CN1207199A - X－射线或γ－射线屏蔽设备 - Google Patents
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Abstract
一种用于防止由电子束照射所产生的X－射线或γ－射线从屏蔽通道口泄漏出来的屏蔽设备。该屏蔽设备包括用于限定带入口和出口的屏蔽通道(3)的屏蔽墙(2)。屏蔽墙(2)用于容纳产生X－射线或γ－射线的放射源(1)。该屏蔽设备还包括多个放置在屏蔽通道(3)内的隔墙(7—1、7—2和7—3)。隔墙(7—1、7—2和7—3)在屏蔽通道(3)的入口和出口之间至少被弯曲一次。
Description
技术领域
本发明涉及X-射线或Υ-射线屏蔽设备，尤其涉及用于防止例如由电子束照射而产生的X-射线或Υ-射线从被屏蔽的通道口泄漏出来的屏蔽设备。
背景技术
为了屏蔽从放射源放射出的X-射线或Υ-射线，至今人们习惯于采用这样的屏蔽设备：用由混凝土、铅或铁构成的屏蔽墙将放射源包围起来从而使放射性的X-射线或Υ-射线在穿过墙时得到衰减并且防止它们泄漏。然而，在物质或材料拿出或拿入屏蔽设备的情况下，屏蔽设备的内部就会被通风，或者当需要进入到屏蔽设备的内部时，屏蔽设备上必须要有通道口，因此不可能使放射源被完全封闭。
作为以上情况的例子，有这样一种情况：放射源包含于生产线上，待被放射源照射的材料被装入到屏蔽设备的内部，经放射源处理过的产品被从屏蔽设备的通道口取出；或者有这样一种情况：废气或废水被引入到屏蔽设备的内部，它们经放射源照射以后再被从屏蔽设备内取出；或者有这样一种情况：废气或废水被引入到屏蔽设备内的处理容器中，它们经电子束照射后再被从屏蔽设备中取出。特别是在用电子束照射的情况下，当电子束与目标气体或其它同类的东西相撞时会产生二次X-射线，这样，处理容器和被电子束照射的废气或废水就变成了X-射线的放射源。在这种情况下需要采用某些屏蔽X-射线或Υ-射线的结构以便X-射线或Υ-射线不会从通道口泄漏出来。
通常当电磁波中的X-射线或Υ-射线穿过物质时会受到衰减，随着离放射源的距离的增大，它们会变弱，每当被物质的表面反射时它们就会受到衰减。因此，为了防止X-射线或Υ-射线从通道口泄漏出来，通常用高度抗X-射线或Υ-射线泄漏的屏蔽墙将放射源到通道口之间的通道包围起来，增大通道的长度并使通道弯曲。在详细说明中，被高度抗X-射线或Υ-射线泄漏的屏蔽墙包围起来的通道被定义为“屏蔽通道”。
附图中的图14A示出了一个已知的屏蔽设备。图14A中的屏蔽设备具有限定中心室的屏蔽墙22，中心室内放置了产生X-射线或Υ-射线的放射源21。墙22的一侧有一个口26，口26上盖有大门27。口26主要用于出入屏蔽设备的内部。然而，由于要求门具有与屏蔽墙大体相等的屏蔽能力以便阻止X-射线或Υ-射线从门上透射出来或泄漏出来，因此该门变得很昂贵。此外，由于只有在不产生X-射线或Υ-射线时门才能被打开，因此这种屏蔽设备不能用于在产生X-射线或Υ-射线时物质或材料出入屏蔽设备这样一种场合，或不能用于屏蔽设备被通风这样一种场合。
附图中的图14B示出了一个已知的屏蔽设备，它具有被屏蔽墙包围的弯曲屏蔽通道。该屏蔽设备具有限定中心室的外屏蔽墙22，中心室内放置了产生X-射线或Υ-射线的放射源21。屏蔽墙22限定了一个从中心室延伸到口28的弯曲屏蔽通道23，口28被限定在一面屏蔽墙22内并被门29封闭。该门26是普通门，当没有产生X-射线或Υ-射线时，门可以打开，穿过屏蔽通道可以进入到屏蔽设备的内部。此外，当没有产生X-射线或Υ-射线时，通过让门开着可以使屏蔽设备的内部得到通风。
