第四较佳具体实施例，提供了一种应用检测ATIP码出现的错误率(E)来规划多个储存单元中之一特定储存单元的方法，该多个储存单元是格式化于一记录载体上，并且该记录载体具有一预先形成的沟槽。该信息记录装置的写录设定被区分为第一至第N共N个接续阶段，N为一自然数。该N个阶段中的每一阶段皆提供该信息记录装置一参考写录速度(S₁～ S_N)以及一参考写录功率(P₁～P_N)。从第一至第N阶段，每一阶段给定一随阶段逐渐升高的错误率阀值(threshold error rate)以及一随阶段逐渐降低的反射信号阀值(threshold reflected signal)。该方法是将关于该特定储存单元的ATIP码所发生的ATIP码错误率与从第一阶段至第N阶段的错误阀值作比较，直到关于该特定储存单元的ATIP码所发生的ATIP码错误率低于该N个阶段中于第Ⅰ阶段的错误率阀值，其中I是为1至N范围中之一整数指标。如果该第Ⅰ阶段不成立，则标示该特定储存单元为不可写录。如果该第Ⅰ阶段成立，则将关于该特定储存单元的反射信号的谷值(R_valley)与从第Ⅰ阶段至第N阶段的反射信号阀值作比较，直到关于该特定储存单元码的反射信号的谷值高于第J阶段的反射信号阀值，其中J是为I至N范围中之一整数指标。如果该第J阶段不成立，则标示该特定储存单元为不可写录。如果该第J阶段成立，则决定该信息记录装置将形成该组信息图案于该特定储存单元上所需的写录速度及写录功率分别为该第J阶段所提供的参考写录速度(S_J)及参考写录功率(P_J)。

关于本发明的技术特征与优点可以借助由以下的发明详述及参考附图得到进一步的了解。

附图简要说明：

图1是揭示可应用本发明的一用以读／写一记录载体的信息记录装置的架构；

图2是揭示根据本发明的第一较佳具体实施例的流程图；

图3是揭示根据本发明的第二较佳具体实施例的流程图；

图4是揭示根据本发明的第三较佳具体实施例的流程图；

图5是揭示根据本发明的第四较佳具体实施例的流程图；

请参见图1所示，于图1中所揭露的是为一可应用本发明的信息记录装置1的构成与电子元件示意图。在此说明例中，该记录装置1所属的形态是为可将一具备标准CD格式或是RDAT格式的信号以光学方式记录在一光学记录载体116上的形态。该光学记录载体116可以为提供例如由一相位变化材料或是一染料所组成的辐射感应层的形态，该光学记录载体116并已提供一伺服循轨(servo track)，用以协助记录信息图案。

