CN1264186A - 介质滤波器、介质双工器和通信设备 - Google Patents

Abstract

本发明揭示了一种介质滤波器,它包含:接近于通带的衰减频带;确定的最大介入损耗的阈值频率位置安排得接近于表现通带特性的波形的肩部,其中介入损耗在从通带到衰减频带的区域内增大;如此确定介质材料的温度特性,从而肩部根据温度的升高和降低朝衰减频带方向移动。在上述介质滤波器中,改善了介入损耗特性根据温度变化而恶化的问题,从而在宽的温度范围中表现出良好的特性。

Description

介质滤波器、介质双工器和通信设备

本发明涉及一种介质滤波器、介质双工器和配用这些器件的通信设备，其中在谐振器部分中使用了介质材料。

通常，例如当通过将多个介质谐振器设置在一个介质块内而形成介质双工器时，将多个谐振线孔安排在介质块中，以在孔的内部表面上形成谐振线，由此提供发送滤波器部分，其中发送频带的信号被允许通过，而接收频带的信号被衰减，还提供了接收滤波器部分，其中接收频带的信号被允许通过，而发送频带的信号被衰减。

当发送滤波器和接收滤波器是通带型滤波器时，滤波器的通带特性示于图14A和14B。在这种情况下，符号Tx表示发送滤波器的通带特性，符号Rx表示接收滤波器的通带特性。如由图中影阴线F1、F2、F3、F4指出的，将发送频带(F1)中的最大介入损耗和接收频带(F2)中的最小介入损耗确定为发送滤波器的特性，而将接收频带(F3)中的最大介入损耗和发送频带(F4)中的最小介入损耗确定为接收滤波器的特性。发送滤波器和接收滤波器被设计成都可以满足这些条件。

然而，图14A和14B中所示的通带特性是特定温度下的特性。通常，在介质滤波器和介质双工器中，温度越高，谐振器的无载Q因数(Qo)越是退化。这要归因于电极材料的温度特性。例如，在银或铜的情况下，每增加10摄氏度，导电性减小大约2％。电极的导电性的减小直接引起Qo的恶化。结果，温度越高，则滤波器的介入损耗劣化得越厉害。

通常，由于通带的特性是由最大介入损耗和指定其频率范围(从一个阈值频率到另一个阈值频率)的区域确定的，通带特性的两个肩部(图14A和14B所示的部分A和B)接近于该区域的两端。另外，在双工器的情况下，由于发送频带和接收频带传统上相互接近，故从其通带到衰减频带范围内的肩部最接近于靠近指定最大介入损耗及其频率范围(下文把指出最大介入损耗和频率范围的位置称为“阈值”)的区域内衰减带的一侧端部。

例如，通带低频侧上的滤波器(发送滤波器)在通带高频侧上有一阈值，如图14A的部分A所示。通带高频侧上的滤波器(接收滤波器)在通带低频侧上有一阈值，如部分B所示。

在这种情况下，当介质双工器的温度升高时，谐振器的Qo由于上述原因而恶化，因此如图14A中的虚线所指出的，介入损耗增大了。另外，当温度超过某一值时，发送滤波器的通带特性的高频侧肩部和接收滤波器的通带特性的低频侧肩部都在每一个阈值处超过了最大介入损耗。

虽然图14A所示的例子说明了介质材料的介电常数-温度特性是固定的(其中，不论温度的变化，介电常数不变)，但是当介质材料具有如图14B所示的介电常数-温度特性时，根据特性曲线的斜度，通带特性朝高频侧或低频侧移动。例如，当温度越高，介电常数越低，从而谐振频率增大，表现由图14B中虚线所指出的通带特性。在这种情况下，在低频侧上具有衰减频带的接收滤波器的通带特性的肩部超过阈值的最大介入损耗，如在部分B处所示。另外，如图14A所示，通带特性的波形不仅仅朝下面的方向移动，还朝右下斜向移动。因此，即使是在相对较低的温度下也发生上述问题。