附图中的图15示出了另一个已知的屏蔽设备，它具有被屏蔽墙包围的弯曲屏蔽通道。屏蔽通道23A和23B由外屏蔽墙22限定，屏蔽墙22内的中心室内放置了产生并辐射X-射线或Υ-射线的放射源21。屏蔽通道23A和23B的两端还分别具有口24和25。在产生X-射线或Υ-射线的同时，物质或材料通过屏蔽通道23A被装入到屏蔽通道的内部，通过屏蔽通道23B被从屏蔽通道的内部取出。
当X-射线或Υ-射线穿过屏蔽通道时得到衰减，它们的衰减程度取决于它们通过的距离，即屏蔽通道的长度，和它们承受的反射。如果屏蔽通道出口处的X-射线或Υ-射线强度是屏蔽通道入口处的X-射线或Υ-射线强度的1/100，那么X-射线或Υ-射线的衰减率就表示为100。可以用下列经验公式(1)来计算衰减率并用公式(1)来设计屏蔽通道。
I＝I0×L-2×R-N……………(1)此处，I0是距离放射源中心单位长度位置上的X-射线或Υ-射线的强度，I是屏蔽通道出口处的X-射线或Υ-射线强度，L是从放射源中心到出口的距离，R是X-射线或Υ-射线每次反射的衰减率，N是在从放射源到出口的距离内X-射线或Υ-射线的反射次数。因此，通道口处X-射线或Υ-射线的衰减率η与离放射源的距离(L)的平方成正比，还与第N次反射的能量成正比。也就是说，衰减系数η由下列公式决定：
η＝L2×RN……………(2)
由于X-射线或Υ-射线的衰减率η取决于距离和反射次数，如以上公式(2)所示，因此，具有屏蔽通道和通道口的屏蔽设备需要有比全封闭屏蔽设备更大的空间和更多的用于屏蔽X-射线或Υ-射线的材料。通过比较图15A和15B可以容易地理解这个问题。随着X-射线或Υ-射线的大量产生并具有更大的能量，需要有更长的衰减距离和更多的衰减反射次数，因此需要更大的空间和更多的屏蔽材料。如果进出屏蔽设备的物质或材料的数量增加，那么屏蔽通道的截面面积也要增大，从而导致空间和屏蔽材料增加。特别是在用屏蔽设备内的电子束照射废气的废气处理过程中，由于待处理的废气量非常大，因此屏蔽通道截面积的范围从几m2到几十m2。增大的空间使屏蔽设备的布置受到限制，增加的屏蔽材料提高了屏蔽设备的成本和重量，从而导致安装屏蔽设备基座的成本增加。
本发明的公开
因此本发明的目的是提供一种能显著减少屏蔽通道空间和材料的X-射线或Υ-射线屏蔽设备。
为了实现以上目的，按照本发明的第一个方面提供了一种X-射线或Υ-射线屏蔽设备，它包括：限定至少一个含入口和出口的屏蔽通道的屏蔽墙和至少一个放置在至少一部分所述屏蔽通道内的内板或内墙，其中屏蔽墙用于容纳产生X-射线或Υ-射线的放射源，放射源位于防护通道的入口侧；所述内板或内墙沿所述屏蔽通道的所述入口到所述出口的方向延伸并在所述屏蔽通道内至少弯曲一次。
内板或内墙可以布置在屏蔽通道内以使得从屏蔽通道的入口看不到屏蔽通道的出口。
内板或内墙可以包括将屏蔽通道分成多个通道的隔板或隔墙。
隔板或隔墙可以呈折屏形式，它至少有一个折弯。内板或内墙可以包括螺旋形板或螺旋形墙。
X-射线或Υ-射线可以通过电子束照射来产生。电子束可以用来处理废气。
按照本发明的第二个方面提供了一种X-射线或Υ-射线屏蔽设备，它包括：限定至少一个含入口和出口的屏蔽通道的屏蔽墙和至少一个放置在至少一部分屏蔽通道内的隔板或隔墙，其中，屏蔽墙用于容纳产生X-射线或Υ-射线的放射源，它位于防护通道的入口侧；隔板或隔墙用于将屏蔽通道分隔成多个通道。
隔板或隔墙的厚度大体上可以是隔板或隔墙材料的半值层的1/20到1/10。