上述记录载体通常具有一循轨调制(track-modulation)，而该循轨调制经常是以一摇摆循轨(track-wobble)的形式执行，亦即于该记录载体上预先形成一摇摆沟槽作为该摇摆循轨之用。于该摇摆循轨中，频率是被调制成与一地址信号一致，该地址信号是代表ATIP码形式的地址。一惯用形态的光学读／写头105是被安置于该记录载体116的反面，该记录载体116是绕着一轴102旋转，而该读／写头105是可借助由一惯用形态的定位装置沿着相对该记录载体116的一径向移动。如图1所示，该定位装置的实施例可以由一马达103以及一主轴104所组成。如果功能上需要，该读／写头105可以被用来记录信息图案，并且可以被用来读取信息图案。为了达成上述该读／写头105所需的功能，该读／写头105包含一半导体激光器106，用以产生一辐射束107a，该辐射束107a的强度可借助由一驱动器电路107作改变。在已知的方法中，该辐射束107a是瞄准该记录载体116的伺服循轨。该辐射束107a会被该记录载体116部分反射回来，被反射的辐射束被调制成与该摇摆循轨一致，并且如果一信息图案存在，亦调制成与该信号图案一致。被反射的辐射束被直接传送至一对辐射感应的检测器108a，该检测器108a产生一对应该辐射调制的读取信号V1。该读取信号V1包含一由该摇摆循轨所产生的分量并且具有几近22KHz理论扫描速度的频率。借助由一马达控制电路108来控制该马达100的马达速度，致使该读取信号V1由摇摆循轨所产生的分量的频率大体上维持在22KHz。该马达100是与一旋转台101构成驱动该记录载体116绕着该轴102旋转的装置。该读取信号V1并且被加载至一检测电路109，该检测电路109是从该读取信号V1由摇摆循轨所产生的分量推导出ATIP码，并且加载ATIP码至一控制单元。在一实施例中，该控制单元包含一微处理器110。并且，该读取信号V1被加载至一放大电路111，该放大电路111具有一高通(high pass)的特征，以便拒绝该读取信号Ⅵ中由摇摆循轨所产生的信号分量。低频分量已经被移除后的读取信号V1随即被加载至该分析电路65，该分析电路65则指出被读取的信息图案的品质的好坏。该分析电路的一实例将于下文中作一详细描述。在该分析电路65的输出上的分析信号Va亦被加载至该微处理器110。该记录装置进一步包含一惯用的CIRC(crossinterleaved Reed-Solomon codes)编码电路112，该欲被记录的信号Vi可借助由一开关115加载至该CIRC编码电路112。该开关115是由该微处理器110所控制。该CIRC编码电路112是被安置与一传统的EFM调制器113串联。该EFM调制器113本身具有连接至该驱动器电路107的输出。该驱动器电路107是为一惯用的并且可控制的形态，借助由该驱动器电路107，影响被记录信息图案品质的参数可以被调整。举例来说，上述的参数之一可以是在信息图案形成期间该辐射束的强度。在上述所举的例子中，该信息图案随后被以具有固定持续时间的辐射脉冲来形成，而辐射脉冲的持续时间可以是一影响信息图案品质的重要的参数。在以磁光方式记录的例子中，产生于被辐射束扫描的记录载体区域内的磁场强度可以是一重要的参数。为了达成产生一测试图案的目的，该记录装置1可以包含一测试信号产生器114，该测试信号产生器114产生例如一随机数字信号或是产生一对应数字信号值为零(数字沈静)的信号。然而，原则上须注意该信息信号亦可以被用来形成测试图案。由该信号产生器114所产生的信号系被借助由该开关115加载至该CIRC编码电路112。该开关115是为一惯用形态的开关，其依据来自该控制单元110的控制信号，或传送信号Vi去记录，或传送该信号产生器114的输出信号此外，为了能检测到该读取信号Vi中的高频分量，该记录装置1并且包含一设置于在读写头105与微处理器110之间的高频检测器120。

本发明是应用检测ATIP码的错误率(或错误数目)来事先成功地检测出造成记录载体的储存单元无法写录的原因，进而避开造成无法写录的缺陷、刮伤、污染等区域，以达成记录载体的储存单元的完善写录规划。进一步，为了提升检测出造成记录载体的储存单元无法写录的原因的成功率，并且提升于可写录的储存单元区域所写录信息图案于读取时的可靠度，除了应用检测ATIP码的错误率(或错误数目)外，本发明并且应用检测记录载体表面的反射信号来检测出造成记录载体的储存单元无法写录的原因。以下将以规格化于记录载体上的多个储存单元当中之一特定储存单元作为说明实施例时的参考标的，以便清楚地指出本发明的构思与特征。

根据本发明的第一较佳具体实施例的步骤流程揭示于图2。该第一较佳具体实施例是应用检测ATIP码的错误数目来规划多个储存单元中之一特定储存单元，该多个储存单元是格式化于一具有一预先形成的沟槽的记录载体上。借此，或是决定一信息记录装置将形成一组信息图案于该特定储存单元上所需的最佳写录设定，或将该特定储存单元标示为不可写录。其中该信息记录装置的写录设定依照写录速度被区分为第一至第N共N个接续阶段(stage)，N为一自然数。该N个阶段中的每一阶段皆提供该信息记录装置一参考写录速度(S₁～S_N)以及一参考写录功率(P₁～P_N)。随着阶段升高，该记录装置的写录速度随之调降，以尝试提高该信息记录装置成功写录信息图案的机率。该方法的流程步骤详述如下。

