CN118284296A - 有机发光二极管和包括该有机发光二极管的有机发光装置 - Google Patents
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Abstract
一种有机发光二极管，包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；和第一发光部，所述第一发光部包括第一发光材料层并且位于所述第一电极与所述第二电极之间；其中所述第一发光材料层包括第一p型基质和第一n型基质，其中所述第一p型基质由式1表示，所述第一n型基质由式3表示。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年12月30日在韩国提交的韩国专利申请第10-2022-0190480号的权益，通过引用将上述专利申请的全部内容结合到本申请中。
技术领域
本公开内容涉及一种有机发光二极管，且更特别地涉及一种具有高的发光效率和提高的寿命的有机发光二极管，以及一种包括该有机发光二极管的有机发光装置。
背景技术
进来，对具有小占用面积的平板显示装置的要求越来越高。在平板显示装置中，一种包括有机发光二极管(OLED)的有机发光显示装置的技术正在迅速发展。
OLED包括作为电子注入电极的阴极、作为空穴注入电极的阳极、以及它们之间的发光材料层。当来自阴极的电子和来自阳极的空穴进入发光材料层时，电子和空穴结合以产生激子，并且激子从激发态转变为基态。结果，光从OLED发出。OLED可以形成在柔性透明基板上，例如塑料基板，并且可以由低的电压驱动。此外，OLED具有低功耗和高色彩感。
有机发光显示装置包括有机发光二极管(OLED)，并且OLED包括第一电极、第二电极、以及它们之间的有机发光层。
例如，有机发光显示装置包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域，OLED形成在每个像素区域中。
然而，OLED没有足够的发光效率和寿命，使得有机发光显示装置在发光效率和寿命方面具有局限性。
发明内容
因此，本公开内容的实施方式涉及一种OLED和一种有机发光装置，其基本上避免了与相关技术的限制和缺点相关的一个或多个问题。
本公开内容的一个目的是提供一种具有高的发光效率和提高的寿命的OLED和一种有机发光装置。
额外的特征和方面将在随后的描述中阐述，其中的一部分将从该描述中显而易见，或者可以通过实践在此提供的发明概念来获知。本公开内容构思的其他特征和方面可以通过在书面描述中特别指出的或从其推导出来的结构以及其权利要求以及附图来实现和获得。
为了实现根据本公开内容的实施方式的目的的这些和其他优点，如本文所述，本公开内容的一个方面是一种有机发光二极管，包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；和第一发光部，所述第一发光部包括第一发光材料层并且位于所述第一电极与所述第二电极之间；其中所述第一发光材料层包括第一p型基质和第一n型基质，其中所述第一p型基质由式1表示：
[式1]
其中在式1中，a1和a3各自独立地为0至4的整数，a2为0至3的整数，n为0或1；X为NR4、O或S；R1、R2和R3各自独立地选自由氢、氘、卤素、氰基、取代的或未取代的C1至C10烷基、取代的或未取代的C1至C10烷氧基、取代的或未取代的C6至C30芳基氨基、取代的或未取代的C6至C30芳基甲硅烷基、取代的或未取代的C6至C30芳基、和取代的或未取代的C3至C30杂芳基构成的群组；和R4选自由氢、氘、卤素、氰基、取代的或未取代的C1至C10烷基、取代的或未取代的C1至C10烷氧基、取代的或未取代的C6至C30芳基氨基、取代的或未取代的C6至C30芳基甲硅烷基、取代的或未取代的C6至C30芳基、和取代的或未取代的C3至C30杂芳基构成的群组；其中所述第一n型基质由式3表示：
[式3]
其中在式3中，b1、b5和b6各自独立地为0至4的整数，b2至b4各自独立地为0至5的整数；和R11至R17各自独立地选自由氢、氘、卤素、氰基、取代的或未取代的C1至C20烷基、取代的或未取代的C1至C20烷氧基、取代的或未取代的C30至C30环烷基、取代的或未取代的C6至C30芳基氨基、取代的或未取代的C6至C30芳基甲硅烷基、取代的或未取代的C6至C30芳基、和取代的或未取代的C3至C30杂芳基构成的群组。
本公开内容的另一方面是一种有机发光装置，包括：基板；本公开内容的有机发光二极管，所述有机发光二极管设置在所述基板的上方；和封装层，所述封装层覆盖所述有机发光二极管。
要理解的是，前述的一般描述和下述的详细描述都仅仅是示例性的，并且旨在提供对所主张的发明构思的进一步解释。
附图说明
包括随附的附图以提供本公开内容的进一步的理解，这些随附的附图并入并构成了本申请的一部分、图解了本公开内容的实施方式、并与说明书一起用以解释本公开内容的原理。
图1示出了本公开内容的有机发光显示装置的示意性电路图。
图2是根据本公开内容的第一实施方式的有机发光显示装置的示意性截面图。
图3是根据本公开内容的第二实施方式的OLDE的示意性截面图。
图4是根据本公开内容的第三实施方式的OLED的示意性截面图。
图5是根据本公开内容的第四实施方式的有机发光显示装置的示意性电路图。
图6是根据本公开内容的第五实施方式的有机发光显示装置的示意性电路图。
图7是根据本公开内容的第六实施方式的OLED的示意性截面图。
图8是根据本公开内容的第七实施方式的OLED的示意性截面图。
图9A至9E是示出由本公开内容的OLED中的p型基质和n型基质产生的激基复合物的发光波长的图。
具体实施方式
现在将详细参考本公开内容的各方面，其示例可以在附图中说明。在以下描述中，当对与本文件有关的已知功能或构造的详细描述被确定为不必要地混淆本发明构思的要点时，将省略对它们的详细描述。所描述的一系列处理步骤和/或操作是示例；然而，步骤和/或操作的顺序并不限于在此所阐述的顺序，而是可以如本领域已知的进行改变，除非步骤和/或操作必须以特定顺序发生。在全文中相似的附图标记表示相似的元件。在以下说明中所用的各元件的名称仅为便于撰写本说明书而选用，可能与实际产品中所用的那些名称有所不同。
参考以下随附附图详细描述的各方面，本公开内容的优点和特征以及实现它们的方法将变得显而易见。然而，本公开内容并不限于以下所公开的各方面，而是可以多种不同的形式实现，并且只有这些方面才能使本发明的公开得以完成。提供本公开内容是为了向本公开内容所属领域的技术人员充分告知本公开内容的范围。
附图中为说明本公开内容的各方面而公开的形状、大小、比例、角度、数字等是说明性的，本公开内容不限于所示事项。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的元件。此外，在描述本公开内容时，如果确定对相关已知技术的详细描述不必要地模糊了本公开内容的主题，则可以省略其详细描述。当在本说明书中使用“包括”、“有”、“组成”和类似者时，除非使用“仅”，否则可以添加其他部分。当成分以单数表示时，除非描述了具体的陈述，否则包括复数的情况也包括在内。
在解释元件时，该元件被解释为包括误差或公差范围，尽管并没有对该误差或公差范围的明确描述。
在描述位置关系时，例如，当两个部分之间的位置关系被描述为例如“上”、“上方”、“下方”和“下一个”时，可以在这两个部分之间设置一个或多个其他部分，除非使用更具限制性的术语，例如“刚好”或“直接(地)”。
在描述时间关系时，例如，当时间顺序被描述为例如“之后”、“随后”、“接下来”和“之前”时，可以包括非连续的情况，除非使用更具限制性的术语，例如“刚刚”、“立即(地)”或“直接(地)”。
应当理解，尽管术语“第一”、“第二”等可以在此用于描述各种元件，但这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件和另一元件。例如，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件，而不脱离本公开内容的范围。
本公开内容的各个方面的特征可以部分地或全部地相互结合或相互组合，并且可以彼此以各种方式互操作并在技术上驱动，这是本领域技术人员可以充分理解的。本公开内容的各方面可以彼此独立地进行，也可以在相互依赖的关系中一起进行。
现在将详细地参考在附图中说明的一些示例和优选实施方式。
在本公开内容中，有机发光装置可以是有机发光显示装置或有机照明装置。作为示例，将主要地描述作为包括本公开内容的OLED的显示装置的有机发光显示装置。
图1是本公开内容的有机发光显示装置的示意性电路图。
如图1所示，有机发光显示装置包括栅极线GL、数据线DL、电源线PL、开关薄膜晶体管TFT Ts、驱动TFT Td、存储电容器Cst和OLED D。栅极线GL和数据线DL相互交叉以定义像素区域P。该像素区域可以包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域。
开关TFT Ts连接至栅极线GL和数据线DL，驱动TFT Td和存储电容器Cst连接至开关TFT Ts和电源线PL。OLED D连接至驱动TFT Td。
在有机发光显示装置中，当开关TFT Ts由通过栅极线GL施加的栅极信号导通时，来自数据线DL的数据信号被施加于驱动TFT Td的栅极和存储电容器Cst的电极。
当驱动TFT Td由数据信号导通时，电流从电源线PL向OLED D提供。结果，OLED D发出光。在这种情况下，当驱动TFT Td导通时，从电源线PL施加到OLED D的电流的水平被确定为使OLED D可以产生灰度。
存储电容器Cst用于当开关TFT Ts关闭时保持驱动TFT Td的栅极的电压。因此，即使开关TFT Ts关闭，从电源线PL施加到OLED D的电流的水平也保持到下一帧。
结果，有机发光显示装置显示所需的图像。
图2是根据本公开内容的第一实施方式的有机发光显示装置的示意性截面图。