至今，人们认为，按照以公式(1)为基础设计屏蔽设备的设计步骤，即使屏蔽通道被分割，X-射线或Υ-射线的衰减率也不会改变，因为离放射源的距离和反射次数保持不变。然而，本专利申请的发明者发现，如果屏蔽通道被隔板或隔墙分割成多个通道，那么，X-射线或Υ-射线的衰减率就能得到提高。还证实了即便在隔板或隔墙的厚度不够大，其本身不足以屏蔽X-射线或Υ-射线的情况下，衰减率也能得到提高。
附图的简要说明
图1是按照本发明第一方面的第一实施例的X-射线或Υ-射线屏蔽设备的水平剖视图；
图2是按照本发明第一方面的第一实施例的X-射线或Υ-射线屏蔽设备的隔板或隔墙的放大透视图；
图3是按照本发明第一方面的第二实施例的X-射线或Υ-射线屏蔽设备的水平剖视图；
图4是表示X-射线衰减率相对厚度/半值层比的关系曲线；
图5是表示X-射线衰减率相对于隔板或隔墙的单元数量的关系曲线；
图6是用于解释此后的等式(2)和(3)的屏蔽通道的水平剖视图；
图7是本发明X-射线与Υ-射线屏蔽设备用于电子束气体处理系统的示意图；
图8是按照本发明第二方面的实施例的具有被隔板或隔墙分割的屏蔽通道的X-射线或Υ-射线屏蔽设备的透视图；
图9是一个屏蔽设备例子的水平剖视图；
图10是图9所示例子的局部垂直剖视图；
图11是表示X-射线衰减率相对于厚度/半值层比的关系曲线；
图12是表示X-射线衰减率相对于L2/S的关系曲线；
图13是按照本发明的第一方面与第二方面组合的实施例的X-射线或Υ-射线屏蔽设备的隔板或隔墙的放大透视图；
图14A是普通的X-射线或Υ-射线屏蔽设备的水平剖视图；
图14B是另一个普通X-射线或Υ-射线屏蔽设备的水平剖视图；和
图15是再一个普通X-射线或Υ-射线屏蔽设备的水平剖视图。
本发明的优选实施例
以下将参考图1到6详细说明本发明第一方面的实施例。
图1示出了按照本发明第一方面的第一实施例的X-射线或Υ-射线屏蔽设备。如图1所示，屏蔽设备内放置了诸如被电子束照射的物质或材料之类的放射源，它放射二次X-射线，屏蔽设备具有限定屏蔽通道3的外屏蔽墙2。屏蔽墙2内包含了隔板或隔墙单元4-1和4-2。屏蔽通道3内有X-射线入口A和出口B，入口A位于邻近放射源1的一端，出口B位于远离放射源1的对端。出口B通常被屏蔽门2d封闭。隔板或隔墙单元4-1和4-2被这样布置在屏蔽通道3内以至于从出口B看不到入口A。
图2以放大的尺寸示出了每个隔板或隔墙单元4-1和4-2。如图2所示，每个单元包括顶板5、底板6和多个隔板或垂直隔墙7-1、7-2和7-3，其中，底板6位于顶板5的下面与顶板5隔开一段距离，隔板或垂直隔墙7-1、7-2和7-3在顶板5和底板6之间延伸，它们在与屏蔽通道3(见图1)的纵轴相垂直的方向水平隔开一段距离。屏蔽墙2与顶板5、底板6的紧密接触以免X-射线从屏蔽墙2、顶板5和底板6的接触部分泄漏出来。隔板或隔墙7-1、7-2或7-3构成了内板或内墙，并将通道3分隔成如图所示的多个横向并列的通道。每个隔板或隔墙7-1、7-2和7-3呈折屏形状，它与在其上端和下端之间延伸的中心垂直折线呈90°折叠形状，它的上端和下端分别固定到顶板5和底板6上。尽管图2中每个隔板或隔墙7-1、7-2和7-3只有一个折7f，但它可以有更多个折。
图3示出了按照本发明第二实施例的X-射线或Υ-射线屏蔽设备。在图3的第二实施例中，屏蔽设备的屏蔽通道3内的入口A和出口B之间放置了螺旋形隔墙8。该隔墙8围绕中线CL绕成螺旋状，中线CL沿屏蔽通道3的纵轴方向延伸。图3所示屏蔽设备的其它详细情况与图1所示的屏蔽设备的情况相同。图3中的那些与图1所示的结构与功能相同的部分与部件用相同的参考数字表示。
以下所述的试验是在图1所示的屏蔽设备上进行的。
