CN1265251A - 光投影系统中的薄膜致动镜象阵列及其制造方法 - Google Patents

Abstract

薄膜AMA具有基底,致动器,公共线,和反射元件(180)基底具有电引线和连接端子,致动器具有支撑层(130)。底电极(135),顶电极(145,和有源层(140)。公共线(150)形成于致动器的一部分上并连接到顶电极(145)。因为致动器形成于基底的一部分上,与形成电引线和连接端子的部分相邻,因此电引线和连接端子不会被损坏。由于公共线(150)厚厚地形成于致动器的一部分上,第二信号的压降最小,因此有足够的第二信号提供到顶电极(145)。因为反射元件(180)形成于第二牺牲层上,可提高反射元件(180)的平整度。

Description

光投影系统中的薄膜致动镜象 阵列及其制造方法

本发明涉及光投影系统中的薄膜致动镜象阵列及其制造方法，更具体地说，涉及光投影系统中的薄膜致动镜象阵列，它包括：一厚公用线，形成于致动器的第一部分之上，致动器形成于基底靠近安装电路和连接端子的部分之上；和一反射元件，它通过一第二牺牲层来形成的，从而，防止在公用线上产生电压降和电路的损坏，增加反射元件的平整性和投到屏幕上的图像的质量，及其制造方法。

一般地，从光学角度，光调制器可以分为两种。一种类型是直接光调制器，如阴极射线管(CRT，cathode ray tube)，另一种类型是透射光调制器，如液晶显示(LCD，liquid crystal display)。CRT在屏幕上产生高质量图像，但是，根据屏幕的放大率，CRT的重量，容积及制造成本增加。LCD具有简单的光学结构，所以，LCD的重量和容积比CRT的小。然而，由于光偏振，LCD的光效率低于1～2％。另外，LCD的液晶材料方面也存在一些问题，如灵敏度和过热。

因此，为了解决这些问题，开发了数字镜象器件(DMD，digital mirrordevice)和致动镜象阵列(AMA，actuated mirror array)。目前，DMD的光效率约为5％，AMA的光效率高于10％。AMA提高了屏幕上图像的对比度，因此，屏幕的图像更透明和更亮。AMA不受光的偏振的影响，也不影响光的偏振，因此，AMA比LCD或DMD更有效。

图1是一简图，示出了美国专利No.5,126,836(授予Gregory Um)介绍的传统的致动镜象阵列的引擎系统。参考图1，来自光源1的一入射光线经过一第一切口3和第一透镜5，根据彩色显象的红绿蓝(RGB)系统，被分成红、绿和蓝光。在分解的红、绿和蓝光分别被一第一镜7，一第二镜9和一第三镜11反射以后，反射光线分别射到与镜7、9和11对应的AMA器件13、15和17上。AMA器件13、15和17是倾斜安装在这里的镜子，所以，入射光线被镜反射。在这种情况下，安装在AMA器件13，15和17内的镜根据其下形成的有源层的变形而倾斜。被AMA器件13，15和17反射的光经过一第二透镜19和一第二切口21，通过投影透镜23在屏幕(未显示)上形成一图像。

在大多数情况下，ZnO被用作有源层。然而，锆钛酸铅(PZT∶Pb(Zr，Ti)O₃)比ZnO的压电特性好。PZT是锆酸铅(PbZrO₃)和钛酸铅(PbTiO₃)的完全的固溶体。PZT具有正六面体结构，高温下它存在于顺电(paraelecfric)相中。在常温下，根据Zr和Ti的组分比，正交晶结构PZT存在于反铁电相中，菱形晶结构PZT存在于铁电相中，四方晶结构PZT存在于铁磁相中。四方晶相和菱形晶相的变晶影响相边界(MPB，morphotropic phase boundary)中Zr∶Ti的组分比为1∶1。在MPB中PZT具有最大的介电特性和最大的压电特性。MPB存在于四方晶相和菱形晶相共存的一个大的区域之中，但在某些组分中不存在。研究者们对PZT的相共存区域的组分有不同的见解。各种理论，如热力学稳定性、组分波动和内应力，被认为是相共存区域的理论。现在，PZT薄膜通过多种工序来制造，如稳压深压法，金属有机化合物化学气相沉积(OMCUD Organometallic Chemical Vapor Deposition)法，和溅射法。

AMA一般分成体型AMA和薄膜型AMA。美国专利No.5,469,302(授予Dae-Young)介绍了体型AMA。在体型AMA中，当一由插在金属电极中的多层陶瓷构成的陶瓷晶片安装在包含晶体管的有源基体上以后，通过锯除陶瓷晶片将一镜安装在陶瓷晶片之上。然而，体型AMA的缺点是它需要非常准确的工序和设计，而且有源层的响应慢。因此，开发了通过半导体技术生产的薄膜AMA。

美国No 08/331,399，发明名称为“薄膜致动镜象阵列及其制造方法”中介绍了薄膜AMA，它现在还在美国专利商标局处于审查过程中，本申请的受让人在此提及。

图2示出了薄膜AMA的截面图。参考图2，薄膜AMA包括：一有源基体30；一致动器50，形成于有源基体30之上；和一镜53，形成于致动器50之上。有源基体30包括：一基底33，M×N(M，N是整数)个晶体管(未显示)，安装在基底33之内；和M×N(M，N是整数)个连接端子35，分别形成于各个晶体管之上。

致动器50包括：一支撑元件39，形成于包含连接端子35的有源基体30之上；一第二电极41，其第一部分的底部固定在支撑元件上，其第二部分平行地形成在有源基体30附近；一导体37，形成于支撑元件39内，从而连接连接端子35和第二电极41；一有源层43，形成于第二电极41之上；和一第一电极47，形成于有源43之上。

镜53安装在第一电极47之上，以反射来自光源(未显示)的入射光线。

下面将介绍薄膜AMA的一种制造方法。图3A至3C示出了薄膜AMA的生产步骤。在图3A至3C中，与图2中相同的参考数字表示相同的元件。

首先，参考图3A，形成有源基体30，包括基底33，其中形成有M×N个晶体管(未显示)，M×N个连接端子35分别形成于晶体管之上。接着，在有源基体30上形成一牺牲层55之后，牺牲层55被构图，以暴露有源基体中形成连接端子35的部分。牺牲层55可以用化学药品或通过蚀刻方法除去。

参考图3B，用溅射法或化学气相沉积(CVD)法在有源基体30的暴露部分上形成支撑元件39。接着，在支撑元件39上形成一通孔以后，通过用导电材料(如钨(W))来填充孔，从而在支撑元件中形成导体37。导体37将连接端子35和后面形成的第二电极电连接在一起。通过使用导电材料(如金(Au)或银(Ag))在支撑元件39和牺牲层55上形成第二电极41。通过使用压电材料(如锆钛酸铅(PZT))在第二电极41上形成有源层43。通过使用导电材料(如金(Au)和银(Ag))在有源层43上形成第一电极47。