如图2所示，有机发光显示装置100包括基板110、位于基板110上或其上方的TFTTr、覆盖TFT Tr的平坦化层150以及位于平坦化层150上且连接至TFT Tr的OLED D。
基板110可以是玻璃基板或柔性基板。例如，基板110可以是聚酰亚胺(PI)基板、聚醚砜(PES)基板、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)基板、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板、或聚碳酸酯(PC)基板中的一者。
缓冲层120形成在基板上，TFT Tr形成在缓冲层120上。可以省略缓冲层120。
半导体层122形成在缓冲层120上。半导体层122可以包括氧化物半导体材料或多晶硅。
当半导体层122包括氧化物半导体材料时，遮光图案(未示出)可以形成在半导体层122的下方。到半导体层122的光被遮光图案屏蔽或阻挡，使得半导体层122的热劣化可以得以防止。另一方面，当半导体层122包括多晶硅时，杂质可以掺杂到半导体层122的两侧。
绝缘材料组成的栅极绝缘层124形成在半导体层122上。栅极绝缘层124可以由诸如硅氧化物或硅氮化物之类的无机绝缘材料形成。
由导电材料例如金属形成的栅极130形成在栅极绝缘层124上，以对应于半导体层122的中心。在图2中，栅极绝缘层124形成在基板110的整个表面上。或者，栅极绝缘层124可以图案化为具有与栅极130相同的形状。
绝缘材料组成的层间绝缘层132形成在栅极130上和在基板110的整个表面上方。层间绝缘层132可以由例如硅氧化物或硅氮化物的无机绝缘材料、或例如苯并环丁烯或光学亚克力(photo-acryl)的有机绝缘材料形成。
层间绝缘层132包括暴露半导体层122两侧的第一接触孔134和第二接触孔136。第一接触孔134和第二接触孔136位于栅极130的两侧，以与栅极130间隔开。
第一接触孔134和第二接触孔136穿过栅极绝缘层124而形成。或者，当栅极绝缘层124被图案化为具有与栅极130相同的形状时，第一接触孔134和第二接触孔136仅穿过层间绝缘层132而形成。
由导电材料例如金属形成的源极140和漏极142形成在层间绝缘层132上。
源极140和漏极142相对于栅极130彼此间隔开，并分别通过第一接触孔134和第二接触孔136接触半导体层122的两侧。
半导体层122、栅极130、源极140和漏极142构成TFT Tr。TFT Tr用作驱动元件。即，TFT Tr可是驱动(图1的)TFT Td。
在TFT Tr中，栅极130、源极140和漏极142位于半导体层122的上方。即，TFT Tr具有共平面结构。
或者，在TFT Tr中，栅极可以位于半导体层的下方，源极和漏极可以位于半导体层的上方，使得TFT Tr可以具有倒置交错结构。在这种情况下，半导体层可以包括非晶硅。
虽然未示出，但栅极线与数据线彼此交叉以限定像素区域，开关TFT形成为连接至栅极线和数据线。开关TFT连接至作为驱动元件的TFT Tr。此外，还可以进一步形成可形成为与栅极线和数据线之一平行且间隔开的电源线、以及用于在一帧内保持TFT Tr的栅极的电压的存储电容器。
平坦化层150形成在基板110的整个表面上方以覆盖源极140和漏极142。平坦化层150具有平坦的顶表面并具有暴露TFT Tr的漏极142的漏极接触孔152。
OLED D设置在平坦化层150上，包括连接至TFT Tr的漏极142的第一电极160、有机发光层162和第二电极164。有机发光层162和第二电极164依次堆叠在第一电极160上。OLEDD位于红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域的每一者中，分别发出红光、绿光和蓝光。
第一电极160和第二电极164中的一个是阳极，第一电极160和第二电极164的另一个是阴极。例如，第一电极160可以是阳极，第二电极164可以是阴极。
第一电极160单独地形成在每个像素区域中。第一电极160可以是阳极，并且可以由具有相对高功函数的导电材料例如透明导电氧化物(TCO)形成。例如，第一电极160可以由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟铜(ICO)、和氧化铝锌(Al:ZnO,AZO)中的一者形成。
在底部发射型有机发光显示装置100中，第一电极160可以具有透明导电氧化物层的单层结构。即，第一电极160可以是透明电极。
或者，在顶部发射型有机发光显示装置100中，第一电极160可以进一步包括反射层以具有双层结构或三层结构。即，第一电极160可以是反射电极。例如，反射层可以由银(Ag)或铝-钯-铜(APC)合金中的一者形成。例如，第一电极160可以具有Ag/ITO或APC/ITO的双层结构、或者ITO/Ag/ITO或ITO/App/ITO的三层结构。
此外，堤层166形成在平坦化层150上以覆盖第一电极160的边缘。即，堤层166位于像素区域的边界处，并在像素区域中暴露第一电极160的中心。
有机发光层162形成在第一电极160上。有机发光层162可以具有发光材料层(EML)的单层结构。或者，有机发光层162可以进一步包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(EBL)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个，以具有多层结构。
在本公开内容的OLED D中，EML包括由式1表示的p型基质和由式3表示的n型基质。例如，在蓝色像素区域中，有机发光层162包括蓝色EML，蓝色EML可以包括由式1表示的p型基质和由式3表示的n型基质。此外，蓝色EML可以进一步包括由式5表示的掺杂剂(例如，发光体)。结果，根据本公开内容的OLED D和有机发光显示装置100可以具有高的发光效率和提高的寿命。
有机发光层162的两个或更多个EML可以设置为彼此分离，使得OLED D可以具有串联结构。
第二电极164形成在其中形成有有机发光层162的基板110的上方。第二电极164覆盖显示区域的整个表面，并且可以由具有相对低功函数的导电材料形成以用作阴极。例如，第二电极164可以由高反射材料形成，例如，铝(Al)、镁(Mg)、钙(Ca)、银(Ag)、它们的合金或它们的组合。
在顶部发射型有机发光显示装置100中，第二电极164可以具有透明(或半透明)的薄轮廓。例如，在顶部发射型有机发光显示装置100中，第二电极164可以由Mg:Ag形成，并且可以具有5nm至30nm的厚度。在这种情况下，Mg与Ag的重量％比可以是1:9至9:1，例如1:9至3:7。或者，在底部发射型有机发光显示装置100中，第二电极164可以由Al形成。
封装层(或封装膜)170形成在第二电极164上以防止湿气渗透到OLED D中。封装层170包括顺序堆叠的第一无机绝缘层172、有机绝缘层174和第二无机绝缘层176，但不限于此。
在底部发射型有机发光显示装置100中，金属封装板可以设置在封装层170的上方。
有机发光显示装置100可以包括对应于红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域的滤色器层。滤色器层可以包括分别对应于红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域的红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器。当有机发光显示装置100包括滤色器层时，色纯可以得到提高。
在底部发射型有机发光显示装置100中，滤色器可以设置在OLED D与基板110之间，例如，在层间绝缘层132与平坦化层150之间。在顶部发射型有机发光显示装置100中，滤色器可以设置在OLED D的上方，例如，在第二电极164或封装层170的上方。
有机发光显示装置100可以进一步包括用于减少环境光反射的偏光板。例如，偏光板可以是圆偏光板。在底部发射型有机发光显示装置100中，偏光板可以设置在基板110的下方。在顶部发射型有机发光显示装置100中，偏光板可以设置在封装层170之上或上方。
此外，有机发光显示装置100可以进一步包括在封装层170或偏振板之上或上方的覆盖窗。在这种情况下，基板110和盖窗具有柔性特性，使得可以提供柔性有机发光显示装置。
图3是根据本公开内容的第二实施方式的OLDE的示意性截面图。
如图3所示，OLED D1包括彼此面对的第一电极160和第二电极164、以及它们之间的有机发光层162。有机发光层162包括发光材料层(EML)240。
(图2的)有机发光显示装置100可以包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域。有机发光显示装置100可以进一步包括白色像素区域。OLED D1可以位于蓝色像素区域中，EML 240是蓝色EML。
红色像素区域中的有机发光层162包括红色EML，绿色像素区域中的有机发光层162包括绿色EML。
第一电极160和第二电极164中的一个是阳极，第一电极160和第二电极164的另一个是阴极。例如，第一电极160是阳极，第二电极164是阴极。第一电极160和第二电极164中的一个可以是反射电极，第一电极160和第二电极164的另一个可以是透明(或半透明)电极。
在顶部发射型OLED D1中，第一电极160可以具有ITO/Ag/ITO的结构或ITO/APC/ITO的结构，第二电极164可以由Mg:Ag形成。
在底部发射型OLED D1中，第一电极160可以包括由ITO或IZO形成的透明导电材料层，第二电极164可以由Al形成。
EML例如蓝色EML 240包括p型基质242和n型基质244。激基复合物由p型基质242和n型基质244产生。例如，p型基质242可以具有在350nm至390nm的范围内的最大发光波长，n型基质244可以具有在410nm至450nm的范围内的最大发光波长，由p型基质242和n型基质244产生的激基复合物可以具有在435nm至470nm的范围内的最大发光波长。