步骤20为开始。接续的步骤21是对该特定储存单元进行扫描。步骤22是读取标记于该沟槽位于该特定储存单元内的部分的预形成沟槽内的ATIP码，并且对该ATIP码中所出现的错误码进行计数。接续的步骤23是借助由N个接续并且依序分别对应至该N个阶段的错误数目范围的设定，来判断关于该储存单元的ATIP码发生错误码的数目是否落于N个接续错误数目范围中对应至第Ⅰ阶段的范围内，其中I是为1至N范围中之一整数指标，并且该N个错误范围是被适当地选择，致使当该第Ⅰ阶段不成立时，关于该特定储存单元的ATIP码发生错误码的数目即是高过该N个接续错误数目范围中的最高的范围。

若步骤23的判断结果为肯定时，亦即该第Ⅰ阶段成立时，则执行步骤24。步骤24是将于该信息记录装置中，形成该组信息图案于该特定储存单元上所需的写录速度及写录功率，分别决定为该第Ⅰ阶段所提供的参考写录速度(S_I)及参考写录功率(P_I)。若步骤23的判断结果为否定时，亦即当关于该特定储存单元的ATIP码所发生错误码的数目高过该N个接续错误数目范围中的最高范围时，则执行步骤25。步骤25是将该特定储存单元标示为不可写录。

根据本发明的第二较佳具体实施例的步骤流程揭示于图3。该第二较佳具体实施例是应用检测ATIP码的错误数目以及检测记录载体表面的反射信号来规划多个储存单元中之一特定储存单元，该多个储存单元是格式化于一具有一预先形成的沟槽的记录载体上。借此，或是决定一信息记录装置将形成一组信息图案于该特定储存单元上所需的最佳写录设定，或将该特定储存单元标示为不可写录。其中该信息记录装置的写录设定依照写录速度被区分为第一至第N共N个接续阶段(stage)，N为一自然数。该N个阶段中的每一阶段皆提供该信息记录装置一参考写录速度(S₁～S_N)以及一参考写录功率(P₁～P_N)。随着阶段升高，该记录装置的写录速度随之调降，以尝试提高该信息记录装置成功写录信息图案的机率。该方法的流程步骤详述如下。

步骤30为开始。接续的步骤31是对该特定储存单元进行扫描。步骤32是读取标记于该沟槽位于该特定储存单元内的部分的预形成沟槽内的ATIP码，并且对该ATIP码中所出现的错误码进行计数。步骤33是读取关于该特定储存单元的反射信号。接续的步骤34是借助由N个接续并且依序分别对应至该N个阶段的错误数目范围的设定，来判断关于该储存单元的ATIP码发生错误码的数目是否落于N个接续错误数目范围中对应至第Ⅰ阶段的范围内，其中I是为1至N范围中之一整数指标，并且该N个错误范围是被适当地选择，致使当关于该特定储存单元的ATIP码发生错误码的数目未落于该N个接续错误数目范围中之一个范围内时，该ATIP码发生错误码的数目即是高过该N个接续错误数目范围中的最高的范围。

若步骤34的判断结果为肯定时，亦即该第Ⅰ阶段成立时，则执行步骤35。步骤35是借助由N个接续并且依序分别对应至该N个阶段的反射信号范围的设定，来判断关于该特定储存单元的反射信号的谷值(R_valley)是否落于该N个接续反射信号范围中对应至第J阶段的范围内，其中J是为1至N范围中之一整数指标，并且该N个反射信号范围是被适当地选择，致使当关于该特定储存单元的反射信号的谷值未落于该N个接续反射信号范围中之一个范围内时，关于该特定储存单元的反射信号的谷值即是低于该N个接续反射信号范围中的最低的范围。若步骤34的判断结果为否定时，亦即当关于该特定储存单元的ATIP码所发生错误码的数目高过该N个接续错误数目范围中的最高范围时，则执行步骤38。步骤38是将该特定储存单元标示为不可写录。