安装在有源基体30中的晶体管将通过来自光源的入射光线而产生的图像转变成图像信号电流。图像信号电流通过连接端子35和导体37提供给第二电极41。此时，来自于形成于有源基体30的底部的公共线(未显示)的偏压电流提供给第一电极47，因此，在第一电极47和第二电极41之间产生一电场。在电场的作用下，第一电极47和第二电极41之间形成的有源层43发生倾斜。

镜53形成于第一电极47之上。镜反射来自光源的入射光线。

参考图3C，镜53，第一电极47，有源层43和第二电极41依次被构图，因此形成M×N个具有预定形状的象素。接着，在牺牲层55被蚀刻除去以后，象素被冲洗并干燥，从而，完成薄膜AMA。

然而，在上述薄膜AMA中，考虑到薄膜AMA的面积和镜的倾斜角小，被镜反射的光的量小于射到镜上的入射光线的量，所以，投影到屏幕上的图像的质量降低，因为，仅有镜的一部分被倾斜以反射入射光线。另外，用以产生电场的足够的偏压电流不能提供到顶电极，因为用于提供偏压电流的公共线非常薄，由于公共线存在内阻，所以在公共线上产生一电压降。所以，倾斜角会减小，因为，在顶电极和底电极之间不可能产生足够的电场。另外，安装在有源基体内的晶体管在形成致动器的过程中会被损坏，因为，致动器被准确地形成于晶体管之上。

因此，考虑到上述传统的问题，本发明的第一目的是提供一光投影系统中的薄膜致动镜象阵列，它包括一厚公共线，形成于致动器的第一部分之上，致动器形成于基底靠近安装电路和连接端子的部分之上；和一反射元件，它通过一第一牺牲层来形成的，从而，防止在公用线上产生电压降和电路的损坏，增加反射元件的平整性和投到屏幕上的图像的质量。

另外，本发明的另一目的是提供制造上述光投影系统中薄膜致动镜象阵列的一种方法。

为了实现上述第一目的，本发明提供了一种光投影系统中的薄膜致动镜象阵列，它由一第一信号和一第二信号来致动，包括：一基底；一致动器；一公共线和一反射元件。

基底包括一电路和一连接端子，后者用于接受来自外部的一第一信号和传送该第一信号。致动器包括：一支撑层，形成于基底之上；一底电极，形成于支撑层之上，用于接受第一信号；一与底电极相对应的顶电极，用于接受第二信号，和在底电极和顶电极之间产生电场；和一有源层，形成于顶电极和底电极之间，在电场作用下产生变形。公共线为顶电极提供第二信号。公共线形成于致动器的一部分之上，并连接到顶电极之上。反射元件形成于顶电极之上，用于反射光线。

底电极、有源层和顶电极分别为矩形。底电极形成于支撑层的中心部分之上。有源层比底电极小，顶电极比有源层小。

致动器还包括：一通孔接点，用于向底电极传送来自连接端子的第一信号；和一连接元件，用于连接通孔接点和底电极。通孔接点形成于一通孔内，通孔由支撑层到连接端子的一部分形成，连接元件由通孔接点到底电极形成。

最好，通孔接点和连接元件由导电材料，如铂，钽或铂-钽，来构成，支撑层是由硬材料构成，有源层是由压电材料或电致伸缩材料构成，顶电极是由导电材料构成，公共线是由导电材料，如铂，钽，铂-钽，铝或银构成，厚度在0.5μm～2.0μm之间。

顶电极还包括一接线柱，用以支撑反射元件。接线柱形成于顶电极的一部分和反射元件之间，反射元件呈矩形板形。反射元件是由反射材料构成。

为了实现上述第二目的，本发明提供了用于制造光投影系统中的薄膜致动镜象阵列的一种方法。根据本发明的方法，提供一基底，它包括一电路和一连接端子，后者用于接受来自外部的第一信号并传送该第一信号。接着，在基底上形成一第一层。在第一层上形成一底电极，将底电极层构图，以形成一底电极，用以接受一第一信号。在第一层和底电极层上形成一第二层和一顶电极层。通过使顶电极层构图来形成一致动器，从而形成一顶电极，以接受第二信号，并产生电场；通过使第二层构图，以形成一有源层，在电场作用下它会产生变形；通过使第一层构图，从而在底电极下面形成一支撑层。接着，在致动器的一部分上形成与顶电极连接的公共线，然后，在致动器上形成用于反射光线的反射元件。

形成第一层这一步是使用氮化物或一种金属，通过低压化学气相沉积法来完成的；形成底电极层和顶电极层是使用导电材料，通过溅射法或化学气相沉积法来完成的；形成第二层这一步是用压电材料或电致件伸缩材料通过溶胶-凝胶法，溅射法或化学气相沉积法来完成的。

形成第二层的步骤还包括通过快速热退火法和转态第二层来让第二层退火。

最好，形成致动器的步骤还包括：在有源层的一部分到连接断子形成一通孔，穿过底电极和第一层；在通孔中形成一通孔接点；和形成一连接元件，以连接通孔接点和底电极。如，形成通孔接点和连接元件的步骤是使用导电材料，通过溅射法或化学气相沉积法来完成的，形成公共线的步骤是用铂，钽，铂-钽，铝或银通过溅射法或化学气相沉积法来完成的。

形成反射元件的步骤是在致动器上形成一牺牲层并使牺牲层构图以暴露顶电极的一部分之后再执行，形成反射元件的步骤是由反射金属通过溅射法或化学气相沉积法来完成的。

在本发明的薄膜AMA中，第二信号(偏压电流信号)是通过TCP的焊接点(pad，或称垫盘)，AMA的面板焊接点和公共线提供给顶电极的。此时，第一信号(图像电流信号)通过TCP的焊接点、AMA的面板焊接点、电路，连接端子，通孔接点和连接元件提供给顶电极的。因此，在顶电极和底电极之间产生一电场。顶电极和底电极之间形成的有源层在电场的作用下产生变形。有源层沿垂直于电场的方向产生变形。也就是，包括有源层的致动器向上致动至一预定倾斜角度。