p型基质242包括一种或多种由式1表示的第一基质化合物。
[式1]
在式1中，a1和a3各自独立地为0至4的整数，a2为0至3的整数，n为0或1；
X为NR4、O或S；
R1、R2和R3各自独立地选自由氘、卤素、氰基、取代的或未取代的C1至C10烷基、取代的或未取代的C1至C10烷氧基、取代的或未取代的C6至C30芳基氨基、取代的或未取代的C6至C30芳基甲硅烷基、取代的或未取代的C6至C30芳基、和取代的或未取代的C3至C30杂芳基构成的群组；和
R4选自由氢、氘、卤素、氰基、取代的或未取代的C1至C10烷基、取代的或未取代的C1至C10烷氧基、取代的或未取代的C6至C30芳基氨基、取代的或未取代的C6至C30芳基甲硅烷基、取代的或未取代的C6至C30芳基、和取代的或未取代的C3至C30杂芳基构成的群组。
在本公开内容中，在没有具体限定的情况下，烷基、烷氧基、环烷基、芳基、杂芳基、芳基氨基和芳基甲硅烷基的取代基可以独立地选自由以下各者构成的群组：取代的或未取代的C1至C10烷基、取代的或未取代的C3至C30环烷基、取代的或未取代的C6至C30芳基氨基、取代的或未取代的C6至C30芳基甲硅烷基、取代的或未取代的C6至C3芳基、和取代的或未取代的C3至C30杂芳基。
在本公开内容中，在没有具体限定的情况下，C1至C10烷基可以选自由甲基、乙基、丙基和丁基构成的群组，例如叔丁基。
在本公开内容中，在没有具体限定的情况下，C1至C10烷氧基可以选自由甲氧基、乙氧基、丙氧基和丁氧基构成的群组，例如叔丁氧基。
在本公开内容中，在没有具体限定的情况下，C3至C30环烷基可以选自由环丙基、环丁基、环戊基、环己基和金刚烷基构成的群组。
在本公开内容中，在没有具体限定的情况下，C6至C30芳基氨基可以选自由二苯基氨基构成的群组。
在本公开内容中，在没有具体限定的情况下，C6至C30芳基甲硅烷基可以选自由三苯基甲硅烷基构成的群组。
在本公开内容中，在没有具体限定的情况下，C6至C30芳基可以选自由以下各者构成的群组：苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、戊烯基(pentanenyl)、茚基、茚并茚基(indenoindenyl)、庚搭烯基(heptalenyl)、次联苯基(biphenylenyl)、并茚苯基(indacenyl)、菲基、苯并菲基、二苯并菲基、薁基、芘基、荧蒽基、次三苯基、屈基(chrysenyl)、四苯基、并四苯基(tetrasenyl)、苉基(picenyl)、五苯基、并五苯基、芴基、茚并芴基、和螺芴基。
在本公开内容中，在没有具体限定的情况下，C3至C30杂芳基可以选自由以下各者构成的群组：吡咯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、四嗪基、咪唑基、吡唑基、吲哚基、异吲哚基、吲唑基、吲哚嗪基、吡咯嗪基、咔唑基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、吲哚并咔唑基、茚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、异喹啉基、噌啉基、喹唑啉基、喹唑啉基、喹啉基、嘌呤基、酞嗪基、喹喔啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、苯并喹唑啉基、苯并喹喔啉基、吖啶基、菲啰啉基(phenanthrolinyl)、呸啶基(perimidinyl)、菲啶基(phenanthridinyl)、蝶啶基(pteridinyl)、噌嗪基(cinnolinyl)、萘啶基、呋喃基、恶嗪基、恶唑基、恶二唑基、三唑基、二恶英基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、硫代吡喃基、呫吨基、色烯基、异色烯基、硫代吖嗪基(thioazinyl)、噻吩基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、二呋喃并吡嗪基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并噻吩并苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基、苯并噻吩并苯并呋喃基、和苯并噻吩并二苯并呋喃基。
在式1中，a1、a2和a3各自可以是0。
式1可以由式1-1或式1-2表示。
[式1-1]
[式1-2]
在式1-1和式1-2中，a1、a2、a3、R1、R2、R3和X的定义与式1中的定义相同。
例如，p型基质242可以包括式2中的化合物中的至少一者。
[式2]
n型基质244包括一种或多种由式3表示的第二基质化合物。
[式3]
在式3中，b1、b5和b6各自独立地为0至4的整数，b2至b4各自独立地为0至5的整数；和
R11至R17各自独立地选自由氢、氘、卤素、氰基、取代的或未取代的C1至C20烷基、取代的或未取代的C1至C20烷氧基、取代的或未取代的C30至C30环烷基、取代的或未取代的C6至C30芳基氨基、取代的或未取代的C6至C30芳基甲硅烷基、取代的或未取代的C6至C30芳基、和取代的或未取代的C3至C30杂芳基构成的群组。
在式3中，b5可以是b1，R15可以是取代的或未取代的C3至C30杂芳基，例如咔唑基。
在式3中，R17可以选自取代的或未取代的C6至C30芳基，例如苯基或三苯基甲硅烷基苯基；和取代的或未取代的C3至C30杂芳基，例如咔唑基。
例如，n型基质244可以包括式4中的化合物中的至少一者。
[式4]
蓝色EML 240可以进一步包括掺杂剂(例如，发光体)246。例如，掺杂剂246可以由式5表示。
[式5]
在式5中，e1和e2各自独立地为0至4的整数，e3为0至3的整数，e4为0至2的整数；
R21至R24各自独立地选自由氢、氘、卤素、氰基、取代的或未取代的C1至C20烷基、取代的或未取代的C1至C20烷氧基、取代的或未取代的C30至C30环烷基、取代的或未取代的C6至C30芳基氨基、取代的或未取代的C6至C30芳基甲硅烷基、取代的或未取代的C6至C30芳基、和取代的或未取代的C3至C30杂芳基构成的群组；和
R25选自由氢、氘、卤素、氰基、取代的或未取代的C1至C20烷基、取代的或未取代的C1至C20烷氧基、取代的或未取代的C6至C30芳基氨基、取代的或未取代的C6至C30芳基甲硅烷基、取代的或未取代的C6至C30芳基、和取代的或未取代的C3至C30杂芳基构成的群组。
在式5中，R21至R25各自可以独立地为取代的或未取代的C1至C20烷基、例如甲基或叔丁基，e1至e4中的至少一个可以为正整数。
例如，掺杂剂246可以是式6中的化合物中的至少一者。
[式6]
p型基质242的最高占据分子轨道(HOMO)能级高于n型基质244的HOMO能级。例如，p型基质242的HOMO能级可以在-5.7eV至-5.4eV的范围内，n型基质244的HOMO能级可以在-5.9eV至-5.8eV的范围内。
p型基质242的最低未占据分子轨道(LUMO)能级高于n型基质244的LUMO能级。例如，p型基质242的LUMO能级可以在-2.2eV至-2.0eV的范围内，n型基质244的LUMO能级可以在-2.9eV至-2.7eV的范围内。
p型基质242和n型基质244各自的三线态能量可以在2.9eV至3.1eV的范围内。
蓝色EML 240的厚度可以为10nm至100nm，例如20nm至50nm。
在蓝色EML 240中，p型基质242和n型基质244各自的重量％可以大于掺杂剂246的重量％。p型基质242的重量％和n型基质244的重量％可以相同或不同。
例如，在蓝色EML 240中，相对于掺杂剂246，p型基质242和n型基质244各自可以具有200重量份至400重量份。
如上所述，激基复合物由p型基质242和n型基质244产生。即，p型基质242具有第一最大发光波长，n型基质244具有第二最大发光波长，由p型基质242和n型基质244产生的激基复合物具有比第一最大发光波长和第二最大发光波长中的每一个都长的第三最大发光波长。
当EML 240是红色EML时，红色EML 240可以包括由式1表示的p型基质、由式3表示的n型基质和红色掺杂剂。例如，红色掺杂剂可以是红色磷光化合物、红色荧光化合物和红色延迟荧光化合物中的一种。
当EML 240是绿色EML时，绿色EML 240可以包括由式1表示的p型基质、由式3表示的n型基质和绿色掺杂剂。例如，绿色掺杂剂可以是绿色磷光化合物、绿色荧光化合物和绿色延迟荧光化合物中的一种。
发光层162进一步包括在EML 240下方的空穴传输层(HTL)220和在EML 240上方的电子传输层(ETL)280中的至少一个。HTL 220位于第一电极160与EML 240之间，ETL 270位于第二电极164与EML 240之间。
此外，发光层162可以进一步包括在第一电极160与HTL 220之间的空穴注入层(HIL)210和在第二电极164与ETL 280之间的电子注入层(EIL)290中的至少一个。
此外，发光层162可以进一步包括在HTL 220与EML 240之间的电子阻挡层(EBL)230和在EML 240与ETL 280之间的空穴阻挡层(HBL)270中的至少一个。
例如，发光层162可以具有顺序堆叠的HIL 210、HTL 220、EBL 230、EML 240、HBL270、ETL 280和EIL 290的结构。或者，可以省略EBL 230和HBL 270，使得发光层162可以具有顺序堆叠的HIL 210、HTL 220、EML 240、ETL 280和EIL 290的结构。