若步骤35的判断结果为肯定，则执行步骤36。步骤36是选择该第Ⅰ阶段以及该第J阶段当中较高的阶段(第H阶段，H是为于I与J两数值中取最大之值)。接续步骤36执行的步骤37是将于该信息记录装置中，形成该组信息图案于该特定储存单元上所需的写录速度及写录功率，分别决定为该所谓较高的阶段(第H阶段)所提供的参考写录速度(S_H)及参考写录功率(P_H)。若步骤35的判断结果为否定，则执行步骤38，将该特定储存单元标示为不可写录。

由于记录载体的表面或多或少会对辐射束产生吸收或偏射，而造成反射信号的降低。若仅以既定的参考功率为记录信息图案时的功率，会造成最终形成的信息图案的可靠度降低。为了提升最终形成的信息图案具有高可靠度，在另一具体实施例中，于上述步骤流程中的步骤37是将该信息记录装置将形成该组信息图案于该特定储存单元上所需的写录速度决定为参考写录速度，而其写录功率则决定为一随反射信号的实质情况作出调整的最佳写录功率(P_H′)。该信息记录装置的最佳写录功率(P_H′)是经由下列公式计算所得： $P_H\′=P_H\sqrt{\frac{R_{\mathrm{av}}}{R_{\mathrm{valley}}}}$ 其中R_av是为关于该特定储存单元的反射信号的平均值。由上述公式中可清楚看出，该最佳写录功率(P_H′)是依照该反射信号的谷值(R_valley)及平均值作调整，经此因应实际情况调整的最佳写录功率所形成的信息图案在被读取时将更具可靠度。

根据本发明的第三较佳具体实施例的步骤流程揭示于图4。该第三较佳具体实施例是应用检测ATIP码的错误率(E)来规划多个储存单元中之一特定储存单元，该多个储存单元是格式化于一具有一预先形成的沟槽的记录载体上。借此，或是决定一信息记录装置将形成一组信息图案于该特定储存单元上所需的最佳写录设定，或将该特定储存单元标示为不可写录。其中该信息记录装置的写录设定依照写录速度被区分为第一至第N共N个接续阶段，N为一自然数。该N个阶段中的每一阶段皆提供该信息记录装置一参考写录速度(S₁～S_N)以及一参考写录功率(P₁～P_N)。从第一至第N阶段，每一阶段给定一随阶段升高而增加的错误率阀值(threshold error rate)(E₁～E_N)。该方法的流程步骤详述如下。

步骤40为开始。接续的步骤41是对该特定储存单元进行扫描。步骤42是读取标记于该沟槽位于该特定储存单元内的部分的预形成沟槽内的ATIP码，并且计算出对该ATIP码所发生的一ATIP码错误率(E)。步骤43是将关于该特定储存单元的ATIP码所发生的ATIP码错误率(E)与从第一阶段至第N阶段的错误阀值(E₁～E_N)作比较，直到关于该特定储存单元的ATIP码所发生的ATIP码错误率(E)低于该N个阶段中于第Ⅰ阶段的错误率阀值(E₁)，其中I是为1至N范围中的一整数指标。如果该第Ⅰ阶段不成立，则执行步骤45，将该特定储存单元标示为不可写录。

如果该第Ⅰ阶段成立，则执行步骤44，决定该信息记录装置将形成该组信息图案于该特定储存单元上所需的写录功率(P)及写录速度(S)是分别为该第Ⅰ阶段所提供的参考功率(P_I)及参考写录速度(S_I)。

在一具体实施例中，该ATIP码错误率是经由下列公式计算所得：在另一具体实施例中，该ATIP码错误率是经由下列公式计算所得：

根据本发明的第四较佳具体实施例的步骤流程揭示于图5。该第四较佳具体实施例是应用检测ATIP码的错误率(E)以及检测记录载体表面的反射信号(R)来规划多个储存单元中之一特定储存单元，该多个储存单元是格式化于一具有一预先形成的沟槽的记录载体上。借此，或是决定一信息记录装置将形成一组信息图案于该特定储存单元上所需的最佳写录设定，或将该特定储存单元标示为不可写录。其中该信息记录装置的写录设定依照写录速度被区分为第一至第N共N个接续阶段，N为一自然数。该N个阶段中的每一阶段皆提供该信息记录装置一参考写录速度(S₁～S_N)以及一参考写录功率(P₁～P_N)。从第一至第N阶段，每一阶段给定一随阶段升高而增加的错误率阀值(threshold error rate)(E₁～E_N)以及一随阶段升高而减少的反射信号阀值(threshold reflectecd signal)(R₁～R_N)。该方法的流程步骤详述如下。