上述问题不仅发生在介质双工器的情况，还发生在单个介质滤波器的情况中，其中阈值接近于肩部，而肩部的介入损耗在从通带到衰减频带的区域中增大了。

为了解决上述问题，本发明的较佳实施例提供了一种介质滤波器、介质双工器和配用这些器件的通信设备，其中改善了介入损耗特性随着温度的变化而恶化的问题，从而在宽的温度范围内表现出良好的特性。在本发明中，即使在介质滤波器或介质双工器中发生温度的变化，表现装置的通带特性的波形以这样一种方式移动，从而波形不超出由其最大介入损耗和阈值频率确定的阈值。

本发明的一个较佳实施例提供了一种介质滤波器，它具有接近于通带的衰减频带，确定的最大介入损耗的阈值频率的位置安排得接近于呈现通带特性的波形的肩部，其中介入损耗在从通带到衰减频带的区域中增大。在这种介质滤波器中，介质材料的温度特性如此确定，从而肩部根据温度的升高和降低朝衰减频带方向移动。按照这样的安排，即使滤波器的通带特性根据温度升高和降低而变化，由于从通带到衰减频带的区域中的肩部如此移动，从而它们避免了阈值，从而可以保持特定的特性。

上述介质滤波器可以由多个介质谐振器形成，至少一个介质谐振器是陷波谐振器，它在从肩部到衰减频带的区域中形成衰减极点。另外，如此确定介质材料的温度特性，从而陷波谐振器中随温度而变化的谐振频率的变化小于其它介质谐振器中随温度而变化的谐振频率的变化。按照这样的安排，衰减极点附近的衰减特性可不考虑温度变化而固定下来，从而可以保持特定的衰减特性。

另外，可以将多个介质谐振器作为单个介质块整个地模制或整个地烧制。虽然其中有一个问题，即如果介质滤波器是通过组合各分立的介质谐振器形成的，则在安排上会发生差错，因为介质材料的温度特性的差异无法从外观上判定，本发明可以解决这样的问题。

上述介质滤波器可以是由多个将通带用作谐振频率的范围的介质谐振器构成的带通滤波器。按照这样的安排，通带的介入损耗更小，并且在接近于衰减频带的通带肩部的介入损耗可以在宽的温度范围内保持较低的值。

介质滤波器可以是由多个将衰减频带用作谐振频率的范围的介质谐振器构成的带阻滤波器。按照这样的安排，可以在衰减频带中得到大量的衰减，同时，可以将接近于衰减频带的通带肩部的介入损耗在宽的温度范围内保持在较低的值。

本发明的另一个较佳实施例提供了一种包含上述两个介质滤波器的介质双工器，两个滤波器中的一个滤波器是这样的介质滤波器，即滤波器的低频带是衰减频带，其高频带是通带，另一个滤波器是这样的介质滤波器，即滤波器的低频带是通带，其高频带是衰减频带。通过这样的安排，在两个滤波器中，在从通带到衰减频带的区域中，通带特性的肩部在宽的温度范围内不超过最大介入损耗，从而可以保持双工器的功能。另外，在这种介质双工器中，当将两个介质滤波器用单个介质块整体模制或者整体烧结时，不发生上述安排上的差错。

本发明的另一个较佳实施例提供了一种通信设备，它包含上述介质滤波器和介质双工器中的一个，该介质滤波器或介质双工器设置在高频电路部分。按照这样的安排，提供了一种通信设备，其中可以在更宽的温度范围内保持高频电路部分特定的信号处理功能。