例如，HIL 210可以包括空穴注入材料，其为以下中的一者：4,4’4”-三(3-甲基苯基氨基)三苯胺(MTDATA)、4,4’,4”-三(N,N-二苯基-氨基)三苯胺(NATA)、4,4’,4”-三(N-(萘-1-基)-N-苯基-氨基)三苯胺(1T-NATA)、4,4’,4”-三(N-(萘-2-基)-N-苯基-氨基)三苯胺(2T-NATA)、酞菁铜(CuPc)、三(4-咔唑-9-基-苯基)胺(TCTA)、N,N’-二苯基-N,N’-双(1-萘基)-1,1’-联苯基-4,4”-二胺(NPB或NPD)、1,4,5,8,9,11-六氮杂三苯撑六腈(二吡嗪并[2,3-f:2’3’-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六腈；HAT-CN)、1,3,5-三[4-(二苯基氨基)苯基]苯(TDAPB)、聚(3,4-乙烯二氧噻吩)聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT/PSS)、N-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺、和N,N’-二苯基-N,N’-二[4-(N,N-二苯基-氨基)苯基]联苯二胺(NPNPB)，但不限于此。例如，HIL 210的空穴注入材料可以是式7中的化合物。HIL 210的厚度可以为1nm至20nm，例如5nm至15nm。
HTL 220可以包括空穴传输材料，其为以下中的一者：N,N’-二苯基-N,N’-双(3-甲基苯基)-1,1’-联苯基-4,4’-二胺(TPD)、NPB(或NPD)、4,4’-双(N-咔唑基)-1,1’-联苯(CBP)、聚[N,N’-双(4-丁基苯基)-N,N’-双(苯基)-联苯二胺](Poly-TPD)、聚[(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-共-(4,4’-(N-(4-二级丁基苯基)二苯基胺))](TFB)、二-[4-(N,N-二-p-甲苯基-氨基)-苯基]环己烷(TAPC)、3,5-二(9H-咔唑-9-基)-N,N-二苯基苯胺(DCDPA)、N-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺、N-(联苯-4-基)-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)联苯-4-胺、和N-([1,1'-联苯]-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺，但不限于此。例如，HTL 220的空穴传输材料可以是式8中的化合物。HTL 220的厚度可以为30nm至150nm，例如30nm至120nm。
ETL 280可以包括电子传输材料，其为以下中的一者：三-(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、2-联苯-4-基-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-二唑(PBD)、spiro-PBD、喹啉锂(Liq)、1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、双(2-甲基-8-喹啉-N1,O8)-(1,1’-联苯-4-酚)铝(BAlq)、4,7-二苯基-1,10-菲啰啉(Bphen)、2,9-双(萘-2-基)4,7-二苯基-1,10-菲啰啉(NBphen)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲啰啉(BCP)、3-(4-联苯)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑(NTAZ)、1,3,5-三(p-吡啶-3-基-苯基)苯(TpPyPB)、2,4,6-三(3’-(吡啶-3-基)联苯-3-基)1,3,5-三嗪(TmPPPyTz)、聚[9,9-双(3’-(N,N-二甲基)-N-乙基铵)-丙基)-2,7-芴]-alt-2,7-(9,9-二辛基芴)](PFNBr)、三(苯基喹喔啉)(TPQ)、二苯基-4-三苯基硅基-苯基膦氧化物(TSPO1)、和2-[4-(9,10-二-2-萘-2-基-2-蒽-2-基)苯基]1-苯基-1H-苯并咪唑(ZADN)，但不限于此。例如，ETL 280的电子传输材料可以是式11中的化合物。ETL 280的厚度可以为10nm至50nm，例如20nm至40nm。
EIL 290可以包括电子注入材料，其为以下中的一者：LiF、CsF、NaF、BaF2、Liq、苯甲酸锂、和硬脂酸钠，但不限于此。例如，EIL 290的厚度可以为0.5nm至5nm。
EBL 230位于HTL 220与EML 240之间以阻挡电子从EML 240转移到HTL 220中；EBL230可以包括电子阻挡材料，其为以下中的一者：TCTA、三[4-(二乙基氨基)苯基]胺、N-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺、TAPC、MTDATA、1,3-双(咔唑-9-基)苯(mCP)、3,3’-双(9H-咔唑-9-基)-1,1’-联苯(mCBP)、CuPc、N,N’-双[4-[双(3-甲基苯基)氨基]苯基]-N,N'-二苯基-[1,1’-联苯基]-4,4'-二胺(DNTPD)、TDABP、DCDPA、和2,8-双(9-苯基-9H-咔唑-3-基)二苯并[b,d]噻吩，但不限于此。例如，EBL 230的电子阻挡材料可以是式9中的化合物。EBL 230的厚度可以为1nm至20nm，例如5nm至15nm。
HBL 270位于EML 240与ETL 280之间以阻挡空穴从EML 240转移到ETL 280中，HBL270可以包括ETL 280的材料。例如，HBL 270的材料可以包括空穴阻挡材料，其为以下中的一者：BCP、BAlq、Alq3、PBD、spiro-PBD、Liq、双-4,5-(3,5-二-3-吡啶基苯基)-2-甲基嘧啶(B3PYMPM)、双[2-(二苯基膦基)苯基]醚氧化物(DPEPO)、9-(6-(9H-咔唑-9-基)吡啶-3-基)-9H-3,9’-双咔唑、和TSPO1，但不限于此。例如，HBL 270的空穴阻挡材料可以是式10中的化合物。HBL 270的厚度可以为1nm至20nm，例如5nm至15nm。
顶部发射型OLED D1可以进一步包括用于增强光提取效率的覆盖层。例如，覆盖层可以形成在第二电极164上，并且可以包括以上提及的空穴传输材料。
在本公开内容的OLED D1中，EML 240例如蓝色EML 240包括由式1表示的p型基质242和由式3表示的n型基质244。此外，蓝色EML 240可以进一步包括由式5表示的掺杂剂246。激基复合物由蓝色EML 240中的p型基质242和n型基质244产生，并且对掺杂剂246的电应力可以通过激基复合体而减小。
因此，在本公开内容的OLED D1和有机发光显示装置100中，发光效率和寿命中的至少一者可以得到改善。
图4是根据本公开内容的第三实施方式的OLED的示意性截面图。
如图4所示，OLED D2包括彼此面对的第一电极160和第二电极164、以及在它们之间的有机发光层162。有机发光层162包括包含蓝色EML 340的第一发光部310和包含第二EML 380的第二发光部350。有机发光层162可以包括在第一发光部310与第二发光部350之间的CGL 390。
有机发光显示装置100可以包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域。此外，有机发光显示装置100可以进一步包括白色像素区域。OLED D2可以位于蓝色像素区域中，第一EML 340和第二EML 380各自可以是蓝色EML。
第一电极160和第二电极164中的一个是阳极，第一电极160和第二电极164的另一个是阴极。例如，第一电极160是阳极，第二电极164是阴极。第一电极160和第二电极164中的一个可以是反射电极，第一电极160和第二电极164的另一个可以是透明(或半透明)电极。
在顶部发射型OLED D2中，第一电极160可以具有ITO/Ag/ITO的结构或ITO/APC/ITO的结构，第二电极164可以由Mg:Ag形成。
在底部发射型OLED D2中，第一电极160可以包括由ITO或IZO形成的透明导电材料层，第二电极164可以由Al形成。
CGL 390位于第一发光部310与第二发光部350之间，使得第一发光部310、CGL390、第二发光部350可以顺序堆叠在第一电极160上。即，第一发光部310位于第一电极160与CGL 390之间，第二发光部350位于第二电极164与CGL 390之间。
第一EML 340例如第一蓝色EML 340包括第一p型基质342和第一n型基质344。激基复合物由第一p型基质342和第一n型基质344产生。例如，第一p型基质342可以具有在350nm至390nm的范围内的最大发光波长，第一n型基质344可以具有在410nm至450nm的范围内的最大发光波长，由第一p型基质342和第一n型基质344产生的激基复合物可以具有在435nm至470nm的范围内的最大发光波长。
第一p型基质342包括一种或多种由式1表示的第一基质化合物，第一n型基质344包括一种或多种由式3表示的第二基质化合物。
例如，第一p型基质342可以包括一种或多种式2中的化合物，第一n型基质344可以包括一种或多种式4中的化合物。
第一蓝色EML 340可以进一步包括由式5表示的第一掺杂剂346。例如，第一掺杂剂346可以是式6中的化合物中的至少一者。
第一p型基质342的最高占据分子轨道(HOMO)能级高于第一n型基质344的HOMO能级。例如，第一p型基质342的HOMO能级可以在-5.7eV至-5.4eV的范围内，第一n型基质344的HOMO能级可以在-5.9eV至-5.8eV的范围内。
第一p型基质342的最低未占据分子轨道(LUMO)能级高于第一n型基质344的LUMO能级。例如，第一p型基质342的LUMO能级可以在-2.2eV至-2.0eV的范围内，第一n型基质344的LUMO能级可以在-2.9eV至-2.7eV的范围内。
第一p型基质342和第一n型基质344各自的三线态能量可以在2.9eV至3.1eV的范围内。