试验情况是：在图1所示的屏蔽设备中放置两个如图2所示的隔板或隔墙单元，在该屏蔽设备上进行屏蔽由电子束照射所产生的二次X-射线的X-射线的屏蔽试验。在该X-射线屏蔽试验中，X-射线是从被以0.5MeV和0.8MeV的最大能量照射过的材料上发射出来的。隔墙由包括铁和铅的各种材料所组成，它具有如下面表1所示的各种不同厚度。表1中的厚度相对于半值层的比率等于表2中的隔墙厚度相对于半值层的比率，半值层被定义为使穿过的X-射线的强度降为初始值的一半的材料的厚度，半值层取决于材料的种类和X-射线的最大能量。
表1
(试验中用的隔墙)
| 隔墙材料 | 隔墙厚度(mm) | 厚度/半值层比 | |
| 0.5MeV | 0.8MeV | ||
| 铁 | 131020 | 0.100.290.951.91 | 0.080.230.761.52 |
| 铅 | 102040 | 2.494.979.95 | 1.422.835.67 |
表2
(对于X-射线的半值层)
| 隔墙材料(密度) | X-射线能量(MeV) | 半值层(mm) |
| 水泥(2.4) | 0.50.8 | 34.242.3 |
| 铁(7.86) | 0.50.8 | 10.513.2 |
| 铅(11.34) | 0.50.8 | 4.07.1 |
用于半值层计算的材料的全部吸收系数来源于Kyoritsu Shuppan发表的“Radiation”，材料密度来源于Maruzen发表的“Rika Nenpyo”(Scientific Almanac)。
如果假定屏蔽通道入口和出口处的X-射线强度分别为IA和IB，那么屏蔽设备的衰减率η就可以用η＝IA/IB来表示。图4示出了在不同的材料、不同的隔板或隔墙厚度和施加不同的X-射线能量的情况下测得的X-射线衰减率与厚度/半值层比之间的关系曲线。图4证明了：若隔墙厚度等于半值层的2.5倍(衰减率为22.5＝5.7)，那么任何被发射的X-射线都可得到抑制。图4还证明了：即使隔墙厚度小于半值层的2.5倍，那么也可以比不用隔墙获得更好的衰减效果。例如，即使在厚度/半值层比等于0.1的情况下也可以得到50到100范围内的衰减率，这表明衰减效果较好。隔墙厚度的增大不会改变衰减效果，但却会在安装过程和经济方面对屏蔽设备造成更大的负面影响。因此，实际上隔墙厚度最多为半值层的几十倍。
在另一个X-射线屏蔽试验中，增加了隔板或隔墙单元的数量(图1中包括了用虚线表示的附加隔板或隔墙单元)，但没有改变隔墙的厚度。X-射线发射源以0.5MeV的最大能量产生X-射线，铅隔离墙的厚度为20mm，分别测量第一、第二和第三隔板或隔墙单元的衰减率。测量结果如图5所示。由于铅隔离墙的厚度为20mm，因此图5中仅示出了对不受发射X-射线影响的反射X-射线的衰减效果。这证实了隔板或隔墙单元数量与衰减率之间的关系不仅满足以上公式(1)，而且还满足本专利申请的发明者所发现的公式(3)。
In＝In-1×[(α×Ln 2/Sn)+β]-1……………(3)
下面将对以上公式(3)加以说明。
如图6所示，如果假定放射源1产生的X-射线在由外屏蔽墙限定的屏蔽通道3内的各个折弯P1、P2、……、Pn处的强度分别为I1、I2、……、In，那么按照公式(3)就可以根据前一个折弯Pn-1处的X-射线强度In-1计算出折弯Pn处的X-射线强度In。这里，Sn是折弯Pn-1到折弯Pn的距离，α和β是由屏蔽通道的截面形状所决定的常数。在公式(3)中，[(α×Ln 2/Sn)+β]表示每个折弯的衰减率。公式(3)表明：屏蔽通道折弯处的衰减率与距反射点的距离的平方成正比，与屏蔽通道的截面积成反比。由此可见，通过减小屏蔽通道的截面积，例如减小隔墙之间的间距，以及通过增大反射次数和距离可以提高衰减效果。