步骤50为开始。接续的步骤51是对该特定储存单元进行扫描。步骤52是读取标记于该沟槽位于该特定储存单元内的部分的预形成沟槽内的ATIP码，并且计算出对该ATIP码所发生的一ATIP码错误率(E)。步骤53是读取关于该特定储存单元的反射信号(R)。步骤54是将关于该特定储存单元的ATIP码所发生的ATIP码错误率(E)与从第一阶段至第N阶段的错误阀值(E₁～E_N)作比较，直到关于该特定储存单元的ATIP码所发生的ATIP码错误率(E)低于该N个阶段中于第Ⅰ阶段的错误率阀值(E_I)，其中I是为1至N范围中之一整数指标。如果该第Ⅰ阶段不成立，则执行步骤57，将该特定储存单元标示为不可写录。

如果该第Ⅰ阶段成立，则执行步骤55，将关于该特定储存单元的反射信号的谷值(R_valley)与从第Ⅰ阶段至第N阶段的反射信号阀值(R₁～R_N)作比较，直到关于该特定储存单元码的反射信号的谷值(R_valley)高于第J阶段的反射信号阀值(R_J)，其中J是为I至N范围中之一整数指标。如果该第J阶段不成立，则执行步骤57，将该特定储存单元标示为不可写录。如果该第J阶段成立，则执行步骤56，决定该信息记录装置将形成该组信息图案于该特定储存单元上所需的写录功率(P)及写录速度(S)是分别为该第J阶段所提供的参考功率(P_J)及参考写录速度(S_J)。

于步骤54至步骤57的判断路径可借助由图5中所示的路径1及路径2作进一步的解说。路径1经由步骤54判断，于第3阶段，关于该特定储存单元的ATIP码所发生的ATIP码错误率(E)始低于第3阶段的错误率阀值(E3)，遂进入步骤55从第3阶段起进行判断，又于第4阶段，关于该特定储存单元码的反射信号谷值(R_valley)始高于第4阶段的反射信号阀值(R₄)，遂进入步骤56，并决定该特定储存单元上所需的写录功率(P)及写录速度(S)分别为该第4阶段所提供的参考功率(P₄)及参考写录速度(S₄)。路径2经由步骤54判断，于第2阶段，关于该特定储存单元的ATIP码所发生的ATIP码错误率(E)始低于第2阶段的错误率阀值(E₂)，遂进入步骤55从第2阶段起进行判断，又关于该特定储存单元码的反射信号的谷值(R_valley)皆未高于第2阶段至第N阶段的反射信号阀值(R₂～R_N)，递进入步骤57，将该特定储存单元标示为不可写录。

同样为了提升最终形成的信息图案具有高可靠度，在另一具体实施例中，于上述步骤流程中的步骤56是将该信息记录装置将形成该组信息图案于该特定储存单元上所需的写录速度(S)决定为参考写录速度(S_J)，而其写录功率则决定为一最佳写录功率(P_J′)。该信息记录装置的最佳写录功率(P_J′)是经由下列公式计算所得： $P_J\′=P_J\sqrt{\frac{R_{\mathrm{av}}}{R_{\mathrm{valley}}}}$ 其中R_av是为关于该特定储存单元的反射信号的平均值。在一具体实施例中，该ATIP码错误率是经由下列公式计算所得：

在另一具体实施例中，该ATIP码错误率是经由下列公式计算所得：

在实际应用上，记录载体在写录信息之前可采用本发明对其所有的储存单元进行规划，亦即进行所谓的测试模式(test mode)，将其本身具有缺陷、刮伤、污染等无法写录的区域检测出来并将其标示为不可写录，进一步并决定该信息记录装置将形成信息图案于可写录的储存单元上所需的写录设定(写录速度及写录功率)。规划结果可记录于形成在该记录载体上的一表格之内，例如内容表格(TOC)，以便利随后将信息记录于该记录载体上。