用于反射来自光源的入射光线的反射元件相对于致动器倾斜，因为反射元件是由接线柱支撑的，并形成于致动器之上。因此，反射元件将光反射到屏幕上，因此，图像被投到屏幕上。

因此，在本发有的薄膜AMA中，形成于基底之上的电路和连接端子不会损坏，因为致动器是形成于基底上与形成电路和连接元件部分邻近的部分之上。另外，第二信号的电压降可以降至最低，因为公共线在致动器的一部分之上形成得很厚，所以，有足够的第二信号提供给顶电极。因此，在顶电极和底电极之间可以产生足够的电场。另外，可以提高反射元件的平整性，因为反射元件是在致动器上形成第二牺牲层以后再在第二牺牲层上形成的，并且由接线柱来支撑。

通过参考附图，对本发明优选实施例的详细描述，本发明的上述目的和优点就更加明显了，其中：

图1是一简图，示出了传统的致动镜像阵列的引擎系统；

图2是一截面图，示出本发明的代理人在以前的申请中介绍的薄膜致动镜像阵列；

图3A至3C示出了图2所示薄膜致动镜像阵列的制造步骤；

图4是一平面图，示出了根据本发明一第一实施例的光投影系统中的薄膜致动镜像阵列；

图5是一透视图，示出了图4所示的薄膜致动镜象阵列；

图6是沿图5中A₁-A₂线的截面图；

图7是沿图5中B₁-B₂线的截面图；

图8A至11B示出了根据本发明第一实施例的光投影系统中的薄膜致动镜象阵列的制造步骤；

图12是一平面图，示出了根据本发明一第二实施例的光投影系统中的薄膜致动镜象阵列；

图13是一透视图，示出了图12所示的薄膜致动镜象阵列；

图14是沿图13中C₁-C₂线的截面图；

图15是沿图13中D₁-D₂线的截面图；和

图16A至19B示出了根据本发明第二实施例的光投影系统中的薄膜致动镜象阵列的制造步骤。

下面参考附图来描述本发明的优选实施例。

实施例1

图4是一平面图，示出了根据本发明一第一实施例的光投影系统中的薄膜致动镜象阵列。图5是一透视图，示出了图4所示的薄膜致动镜象阵列。图6是沿图5中A₁-A₂线的截面图。图7是沿图5中B₁-B₂线的截面图。

参考图4和5，根据本发明的光投影系统中薄膜AMA包括：一基底100；一致动器190，形成于基底100之上；和一反射元件180，安装在致动器190之上。

参考图6，基底100包括：一电路(未显示)；一连接端子105，形成于电路之上；一钝化层110，形成于基底100和连接端子110之上；和一蚀刻停止层115，形成于钝化层110之上。电路和连接端子接受来自外部的一第一信号，并传送第一信号。最好，电路包括一金属氧化物半导体(MOS，metaloxide Semiconductor)晶体管，以进行开关操作。钝化层110保护包括电路和连接端子105的基底110。蚀刻停止层115防止钝化层110和基底100在后续蚀刻步骤中被蚀刻。

致动器190包括：一支撑层130，其第一部分固定到蚀刻停止层115(其下形成有连接端子105)的一部分上，其第二部分形成得与蚀刻停止层115平行；一底电极135，形成于支撑层130之上；一有源层140，形成于底电极135之上；一顶电极145，形成于有源层140之上；一公共线150，形成于支撑层130的第一部分之上；和一接线柱175，形成于顶电极145的一部分之上。在蚀刻停止层115和支撑层130的第二部分之间夹有一空气间隙125。公共线150被连接到顶电极145上。反射元件180由接线柱175来支撑，因此，反射元件180形成得与顶电极150平行。

参考图7，致动器190包括：一通孔接点160，形成于通孔155之中；和一连接元件170，它从通孔接点160一直到底电极135。通孔155从支撑层130的第一部分的一部分一直到连接端子105。底电极135通过连接元件170连接通孔接点160。因此，第一信号，也就是图像电流信号，通过电路，连接端子105，通孔接点160和连接元件170从外部提供给底电极135。此时，当一第二信号，也就是偏压电流信号，通过公共线150从外部提供到顶电极145，在顶电极145和底电极135之间产生一电场。因此，顶电极145和底电极135之间形成的有源层140被电场变形。

最好，支撑层130为T形，底电极135为矩形。底电极135形成于支撑层130的中央部分。有源层140为矩形，小于底电极135，顶电极145为矩形，小于有源层140。

根据本发明第一实施例，在光投影系统中制造薄膜AMA的方法描述如下。

图8A和8B示出了形成第一层129的状态。

参考图8A和8B，提供了具有电引线(未显示)和连接端子105的基底100。最好，基底100是由半导体，如硅(Si)，组成。连接端子用金属形成，如钨(W)。连接端子105连接到电引线。电引线和连接端子105接收第一信号(图像电流信号)并将第一信号传送至底电极135。最好，电引线具有用于开关操作的MOS晶体管。

钝化层110形成于具有电引线和连接端子105的基底100之上。钝化层110是使用磷硅酸玻璃(PSG)形成。钝化层110是通过化学气相沉积(CVD)法形成，因此钝化层110是厚度约为0.1μm和1.0μm之间。钝化层110在下面的制造步骤中保护包括电引线和连接端子105的基底100。

蚀刻停止层115用氮化物形成于钝化层110之上，蚀刻停止层115的厚度在1000A和2000A之间。蚀刻停止层115是由低压化学气相沉积(LPCVD)法形成的。蚀刻停止层115在后来的蚀刻步骤中保护钝化层110和基底100。

第一牺牲层120使用PSG形成于蚀刻停止层115之上，第一牺牲层120的厚度约在0.5μm和2.0μm之间。第一牺牲层120使致动器190的形成更为容易。当致动器190完全形成之后，使用氟化氢气相移去第一牺牲层120。第一牺牲层120是由大气压CVD(APCVD)法形成的。这种情况下，由于第一牺牲层120覆盖具有电引线和连接端子105的基底100，第一牺牲层120的平滑度很差。因此，使用旋涂玻璃(SOG)或化学机械抛光法(CMP)来平整第一牺牲层120的表面。最好，用CMP法来平整第一牺牲层120的表面。

其下形成为连接端子105的第一牺牲层120的一部分沿列方向构图以暴光蚀刻停止层115的一部分之后，第一层129形成于蚀刻停止层115的暴光部分和第一牺牲层120之上。第一层129是使用刚性材料形成的，如氮化物或金属，第一层129的厚度在约0.1μm和1.0μm之间。当使用LPCVD法形成第一层129时，根据反应时间调节氮化物气体的比率，从而释放第一层129中的应力。第一层129会被构图以形成支撑层130。

