CN120073271B - 一种基于体声波谐振器的低温共烧陶瓷双工器及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种基于体声波谐振器的低温共烧陶瓷双工器及其制备方法，该制备方法制得的双工器包括依次串联的带通部分和低通部分；带通部分中设有一个或多个体声波谐振器；体声波谐振器串联在带通部分的输入端；通过在带通部分级联的体声波谐振器，在保留低温共烧陶瓷滤波器大带宽的基础上，提高了双工器两个工作区之间的隔离度。该低温共烧陶瓷双工器制备通过将双工器中所有体声波谐振器集成在同一基板上，得到第一器件模块；通过低温共烧陶瓷工艺将双工器中除体声波谐振器外的器件集成于同一陶瓷体中，得到第二器件模块；对第一器件模块中的体声波谐振器与第二器件模块中的器件进行级联，得到低温共烧陶瓷双工器。

Description

一种基于体声波谐振器的低温共烧陶瓷双工器及其制备方法

技术领域

本发明属于滤波电路技术领域，具体涉及一种基于体声波谐振器的低温共烧陶瓷双工器及其制备方法。

背景技术

双工器是无线通信中实现信号双向传输的核心器件，其通过两组不同频率的滤波器即低通部分和带通部分实现收发信号隔离，使发射和接收共用一副天线，避免发射功率干扰接收电路。双工器通过精密滤波或时序控制，解决了收发信号共存难题，成为现代无线通信系统高效运行的基础组件。

由于低温共烧陶瓷（LTCC）工艺能够在较小的体积内集成电感、电容等元件，从而可以灵活地进行电路设计大大减小器件或模块的体积，现有技术通常采用LTCC滤波器构成的双工器来实现低成本。然而，由于LTCC滤波器的Q值（品质因数）较低且自谐振频率低，导致LTCC工艺下的滤波器难以实现较大的滚降。较低的自谐振频率会导致在使用器件值较大的电容电感时，滤波器工作在自谐振点右侧导致高频特性而变差，并且在采用较多的器件之后，滤波器的整体尺寸也会增大。

发明内容

本发明的目的在于提供一种基于体声波谐振器的低温共烧陶瓷双工器及其制备方法。

第一方面，本发明提供了一种基于体声波谐振器的低温共烧陶瓷双工器制备方法，制得的双工器包括依次串联的带通部分和低通部分；所述带通部分中设有一个或多个体声波谐振器；所述个体声波谐振器串联在带通部分的输入端；

该低温共烧陶瓷双工器制备方法为：将双工器中所有体声波谐振器集成在同一基板上，得到第一器件模块；通过低温共烧陶瓷工艺将双工器中除体声波谐振器外的器件集成于同一陶瓷体中，得到第二器件模块；对第一器件模块中的体声波谐振器与第二器件模块中的器件进行级联，得到低温共烧陶瓷双工器。

作为优选，第一器件模块和第二器件模块中的器件进行级联的方式为：在第二器件模块上所有需要连接体声波谐振器的接口处开设通孔；在第一器件模块上设置与第二器件模块上的各通孔一一对应的多个接口；将第一器件模块叠放在第二器件模块上，并使得第二器件模块上的各通孔与第一器件模块上的各接口分别对齐；使用走线通过第二器件模块上的通孔，分别连接第一器件模块与第二器件模块上的对应接口。

作为优选，第二器件模块和第一器件模块中的器件进行级联的方式为：将第一器件模块和第二器件模块焊接在同一块PCB基板上；在PCB基板上使用微带线分别连接第一器件模块与第二器件模块上的对应接口。

作为优选，第二器件模块和第一器件模块中的器件进行级联的方式为：在第二器件模块的一个相对面上设有多块焊盘；在集成第二器件模块过程中，将第二器件模块中与体声波谐振器连接的两个接口设置在相邻的两块焊盘上；将第一器件模块通过焊盘直接焊接到第二器件模块，得到低温共烧陶瓷双工器。

第二方面，本发明提供了一种基于体声波谐振器的低温共烧陶瓷双工器，包括依次串联的带通部分和低通部分；所述的带通部分包括带通干路、第一带通支路以及多个第二带通支路；带通干路包括串联在带通部分的输入端和输出端之间的一个或多个体声波谐振器以及一个或多个LC谐振器；LC谐振器包括串联的电感和容性元件；