在实际应用上，格式化于该记录载体上的储存单元的储存尺寸是依照信息记录装置的执行功能而定，例如可以与信息记录装置中依照CIRC码可修正的最小尺寸相等。

综合以上的发明详细说明，即可清楚看出本发明所提供的方法，在不变更现行信息记录装置的架构下，并且与先前技术相比较，确实可提供可靠度较高的写录策略。

借助由以上较佳具体实施例的详述，是希望能更加清楚描述本发明的技术方案与特征，而并非以上述所揭露的较佳具体实施例来对本发明的范畴加以限制。相反地，其目的是希望能涵盖各种改变及具相等性的安排于本发明所欲申请的权利要求的范畴内。因此，本发明所申请的权利要求的范畴应该根据上述的说明作最宽广的解释，以致使其涵盖所有可能的改变以及具相等性的安排。

Claims (20)

1．一种用以规划多个储存单元中的一特定储存单元的方法，该多个储存单元是格式化于一记录载体，借此，或一信息记录装置将形成一组信息图案于该特定储存单元上所需的最佳写录设定可被决定，或该特定储存单元被标示为不可写录，其中该信息记录装置的写录设定被区分为第一至第N共N个接续阶段，N为一自然数，该N个阶段中的每一阶段皆提供该信息记录装置一特定写录速度(S₁～S_N)以及一特定写录功率(P₁～P_N)，并且其中该记录载体具有一预先形成的沟槽，其特征是该方法包含下列步骤：

对该特定储存单元进行扫描；

读取标记于该沟槽位于该特定储存单元内的部分的预形成沟槽内的绝对时间(ATIP)码，并且对该ATIP码中出现的错误码计数；

判断关于该储存单元的ATIP码发生错误码的数目是否落于N个接续错误数目范围中对应至第Ⅰ阶段的范围内，其中该N个接续错误数目范围是依序分别对应至该N个阶段，Ⅰ是为1至N范围中的一整数指标，

若该第Ⅰ阶段不成立，则标示该特定储存单元为不可写录，

若该第Ⅰ阶段成立，则将该信息记录装置形成该组信息图案于该特定储存单元上所需的写录速度(S)及写录功率(P)分别决定为该第Ⅰ阶段所提供的特定写录速度(S_I)及特定写录功率(P_I)。

2．如权利要求1所述的方法，其特征是该N个接续阶段中，随着阶段升高，其所提供的特定写录速度(S₁～S_N)亦随之减慢，对应不同写录速度(S₁～S_N)的情况N个参考功率(P_r1～P_rN)被设立，以提供该信息记录装置决定写录功率之用，并且其中该N个特定写录功率(P₁～P_N)即为该N个参考功率(P_r1～P_rN)。

3．如权利要求2所述的方法，其特征是进一步包含下列步骤：

将规划该特定储存单元的结果记录于形成在该记录载体上的一表格之内。

4．一种用以规划多个储存单元中的一特定储存单元的方法，该多个储存单元是格式化于一记录载体上，借此，或一信息记录装置将形成一组信息图案于该特定储存单元上所需的最佳写录设定可被决定，或该特定储存单元被标示为不可写录，其中该信息记录装置的写录设定被区分为第一至第N共N个接续阶段，N为一自然数，该N个阶段中的每一阶段皆提供该信息记录装置一特定写录速度(S₁～S_N)以及一特定写录功率(P₁～P_N)，并且其中该记录载体具有一预先形成的沟槽，其特征是该方法包含下列步骤：

对该特定储存单元进行扫描；

读取标记于该沟槽位于该特定储存单元内的部分的预形成沟槽内的绝对时间(ATIP)码，并且对该ATIP码中出现的错误码计数；

读取一关于该特定储存单元的反射信号；

判断关于该储存单元的ATIP码发生错误码的数目是否落于N个接续错误数目范围中对应至第Ⅰ阶段的范围内，其中该N个接续错误数目范围是依序分别对应至该N个阶段，Ⅰ是为1至N范围中之一整数指标，