第一蓝色EML 340的厚度可以为10nm至100nm，例如20nm至50nm。
在第一蓝色EML 340中，第一p型基质342和第一n型基质344各自的重量％可以大于第一掺杂剂346的重量％。第一p型基质342的重量％和第一n型基质344的重量％可以相同或不同。
例如，在第一蓝色EML 340中，相对于第一掺杂剂346，第一p型基质342和第一n型基质344各自可以具有200重量份至400重量份。
第一发光部310可以进一步包括在第一蓝色EML 340下方的第一HTL 313和在第一蓝色EML 340上方的第一ETL 319中的至少一个。即，第一HTL 313位于第一蓝色EML 340与第一电极160之间，第一ETL 319位于第一蓝色EML 340与第二发光部350之间。
此外，第一发光部310可以进一步包括在第一电极160与第一HTL 313之间的HIL311。
此外，第一发光部310可以进一步包括在第一HTL 313与第一蓝色EML 340之间的第一EBL 315和在第一蓝色EML 340与第一ETL 319之间的第一HBL 317中的至少一个。
例如，第一发光部310可以具有顺序堆叠在第一电极160上的HIL 311、第一HTL313、第一EBL 315、第一蓝色EML 340、第一HBL 317和第一ETL 319的结构。或者，可以省略第一EBL 315和第一HBL 317，使得第一发光部310可以具有顺序堆叠在第一电极160上的HIL 311、第一HTL 313、第一蓝色EML 340和第一ETL 319的结构。
第二EML 380例如第二蓝色EML 380包括第二p型基质382和第二n型基质384。激基复合物由第二p型基质382和第二n型基质384产生。例如，第二p型基质382可以具有在350nm至390nm的范围内的最大发光波长，第二n型基质384可以具有在410nm至450nm的范围内的最大发光波长，由第二p型基质382和第二n型基质384产生的激基复合物可以具有在435nm至470nm的范围内的最大发光波长。
第二p型基质382包括一种或多种由式1表示的第一基质化合物，第二n型基质384包括一种或者多种由式3表示的第二基质化合物。
例如，第二p型基质382可以包括一种或多种式2中的化合物，第二n型基质384可以包括一种或多种式4中的化合物。第一p型基质342和第二p型基质382可以相同或不同，第一n型基质344和第二n型基质384可以相同或不同。
第二蓝色EML 380可以进一步包括由式5表示的第二掺杂剂386。例如，第二掺杂剂386可以是式6中的化合物中的至少一者。第一掺杂剂346和第二掺杂剂386可以相同或不同。
第二p型基质382的最高占据分子轨道(HOMO)能级高于第二n型基质384的HOMO能级。例如，第二p型基质382的HOMO能级可以在-5.7eV至-5.4eV的范围内，第二n型基质384的HOMO能级可以在-5.9eV至-5.8eV的范围内。
第二p型基质382的最低未占据分子轨道(LUMO)能级高于第二n型基质384的LUMO能级。例如，第二p型基质382的LUMO能级可以在-2.2eV至-2.0eV的范围内，第二n型基质384的LUMO能级可以在-2.9eV至-2.7eV的范围内。
第二p型基质382和第二n型基质384各自的三线态能量可以在2.9eV至3.1eV的范围内。
第二蓝色EML 380的厚度可以为10nm至100nm，例如20nm至50nm。第一蓝色EML 340的厚度和第二蓝色EML 380的厚度可以相同或不同。
在第二蓝色EML 380中，第二p型基质382和第二n型基质384各自的重量％可以大于第二掺杂剂386的重量％。第二p型基质382的重量％和第二n型基质384的重量％可以相同或不同。
例如，在第二蓝色EML 380中，相对于第二掺杂剂386，第二p型基质382和第二n型基质384各自可以具有200重量份至400重量份。第一蓝色EML 340中的第一p型基质342的重量％和第二蓝色EML 380中的第二p型基质382的重量％可以相同或不同。第一蓝色EML 340中的第一n型基质344的重量％和第二蓝色EML 380中的第二n型基质384的重量％可以相同或不同。第一蓝色EML 340中的第一掺杂剂346的重量％和第二蓝色EML 380中的第二掺杂剂386的重量％可以相同或不同。
第二发光部350可以进一步包括在第二蓝色EML 380下方的第二HTL 351和在第二蓝色EML 380上方的第二ETL 357中的至少一个。即，第二HTL 351位于第二蓝色EML 380与第一发光部310之间，第二ETL 357位于第二蓝EML 380与第二电极164之间。
此外，第二发光部350可以进一步包括在第二电极164与第二ETL 357之间的EIL359。
此外，第二发光部350可以进一步包括在第二HTL 351与第二EML 380之间的第二EBL 353和在第二EML 380与第二ETL 357之间的第二HBL 355中的至少一个。
例如，第二发光部350可以具有顺序堆叠在第一电极160上的第二HTL 351、第二EBL 353、第二蓝色EML 380、第二HBL 355、第二ETL 357和EIL 359的结构。或者，可以省略第二EBL 353和第二HBL 355，使得第二发光部350可以具有顺序堆叠在第一电极160上的第二HTL 351、第二蓝色EML 380、第二ETL 357和EIL 359的结构。
HIL 332可以包括以上提及的空穴注入材料，并且HIL 332的厚度可以为1nm至20nm，例如5nm至15nm。
第一HTL 313和第二HTL 351各自可以包括以上提及的空穴传输材料，并且第一HTL 313和第二HTL 351各自的厚度可以为30nm至150nm，例如30nm至120nm。
第一ETL 319和第二ETL 357各自可以包括以上提及的电子传输材料，并且第一ETL 319和第二ETL 357各自的厚度可以为10nm至50nm，例如20nm至40nm。
EIL 359可以包括以上提及的电子注入材料，并且EIL 359的厚度可以为0.1nm至10nm，例如0.5nm至5nm。
第一EBL 315和第二EBL 353各自可以包括以上提及的电子阻挡材料，并且第一EBL 315和第二EBL 353各自的厚度可以为1nm至20nm，例如5nm至15nm。
第一HBL 317和第二HBL 355各自可以包括以上提及的空穴阻挡材料，并且第一HBL 317和第二HBL 355各自的厚度可以为1nm至20nm，例如5nm至15nm。
CGL 390位于第一发光部310与第二发光部350之间。即，第一发光部310和第二发光部350通过CGL 390彼此连接。CGL 390可以是N型CGL 392和P型CGL 394组成的PN结CGL。
N型CGL 392位于第一ETL 319与第二HTL 351之间，P型CGL 394位于N型CGL 392与第二HTT 351中间。
N型CGL 392可以是掺杂有碱金属(例如Li、Na、K和Cs)、和/或碱土金属(例如Mg、Sr、Ba和Ra)的有机层。例如，N型CGL 392可以由包括基质的N型电荷产生材料形成，该基质为有机材料，例如4,7-二苯基-1,10-菲啰啉(Bphen)和MTDATA，掺杂剂是碱金属和/或碱土金属，并且掺杂剂可以0.01重量％至30重量％掺杂。
P型CGL 394可以由P型电荷产生材料形成，该P型电荷产生材料包括例如钨氧化物(WOx)、钼氧化物(MoOx)、氧化铍(Be2O3)和氧化钒(V2O5)的无机材料，例如NPD、HAT-CN、F4TCNQ、TPD、TNB、TCTA和N,N’-二辛基-3,4,9,10-苝二酰亚胺(PTCDI-C8)的有机材料、或其组合。
顶部发射型OLED D2可以进一步包括用于增强光提取效率的覆盖层。例如，覆盖层可以形成在第二电极164上，并且可以包括以上提及的空穴传输材料。
在图4中，第一蓝色EML 340包括由式1表示的第一p型基质342和由式3表示的第一n型基质344，第二蓝色EML 380包括由式1表示的第二p型基质382和由式3表示的第二n型基质384。
或者，第一蓝色EML 340和第二蓝色EML 380中的一个包括由式1表示的p型基质和由式3表示的n型基质，第一蓝色EML 340和第二蓝色EML 380中的另一个可以包括不同于由式1表示的p型基质和由式3表示的n型基质的蓝色基质。
在图4中，第一蓝色EML 340包括由式5表示的第一掺杂剂346，第二蓝色EML 380包括由式5表示的第二掺杂剂386。
或者，第一蓝色EML 340和第二蓝色EML 380中的一个包括由式5表示的掺杂剂，第一蓝色EML 340和第二蓝色EML 380中的另一个可以包括不同于由式5表示的掺杂剂的蓝色掺杂剂。
例如，蓝色基质可以选自由以下各者构成的群组：mCP、9-(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)-9H-咔唑-3-腈(mCP-CN)、mCBP、CBP-CN、9-(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)-3-(二苯基氧膦基)-9H–咔唑(mCPPO1)、3,5-二(9H-咔唑-9-基)联苯(Ph-mCP)、TSPO1、9-(3’-(9H-咔唑-9-基)-[1,1’-联苯]-3-基)-9H-吡啶并[2,3-b]吲哚(CzBPCb)、双(2-甲基苯基)二苯基硅烷(UGH-1)、1,4-双(三苯基硅基)苯(UGH-2)、1,3-双(三苯基硅基)苯(UGH-3)、9,9-螺双芴-2-基-二苯基-膦氧化物(SPPO1)、和9,9’-(5-(三苯基硅基)-1,3-苯撑)双(9H-咔唑)(SimCP)。