在图3所示的屏蔽设备上还作了电子束照射X-射线屏蔽试验。螺旋形隔墙由厚度为10mm的铁板构成。X-射线放射源1以0.5MeV和0.8MeV的最大能量产生X-射线。在X-射线屏蔽试验中，X-射线衰减率η(＝IA/IB)在0.5MeV时为2000，在0.8MeV时为1500。因此，图3所示的屏蔽设备产生了与图1所示的屏蔽设备相同的衰减效果。
由于按照本发明第一方面的X-射线或Υ-射线屏蔽设备的屏蔽通道中有隔板或隔墙，因而提高了屏蔽设备相对于X-射线或Υ-射线的屏蔽效率并能够大大减小屏蔽设备的安装空间和结构成本。
图7示出了本发明X-射线与Υ-射线屏蔽设备应用到电子束气体处理系统中的一个例子。待处理的气体从进气管引入到处理容器32中，在处理容器32内，气体受由电子束发生器33产生的能量为几十KeV到几MeV的电子束的照射。经过电子束照射之后，气体从出气管34排放出去。当电子束与目标气体相撞时会产生二次X-射线，二次X-射线的最大能量与电子束的能量相同。因此安装了X-射线屏蔽设备以便屏蔽墙2包围处理容器32、进气管31、和出气管34从而防止二次X-射线的泄漏。为了防止二次X-射线从进气管31和出气管32的口上泄漏出去，在进气管31和出气管32中安装了带多个折弯的隔墙7-1、7-2和7-3，这样，从X-射线的出口31B和32B就看不到相应各X-射线入口31A和32A。隔墙7-1、7-2和7-3由混凝土、铁或铅混合屏蔽材料构成，它们的厚度在防护材料半值层的十分之几到几十之间。在屏蔽材料和产生的X-射线的最大能量的基础上确定隔墙的厚度。电子束发生器33是半屏蔽型的，它本身能防止所产生的X-射线从穿头37中泄漏出去。
接下来将参考图8到图12对根据本发明的第二方面的实施例加以说明。
图8示出了按照本发明第二方面的实施例的X-射线或Υ-射线屏蔽设备的透视图。如图8所示，该屏蔽设备包括带X-射线或Υ-射线入口11和出口12并受外屏蔽墙13限定的屏蔽通道。该屏蔽通道以90。角弯曲。入口11和出口12分别位于屏蔽通道的两端。该屏蔽设备的屏蔽通道内还具有隔板或隔墙14。隔板或隔墙14包括垂直和水平隔板或隔墙，它们合起来将屏蔽通道分隔成多个平行通道18，每个通道18具有垂直交叉部分。
如上所述，以上公式(3)表明：屏蔽通道折弯处的衰减率与距反射点的距离的平方成正比，与屏蔽通道的截面积成反比。由此可见，通过减小屏蔽通道的截面积以及增大反射次数和距离可以提高屏蔽通道的衰减效果。
例如，如果隔墙14将屏蔽通道分隔成9个相等的平行通道18，如图8所示，那么每个折弯的衰减效果大约大于在没有隔墙14的情况下所获得的衰减效果的9倍。因此，如果屏蔽通道具有5个折弯并被分隔成9个相等的平行通道，那么其衰减效果大约大于60000(＝95)倍，尽管屏蔽通道的容积基本保持不变。试验表明，当每个隔墙14的厚度至少约为半值层的二十分之一(1/20)时，能获得上述对穿过隔墙14的X-射线或Υ-射线的衰减效果。所以，隔墙14可以很薄。这是本专利申请的发明者发现的又一个重要事实。
以下说明的试验是在按照本发明的屏蔽设备上进行的。
图9示出了具有外屏蔽墙13的X-射线屏蔽设备，其中，屏蔽墙13限定了屏蔽通道，X-射线放射源15(被电子束照射过的物质或材料)位于屏蔽通道内。如图10所示，隔墙14被放置在与屏蔽通道的底板平行的屏蔽通道区域16(图9中用阴影表示)内。在图9中，参考数字17表示出口。屏蔽通道的宽度为900mm，高度为3000mm，隔墙14位于底板的上方，与底板相隔1000mm，它将屏蔽通道分割成两个截面积比例为2∶1的通道18。X-射线放射源15以0.5MeV和0.8MeV的最大能量产生X-射线。隔墙14包括铝、铁和铅的各种材料所制成，它具有不同的厚度，如下列表3所示。表3中的厚度/半值层比表示图4中的隔墙厚度与半值层的比率。