第一带通支路连接在最后一个体声波谐振器与第一个LC谐振器的连接端；第一带通支路包括串联在带通干路和地线之间的一个或串联的多个体声波谐振器；第二带通支路成对设置在相邻LC谐振器的连接端；第二带通支路均包括串联在带通干路和地线之间的LC谐振器。

作为优选，所述的低通部分包括低通干路和一个或多个低通支路；低通干路包括串联在低通输入端和低通输出端之间的一个或多个电感；所述低通支路串联在低通干路与地线之间；相邻低通支路之间隔有一个电感；所述低通支路包括容性元件；全部或部分容性元件采用体声波谐振器。

作为优选，部分或全部容性元件采用体声波谐振器。

作为优选，所述的低通部分和带通部分中的所有体声波谐振器的膜厚均不相同。

作为优选，根据所需抑制频段设置体声波谐振器的膜厚和第二带通支路中LC谐振器的电路参数，使体声波谐振器产生的谐振峰向高频移动至所需抑制频段外。

作为优选，低温共烧陶瓷双工器中的电感的电感值小于6nH；低温共烧陶瓷双工器中的容性元件的电容值小于4pF。

本发明具有的有益效果是：

1、本发明通过在带通部分级联体声波谐振器，在保留LTCC滤波器大带宽的基础上，利用体声波谐振器的高滚降的特点，将带通部分的左侧过渡带减小到150MHz以内，提高了双工器两个工作区之间的隔离度。

2、本发明在低通部分的低通支路上串联体声波谐振器，在不影响原有滤波器的传输曲线走势下产生传输零点，提高了滤波器的性能；同时，将传统LTCC滤波器的低通部分中的部分器件值较大的电容替换为体声波谐振器，降低了双工器整体的的尺寸。

附图说明

图1为本发明实施例1中双工器的低通部分示意图。

图2为本发明对比例1中的LC低通滤波器示意图。

图3为本发明实施例1与对比例1的S参数仿真对比图。

图4为本发明实施例2中双工器的带通部分示意图。

图5为本发明对比例2中的LC双工器的带通部分示意图。

图6为本发明实施例2与对比例2的S参数仿真对比图。

图7为图6的局部放大示意图。

图8为本发明实施例3中双工器的整体拓扑结构示意图。

图9为本发明实施例3中双工器的整体S参数仿真图。

图10为本发明实施例3中双工器的低通部分S参数仿真图。

图11为本发明实施例3中双工器的带通部分S参数仿真图。

图12为本发明实施例4中双工器级联方式的俯视示意图。

图13为本发明实施例4中双工器级联方式的侧视示意图。

图14为本发明实施例5中双工器级联方式的俯视示意图。

图15为本发明实施例6中双工器级联方式的侧视示意图。

具体实施方式

以下结合附图对本发明作进一步说明。

实施例1

如图1所示，一种构成低温共烧陶瓷双工器低通部分的低通滤波器包括一条低通干路和三条低通支路；低通干路包括串联在滤波器输入端和输出端之间的电感L1、电感L2和电感L3；三条低通支路分别设置在电感L1和电感L2的连接端、电感L2和电感L3的连接端、电感L3和输出端的连接端；设置在电感L1和电感L2连接端的低通支路，包括串联在低通干路与地线之间的第一体声波谐振器101（BAW谐振器）；设置在电感L2和电感L3连接端的低通支路，包括串联在低通干路与地线之间的第二体声波谐振器102；设置在输出端和电感L3连接端的低通支路，包括串联在低通干路与地线之间的第三体声波谐振器103。

对比例1

如图2所示，一种LC低通滤波器包括一条串联干路和三条并联支路。串联干路包括串联在滤波器输入端和输出端之间的电感L1、电感L2和电感L3；三条并联支路分别设置在电感L1和电感L2的连接端、电感L2和电感L3的连接端、电感L3和输出端的连接端；三条并联支路的结构相同，均包括串联在串联干路与地线之间的电容。该对比例与实施例1的区别之处在于：对比例1采用电容作为并联支路的组成部分。