从下面参照附图对本发明的描述，本发明的其它特点和优点是显而易见的。

图1A、1B、1C和1D是根据本发明的第一实施例的介质滤波器的投影图。

图2是介质滤波器的等效电路图。

图3A和3B是介质滤波器的通带特性曲线。

图4是示出一例频率-温度根据不同的介质材料而变化的曲线图。

图5A、5B、5C和5D是根据本发明的第二实施例的介质滤波器的投影图。

图6是介质滤波器的等效电路图。

图7是介质滤波器的通带特性曲线。

图8是根据本发明的第三实施例的介质滤波器的等效电路图。

图9是介质滤波器的通带特性曲线图。

图10A、10B、10C和10D是根据本发明的第四实施例的介质双工器的投影图。

图11是介质双工器的等效电路图。

图12A和12B是介质双工器的通带特性曲线图。

图13是示出根据本发明的第五实施例的通信设备的结构的方块图。

图14A和14B是传统的介质双工器的通带特性曲线。

下面将参照图1到4描述根据本发明的第一实施例的介质滤波器的结构。

图1A到1D是介质滤波器的投影图，其中图1A是平面图，图1B是正视图，图1C是底视图，而图1D是右视图。当将介质滤波器作为一个元件安装在印刷电路板上时，相对于印刷电路板，图1B所示的正视图是表面安装的。

这种介质滤波器是通过对于长方六面体的介质块1设置各种孔和电极形成的。更特别地，标号2a、2b和2c指谐振线孔，在其内部表面上形成有谐振线12a、12b和12c。另外，标号3a和3b指输入/输出耦合线孔，在其内部表面上形成有输入/输出耦合线13a和13b。这些孔是阶梯状的孔，通孔的内部直径在其某些点上变化。在介质块1的外部表面上，形成有输入/输出端子7和8，它们是从输入/输出耦合线13a和13b连续的，并且在除了这些输入/输出端子之外的大致整个表面(六面)上形成接地电极10。另外，在谐振线12a、12b和12c上，在接近阶梯状孔的大内部直径侧的端部处设置无电极部分(不导电部分)，该部分由“g”表示，并在这些部分产生寄生电容(Cs)。

下面将描述具有上述结构的介质滤波器的工作。首先电容耦合谐振线孔中形成的谐振线12a、12b和12c。换句话说，通过结合由上述Cs形成的梳形线耦合(电感耦合)与由阶梯状孔形成的电容耦合使谐振线12a、12b和12c耦合。在这种情况下，由于提供了电感耦合＜电容耦合的关系，故谐振线12a、12b和12c整体上是电容耦合。每一个叉指耦合都形成在谐振线12a和输入/输出耦合线13a之间以及谐振线12c和输入/输出耦合线13b之间。通过这样的安排，将输入端子7和8之间的部分用作带通滤波器。

图2是介质滤波器的等效电路图。在这个图中，符号Za、Zb和Zc指由图1中所示的谐振线12a、12b和12c产生的阻抗，符号Zi和Zo指由图1所示的输入/输出耦合线13a和13b产生的阻抗。另外，符号Zia指由谐振线12a和输入/输出耦合线13a之间产生的交互电容所产生的阻抗，符号Zco表示由谐振线12c和输入/输出耦合线13b之间产生的交互电容产生的阻抗。另外，符号Zab指由谐振线12a和12b之间产生的交互电容产生的阻抗，而符号Zbc指由谐振线12b和12c之间产生的交互电容产生的阻抗。

图3A和3B示出说明介质滤波器的通带特性的曲线图。在这个例子中，由于电容耦合，在通带的低频侧形成衰减极点，其中在低频侧上从通带到衰减频带的区域中得到陡度大的衰减特性。图中的影阴线部分示出最大的介入损耗及其频率范围。在正常的温度下，波形的肩部接近于阈值(其中，肩部表示衰减频带从通带到低频侧区域中的通带特性)。但是，如由曲线图中的实线所表示的通带中的介入损耗小于最大的介入损耗。虽然在影阴线部分的高频侧端部存在另一个阈值，但是，这里不考虑通带的高频侧区域。

介质块具有正的介电常数-温度系数。结果，介质滤波器在高温下的通带特性朝低频带方向移动，如每一个曲线图中的虚线所指出的。另外，根据电极的导电率-温度系数，Qo退化，由此增加了其介入损耗。结果，随着温度的升高，在每一个曲线图中，通带特性的整个波形朝着左下斜方移动。如图3A所示，即使在高温下，表现出通带特性的波形肩部不超过阈值。