表3
(试验中用的隔墙)
| 隔墙材料 | 隔墙厚度(mm) | 厚度/半值层比 | |
| 0.5MeV | 0.8MeV | ||
| 铝 | 510 | 0.160.33 | 0.130.27 |
| 铁 | 131020 | 0.100.290.951.91 | 0.080.230.761.52 |
| 铅 | 102040 | 2.494.979.95 | 1.422.835.67 |
表4
(对于X-射线的半值层)
| 隔墙材料(密度) | X-射线能量(MeV) | 半值层(mm) |
| 混凝土(2.4) | 0.50.8 | 34.242.3 |
| 铝(2.69) | 0.50.8 | 30.537.7 |
| 铁(7.86) | 0.50.8 | 10.513.2 |
| 铅(11.34) | 0.50.8 | 4.07.1 |
用于半值层计算的材料的全部吸收系数来源于Kyoritsu shuppan发表的“Radiation”，材料密度来源于Maruzen发表的“RiKa Nenpyo”(Scientific Almanac)。
为了将按照本发明的屏蔽通道的衰减效果与无隔墙的屏蔽通道的衰减效果进行比较，测量了屏蔽通道入口和出口处的X-射线强度I1和I3(见图9)并计算出了衰减率η(＝I1/I3)。
图11示出了X-射线衰减率与厚度/半值层比之间的关系曲线。在图11中，点(a)代表无隔墙的屏蔽通道(截面积为2.7m2)中X-射线衰减率与半值层的关系，O代表带隔墙的屏蔽通道的上通道(截面积为1.8m2)中X-射线衰减率与半值层的关系，△代表带隔墙的屏蔽通道的下通道(截面积为0.9m2)中X-射线衰减率与半值层的关系。对图11的研究表明：在距X-射线放射源的距离和反射次数相同的情况下，衰减率随截面积的减小而增大，当屏蔽通道被隔墙分割时，其衰减效果得到的了提高。
图12示出了为图9所示屏蔽通道的一次反射测得的X-射线衰减率(I1/I2)。上述公式(3)可以根据图12所示的数据推导出来。图11证实了甚至当隔墙的厚度减小到半值层的十分之一(相对于0.8MeV的最大能量，铁隔离墙的厚度为1mm)时，衰减效果也不会改变。当隔墙的厚度减小到半值层的0.08倍(相对于0.8MeV的最大能量，铁隔离墙的厚度为1mm)时，衰减效果稍微有些下降，但在不改变屏蔽通道形状的情况下仍能有效提高衰减效果。隔墙厚度的进一步增大不会改变衰减效果，但却会对屏蔽设备的安装过程或经济方面产生更大的负面影响。因此，隔墙的厚度实际上最多约为半值层的10倍。
按照本发明的第二方面，由于X-射线或Υ-射线屏蔽设备具有被隔墙分割的屏蔽通道，因此屏蔽设备对X-射线或Υ-射线的屏蔽效率得到了提高，并且屏蔽设备只需要相对较小的安装空间，可以做得相对较便宜。
接下来将参照图13对结合本发明第一与第二方面的实施例加以说明。本发明第一与第二方面的组合提供了更好的X-射线与Υ-射线衰减效果。
图13示出了隔板或隔墙单元4-1(或4-2)的放大尺寸，它与图2相对应。图13所示的单元4-1(或4-2)除了包含多个在隔墙7-1与隔墙7-3之间延伸并且沿屏蔽通道3的纵轴方向垂直隔开(见图1)的隔板或隔墙9以外，与图2所示的单元4-1(或4-2)相同。这个隔板或隔墙9构成了第二隔墙。即，如图13所示，屏蔽通道3(见图1)被隔板或隔墙7-1、7-2或7-3分割成多个横向并列的通道，并且这些通道又被隔板或隔墙9分割成多个垂直向并列的子通道，每个子通道都具有垂直交叉断面。因此，可以进一步提高X-射线衰减率。