图9A和9B示出了顶电极层144形成的状态。

参考图9A和9B，用旋涂法在第一层129之上形成第一光致抗蚀层132之后，光致抗蚀层132被沿水平方向构图，以暴光第一层129的一部分。结果，毗邻连接端子105的第一层129的矩形部分被暴光。在用溅射法在第一层129的暴光部分和第一光致抗蚀层132上形成底电极层之后，考虑到将形成公共线150的位置，底电极层会被构图，在第一层129的暴光部分之上形成底电极135。因此，底电极135为矩形。底电极135是使用导电金属，如铂(Pt)，钽(Ta)或铂-钽(Pt-Ta)形成的，因此底电极135的厚度约在0.1μm和1.0μm之间。

第二层139形成于底电极135和第一光致抗蚀层132之上。第二层是通过使用压电材料，如PZT(Pb(Zr，Ti)O₃)或PLZT((Pb，La)(Zr，Ti)O₃)形成的，因此第二层139的厚度约在0.1μm和1.0μm之间，最好，约0.4μm。第二层139是用电致伸缩材料，如PMN(Pb(Mg，Nb)O₃)形成的。第二层139是用溶胶-凝胶法，溅射法，或CVD法形成的。第二层139是用快速热退火(RTA)法退火，然后第二层139被换态。第二层139被构图以形成有源层140。

顶电极层144形成于第二层139之上。顶电极层144是用导电金属，如铝(Al)，铂或钽形成的。顶电极层144是用溅射法或CVD法形成的，因此顶电极层144的厚度约在0.1μm和1.0μm之间。顶电极层144会被构图以形成顶电极145。

图10A示出了公共线150形成的状态，图10B示出了通孔接点160的状态。

参考图10A，第二光致抗蚀层(未显示)通过旋涂法涂于顶电极层144上后，通过使用第二光致抗蚀层为蚀刻掩模，顶电极层144被构图，以表成矩形的顶电极145。接着，剥去第二光致抗蚀层。第二层139用与顶电极层144相同的方法构图。即，用旋涂法在顶电极145和第二层139上涂上第三光致抗蚀层(未显示)之后，使用第三光致抗蚀层为蚀刻掩模，给第二层139构图，以形成有源层140。有源层140是比顶电极145宽的矩形。这种情况下，有源层140小于底电极135。然而剥去第三光致抗蚀层。

通过上述方法第一层129被构图以形成支撑层130。支撑层130是不同于底电极135形状的T形。底电极135形成于支撑层130的中部。

第一光致抗蚀层132被移去后，公共线150形成于支撑层130的第一部分之上。即，在第四光致抗蚀层(未显示)用旋涂法涂于支撑层130上之后，第四光致抗蚀层被构图，以暴光支撑层130的第一部分，使用导电金属，如铂，钽，铂-钽，或铝，使公共线150形成于支撑层130的暴光部分之上。公共线150是用溅射法或CVD法形成的，因此公共线150的厚度约为0.5μm和2.0μm之间。此时，公共线150与底电极135分开一预定的距离，并附着于顶电极145和有源层140。如上所述，由于公共线150有较厚的厚度，因此其内部电阻降低，当第二信号通过公共线150时，第二信号的压降最小。因此，有足够的第二信号通过公共线150施加于顶电极145，因此足够的电场产生于顶电极145和底电极135之间。

参考图10B，当第四光致抗蚀层被构图时，其下具有连接端子的支撑层130的第一部分的一部分和毗邻于支撑层130的第一部分的部分的一部分被暴光。从支撑层130的第一部分的部分到连接端子105通过蚀刻形成穿过蚀刻停止层和钝化层110的通孔155。通孔接点160形成于通孔155中从连接端子105到支撑层130的位置。同时，连接元件170形成于从底电极135到通孔接点160的毗邻于支撑层130的第一部分的部分。这样，通孔接点160，连接元件170和底电极135相互连接。通孔接点160和连接元件170是用导电金属，如铂，钽，或铂-钽形成的。连接元件170的厚度约在0.5μm和1.0μm之间。由于连接元件170有较厚的厚度，其内部电阻减小，当第一信号通过连接元件170时第一信号的压降最小。因此，有足够的第一信号穿过通孔接点160和连接元件170施加到底电极135上。具有顶电极145，有源层140，底电极135和支撑层130的致动器190在第四光致抗蚀层通过蚀刻移去后完成。

图11A和11B示出了形成反射元件180的状态。

参考图11A和11B，使用氟化氢蒸汽将第一牺牲层移去之后，通过使用具有流动性的聚合物在致动器190上形成第二牺牲层185。第二牺牲层185是用旋涂洗形成的，因此第二牺牲层185覆盖了顶电极145。接着，第二牺牲层185被构图以暴光顶电极145的一部分。接线柱175形成于顶电极145的暴光的部分之上，反射元件180形成于接线柱175和第二牺牲层185之上。接线柱175和反射元件180是同时用反射金属，如铝，铂或银形成的。接线柱175和反射元件180是用溅射法或CVD法形成的。最好，用于反射光源(未显示)的入射光的反射元件180是镜子，其厚度在0.1μm和1.0μm之间。反射元件180是矩形板形，以覆盖顶电极145。如上所述，由于反射元件180形成于第二牺牲层185之上，反射元件180的平坦度提高。反射元件180形成于其上的致动器190如图6和7所示，在通过蚀刻移去第二牺牲层之后完成。

具有致动器190的基底100经漂洗和晾干之后，使用铬(Cr)，镍(Ni)或金在基底100上形成欧姆接触(未显示)。欧姆接触是通过溅射法或蒸发法形成的。剪切基底100，以准备带式载体包封(TCP，tape carrier package)焊，从而向底电极135提供第一信号，向顶电极145提供第二信号。然后，薄膜AMA的面板焊接点和TCP的焊接点连接到一起，从而完成薄膜AMA模块。

下面将介绍根据本发明第一实施例的光投影系统中的薄膜AMA的操作。

在根据本发明实施例的薄膜AMA中，第二信号(偏压电流信号)通过TCP的焊接点，AMA的面板焊接点，和公共线150提供给顶电极145。此时，第一信号通过TCP的焊接点、AMA的面板焊接点、电路连接端子105、通孔接点160和连接元件170提供给底电极135。因此，在顶电极145和底电极135之间产生一电场。在电场的作用下，顶电极145和底电极135之间形成的有源层140产生变形。有源层140沿垂直于电场方向产生变形。有源层140沿与支撑层130相反的方向致动。也就是，包含有源层140的致动器190向上致动至一预定的倾斜角度。

用于反射光源入射光的反射元件180与致动器190成一定角度，因为反射元件180是由接线柱175支撑并形成于致动器190之上。因此，反射元件180将光反射到屏幕上，图像投影在屏幕上。