如果通过使用其介电常数-温度系数接近零的介质材料形成介质滤波器，由于通带特性朝着曲线图中的更低的方向移动，如图3B所示，则由符号B指出的肩部超过某一温度的阈值。

图4示出了两种介质材料的温度特性。参照使用表现由实线指出的特性的介质材料制成的介质谐振器的谐振频率，当25摄氏度为参考温度时，随着温度高于该参考温度，谐振频率减小，其中当温度是+85摄氏度时，谐振频率改变-5ppm。即使当温度小于25摄氏度，谐振频率减小，其中当温度是-35摄氏度时，谐振频率改变-5ppm。另外，至于使用表现由图中的虚线表示的特性的介质材料的介质谐振器的谐振频率，当25摄氏度是参考温度时，随着温度高于该参考温度，谐振频率增高，其中当温度是+85摄氏度时，谐振频率改变+5ppm。即使当温度低于25摄氏度时，谐振频率增高，其中当温度是-35摄氏度时，谐振频率改变+5ppm。另外，当介质谐振器是使用表现由图中的点划线指出的特性的介质材料制成时，谐振器的谐振频率在-35摄氏度和+85摄氏度的范围内几乎不改变。

在图4中，作为表现上凸型特性的介质材料，可以使用BaO-PbO-Nd₂O₃-TiO₂。

作为表现下凸型特性的介质材料，可以使用BaO-Bi₂O₃-Nd₂O₃-Sm₂O₃-TiO₂。

作为表现平坦特性的介质材料，可以使用BaO-PbO-Bi₂O₃-Nd₂O₃-TiO₂。另外，通过改变这些材料的组份比例，可以任意地确定介电常数-温度系数(在介质滤波器情况下的频率-温度系数)。这样的谐振频率/温度变化是由介质块的介电温度系数确定的。但是，通常，由于介质材料的温度特性是通过测量形成介质谐振器时得到的谐振频率而得到的，故介质材料的温度特性由频率/温度系数(下面称为TC)表示。

在具有如图3A中所示的特性的介质滤波器中，随着温度增加到25摄氏度或者更高，频率降低，如图4中的符号A所示。换句话说，使用的是TC小于0的介质材料。

接着，将参照图5A到7说明第二实施例的介质滤波器的结构。

图5A到5D是介质滤波器的投影图，其中图5A是平面图，图5B是正视图，图5C是底视图，而图5D是右视图。当将介质滤波器安装在印刷电路板上作为一个元件时，图5B中所示的正视图相对印刷电路板是表面安装的。

介质滤波器是通过根据长方形六面体介质块1设置各种孔和电极形成的。在这个实施例中，不同于图1所示的结构，将谐振线孔2d附设在介质块1中，并在谐振线孔2d的内部表面上形成谐振线12d。另外，大体上在输入/输出耦合线孔3b的中心，给出了一个边界位置，根据该边界位置，沿着谐振线孔2d方向的介质块具有TC为0的材料，而在其它区域中，介质块的材料的TC小于0。其它的结构部分和图1所示的相同。当形成介质块时，TC小于0和TC等于0的介质材料被整体地模制和烧制。在这种情况下，由于基本成份相同的介质材料被模制和烧制，所以性能大致上相同。结果，可以同时进行模制和烧制。

下面将描述图5A到5D所示的介质滤波器的工作。首先，电容耦合形成在谐振线孔2a、2b和2c中的谐振线12a、12b和12c。如在第一实施例中的情况，通过结合由电极部分g的寄生电容Cs形成的梳形线耦合(电感耦合)和阶梯状孔形成的电容耦合，耦合谐振线12a、12b和12c。在这种情况下，由于提供了电感耦合小于电容耦合的关系，所以谐振线12a、12b和12c整体上为电容耦合。每一个叉指耦合都形成在谐振线12a和/输出耦合线13a之间以及谐振线12c和输入输入/输出耦合线13b之间。通过这样的安排，输入/输出端子7和8之间的部分作为带通滤波器。谐振线12d叉指地耦合到输入/输出耦合线13b，用作陷波谐振器。