尽管给出并详细说明了本发明的某些优选实施例，但应当理解，在附属权利要求的范围内可以作出各种修改与变动。
工业应用性
本发明适合于这样的屏蔽设备：由于在放射源产生X-射线或Υ-射线的同时要求物质或材料进、出屏蔽设备，因此屏蔽设备中放射X-射线或Υ-射线的放射源不能完全被封闭。本发明最好应用于这样的废气处理系统：当电子束与待处理的废气在系统内碰撞时会产生X-射线，并且要求从屏蔽通道口排出处理过的气体和副产品。
Claims (12)
1、一种X-射线或Υ-射线屏蔽设备，它包括：
用于限定至少一个含入口和出口的屏蔽通道的屏蔽墙，所述屏蔽墙用于容纳产生X-射线或Υ-射线的放射源，放射源位于所述屏蔽通道的所述入口侧；和
至少一个放置在至少一部分所述屏蔽通道内的内板或内墙，所述内板或内墙沿所述屏蔽通道的所述入口到所述出口的方向延伸并在所述屏蔽通道内至少弯曲一次。
2、根据权利要求1所述的屏蔽设备，其中所述内板或内墙被布置在所述屏蔽通道内以使得从所述入口看不到所述出口。
3、根据权利要求1所述的屏蔽设备，其中所述内板或内墙包括将所述屏蔽通道分割成多个通道的隔板或隔墙。
4、根据权利要求3所述的屏蔽设备，其中所述隔板或隔墙呈折屏形式，它至少有一个折弯。
5、根据权利要求3所述的屏蔽设备，还包括至少一个第二隔板或隔墙，它被放置在至少部分所述屏蔽通道内，用于将所述通道分割成多个子通道。
6、根据权利要求1所述的屏蔽设备，其中所述内板或内墙包括螺旋形板或螺旋形墙。
7、根据权利要求1所述的屏蔽设备，其中所述X-射线或Υ-射线是通过电子束的照射产生的。
8、根据权利要求7所述的屏蔽设备，其中所述电子束被用来处理废气。
9、一种X-射线或Υ-射线屏蔽设备，它包括：
用于限定至少一个含入口和出口的屏蔽通道的屏蔽墙，所述屏蔽墙用于容纳产生X-射线或Υ-射线的放射源，放射源位于所述屏蔽通道的所述入口侧，所述屏蔽通道是弯曲结构；和
至少一个放置在至少一部分所述屏蔽通道内的隔板或隔墙，它用于将所述屏蔽通道分割成多个通道。
10、根据权利要求9所述的屏蔽设备，其中所述X-射线或Υ-射线是通过电子束的照射产生的。
11、根据权利要求10所述的屏蔽设备，其中所述电子束被用来处理废气。
12、根据权利要求9所述的屏蔽设备，其中所述隔板或隔墙的厚度大体上至少为所述隔板或隔墙材料的半值层的二十分之一。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN 97191601 CN1207199A (zh) | 1996-03-12 | 1997-03-12 | X－射线或γ－射线屏蔽设备 |
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| JP81905/96 | 1996-03-12 | ||
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Family Applications (1)
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-
1997
- 1997-03-12 CN CN 97191601 patent/CN1207199A/zh active Pending
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