因此，在根据本实施例的薄膜AMA中，由于致动器190形成于基底100上的一部分，而该部分与形成电引线和连接端子105的部分相邻，因此形成于基底100上的电引线和连接端子105不会损坏。另外，由于公共线150厚厚地形成于致动器190上的一部分，第二信号的压降最小，因此有足够的第二信号施加到顶电极145。因此，在顶电极145和底电极135之间产生足够的电场。而且，由于反射元件180是在第二牺牲层185形成于致动器190之上后形成于第二牺牲层185上，且反射元件180由接线柱175支撑，可提高反射元件180的平滑度。

实施例2

图12是平面图，显示了根据本发明第二实施例的光投影系统中薄膜致动镜像阵列，图13是透视图，显示了图12中的薄膜致动镜像阵列，图14是沿图13中C₁-C₂线的截面图，图15是沿图13中D₁-D₂线的截面图。

参考图12和13，根据本实施例的薄膜AMA包括：基底200；致动器290，形成于基底200之上；反射元件280，安装在致动器290之上。

致动器290具有：第一驱动部件291，形成于基底200的第一部分上；和第二驱动部件292，形成于基底200的第二部分之上。

参考图14，基底200包括：电引线(未显示)；连接端子205，形成于电引线之上；和蚀刻停止层215，形成于钝化层210之上。电引线和连接端子205从外部接收第一信号(一图像电流信号)并传送第一信号。最好，电引线有一用于开关操作的MOS晶体管。钝化层210保护具有电引线和连接端子205的基底200。蚀刻停止层215阻止钝化层210和基底200在下面的蚀刻步骤中被蚀刻。

致动器290具有第一驱动部件291和第二驱动部件292，它们相互平行形成。第一驱动部件291包括：第一支撑层231，它的第一部分附着于蚀刻停止层215的第一部分，它的第二部分平行于蚀刻停止层215；第一底电极241，形成于第一支撑层231的中央部分之上；第一有源层251，形成于第一底电极241之上；第一顶电极261，形成于第一有源层251之上；和第一接线柱271，形成于第一顶电极261的一部分之上。在蚀刻停止层215和第一支撑层231的第二部分之间夹有一空气间隙220。第一有源层251是大于第一顶电极261的矩形。第一底电极241也是大于第一有源层251的矩形。

第二驱动部件292具有与第一驱动部件291相同的形状。第二驱动部件292包括：第二支撑层232，它的第一部分附着于蚀刻停止层215的第二部分，它的第二部分平行于蚀刻停止层215；第二底电极242，形成于第二支撑层231的中央部分之上；第二有源层252，形成于第二底电极242之上；第二顶电极262，形成于第二有源层252之上；和第二接线柱272，形成于第二顶电极262的一部分之上。在蚀刻停止层215和第二支撑层232的第二部分之间夹有空气间隙220。第二有源层252是大于第二顶电极262的矩形。第二底电极242也是大于第二有源层252的矩形。

第一支撑层231的第一部分和第二支撑层232的第一部分相互连接。最好，第一支撑层231和第二支撑层231分别为T形。

公共线305形成于致动器290的第一部分之上。即，公共线305形成于第一支撑层231的第一部分和第二支撑层232的第一部分之上。公共线305连接到第一顶电极261和第二顶电极262上。

反射元件280由第一接线柱271和第二接线柱272支撑，因此反射元件280平行于第一顶电极261和第二顶电极262。

参考图15，通孔295形成于从第一支撑层231和第二支撑层232的连接部分到连接端子205，穿过钝化层210和蚀刻停止层215。

致动器290包括：通孔接点300，形成于通孔295之中；第一连接元件301，从通孔接点300到第一底电极241；和第二连接元件302，从通孔接点300到第二底电极242。这样，第一信号从外部穿过电引线，连接端子205，通孔接点300，和第一连接元件301施加于第一底电极241。第一信号也从外部穿过电引线，连接端子205，通孔接点300，和第二连接元件302施加于第二底电极242。同时，当第二信号从外部穿过公共线305施加于第一顶电极261和第二顶电极262时，在第一顶电极261和第一底电极241之间产生了第一电场，在第二顶电极262和第二底电极242之间产生了第二电场。因此，第一顶电极261和第一底电极241之间形成的第一有源层251被第一电场变形，第二顶电极262和第二底电极242之间形成的第二有源层被第二电场变形。

下面将描述根据本实施例的用于制造光投影系统中的薄膜AMA的方法。

图16A和16B示出了支撑层230形成的状态。

参考图16A和16B，提供了具有电引线(未显示)和连接端子205的基底200。电引线和连接端子205从外部接收第一信号并将第一信号传送到第一底电极241和第二底电极242。最好，基底200是由半导体，如硅组成，电引线具有用于开关操作的MOS晶体管。

钝化层210形成于具有电引线和连接端子205的基底200之上。钝化层是使用PSG形成，因此钝化层210的厚度约在0.1μm和1.0μm之间。钝化层是用CVD法形成的。钝化层210在下面的制造步骤中保护具有电引线和连接端子205的基底200。

蚀刻停止层215是通过使用氮化物形成于钝化层210之上，因此蚀刻停止层215的厚度约在1000和2000之间。蚀刻停止层215是由LPCVD法形成。蚀刻停止层215在后来的蚀刻步骤中保护钝化层210和基底200。

第一牺牲层220使用PSG形成于蚀刻停止层215之上，第一牺牲层220的厚度约在0.5μm和2.0μm之间。第一牺牲层220使致动器290的形成更这容易。当致动器290完成形成之后，使用氟化氢气相移去第一牺牲层220。第一牺牲层220是用APCVD法形成的。这种情况下，由于第一牺牲层220覆盖具有电引线和连接端子205的基底200的顶部，第一牺牲层220的平滑度很差。因此，使用SOG或CMP法来平整第一牺牲层220的表面。最好，用CMP法来平整第一牺牲层220的表面。

其下形成连接端子205的第一牺牲层220的一部分被构图以暴光蚀刻停止层115的一部分，因此蚀刻停止层215被暴光为以连接端子205为中心的矩形。支撑层230形成于蚀刻停止层215的暴光部分和第一牺牲层220之上。支撑层230是用刚性材料，用氮化物或金属形成的，因此支撑层230的厚度约在0.1μm和1.0μm之间。当支撑层230是用LPCVD法形成的，根据反应时间调整氮化物气体的比率以释放支撑层230的应力。支撑层230将被构图以形成第一支撑层231和第二支撑层232。