图6是介质滤波器的等效电路图，其中符号Zd表示由谐振线12d产生的阻抗，符号Zdo表示由交互电容产生的阻抗，该交互电容产生在由输入/输出耦合线13b产生的阻抗Zo和谐振线12d之间。其它部分和图2所示的等效电路图中的部分相同。

图7是曲线图，示出介质滤波器的通带特性。在这个实施例中，衰减极点由用作陷波谐振器的谐振线12d产生。按照这种安排，在低频侧从通带到衰减频带的区域中表现出陡的衰减特性。图中所示的通带中的影阴线部分表示最大的介入损耗及其频率范围，在衰减频带中的影阴线部分表示最小衰减及其频率范围。在正常的温度下，虽然在表现通带特性的波形的通带到其低频侧的衰减频带的区域中的肩部接近于阈值，但是，通带中的介入损耗小于最大的介入损耗，如由图中的实线所表示的。如图5中所示，由于带通滤波器部分介质材料的TC小于零，故表现介质滤波器在高温下的通带特性的波形整体朝左下斜方移动，如图中的虚线所指出的。在这种情况下，表现通带特性的波形的肩部不超过阈值。另外，由于谐振线孔2d的介质材料的TC等于0，故衰减极点的频率是固定的，与温度的变化无关。通过这样的安排，衰减频带中的衰减可以持续地保持，并由此可以持续地提供衰减频带中所确定的最小衰减。

接着，将参照图8和9，描述根据本发明的第三实施例的介质滤波器的结构。

虽然上述实施例使用具有通带特性的介质滤波器，类似地，也可以使用带阻型介质滤波器。图8示出了带阻型介质滤波器的等效电路。在图中，符号Zb，Zd和Zf表示谐振线的各个阻抗，而符号Zbd和Zdf表示由整体耦合这些线时得到的交互电容产生的各个阻抗。另外，符号Za、Zc和Ze表示作为陷波谐振器的谐振线的各个阻抗，符号Zab表示由谐振器Za和Zb之间的交互电容产生的阻抗，其中Za和Zb用作π/2相位电路，由此Za和Zab用作陷波谐振器。类似地，符号Zcd表示由谐振器zd和zc之间的交互电容产生的阻抗，由此Zc和Zed用作陷波谐振器；而符号Zef表示由谐振器Zf和Ze之间的交互电容产生的阻抗。其中zf和zef用作陷波谐振器。由此，这是这样一种结构，其中耦合了三级陷波谐振器。

图9是描述介质滤波器的通带特性的曲线图。在这幅图中，从通带到衰减频带的区域中的通带特性的肩部接近于阈值。介质块的介质材料的TC大于0。结果，在高温时，通带特性的波形朝右下斜侧移动，如虚线所示。按照这样的安排，即便处于高温，波形的肩部也不超过通带损耗的最大值。

下面，参照图10A到12，描述根据本发明的第四实施例的介质双工器的结构。

图10A到10D是介质双工器的投影图，其中图10A是平面图，图10B是正视图，图10C是底视图，图10D是右视图。当将介质双工器安装在印刷电路板上作为元件时，图10B所示的前表面相对于印刷电路板安装的表面。

通过根据长方六面体的介质块1设置各种孔和电极形成上述介质双工器。为了具体地放置，标号2a、2b和2c指谐振线孔，在谐振线孔的内部表面上形成谐振线12a、12b和12c。类似地，标号5a、5b和5c表示谐振线孔，在谐振线孔的内部表面上形成谐振线15a、15b和15c。另外，标号3a、3b和3c表示输入/输出耦合线孔，在耦合线孔的内部表面上形成输入/输出耦合线13a、13b和13c。这些孔是阶梯状孔，其中孔的内部直径在其某一点上变化。在介质块1的外部表面上形成输入/输出端子7、8和9，它们从输入/输出耦合线孔13a、13b和13c延长，并在除了这些输入/输出端子之外的大致上整个表面上(六个表面)形成接地电极10。另外，在具有谐振线12a、12b、12c、15a、15b和15c的阶梯状孔的大直径侧的端部附近，设置由符号“g”表示的无电极部分(不导电部分)，在每一个“g”部分都产生寄生电容(Cs)。