实施例1与对比例1的S参数仿真对比图如图3所示，图3中横坐标为频率，纵坐标为插入损耗。曲线1为实施例1提供的滤波器的频率响应曲线；曲线2为对比例1提供的LC低通滤波器的频率响应曲线。在曲线1中，体声波谐振器101自谐振产生一个传输零点201并在传输零点的右侧产生一个谐振峰；通过体声波谐振器102自谐振产生传输零点202来对体声波谐振器101产生的谐振峰进行抑制；由于体声波谐振器102在传输零点202右侧产生一个谐振峰，通过体声波谐振器103自谐振产生传输零点203来对体声波谐振器102产生的谐振峰进行抑制。在并联3个体声波谐振器后，将谐振峰向高频移动到所需抑制频段外，在需要的频率范围内带外抑制均符合要求。曲线1在通带内与曲线2保持较好的一致性，仅在体声波谐振器产生零点的位置有较大的带外抑制。在带外抑制处因体声波谐振器的谐振峰曲线比曲线2略有增高，但总体趋势一致。同时，通过将一定的电容器件替换为体声波谐振器能够引入抑制较高的传输零点；并且由于体声波谐振器101、102、103具有极高的品质因数，因此替换后可以为滤波器提供一个较大的滚降。

通过在并联支路使用体声波谐振器，大大缩减LTCC低通滤波器的体积，形成一个只有3个电感串联的电路结构，在不影响原本功能的情况下简化了原本的低通部分电路。由于体声波谐振器本身具有静电容特性，在经过一定的参数设置使得体声波谐振器的静电容值与被替换电容的电容值相等后，此时体声波谐振器可以承担电容在LC滤波器中的作用。通过将三个电容均替换为体声波谐振器，而不影响该低通滤波器部分原有的功能。由于低温共烧陶瓷工艺的特性，电容元件会在设计中占有较大的空间，因此将一定的电容器件替换为体声波谐振器以减小低温共烧陶瓷部分的尺寸。

实施例2

如图4所示，一种构成低温共烧陶瓷双工器带通部分的带通滤波器包括一条带通干路、一条第一带通支路和四条第二带通支路。带通干路包括串联在输入端和输出端之间的体声波谐振器104、体声波谐振器105和三个LC谐振器；三个LC谐振器均包括串联的电感和电容。第一带通支路设置在体声波谐振器与LC谐振器的连接端，其包括串联在带通干路和地线之间的体声波谐振器106和体声波谐振器107；四条第二带通支路两两设置在相邻LC谐振器的连接端，其均包括串联在带通干路和地线之间的电容和电感。

本发明基于阻抗的原理，通过在带通干路和带通支路上分别采用了膜厚各不相同的体声波谐振器来增加滤波器的抑制与陡降。由于将带通支路中的电容替换为体声波谐振器会产生尖峰，适用于右边带。实施例2为提高左边带性能，若与实施例1进行相同操作会在通带中产生尖峰与凹陷，因此需要在主路上串联两个体声波谐振器，起到高阻抗断路的作用。由于是利用体声波谐振器的高阻抗特性，因此低阻抗产生的谐振峰会出现在传输零点左侧，而不会影响通带，而后再利用第一带通支路的体声波谐振器来发挥抑制作用将不会对通带产生影响。同时，通过调整第二带通支路中的电感和电容的数值，能够改变带通滤波器的带外传输零点（增大电容和电感使传输零点左移）。通过对传输零点进行调节，将谐振峰向高频移动到所需抑制频段外，以得到符合指标要求的S参数曲线。

在一些实施例中，将带通干路中的电容替换为体声波谐振器。

对比例2

如图5所示，一种构成双工器带通部分的滤波器包括一条串联干路和四条并联支路。串联干路包括串联在输入端和输出端之间的三个LC谐振器；三个LC谐振器均包括串联的电感和电容。四条并联支路两两设置在相邻LC谐振器的连接端；设置在相邻LC谐振器连接端的并联支路均包括串联在带通干路和地线之间的电容和电感。该对比例与实施例2的区别之处在于：实施例2在输入端和LC谐振器之间串联两个体声波谐振器，且在体声波谐振器与LC谐振器连接端设有串联在带通干路和地线之间的两个体声波谐振器。