若该第Ⅰ阶段不成立，则标示该特定储存单元为不可写录，

若该第Ⅰ阶段成立，则判断关于该特定储存单元的反射信号的谷值(Rvalley)是否落于N个接续反射信号范围中对应至第J阶段的范围内，其中该N个接续反射信号范围是依序分别对应至该N个阶段，J是为1至N范围中之一整数指标，

若该第J阶段不成立，则标示该特定储存单元为不可写录，

若该第J阶段成立，则选择该第Ⅰ阶段及第J阶段当中较高的阶段第H阶段，并将该信息记录装置形成该组信息图案于该特定储存单元上所需的写录速度(S)及写录功率(P)分别改变为该所谓较高的阶段所提供的特定写录速度(SH)及特定写录功率(PH)。

5．如权利要求4所述的方法，其特征是进一步包含下列步骤：

将规划该特定储存单元的结果记录于形成在该记录载体上的一表格之内。

6．如权利要求5所述的方法，其特征是该N个接续阶段中，随着阶段升高，其所提供的特定写录速度(S₁～S_N)亦随之减慢，对应不同写录速度(S₁～S_N)的情况N个参考功率(P_r1～P_rN)被设立，以提供该信息记录装置决定写录功率之用，并且其中该N个特定写录功率(P₁～P_N)即为该N个参考功率((P_r1～P_rN)。

7．如权利要求5所述的方法，其特征是该N个接续阶段中，随着阶段升高，其所提供的特定写录速度(S₁～S_N)亦随之减慢，对应不同写录速度(S₁～S_N)的情况N个参考功率(P_r1～P_rN)被设立，以提供该信息记录装置决定写录功率之用，并且其中该N个特定写录功率(P₁～P_N)是经由下列公式计算所得： $P_I=P_{\mathrm{rI}}\sqrt{\frac{R_{\mathrm{av}}}{R_{\mathrm{valley}}}}$

R_av是为关于该特定储存单元的反射信号的平均值，Ⅰ是为1至N范围中之一整数指标。

8．一种用以规划多个储存单元中的一特定储存单元的方法，该多个储存单元是格式化于一记录载体上，借此，或一信息记录装置将形成一组信息图案于该特定储存单元上所需的最佳写录设定可被决定，或该特定储存单元被标示为不可写录，其中该信息记录装置的写录设定被区分为第一至第N共N个接续阶段，N为一自然数，该N个阶段中的每一阶段皆提供该信息记录装置一特定写录速度(S₁～S_N)以及一特定写录功率(P₁～P_N)，从第一至第N阶段，每一阶段给定一随阶段逐渐升高的错误率阀值，并且其中该记录载体具有一预先形成的沟槽，其特征是该方法包含下列步骤：

对该特定储存单元进行扫描；

读取标记于该沟槽位于该特定储存单元内的部分的预形成沟槽内的绝对时间(ATIP)码，并且依据ATIP码中所出现的错误码计算出一ATIP码错误率；

将关于该特定储存单元的ATIP码所发生的ATIP码错误率与从第一阶段至第N阶段的错误阀值作比较，直到关于该特定储存单元的ATIP码所发生的ATIP码错误率低于该N个阶段中于第Ⅰ阶段的错误率阀值，其中Ⅰ是为1至N范围中之一整数指标，

如果该第Ⅰ阶段不成立，则标示该特定储存单元为不可写录，

如果该第Ⅰ阶段成立，则决定该信息记录装置将形成该组信息图案于该特定储存单元上所需的写录速度及写录功率分别为该第Ⅰ阶段所提供的特定写录速度(S_I)及特定写录功率(P_I)。

9．如权利要求8所述的方法，其特征是该N个接续阶段中，随着阶段升高，其所提供的特定写录速度(S₁～S_N)亦随之减慢，对应不同写录速度(S₁～S_N)的情况N个参考功率(P_r1～P_rN)被设立，以提供该信息记录装置决定写录功率之用，并且其中该N个特定写录功率(P₁～P_N)即为该N个参考功率(P_r1～P_rN)。