上述介质块1具有四个介质材料区域，包括TC等于0、TC大于0、TC小于0和TC等于0，如图10B所示。

下面，将说明介质双工器的工作。首先，电感耦合形成在谐振线孔2a、2b和2c中的谐振线12a、12b和12c。谐振线12a、12b和12c是通过结合由无电极部分g的寄生电容Cs形成的梳形线耦合(电感耦合)和由阶梯状孔形成的电容耦合的。但是，在这种情况下，提供了电感耦合大于电容耦合的关系，谐振线12a、12b和12c整体上是电感耦合。在谐振线12a和输入/输出耦合线13a之间，以及谐振线12c和输入/输出耦合线13b之间各自形成叉指耦合。另外，在谐振线12d和输入/输出耦合线13b之间形成叉指耦合。

同时，谐振线15a、15b和15c电容耦合。耦合线15a、15b和15c通过结合由无电极部分g的寄生电容Cs形成的梳形线耦合(电感耦合)与由阶梯状孔形成的电容耦合而耦合。在这种情况下，由于提供了电感耦合小于电容耦合的关系，故谐振线15a、15b和15c整体上呈电容耦合。在谐振线15a和输入/输出耦合线13c之间以及谐振线15c和输入/输出耦合线13a之间各自形成叉指耦合，并在谐振线15d和输入/输出耦合线13c之间形成叉指耦合。

图11是上述介质滤波器的等效电路图。符号zla、zlb和zlc表示由图10中的谐振线15a、15b和15c产生的每一个阻抗，符号zld表示谐振器15d产生的阻抗，符号z2d表示谐振器12d产生的阻抗，符号z2a、z2b和Z2c表示图10中谐振线12a、12b和12c产生的每个阻抗，而符号zli，zio，z2o表示由图1所示的输入/输出耦合线13c、13a和13b产生的各个阻抗。符号zlid表示由交互电容产生的阻抗，该交互电容产生在谐振线15d和输入/输出耦合线13c之间，符号z2od表示由交互电容产生的阻抗，该交互电容产生在谐振线12d和输入/输出耦合线13b之间。符号zlab表示由交互电容产生的阻抗，该交互电容产生在谐振线15a和15b之间，符号zlbc表示由交互电容产生的阻抗，该交互电容产生在谐振线15b和15c之间，符号Z2ab表示由交互电容产生的阻抗，该交互电容产生在谐振线12a和12b之间，而符号z2bc表示由交互电容产生的阻抗，该交互电容产生在谐振线12b和12c之间。另外，符号zlco表示由交互电容产生的阻抗，该交互电容产生在谐振线15c和输入/输出耦合线13a之间，符号z2ai表示由交互电容产生的阻抗，该交互电容产生在谐振线12a和输入/输出耦合线13a之间。

按照这种方法，发送滤波器和接受滤波器都是由三级谐振器和一级陷波谐振器制成的。

图12A和12B是说明介质双工器的通带特性的曲线图。在这个例子中，发送滤波器允许发送频带的信号通过，并允许高频侧上的接收频带信号衰减。接收滤波器允许接收频带的信息通过，并允许低频侧上的发送频带信号衰减。在发送滤波器中，由上述陷波谐振器形成的衰减频带形成在通带的高频侧上，而在接收滤波器中，由上述陷波谐振器形成的衰减频带形成在通带的低频侧上。

每一个曲线图中的影阴线部分表示最大介入损耗和最小的衰减，以及其频率范围。在正常的温度下，在表现通带特性的波形从通带到衰减频带的区域中的肩部接近于阈值。但是，通带中的介入损耗小于最大介入损耗，如图中的实线所指。