实施例2与对比例2的S参数仿真对比如图6所示，图6中横坐标为频率，纵坐标为插入损耗。曲线3为实施例2提供的带通滤波器的频率响应曲线；曲线4为对比例2提供的LC带通滤波器的频率响应曲线。设定通带在5.15GHz~5.85GHz内，而带外抑制则要求在5GHz时就达到-25dB。通过第四体声波谐振器104串联在带通滤波器的输入端，利用其自谐振处的阻抗极大值，对干路起到断路的作用，从而引入了一个带外传输零点401；在引入传输零点后，会再产生一个谐振峰，因此需要再串联一个体声波谐振器105来产生传输零点402；第六体声波谐振器106并联在带通滤波器的输入端，利用其自谐振处的阻抗极小值，对干路起到短路的作用，从而引入了一个带外传输零点403。在引入传输零点后，会再产生一个谐振峰，因此需要再串联一个体声波谐振器107来产生传输零点404。此时需要抑制的频段内已经符合需求。传输零点404因为在5GHz处起到高抑制而与传输零点403重合，以增大体声波谐振器提供的抑制效果，因此在曲线3中不能观测到其存在。在修改第七体声波谐振器107的膜厚时，可以通过减小其膜厚，使传输零点404向高频处移动，从而在通带内观测到传输零点404的存在。

在曲线4上可以看到，在5GHz处难以实现-25dB带外抑制的要求。这是由于LC器件的品质因数较低，因此，难以实现陡峭的滚降。而在曲线3上，可以看到，通过引入的4个零点，可以在5GHz处的插入损耗压制在-25dB以下，同时在5GHz左侧均可以在一定程度上起到抑制作用。同时，在体声波谐振器的作用部分之外，曲线3和曲线4有着很好的一致性，波形几乎没有变动。在图7中，传输零点401左侧的两个零点便是带通滤波器本身的传输零点，将串联谐振器产生的传输零点与体声波谐振器产生的传输零点相互匹配调节来得到符合指标要求的S参数曲线。在曲线3和曲线4的对比可以看出带通滤波器本身的传输零点在同一频率。体声波谐振器104、体声波谐振器105、体声波谐振器106、体声波谐振器107仅起到了低阻抗时短路的作用，从而保持滤波器维持原来的工作曲线。高频处由于引入体声波谐振器导致高频阻抗与原本不一致，因此插入损耗有所升高，但整体波形保持一致。由此可以看出实施例2所提供的滤波器具有优异的滚降以及不改变原有频率响应曲线的特点，可以不改变原有波形的情况下提升滤波器的性能。

实施例3

如图8所示，一种基于体声波谐振器的低温共烧陶瓷双工器包括串联的低通部分和带通部分；低通部分采用实施例1中的低通滤波器；带通部分采用实施例2中的带通滤波器。带通部分的输出端与低通滤波器的输入端连接。若带通部分的输出端与低通滤波器的输出端连接，则低通滤波器中的体声波谐振器103在谐振点会产生低阻抗，导致双工器在通带处因低阻抗产生的短路而凹陷。

通过体声波谐振器替换了低通部分中的电容，节省了低通部分原本器件的体积占用，并为低通滤波器在带通滤波器的频段上提供了足够的抑制。通过体声波谐振器104、体声波谐振器105、体声波谐振器106、体声波谐振器107，对带通滤波器在5GHz上提供了足够的带外抑制和滚降。通过体声波谐振器104、体声波谐振器105、体声波谐振器106、体声波谐振器107之间的彼此抑制谐振峰，使得带通滤波器的3.3GHz~5GHz上都达到了-25dB。通过调整4个串联谐振器中电感电容的数值，可以调整带通滤波器的带外传输零点（增大电容和电感使传输零点左移）。将串联谐振器产生的传输零点与体声波谐振器产生的传输零点相互匹配调节，以得到符合指标要求的S参数曲线。

本实施例中，低温共烧陶瓷双工器的器件值小于6nH或4pF，避免因器件值过大导致的自谐振点偏低以及电感的绕圈增加、电容的极板面积增大。

实施例3的S参数仿真波形如图9、图10、图11所示。图9中横坐标为频率，纵坐标为插入损耗。其中，曲线5为低通滤波器的插入损耗频率响应曲线，曲线6为低通滤波器的回波损耗频率响应曲线，曲线7为带通滤波器的插入损耗频率响应曲线，曲线8为带通滤波器的回波损耗频率响应曲线。从图9中可以看出，曲线5在通带2.4GHz~2.5GHz上的插入损耗仅有-0.35dB，而对频段5.15GHz~5.85GHz的隔离度达到了-40dB。曲线6在通带2.4GHz~2.5GHz上的回波损耗达到了-20dB，保证了曲线5的低插入损耗。曲线7在通带5.15GHz~5.85GHz上的插入损耗仅有-2.5dB，而对频段3.3GHz~5GHz的隔离度达到了-25dB以及2.4GHz~2.5GHz的隔离度达到了-40dB。曲线8在通带5.15GHz~5.85GHz上的回波损耗达到了-17dB，保证了曲线7的低插入损耗。曲线5证明了采用这种体声波谐振器与LTCC滤波器级联的方式可以在仅仅150MHz的过渡带上做到-25dB的带外抑制，为滤波器整体提供了一个较高的滚降。