10．如权利要求9所述的方法，其特征是进一步包含下列步骤：

将规划该特定储存单元的结果记录于形成在该记录载体上的一表格之内。

11．如权利要求10所述的方法，其特征是该ATIP码错误率是经由下列公式计算所得：

12．如权利要求10所述的方法，其特征是该ATIP码错误率是经由下列公式计算所得：

13．一种用以规划多个储存单元中的一特定储存单元的方法，该多个储存单元是格式化于一记录载体上，借此，或一信息记录装置将形成一组信息图案于该特定储存单元上所需的最佳写录设定可被决定，或该特定储存单元被标示为不可写录，其中该信息记录装置的写录设定被区分为第一至第N共N个接续阶段，N为一自然数，该N个阶段中的每一阶段皆提供该信息记录装置一特定写录速度(S₁～S_N)以及一特定写录功率(P₁～P_N)，从第一至第N阶段，每一阶段给定一随阶段逐渐升高的错误率阀值以及一随阶段逐渐降低的反射信号阀值，并且其中该记录载体具有一预先形成的沟槽，其特征是该方法包含下列步骤：

对该特定储存单元进行扫描；

读取标记于该沟槽位于该特定储存单元内的部分的预形成沟槽内的绝对时间(ATIP)码，并且依据ATIP码中所出现的错误码计算出一ATIP码错误率；

读取一关于该特定储存单元的反射信号；

将关于该特定储存单元的ATIP码所发生的ATIP码错误率与从第一阶段至第N阶段的错误阀值作比较，直到关于该特定储存单元的ATIP码所发生的ATIP码错误率低于该N个阶段中于第Ⅰ阶段的错误率阀值，其中Ⅰ是为1至N范围中之一整数指标，

如果该第Ⅰ阶段不成立，则标示该特定储存单元为不可写录，

如果该第Ⅰ阶段成立，则将关于该特定储存单元的反射信号的谷值(R_valley)与从第Ⅰ阶段至第N阶段的反射信号阀值作比较，直到关于该特定储存单元码的反射信号的谷值高于第J阶段的反射信号阀值，其中J是为I至N范围中之一整数指标，

如果该第J阶段不成立，则标示该特定储存单元为不可写录，

如果该第J阶段成立，则决定该信息记录装置将形成该组信息图案于该特定储存单元上所需的写录速度及写录功率分别为该第J阶段所提供的特定写录速度(S_J)及特定写录功率(P_J)。

14．如权利要求13所述的方法，其特征是进一步包含下列步骤：

将规划该特定储存单元的结果记录于形成在该记录载体上的一表格之内。

15．如权利要求14所述的方法，其特征是该N个接续阶段中，随着阶段升高，其所提供的特定写录速度(S₁～S_N)亦随之减慢，对应不同写录速度(S₁～S_N)的情况N个参考功率(P_r1～P_rN)被设立，以提供该信息记录装置决定写录功率之用，并且其中该N个特定写录功率(P₁～P_N)即为该N个参考功率(P_r1～P_rN)。

16．如权利要求15所述的方法，其特征是该ATIP码错误率是经由下列公式计算所得：

17．如权利要求15所述的方法，其特征是该ATIP码错误率是经由下列公式计算所得：

18．如权利要求14所述的方法，其特征是该N个接续阶段中，随着阶段升高，其所提供的特定写录速度(S₁～S_N)亦随之减慢，对应不同写录速度(S₁～S_N)的情况N个参考功率(P_r1～P_rN)是被设立，以提供该信息记录装置决定写录功率之用，并且其中该N个特定写录功率(P₁～P_N)是经由下列公式计算所得： $P_I=P_{\mathrm{rI}}\sqrt{\frac{R_{\mathrm{av}}}{R_{\mathrm{valley}}}}$ R_av是为关于该特定储存单元的反射信号的平均值，I是为1至N范围中之一整数指标。

19．如权利要求18所述的方法，其特征是该ATIP码错误率是经由下列公式计算所得：

20．如权利要求18所述的方法，其特征是该ATIP码错误率是经由下列公式计算所得：

Images