在产生发送滤波器的通带特性的谐振器部分的介质材料中，TC大于0。因此，在高温下表现出发送滤波器的通带特性的波形朝右下斜侧移动，如虚线所表示的。结果，如图12A所示，即使在高温下，在发送滤波器中，表示通带特性的波形的肩部不超过阈值。另外，在产生接收滤波器的通带特性的谐振器部分的介质材料中，TC小于0。因此，表现高温下接收滤波器的通带特性的波形朝左下斜方移动。结果，如图12A所示，即使在高温下，在接收滤波器中，表现通带特性的波形的肩部不超过阈值。另外，由于产生发送滤波器和接收滤波器的通带特性的谐振器部分的介质材料中TC等于0，故即使是高温下，可能持续地提供发送滤波器的接收频带中的衰减和接收滤波器的发送频带中的衰减。

将图4中由符号B表示的材料用作产生上述发送滤波器的通带特性的谐振器部分的介质材料，并将图4中由符号A表示的材料用作产生上述接收滤波器的通带特性的谐振器部分的介质材料。结果，温度低于25摄氏度，如图12B所示，发送滤波器的通带特性朝图中的右上斜方移动，并且接收滤波器的通带特性朝图中的左上斜方移动。相应地，在较低温下，发送滤波器和接收滤波器中的介入损耗更令人满意。

图13是框图，说明了根据第五实施例的通信设备的结构。在这个图中，符号ANT表示发送/接收天线，符号DPX表示双工器，符号BPFa、BPFb和BPFc是带通滤波器，符号AMPa和AMPb表示放大电路，符号MIXa和MIXb表示混频器，符号OSC表示振荡器，符号DIV表示分频器(合成器)。MIXaet调制信号调制从DIV输出的信号频率，BPFa只允许发送频带的信号通过，AMPa放大信号的功率，以通过DPX从ANT发送出去。BPFb只允许从DPX输出的信号的接收频带信号通过，并且AMPb放大所通过的信号的功率。MIXb对从BPFc输出的频率信号与接收到的信号混合，以输出中频信号IF。

如图13所示的双工器DPX，可以使用具有如图10A到10D所示的结构的介质双工器。另外，作为带通滤波器BPFa、BPFb和BPFc，可使用具有如图5A到5D所示的结构的介质滤波器。按照这样的方法，产生总体小型的通信设备。

虽然已经具体参照本发明的较佳实施例具体示出和描述了本发明，但是熟悉本领域的技术人员将知道，在不背离本发明的主旨的条件下，可以有上述和其它形式和细节上的变化。

Claims (8)

1.一种介质滤波器，其特征在于包含：

接近于通带的衰减频带；

确定的最大介入损耗的阈值频率位置被安排得接近于表示通带特性的波形的肩部，其中介入损耗在从通带到衰减频带的区域中增大；

如此确定介质材料的温度特性，从而肩部根据温度的升高或降低朝衰减频带方向移动。

2.如权利要求1所述的介质滤波器，其特征在于介质滤波器还包含多个介质谐振器，至少一个介质谐振器是陷波谐振器，它在从肩部到衰减频带的区域中形成衰减极点，并如此地确定介质材料的温度特性，即陷波谐振器中谐振频率根据温度变化的变化小于其它介质谐振器中根据温度变化的变化。

3.如权利要求2所述的介质滤波器，其特征在于多个介质谐振器作为单个介质块被整个地模制或烧结。

4.如权利要求1所述的介质滤波器，其特征在于介质滤波器是包含多个将通带用作谐振频率范围的介质谐振器的带通滤波器。

5.如权利要求1所述的介质滤波器，其特征在于介质滤波器是包含多个将衰减频带用作谐振频率范围的介质谐振器的带阻滤波器。

6.一种介质双工器，其特征在于包含两个如权利要求1、2、4和5中任意一条所述的介质滤波器，两个滤波器中的一个滤波器是介质滤波器，其中，滤波器的低频带是衰减带，其高频带是通带，另一个滤波器是介质滤波器，其中，滤波器的低频带是通带，其高频带是衰减带。

7.如权利要求6所述的介质双工器，其特征在于将两个介质滤波器作为单个介质块整个模制或整个烧制。

8.一种通信设备，其特征在于包含如权利要求1到5的任意一条所述的介质滤波器以及如权利要求6和7的任意一条所述的介质双工器中的一个，其中所述介质滤波器或介质双工器被设置在高频电路部分。

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