实施例4

如图12和图13所示，一种基于体声波谐振器的低温共烧陶瓷双工器制备方法，用于制备上述实施例3中的低温共烧陶瓷双工器；该低温共烧陶瓷双工器制备方法包括以下步骤：

将双工器中所有体声波谐振器集成在同一基板上，得到第一器件模块；通过低温共烧陶瓷工艺将双工器中除体声波谐振器外的器件集成于同一陶瓷体中，得到第二器件模块；在第二器件模块上所有需要连接体声波谐振器的接口处开设通孔；在第一器件模块上设置与第二器件模块上的各通孔一一对应的多个接口；将第一器件模块叠放在第二器件模块上，并使得第二器件模块上的各通孔与第一器件模块上的各接口分别对齐。通过走线分别连接第一器件模块与第二器件模块上的对应接口，得到低温共烧陶瓷双工器。

通过较短的通孔完成了第一器件模块与第二器件模块的级联，减少了级联时走线的寄生效应；同时，垂直的级联方式也节约了低温共烧陶瓷双工器整体的平面面积。低温共烧陶瓷双工器的整体面积由体积较大的第二器件模块决定。相应的，由于第一器件模块级联在LTCC滤波器上方，会对垂直方向的空间占用，因此在设计LTCC滤波器时，采用较薄的层厚来节约垂直空间。

此外，由于第一器件模块的面积通常限制在1109这个尺寸（即1.1mm*0.9mm），因此若每个低温共烧陶瓷双工器中的每个电容都替换为体声波谐振器会出现难以放入封装的问题，并且在替换时，级联位置会需要一个面积很大的键合点，而在带通部分对电容进行替换则会产生多个连接点，从而产生多个键合位置，即将带通部分串联主路上的电容都替换为体声波谐振器会产生3个键合点，从而导致超出封装限制，且由于带通部分已通过带通串联主路和第一并联支路中的体声波谐振器引入传输零点，所以替换带通部分中的电容后达到的效果较小。

实施例5

如图14所示，一种基于体声波谐振器的低温共烧陶瓷双工器制备方法，用于制备上述实施例3中的低温共烧陶瓷双工器；该低温共烧陶瓷双工器制备方法包括以下步骤：

将双工器中所有体声波谐振器集成在同一基板上，得到第一器件模块；通过低温共烧陶瓷工艺将双工器中除体声波谐振器外的器件集成于同一陶瓷体中，得到第二器件模块；分别将第二器件模块和体声波谐振器组成的第一器件模块焊接在同一块PCB基板（电路板）上；在PCB基板上使用微带线分别连接第一器件模块和第二器件模块中对应的接口，得到低温共烧陶瓷双工器。

通过微带线连接第二器件模块和第一器件模块虽然会占用较大的面积，但其优点是方便设计，连接端口的设置位置相对自由，不需要在设计滤波器时针对性地使级联的端口保持上下垂直，避免在设计滤波器时带来各种限制。

实施例6

如图15所示，一种基于体声波谐振器的低温共烧陶瓷双工器制备方法，用于制备上述实施例3中的低温共烧陶瓷双工器；该低温共烧陶瓷双工器制备方法包括以下步骤：

将低通部分和高通部分中所有体声波谐振器分别集成在不同基板上，得到第一器件模块；通过低温共烧陶瓷工艺将双工器中除体声波谐振器外的器件集成于同一陶瓷体中，得到第二器件模块；第二器件模块的一个相对面上设有多块焊盘；将第二器件模块中与体声波谐振器连接的两个接口设置在相邻的两块焊盘上；将第一器件模块通过焊盘直接焊接到第二器件模块，得到低温共烧陶瓷双工器。

由于通过低温共烧陶瓷工艺制成的第二器件模块有较大的厚度，并在使用低温共烧陶瓷进行器件集成时，将与体声波谐振器连接处设置在第二器件模块的侧边，能够允许在侧边的焊盘上焊接体声波谐振器器件，从而做到与端口的直接连接以减小走线的损耗并避免了采用键合点。