图17A和17B示出了顶电极260形成的状态。

参考图17A和17B，用旋涂法在支撑层230上形成第一光致抗蚀层235后，第一光致抗蚀层235被沿水平方向构图以暴光支撑层230的第一部分和第二部分。结果，与连接端子205毗邻的支撑层230的第一部分和第二部分被暴光为矩形。第一矩形部分和第二矩形部分相互平行。用溅射法在支撑层230的暴光的矩形部分和第一光致抗蚀层235之上形成底电极层之后，考虑到将形成公共线305的位置，底电极层被构图，在支撑层230的第一暴光的矩形部分之上形成底电极241。同时，在支撑层230的第二暴光的矩形部分之上形成第二底电极242。因此，第一底电极241和第二底电极242分别为矩形。第一底电极241和第二底电极242是用导电金属，如铂，钽，或铂-钽形成的，因此第一底电极241和第二底电极242的厚度约在0.1μm和1.0μm之间。

有源层250形成于第一底电极241，第二底电极242和第一光致抗蚀层235之上。有源层250是用压电材料，如PZT(Pb(Zr，Ti)O₃)或PLZT((Pb，La)(Zr，Ti)O₃)形成的，因此有源层250的厚度约在0.1μm和1.0μm之间，最好是0.4μm。而且，有源层250是使用电致伸缩材料，如PMN(Pb(Mg，Nb)O₃)形成的。有源层是使用溶胶-凝胶(Sol-gel)法，溅射法，或CVD法形成的。有源层250是用RTA法退火的，接着有源层250被换态。有源层250将被构图以形成第一有源层251和第二层252。

顶电极层260形成于有源层250之上。顶电极层260是用导电金属，如铝，铂，或钽形成的。顶电极层260是用溅射法或CVD法形成的，因此顶电极层260的厚度约在0.1μm和1.0μm之间。顶电极层260会被构图以形成第一顶电极261和第二顶电极262。

图18A示出了公共线305形成的状态，图18B示出了通孔接点300形成的状态。

参考图18A，第二光致抗蚀层(未显示)用旋涂法涂于顶电极层260上之后，通过使用第二光致抗蚀层为蚀刻掩模，顶电极层260被构图以形成均为矩形的第一顶电极261和第二顶电极262。接着，蚀刻掉第二光致抗蚀层。第一顶电极261形成于第一底电极241之上，第二顶电极262形成于第二底电极242之上。因此，第一顶电极261和第二顶电极262相互平行。

有源层250是以与顶电极层260相同的方法被构图。即，用旋涂法在第一顶电极261，第二顶电极262和有源层250上涂上第三光致抗蚀层(未显示)后，使用第三光致抗蚀层为蚀刻掩模，有源层250被构图以形成第一有源层251和第二有源层252。第一有源层261是第一顶电极261宽的矩形，第二有源层252也是比第二顶电极262宽的有源层。这种情况下，第一有源层251小于第一底电极241，第二有源层252小于第二底电极242。接着，第三光致抗蚀层被蚀刻掉。

通过上述方法支撑层230被构图以形成第一支撑层231和第二支撑层232。第一支撑层231是L形，第二支撑层232是倒L形。因此，第一支撑层231和第二支撑层合在一起是U形。

第一光致抗蚀层235移去后，公共线305形成于第一支撑层231的第一部分的一部分和第二支撑层的第一部分的部分上。即，用旋涂法在第一支撑层231和第二支撑层232上涂上第四光致抗蚀层(未显示)，接着第四光致抗蚀层被构图以暴光第二支撑层232的第一部分的部分之后，用导电金属如铂，钽，铂-钽或铝在第一支撑层231和第二支撑层232的暴光部分上形成公共线305。公共线305是用溅射法或CVD法形成的，因此公共线305的厚度约在0.5μm和2.0μm之间。此时，公共线305与第一底电极241和第二底电极242分开一预定的距离，并附着于第一顶电极261和第二顶电极262。如上所述，因为公共线305有较厚的厚度以减小其内部电阻，当第二信号通过公共线305时第二信号的压降最小。因此有足够的第二信号穿过公共线305施加到第一顶电极261和第二顶电极262，从而在第一顶电极261和第一底电极262之间产生足够的第一电场和在第二顶电极262和第二底电极242之间产生足够的第二电场。

参考图18B，当第四光致抗蚀层被构图时，第一支撑层231和第二支撑层连接的部分和与第一支撑层231和第二支撑层232连接部分相邻的部分被暴光。连接端子205形成于连接部分之下。通孔295从连接部分列连接端子205，穿过蚀刻停止层和蚀刻的钝化层210。通孔接点形成于通孔295中，从连接端子205到连接部分。同时，第一连接元件301形成于第一支撑层231上从第一底电极241到通孔接点300，第二连接元件302形成于第二支撑层232上从第二底电极242到通孔接点300。这样，通孔接点300，第一连接元件301，和第一底电极241相互连接。而且，通孔接点300，第二连接元件302，和第二底电极242相互连接。通孔接点300，第一连接元件301，和第二连接元件302是用导电金属如铂，钽或铂-钽形成的。第一连接元件301和第二连接元件302的厚度约在0.5μm和1.0μm之间。因此，由于第一连接元件301和第二连接元件302分别有较厚的厚度以减小其内部电阻，当第一信号穿过第一连接元件301和第二连接元件302时第一信号的压降最小。因此，有足够的第一信号穿过通孔接点300和第一连接元件301施加到第一底电极241和穿过通孔接点300和第二连接元件302施加到第二底电极242。第四光致抗蚀层被蚀刻掉之后，完成具有第一顶电极261，第一有源层251，第一底电极241和第一支撑层231的第一驱动部件291和具有第二顶电极262，第二有源层252，第二底电极242，和第二支撑层232的第二驱动部件292。

图19A和19B示出了反射元件280形成的状态。

参考图19A和19B，用氟化氢气相移去第一牺牲层220之后，使用具有流动性的聚合物在致动器290上形成第二牺牲层310。第二牺牲层310是用旋涂法形成的，因此第二牺牲层310覆盖了第一顶电极261和第二顶电极262。接着，第二牺牲层310被构图以暴光第一顶电极261的一部分和第二顶电极262的一部分。第一接线柱271形成于第一顶电极261的暴光的部分上，第二接线柱272形成于第二顶电极262的暴光的部分上。反射元件280形成于第一接线柱271，第二接线柱272，和第二牺牲层310上。第一接线柱271，第二接线柱272和反射元件280是用反射金属如铝，铂，或银同时形成的。第一接线柱271，第二接线柱272，和反射元件280是用溅射法或CVD法形成的。最好，反射光源(未显示)入射光的反射元件280是厚度约在0.1μm和1.0μm之间的镜子。反射元件280是矩形板形以覆盖第一顶电极261和第二顶电极262。如上所述，由于反射元件280形成于第二牺牲层310上，反射元件280的平整度提高。如图6和图7所示，蚀刻掉第二牺牲层310后完成了其上形成有反射元件280的致动器290。