例如，蓝色掺杂剂可以选自由以下各者构成的群组：苝、4,4’-双[4-(二-对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯(DPAVBi)、4-(二-对甲苯基氨基)-4-4’-[(二-对甲苯基氨基)苯乙烯基]芪(DPAVB)、4,4’-双[4-(二苯基氨基)苯乙烯基]联苯(BDAVBi)、2,7-双(4-二苯基氨基)苯乙烯基)-9,9-螺芴(spiro-DPVBi)、[1,4-双[2-[4-[N,N-二(对甲苯基)氨基]苯基]乙烯基]苯(DSB)、1-4-二-[4-(N,N-二苯基)氨基]苯乙烯基苯(DSA)、2,5,8,11-四-叔丁基苝(TBPe)、双((2-羟基苯基)吡啶)铍(Bepp2)、9-(9-苯基咔唑-3-基)-10-(萘-1-基)蒽(PCAN)、经式-三(1-苯基-3-甲基咪唑啉-2-叉-C,C(2)’铱(Ⅲ)(mer-Tris(1-phenyl-3-methylimidazolin-2-ylidene-C,C(2)’iridium(III)，mer-Ir(pmi)3)、面式-三(1,3-二苯基-苯并咪唑啉-2-叉-C,C(2)’铱(Ⅲ)(fac-Tris(1,3-diphenyl-benzimidazolin-2-ylidene-C,C(2)’iridium(III)，fac-Ir(dpbic)3)、双(3,4,5-三氟-2-(2-吡啶基)苯基-(2-羧基吡啶基)铱(Ⅲ)(Ir(tfpd)2pic)、三(2-(4,6-二氟苯基)吡啶)铱(III)(Ir(Fppy)3)、和双[2-(4,6-二氟代苯基)吡啶-C2,N](吡啶甲酸)铱(Ⅲ)(FIrpic)。
本公开内容的OLED D2包括包含第一EML 340的第一发光部310和包含第二EML380的第二发光部350，第一EML 340和第二EML 380(例如第一蓝色EML 340和第二蓝色EML380)中的至少一个包括由式1表示的p型基质、由式3表示的n型基质、和由式5表示的掺杂剂。
因此，在本公开内容的OLED D2和有机发光显示装置100中，发光效率和寿命中的至少一者可以得到改善。
图5是根据本公开内容的第四实施方式的有机发光显示装置的示意性电路图。
如图5所示，有机发光显示装置400包括其中限定了红色像素区域RP、绿色像素区域GP和蓝色像素区域BP的第一基板410，面向第一基板410的第二基板470、位于第一基板410与第二基板470之间并提供白色发光的OLED D、以及在OLED D与第二基板470之间的颜色转换层480。
尽管未示出，但是滤色器可以形成在第二基板470与每个颜色转换层480之间。
第一基板410和第二基板470各自可以是玻璃基板或柔性基板。例如，第一基板410和第二基板470各自可以是聚酰亚胺(PI)基板、聚醚砜(PES)基板、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)基板、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板、或聚碳酸酯(PC)基板。
对应于红色像素区域RP、绿色像素区域GP和蓝色像素区域BP中的每一个的TFT Tr形成在第一基板410上，具有暴露TFT Tr的电极(例如，漏极)的漏极接触孔452的平坦化层450形成为覆盖TFT Tr。
包括第一电极460、有机发光层462和第二电极464的OLED D形成在平坦化层450上。在这种情况下，第一电极460可以通过漏极接触孔452连接到TFT Tr的漏极。
堤层466形成在平坦化层450上以覆盖第一电极460的边缘。即，堤层466位于像素区域的边界处，并且暴露出像素区域中的第一电极460的中心。
OLED D发出蓝光，并且可以具有图3和图4之一所示的结构。即，OLED D形成在红色像素区域RP、绿色像素区域GP和蓝色像素区域BP中的每一个中，并且提供蓝光。
例如，参照图3，OLED D的有机发光层462包括蓝色EML 240，蓝色EML 240包括由式1表示的p型基质242和由式3表示的n型基质244。蓝色EML 240可以进一步包括由式5表示的掺杂剂246。
参照图4，OLED D的有机发光层462包括第一蓝色EML 340和第二蓝色EML 380。第一蓝色EML 340包括由式1表示的第一p型基质342和由式3表示的第一n型基质344，第二蓝色EML 380包括由式1表示的第二p型基质382和由式3表示的第二n型基质384。此外，第一蓝色EML 340可以进一步包括由式5表示的第一掺杂剂346，第二蓝色EML 380可以进一步包括由式5表示的第二掺杂剂386。
颜色转换层480包括对应于红色像素区域RP的第一颜色转换层482和对应于绿色像素区域GP的第二颜色转换层484。例如，颜色转换层480可以包括诸如量子点的无机颜色转换材料。
来自OLED D的蓝光由红色像素区域RP中的第一颜色转换层482转换为红光，来自OLED D的蓝光由绿色像素区域GP中的第二颜色转换层484转换为绿光。
因此，有机发光显示装置400可以显示全色图像。
尽管未示出，滤色器层可以设置在第二基板470与颜色转换层480之间。滤色器层可以包括对应于红色像素区域RP的红色滤色器和对应于绿色像素区域GP的绿色滤色器。
当来自OLED D的光穿过第一基板410以显示图像时，颜色转换层480可以设置在OLED D与第一基板410之间。在该配置中，滤色器层可以设置在第一基板410与颜色转换层480之间。
图6是根据本公开内容的第五实施方式的有机发光显示装置的示意性电路图。图7是根据本公开内容的第六实施方式的OLED的示意性截面图,图8是根据本公开内容的第七实施方式的OLED的示意性截面图。
如图6所示，有机发光显示装置500包括其中限定了红色像素区域RP、绿色像素区域GP和蓝色像素区域BP的第一基板510，面向第一基板510的第二基板570、位于第一基板510与第二基板570之间并提供白色发光的OLED D、以及在OLED D与第二基板570之间的滤色器层580。
第一基板510和第二基板570各自可以是玻璃基板或柔性基板。例如，第一基板510和第二基板570各自可以是聚酰亚胺(PI)基板、聚醚砜(PES)基板、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)基板、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板、或聚碳酸酯(PC)基板。
缓冲层520形成在基板上，并且与红色像素区域RP、绿色像素区域GP和蓝色像素区域BP中的每一个对应的TFT Tr形成在缓冲层520上。可以省略缓冲层520。
半导体层522形成在缓冲层520上。半导体层522可以包括氧化物半导体材料或多晶硅。
栅极绝缘层524形成在半导体层522上。栅极绝缘层524可以由诸如硅氧化物或硅氮化物之类的无机绝缘材料形成。
由导电材料例如金属形成的栅极530形成在栅极绝缘层524上，以对应于半导体层522的中心。
由绝缘材料形成的层间绝缘层532形成在栅极530上。层间绝缘层532可以由例如硅氧化物或硅氮化物的无机绝缘材料、或例如苯并环丁烯或光学亚克力(photo-acryl)的有机绝缘材料形成。
层间绝缘层532包括暴露半导体层522两侧的第一接触孔534和第二接触孔536。第一接触孔534和第二接触孔536位于栅极530的两侧，以与栅极530间隔开。
由导电材料例如金属形成的源极540和漏极542形成在层间绝缘层532上。
源极540和漏极542相对于栅极530彼此间隔开，并分别通过第一接触孔534和第二接触孔536接触半导体层522的两侧。
半导体层522、栅极530、源极540和漏极542构成TFT Tr。TFT Tr用作驱动元件。即，TFT Tr可以对应于驱动(图1的)TFT Td。
虽然未示出，但栅极线与数据线彼此交叉以限定像素区域，开关TFT形成为连接至栅极线和数据线。开关TFT连接至作为驱动元件的TFT Tr。
此外，可以进一步形成可形成为与栅极线和数据线之一平行且间隔开的电源线、以及用于在一帧内保持TFT Tr的栅极的电压的存储电容器。
包括有暴露TFT Tr的漏极542的漏极接触孔552的平坦化层550形成为覆盖TFTTr。
通过漏极接触孔552连接至TFT Tr的漏极542的第一电极560单独地形成在每个像素区域中和平坦化层550上。第一电极560可以是阳极，并且可以由具有相对高功函数的导电材料形成。例如，第一电极560可以由透明导电材料形成，例如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。
反射电极或反射层可以设置在第一电极560的下方。例如，反射电极或反射层可以由银(Ag)或铝-钯-铜(APC)合金形成。在这种情况下，第一电极560可以具有Ag/ITO或APC/ITO的双层结构或者ITO/Ag/ITO或ITO/APC/ITO的三层结构。
堤层566形成在平坦化层550上以覆盖第一电极560的边缘。即，堤层566位于像素区域的边界处，并且暴露出像素区域中的第一电极560的中心。可以省略堤层566。
有机发光层562形成在第一电极560上。
参照图7，OLED D3包括彼此面对的第一电极560和第二电极564、以及在第一电极560与第二电极562之间的有机发光层562。有机发光层562包括包含第一EML 640的第一发光部610和包含第二EML 680的第二发光部650。有机发光层562可以包括在第一发光部610与第二发光部650之间的CGL 690。
有机发光显示装置500可以包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域，OLED D3对应于红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域。
CGL 690位于第一发光部610与第二发光部650之间，使得第一发光部610、CGL690、第二发光部650可以顺序堆叠在第一电极560上。即，第一发光部610位于第一电极560与CGL 690之间，第二发光部650位于第二电极564与CGL 690之间。