结合上述实施例，可以看出，在设计滤波器时，采用体声波谐振器与LTCC滤波器级联的方式可以有效地减小滤波器的体积，并且大大提高滤波器的性能，将体声波谐振器的长处弥补LTCC滤波器的缺陷，提高滤波器的滚降，带外抑制以及插入损耗。并且不限于实施例中所述的情况，实施例1和实施例2的两种拓扑结构级联可以在其他电路中同样应用：利用体声波谐振器的静电容替换原本的电容，来利用体声波谐振器的高Q值；引入体声波谐振器来构建传输零点以满足带外抑制与滚降的需求。只需要设置合适的体声波谐振器参数（膜厚和静电容）使其与原本的滤波器相匹配。

Claims (9)

1.一种基于体声波谐振器的低温共烧陶瓷双工器，包括依次串联的带通部分和低通部分；以带通部分和低通部分的连接处作为带通部分的输出端；其特征在于：所述的带通部分包括带通干路、第一带通支路以及多个第二带通支路；带通干路由在带通部分的输入端和输出端之间的多个体声波谐振器以及一个或多个LC谐振器依次串联组成；LC谐振器包括串联的电感和容性元件；

第一带通支路连接在体声波谐振器与LC谐振器的连接端；第一带通支路由串联的多个体声波谐振器组成；第二带通支路成对设置在相邻LC谐振器的连接端；第二带通支路均包括LC谐振器。

2.根据权利要求1所述的一种基于体声波谐振器的低温共烧陶瓷双工器，其特征在于：所述的低通部分包括低通干路和一个或多个低通支路；低通干路包括串联在低通输入端和低通输出端之间的一个或多个电感；所述低通支路串联在低通干路与地线之间；相邻低通支路之间隔有一个电感；所述低通支路包括容性元件；全部或部分容性元件采用体声波谐振器。

3.根据权利要求2所述的一种基于体声波谐振器的低温共烧陶瓷双工器，其特征在于：部分或全部容性元件采用体声波谐振器。

4.根据权利要求2所述的一种基于体声波谐振器的低温共烧陶瓷双工器，其特征在于：所述的低通部分和带通部分中的所有体声波谐振器的膜厚均不相同。

5.根据权利要求1所述的一种基于体声波谐振器的低温共烧陶瓷双工器，其特征在于：根据所需抑制频段设置体声波谐振器的膜厚和第二带通支路中LC谐振器的电路参数，使体声波谐振器产生的谐振峰向高频移动至所需抑制频段外。

6.一种基于体声波谐振器的低温共烧陶瓷双工器制备方法，其特征在于：用于制备权利要求1所述的低温共烧陶瓷双工器；该低温共烧陶瓷双工器制备方法为：将双工器中所有体声波谐振器集成在同一基板上，得到第一器件模块；通过低温共烧陶瓷工艺将双工器中除体声波谐振器外的器件集成于同一陶瓷体中，得到第二器件模块；对第一器件模块中的体声波谐振器与第二器件模块中的器件进行级联，得到低温共烧陶瓷双工器。

7.根据权利要求6所述的一种基于体声波谐振器的低温共烧陶瓷双工器制备方法，其特征在于：第一器件模块和第二器件模块中的器件进行级联的方式为：在第二器件模块上所有需要连接体声波谐振器的接口处开设通孔；在第一器件模块上设置与第二器件模块上的各通孔一一对应的多个接口；将第一器件模块叠放在第二器件模块上，并使得第二器件模块上的各通孔与第一器件模块上的各接口分别对齐；使用走线通过第二器件模块上的通孔，分别连接第一器件模块与第二器件模块上的对应接口。

8.根据权利要求6所述的一种基于体声波谐振器的低温共烧陶瓷双工器制备方法，其特征在于：第二器件模块和第一器件模块中的器件进行级联的方式为：将第一器件模块和第二器件模块焊接在同一块电路板上；在电路板上使用微带线分别连接第一器件模块与第二器件模块上的对应接口。

9.根据权利要求6所述的一种基于体声波谐振器的低温共烧陶瓷双工器制备方法，其特征在于：第二器件模块和第一器件模块中的器件进行级联的方式为：在第二器件模块的一个相对面上设有多块焊盘；在集成第二器件模块过程中，将第二器件模块中与体声波谐振器连接的两个接口设置在相邻的两块焊盘上；将第一器件模块通过焊盘直接焊接到第二器件模块，得到低温共烧陶瓷双工器。