含有致动器290的基底200经漂洗和晾干之后，使用铬，镍或金在基底200的底部上形成欧姆接触(未显示)。欧姆接触是用溅射法或蒸发法形成的。剪切基底200；为TCP压焊做准备，以向第一底电极241和第二底电极242施加第一信号和向第一顶电极261和第二顶电极262施加第二信号。然后，连接薄膜AMA的面板焊接点和TCP的焊接点，从而完成薄膜AMA模块。

下面将介绍根据本发明第二实施例的光投影系统中的薄膜AMA的操作。

在根据本实施例的薄膜AMA中，第二信号(偏置电流信号)通过TCP的焊接点，AMA的面板焊接点，和公共线305施加到第一顶电极261和第二顶电极262。同时，第一信号(图像电流信号)通过TCP的焊接点，AMA的面板焊接点，电引线，连接端子205，通孔接点300，和第一连接元件301提供给第一底电极241。第一信号也通过TCP的焊接点，AMA的面板焊接点，电引线，连接端子205，通孔接点300，和第二连接元件302提供到第二底电极242。因此，在第一顶电极261和第一底电极241之间产生了第一电场，在第二顶电极262和第二底电极242之间产生了第二电场。形成于第一顶电极261和第一底电极241之间的第一有源层251被第一电场变形，形成于第二顶电极262和第二底电极241之间的第二有源层252被第二电场变形。第一有源层251是在垂直于第一电场的方向上变形，第二有源层252是在垂直于第二电场的方向上变形。第一有源层251沿反于第一支撑层231的方向驱动，第二有源层252沿反于第二支撑层232的方向驱动。即，含有第一有源层251的第一驱动部件291和含有第二有源层252的第二驱动部件292分别向上驱动一预定的倾斜角。

因为反射元件280是由第一接线柱271和第二接线柱272支撑并形成于致动器290上，用于反射光源的入射光的反射元件280与第一驱动部件291和第二驱动部件292成一定角度。因此，反射元件280将光反射到屏幕上，图像投影到屏幕上。

如上所述，在根据本发明的光投影系统中的薄膜致动镜象阵列中，由于致动器形成于基底的一部分，与形成电引线和连接端子的部分相邻，形成于基底上的电引线和连接端子不会损坏。另外，由于公共线厚厚地形成于致动器的一部分上，第二信号的压降最小，因此有足够的第二信号提供到第一顶电极和第二顶电极。因此，在第一顶电极和第一底电极间和在第二顶电极和第二底电极间产生了足够的电场。而且，由于反射元件是在第二牺牲层形成于致动器上之后形成于第二牺牲层上的且反射元件是由第一接线柱和第二接线柱支撑的，因此反射元件的平整度提高。

尽管已描述了本发明的优选实施例，应该明白的是本发明不应由这些优选实施例限制，熟悉本工艺的人在不脱离所要求的发明精神和范畴下可进行各种变化和改进。

Claims (29)

1.一种光投影系统中的薄膜致动镜象阵列，该光投影系统由第一信号和第二信号驱动，所述薄膜致动镜象阵列包括：

一基底，它具有电引线和连接端子，用于从外部接收第一信号并传送第一信号；

一致动器，包括：支撑层，形成于所述基底上；底电极，用于接收第一信号，所述底电极形成于所述支撑层上；对应于所述底电极的顶电极，用于接收第二信号并在所述顶电极和所述底电极之间产生电场；和有源层，形成于所述顶电极和所述底电极之间，并被电场变形；

公共线，用于将第二信号提供到所述顶电极，所述公共线形成于所述致动器的一部分上，并被连接到所述顶电极；和

反射元件，用于反射光，所述反射元件形成于所述顶电极上。

2.如权利要求1所述的光投影系统中的薄膜致动镜象阵列，其中所述底电极，所述有源层，和所述顶电极分别为矩形。

3.如权利要求2所述的光投影系统中的薄膜致动镜象阵列，其中所述底电极形成于所述支撑层的中央部分上，所述有源层小于所述底电极，所述顶电极小于所述有源层。

4.如权利要求1所述的光投影系统中的薄膜致动镜象阵列，其中所述致动器还包括：通孔接点，用于将第一信号从所述连接端子传送到所述底电极，所述通孔接点形成于从所述支撑层到所述连接端子的通孔中；连接装置，用于将所述通孔接点连接到所述底电极，所述连接装置从所述通孔接点到所述底电极。

5.如权利要求4所述的光投影系统中的薄膜致动镜象阵列，其中所述通孔接点和所述连接装置是由导电金属组成的。

6.如权利要求5所述的光投影系统中的薄膜致动镜象阵列，其中所述通孔接点和所述连接装置是由铂，钽，或铂-钽组成的。

7.如权利要求1所述的光投影系统中的薄膜致动镜象阵列，其中所述支撑层是由刚性材料组成，所述底电极是由导电金属组成，所述有源层是由压电材料或电致伸缩材料组成，所述顶电极是由导电金属组成。

8.如权利要求1所述的光投影系统中的薄膜致动镜象阵列，其中所述公共线是由导电金属组成的。

9.如权利要求8所述的光投影系统中的薄膜致动镜象阵列，其中所述公共线是由铂，钽，铂-钽，铝，或银组成，厚度在0.5μm和2.0μm之间。

10.如权利要求1所述的光投影系统中的薄膜致动镜象阵列，其中所述顶电极还包括接线柱，用于支撑所述反射装置，所述接线柱形成于所述顶电极的一部分和所述反射装置之间，所述反射装置为矩形板形。

11.如权利要求1所述的光投影系统中的薄膜致动镜象阵列，其中所述反射装置由反射材料组成。

12.一种光投影系统中的薄膜致动镜象阵列，该光投影系统由第一信号和第二信号驱动，所述薄膜致动镜象阵列包括：

基底，它具有电引线和连接端子，用于从外部接收第一信号并传送第一信号；

致动器，包括：第一驱动部件，它具有：形成于所述基底的第一部分上的第一支撑层；第一底电极，用于接收第一信号，所述第一底电极形成于所述第一支撑层上；对应于所述第一底电极的第一顶电极，用于接收第二信号并在所述第一顶电极和所述第一底电极间产生第一电场；和第一有源层，形成于所述第一顶电极和所述第一底电极之间，并被第一电场变形；和第二驱动部件，它具有：第二支撑层，形成于所述基底的第二部分上并连接到所述第一支撑层；第二底电极，用于接收第一信号，所述第二底电极形成于所述第二支撑层上；对应于所述第二底电极的第二顶电极，用于接收第二信号并在所述第二顶电极和所述第二底电极之间产生第二电场；第二有源层，形成于所述第二顶电极和所述第二底电极之间并被第二电场变形；