第一发光部610的第一EML 640是蓝色EML。蓝色EML 640包括第一p型基质642和第一n型基质644。激基复合物由第一p型基质642和第一n型基质644产生。例如，第一p型基质642可以具有在350nm至390nm的范围内的最大发光波长，第一n型基质644可以具有在410nm至450nm的范围内的最大发光波长，由第一p型基质642和第一n型基质644产生的激基复合物可以具有在435nm至470nm的范围内的最大发光波长。
第一p型基质642包括一种或多种由式1表示的第一基质化合物，第一n型基质644包括一种或多种由式3表示的第二基质化合物。
例如，第一p型基质642可以包括一种或多种式2中的化合物，第一n型基质644可以包括一种或多种式4中的化合物。
蓝色EML 640可以进一步包括由式5表示的第一掺杂剂646。例如，第一掺杂剂646可以是式6中的化合物中的至少一者。
第一p型基质642的最高占据分子轨道(HOMO)能级高于第一n型基质644的HOMO能级。例如，第一p型基质642的HOMO能级可以在-5.7eV至-5.4eV的范围内，第一n型基质644的HOMO能级可以在-5.9eV至-5.8eV的范围内。
第一p型基质642的最低未占据分子轨道(LUMO)能级高于第一n型基质644的LUMO能级。例如，第一p型基质642的LUMO能级可以在-2.2eV至-2.0eV的范围内，第一n型基质644的LUMO能级可以在-2.9eV至-2.7eV的范围内。
第一p型基质642和第一n型基质644各自的三线态能量可以在2.9eV至3.1eV的范围内。
蓝色EML 640的厚度可以为10nm至100nm，例如20nm至50nm。
在蓝色EML 640中，第一p型基质642和第一n型基质644各自的重量％可以大于第一掺杂剂646的重量％。第一p型基质642的重量％和第一n型基质644的重量％可以相同或不同。
例如，在蓝色EML 640中，相对于第一掺杂剂646，第一p型基质642和第一n型基质644各自可以具有200重量份至400重量份。
第一发光部610可以进一步包括在蓝色EML 640下方的第一HTL 613和在蓝色EML640上方的第一ETL 619中的至少一个。即，第一HTL 613位于蓝色EML 640与第一电极560之间，第一ETL 619位于蓝色EML 640与第二发光部650之间。
此外，第一发光部610可以进一步包括在第一电极560与第一HTL 613之间的HIL611。
此外，第一发光部610可以进一步包括在第一HTL 613与蓝色EML 640之间的第一EBL 615和在蓝色EML 640与第一ETL 619之间的第一HBL 617中的至少一个。
例如，第一发光部610可以具有顺序堆叠在第一电极560上的HIL 611、第一HTL613、第一EBL 615、蓝色EML 640、第一HBL 617和第一ETL 619的结构。或者，可以省略第一EBL 615和第一HBL 617，使得第一发光部610可以具有顺序堆叠在第一电极560上的HIL611、第一HTL 613、蓝色EML 640和第一ETL 619的结构。
第二发光部650的第二EML 680是黄绿色EML。例如，第二EML 680可以包括黄绿色基质和黄绿色掺杂剂。黄绿色掺杂剂可以是荧光化合物、磷光化合物和延迟荧光化合物中的一种。
在第二EML 680中，黄绿色基质可以具有约70重量％至99.9重量％，并且黄绿色掺杂剂可以具有约0.1重量％至30重量％。
例如，黄绿色基质可以包括由式1表示的p型基质和由式3表示的n型基质。
或者，黄绿色基质可以选自由以下各者构成的群组：mCP-CN、CBP、mCBP、mCP、DPEPO、2,8-双(二苯基氧膦基)二苯并噻吩(PPT)、TmPyPB、PYD-2Cz、2,8-二(9H-咔唑-9-基)二苯并噻吩(DCzDBT)、3’,5’-二(咔唑-9-基)-[1,1’-联苯基]-3,5-二腈(DCzTPA)、4’-(9H-咔唑-9-基)联苯基-3,5-二腈(pCzB-2CN)、3’-(9H-咔唑-9-基)联苯基-3,5-二腈(mCzB-2CN)、TSPO1、和9-(9-苯基-9H-咔唑-6-基)-9H-咔唑(CCP)，但不限于此。
例如，黄绿色掺杂剂可以选自由以下各者构成的群组：5,6,11,12-四苯基萘(5,6,11,12-tetraphenylnaphthalene，Rubrene)、2,8-二-叔-丁基-5,11-双(4-叔-丁基苯基)-6,12-二苯基并四苯(2,8-di-tert-butyl-5,11-bis(4-tert-butylphenyl)-6,12-diphenyltetracene，TBRb)、双(2-苯基苯并噻唑)(乙酰丙酮)铱(Ⅲ)(bis(2-phenylbenzothiazolato)(acetylacetonate)irdium(Ⅲ)，Ir(BT)2(acac))、双(2-(9,9-二乙基-芴-2-基)-1-苯基-1H-苯并[d]咪唑)(乙酰丙酮)铱(Ⅲ)(bis(2-(9,9-diethytl-fluoren-2-yl)-1-phenyl-1H-benzo[d]imdiazolato)(acetylacetonate)iridi um(Ⅲ)，Ir(fbi)2(acac))、双(2-苯基吡啶)(3-(吡啶-2-基)-2H-色烯-2-奥酸)铱(Ⅲ)(bis(2-phenylpyridine)(3-(pyridine-2-yl)-2H-chromen-2-onate)iridium(Ⅲ)，fac-Ir(ppy)2Pc)、双(2-(2,4-二氟苯基)喹啉)(吡啶甲酸酯)铱(Ⅲ)(bis(2-(2,4-difluorophenyl)quinoline)(picolinate)iridium(Ⅲ)，FPQIrpic)、和双(4-苯基噻吩并[3,2-c]吡啶-N,C2')(乙酰丙酮)铱(Ⅲ)(bis(4-phenylthieno[3,2-c]pyridinato-N,C2')(acetylacetonate)iridium(Ⅲ)，PO-01)，但不限于此。
第二发光部650可以进一步包括在第二蓝色EML 680下方的第二HTL 651和在第二蓝色EML 680上方的第二ETL 657中的至少一个。即，第二HTL 651位于第二蓝色EML 680与第一发光部610之间，第二ETL 657位于第二蓝色EML 680与第二电极564之间。
此外，第二发光部650可以进一步包括在第二电极564与第二ETL 657之间的EIL659。
此外，第二发光部650可以进一步包括在第二HTL 651与第二EML 680之间的第二EBL 653和在第二EML 680与第二ETL 657之间的第二HBL 655中的至少一个。
例如，第二发光部650可以具有顺序堆叠在第一电极560上的第二HTL 651、第二EBL 653、第二蓝色EML 680、第二HBL 655、第二ETL 657和EIL 659的结构。或者，可以省略第二EBL 653和第二HBL 655，使得第二发光部650可以具有顺序堆叠在第一电极560上的第二HTL 651、第二蓝色EML 680、第二ETL 657和EIL 659的结构。
HIL 632可以包括以上提及的空穴注入材料，并且HIL 632的厚度可以为1nm至20nm，例如5nm至15nm。
第一HTL 613和第二HTL 651各自可以包括以上提及的空穴传输材料，并且第一HTL 613和第二HTL 651各自的厚度可以为30nm至150nm，例如30nm至120nm。
第一ETL 619和第二ETL 657各自可以包括以上提及的电子传输材料，并且第一ETL 619和第二ETL 657各自的厚度可以为10nm至50nm，例如20nm至40nm。
EIL 659可以包括以上提及的电子注入材料，并且EIL 659的厚度可以为0.1nm至10nm，例如0.5nm至5nm。
第一EBL 615和第二EBL 653各自可以包括以上提及的电子阻挡材料，并且第一EBL 615和第二EBL 653各自的厚度可以为1nm至20nm，例如5nm至15nm。
第一HBL 617和第二HBL 655各自可以包括以上提及的空穴阻挡材料，并且第一HBL 617和第二HBL 655各自的厚度可以为1nm至20nm，例如5nm至15nm。
CGL 690位于第一发光部610与第二发光部650之间。即，第一发光部610和第二发光部650通过CGL 690彼此连接。CGL 690可以是N型CGL 692和P型CGL 694组成的PN结CGL。
N型CGL 692位于第一ETL 619与第二HTL 651之间，P型CGL 694位于N型CGL 692与第二HTT 651中间。
N型CGL 692可以包括以上提及的N型电荷产生材料，P型CGL 394可以包括以上提及的P型电荷产生材料。
顶部发射型OLED D3可以进一步包括用于增强光提取效率的覆盖层。例如，覆盖层可以形成在第二电极564上，并且可以包括以上提及的空穴传输材料。
在图7中，在第一电极560与CGL 690之间的第一EML 640是包括由式1表示的p型基质642、由式3表示的n型基质644、和由式5表示的掺杂剂646的蓝色EML，在第二电极564和CGL 669之间的第二EML 680是黄绿色EML。
或者，在第一电极560与CGL 690之间的第一EML 640可以是黄绿色EML，在第二电极564雨CGL 669之间的第二EML 680可以是包括由式1表示的p型基质642、由式3表示的n型基质644、和由式5表示的掺杂剂646的蓝色EML。
在OLED D3中，第一EML 640包括由式1表示的p型基质642、由式3表示的n型基质644、和由式5表示的掺杂剂646。
因此，在OLED D3和有机发光显示装置500中，发光效率和寿命中的至少一者可以得到改善。
此外，包括发出蓝光的第一发光部610和发出黄绿光的第二发光部650的OLED D3可以提供白色发光。
参照图8，OLED D4包括彼此面对的第一电极560和第二电极564、以及在第一电极560与第二电极562之间的有机发光层562。有机发光层562包括包含第一EML 720的第一发光部710、包含第二EML 740的第二发光部730、和包含第三EML 760的第三发光部750。有机发光层562可以包括在第一发光部710与第三发光部750之间的第一CGL 770、以及在第二发光部730与第三发光部750之间第二CGL 780。