公共线，用于将第二信号提供到所述第一顶电极和所述第二顶电极，所述公共线形成于所述致动器的一部分上，并被连接到所述第一顶电极和所述第二顶电极；和

反射元件，用于反射光，所述反射元件形成于所述致动器上。

13.如权利要求12所述的光投影系统中的薄膜致动镜象阵列，其中所述第一底电极和所述第二底电极分别为矩形，所述第一有源层和所述第二有源层分别为矩形，所述第一顶电极和所述第二顶电极分别为矩形。

14.如权利要求13所述的光投影系统中的薄膜致动镜象阵列，其中所述第一有源层和所述第二有源层分别小于所述第一底电极和所述第二底电极，所述第一顶电极和所述第二顶电极分别小于所述第一有源层和所述第二有源层。

15.如权利要求12所述的光投影系统中的薄膜致动镜象阵列，其中所述第一支撑层和所述第二支撑层一起为U型。

16.如权利要求12所述的光投影系统中的薄膜致动镜象阵列，其中所述致动器还包括：通孔接点，用于将第一信号从所述连接端子传送到所述第一底电极和所述第二底电极，所述通孔接点从所述第一支撑层和所述第二支撑层相互连接的部分到所述连接端子；第一连接装置，用于将所述通孔接点连接到所述第一底电极；和第二连接装置，用于将所述通孔接点连接到所述第二底电极，所述第二连接装置从所述通孔接点到所述第二底电极。

17.如权利要求16所述的光投影系统中的薄膜致动镜象阵列，其中所述通孔接点，所述连接装置，和所述第二连接装置是由导电金属组成的。

18.如权利要求12所述的光投影系统中的薄膜致动镜象阵列，其中所述第一支撑层和所述第二支撑层是由刚性材料组成，所述第一底电极和所述第二底电极是由导电金属组成，所述第一有源层和所述第二有源层是由压电材料或电致伸缩材料组成，所述第一顶电极和所述第二顶电极是由导电金属组成。

19.如权利要求12所述的光投影系统中的薄膜致动镜象阵列，其中所述公共线是由导电金属组成，其厚度在0.5μm和2.0μm之间。

20.如权利要求12所述的光投影系统中的薄膜致动镜象阵列，其中所述第一顶电极包含第一接线柱，用于支撑所述反射装置，所述第一接线柱形成于所述第一顶电极的一部分和所述反射装置之间，所述第二顶电极包含第二接线柱，用于支撑所述反射元件，所述第二接线柱形成于所述第二顶电极的一部分和所述反射装置之间，所述反射装置为矩形板形。

21.一种用于制造由第一信号和第二信号驱动的光投影系统中的薄膜致动镜象阵列的方法，所述方法包括以下步骤：

提供具有电引线和连接端子的基底，基底用于从外部接收第一信号并传送第一信号；

在所述基底上形成第一层；

在所述第一层上形成底电极层，并对所述底电极层构图以形成用于接收第一信号的底电极；

在所述第一层和所述底电极上形成第二层和顶电极层；

通过对所述顶电极层构图形成致动器，以形成用于接收第二信号和产生电场的顶电极，通过对所述第二层构图以形成被电场变形的有源层，通过对所述第一层构图以形成所述底电极下的支撑层；

在所述致动器的一部分上形成连接到所述顶电极的公共线；和

在所述驱动器上形成用于反射光的反射装置。

22.如权利要求21所述的用于制造光投影系统中的薄膜致动镜象阵列的方法，其中形成所述第一层的步骤是通过使用氮化物或金属，由低压化学气相沉积法进行的，形成所述底电极层和所述顶电极层的步骤是通过使用导电金属，由溅射法或化学气相沉积法进行的，形成所述第二层的步骤是通过使用压电材料或电致伸缩材料，由溶胶-凝胶法，溅射法，或化学气相沉积法进行的。

23.如权利要求21所述的用于制造光投影系统中的薄膜致动镜象阵列的方法，其中形成所述第二层的步骤中还包括用快速热退火法对所述第二层退火并对所述第二层转态。

24.如权利要求21所述的用于制造光投影系统中的薄膜致动镜象阵列的方法，其中形成所述致动器的步骤还包括：形成从所述有源层的一部分到所述连接端子，穿过所述底电极和所述第一层的通孔；在通孔中形成通孔接点；和形成用于将所述通孔接点连接到所述底电极的连接装置。

25.如权利要求24所述的用于制造光投影系统中薄膜致动镜象阵列的方法，其中形成所述通孔接点和所述连接装置的步骤是由溅射法和化学气相沉积法通过使用导电金属进行的。

26.如权利要求21所述的用于制造光投影系统中薄膜致动镜象阵列的方法，其中形成所述公共线的步骤是由溅射法或化学气相沉积法通过使用铂，钽，铂-钽，铝，或银进行的。

27.如权利要求21所述的用于制造光投影系统中薄膜致动镜象阵列的方法，其中形成所述反射装置的步骤是在所述致动器上形成牺牲层并对牺牲层构图以暴光所述顶电极的一部分之后进行的，形成所述反射装置的步骤是由溅射法或化学气相沉积法通过使用反射材料进行的。

28.一种用于制造由第一信号和第二信号驱动的光投影系统中的薄膜致动镜象阵列的方法，所述用于制造光投影系统中的薄膜致动镜象阵列的方法包括以下步骤：

提供具有电引线和连接端子的基底，该基底用于从外部接收第一信号并传送第二信号；

在所述基底上形成第一层；

在所述第一层上形成底电极层，并对所述底电极层构图以形成用于接收第一信号的第一底电极和第二底电极；

在所述第一层，所述第一底电极和所述第二底电极上形成有源层和顶电极层；

形成致动器，包括形成第一驱动部件和第二驱动部件的步骤，通过对所述顶电极层构图以形成用于接收第二信号的第一顶电极和第二顶电极并分别产生第一电场和第二电场，通过对所述有源层构图以形成分别由第一电场和第二电场变形的第一有源层和第二有源层，通过对所述第一层构图以形成所述第一底电极下的第一支撑层和所述第二底电极下的第二支撑层；

在所述致动器上形成公共线，所述公共线连接到所述第一顶电极和所述第二顶电极；和

在所述致动器上形成用于反射光的反射装置。

29.如权利要求28所述的用于制造光投影系统中的薄膜致动镜象阵列的方法，其中形成所述致动器的步骤还包括：形成从所述第一支撑层到所述第二支撑层相互连接的部分到所述连接端子的通孔；和在通孔中形成通孔接点；形成从所述通孔接点到所述第一底电极的第一连接装置；和形成从所述通孔接点到所述第二底电极的第二连接装置。

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