有机发光显示装置500可以包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域，OLED D4对应于红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域。
第一CGL 770位于第一发光部710与第三发光部750之间，第二CGL 780位于第二发光部730与第三发光部750之间。即，第一发光部710、第一CGL 770、第三发光部750、第二CGL780和第二发光部730顺序堆叠在第一电极560上。换言之，第一发光部710位于第一电极560与第一CGL 770之间，第三发光部750位于第一CGL 770与第二CGL 780之间，第二发光部730位于第二CGL 780与第二电极564之间。
第一发光部710的第一EML 720是蓝色EML。第一EML 720可以被称为第一蓝色EML720。第一蓝色EML 720包括第一p型基质722和第一n型基质724。激基复合物由第一p型基质722和第一n型基质724产生。例如，第一p型基质722可以具有在350nm至390nm的范围内的最大发光波长，第一n型基质724可以具有在410nm至450nm的范围内的最大发光波长，由第一p型基质722和第一n型基质724产生的激基复合物可以具有在435nm至470nm的范围内的最大发光波长。
第一p型基质722包括一种或多种由式1表示的第一基质化合物，第一n型基质724包括一种或多种由式3表示的第二基质化合物。
例如，第一p型基质722可以包括一种或多种式2中的化合物，第一n型基质724可以包括一种或多种式4中的化合物。
第一蓝色EML 720可以进一步包括由式5表示的第一掺杂剂726。例如，第一掺杂剂726可以是式6中的化合物中的至少一者。
第一p型基质722的最高占据分子轨道(HOMO)能级高于第一n型基质724的HOMO能级。例如，第一p型基质722的HOMO能级可以在-5.7eV至-5.4eV的范围内，第一n型基质724的HOMO能级可以在-5.9eV至-5.8eV的范围内。
第一p型基质722的最低未占据分子轨道(LUMO)能级高于第一n型基质724的LUMO能级。例如，第一p型基质722的LUMO能级可以在-2.2eV至-2.0eV的范围内，第一n型基质724的LUMO能级可以在-2.9eV至-2.7eV的范围内。
第一p型基质722和第一n型基质724各自的三线态能量可以在2.9eV至3.1eV的范围内。
第一蓝色EML 720的厚度可以为10nm至100nm，例如20nm至50nm。
在第一蓝色EML 720中，第一p型基质722和第一n型基质724各自的重量％可以大于第一掺杂剂726的重量％。第一p型基质722的重量％和第一n型基质724的重量％可以相同或不同。
例如，在第一蓝色EML 720中，相对于第一掺杂剂726，第一p型基质722和第一n型基质724各自可以具有200重量份至400重量份。
第一发光部710可以进一步包括在第一蓝色EML 720下方的第一HTL 713和在第一蓝色EML 720上方的第一ETL 719中的至少一个。即，第一HTL 713位于第一蓝色EML 720与第一电极560之间，第一ETL 719位于第一蓝色EML 720与第二发光部750之间。
此外，第一发光部710可以进一步包括在第一电极560与第一HTL 713之间的HIL711。
此外，第一发光部710可以进一步包括在第一HTL 713与第一蓝色EML 720之间的第一EBL 715和在第一蓝色EML 720与第一ETL 719之间的第一HBL 717中的至少一个。
例如，第一发光部710可以具有顺序堆叠在第一电极560上的HIL 711、第一HTL713、第一EBL 715、第一蓝色EML 720、第一HBL 717和第一ETL 719的结构。或者，可以省略第一EBL 715和第一HBL 717，使得第一发光部710可以具有顺序堆叠在第一电极560上的HIL 711、第一HTL 713、第一蓝色EML 720和第一ETL 719的结构。
第二发光部730的第二EML 740是蓝色EML。第二EML 740可以被称为第二蓝色EML740。第二蓝色EML 740包括第二p型基质742和第二n型基质744。激基复合物由第二p型基质742和第二n型基质744产生。例如，第二p型基质742可以具有在350nm至390nm的范围内的最大发光波长，第二n型基质744可以具有在410nm至450nm的范围内的最大发光波长，由第二p型基质742和第二n型基质744产生的激基复合物可以具有在435nm至470nm的范围内的最大发光波长。
第二p型基质742包括一种或多种由式1表示的第一基质化合物，第二n型基质744包括一种或多种由式3表示的第二基质化合物。
例如，第二p型基质742可以包括一种或多种式2中的化合物，第二n型基质744可以包括一种或多种式4中的化合物。第一p型基质722和第二p型基质742可以相同或不同，第一n型基质724和第二n型基质744可以相同或不同。
第二蓝色EML 740可以进一步包括由式5表示的第二掺杂剂746。例如，第二掺杂剂746可以是式6中的化合物中的至少一者。第一掺杂剂726和第二掺杂剂746可以相同或不同。
第二p型基质742的最高占据分子轨道(HOMO)能级高于第二n型基质744的HOMO能级。例如，第二p型基质742的HOMO能级可以在-5.7eV至-5.4eV的范围内，第二n型基质744的HOMO能级可以在-5.9eV至-5.8eV的范围内。
第二p型基质742的最低未占据分子轨道(LUMO)能级高于第二n型基质744的LUMO能级。例如，第二p型基质742的LUMO能级可以在-2.2eV至-2.0eV的范围内，第二n型基质744的LUMO能级可以在-2.9eV至-2.7eV的范围内。
第二p型基质742和第二n型基质744各自的三线态能量可以在2.9eV至3.1eV的范围内。
第二蓝色EML 740的厚度可以为10nm至100nm，例如20nm至50nm。第一蓝色EML 720的厚度和第二蓝色EML 740的厚度可以相同或不同。
在第二蓝色EML 740中，第二p型基质742和第二n型基质744各自的重量％可以大于第二掺杂剂746的重量％。第二p型基质742的重量％和第二n型基质744的重量％可以相同或不同。
例如，在第二蓝色EML 740中，相对于第二掺杂剂746，第二p型基质742和第二n型基质744各自可以具有200重量份至400重量份。第一蓝色EML 720中的第一p型基质722的重量％和第二蓝色EML 740中的第二p型基质742的重量％可以相同或不同。第一蓝色EML 720中的第一n型基质724的重量％和第二蓝色EML 740中的第二n型基质744的重量％可以相同或不同。第一蓝色EML 720中的第一掺杂剂726的重量％和第二蓝色EML 740中的第二掺杂剂746的重量％可以相同或不同。
第二发光部730可以进一步包括在第二蓝色EML 740下方的第二HTL 731和在第二蓝色EML 740上方的第二ETL 737中的至少一个。即，第二HTL 731位于第二蓝色EML 740与第一发光部710之间，第二ETL 737位于第二蓝EML 740与第二电极564之间。
此外，第二发光部730可以进一步包括在第二电极564与第二ETL 737之间的EIL739。
此外，第二发光部730可以进一步包括在第二HTL 731与第二EML 740之间的第二EBL 733和在第二EML 740与第二ETL 737之间的第二HBL 735中的至少一个。
例如，第二发光部730可以具有顺序堆叠在第一电极560上的第二HTL 731、第二EBL 733、第二蓝色EML 740、第二HBL 735、第二ETL 737和EIL 739的结构。或者，可以省略第二EBL 733和第二HBL 735，使得第二发光部730可以具有顺序堆叠在第一电极560上的第二HTL 731、第二蓝色EML 740、第二ETL 737和EIL 739的结构。
第三发光部750的第三EML 760包括红色EML 762和绿色EML 764以发出红光和绿光。
红色EML 762包括红色基质和红色掺杂剂。在红色EML 762中，红色基质可以具有约70重量％至99重量％，并且红色掺杂剂可以具有约1重量％至30重量％。例如，红色掺杂剂可以是红色荧光化合物、红色磷光化合物和红色延迟荧光化合物中的一种。
红色基质可以包括由式1表示的p型基质和由式3表示的n型基质。或者，红色基质可以选自由以下各者构成的群组：mCP-CN、CBP、mCBP、mCP、DPEPO、2,8-双(二苯基氧膦基)二苯并噻吩(PPT)、1,3,5-三[(3-吡啶基)-苯-3-基]苯(TmPyPB)、2,6-二(9H-咔唑-9-基)吡啶(PYD-2Cz)、2,8-二(9H-咔唑-9-基)二苯并噻吩(DCzDBT)、3’,5’-二(咔唑-9-基)-[1,1’-联苯]-3,5-二甲腈(DCzTPA)、4’-(9H-咔唑-9-基)联苯-3,5-二甲腈(pCzB-2CN)、3’-(9H-咔唑-9-基)联苯-3,5-二甲腈(mCzB-2CN)、TSPO1、9-(9-苯基-9H-咔唑-6-基)-9H-咔唑(CCP)、4-(3-(三苯烯-2-基)苯基)二苯并[b,d]噻吩、9-(4-(9H-咔唑-9-基)苯基)-9H-3,9’-双咔唑、9-(3-(9H-咔唑-9-基)苯基)-9H-3,9’-双咔唑、9-(6-(9H-咔唑-9-基)吡啶-3-基)-9H-3,9’-双咔唑)、9,9’-二苯基-9H,9’H-3,3’-双咔唑(BCzPh)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(TCP)、TCTA、4,4’-二(咔唑-9-基)-2,2’-二甲基联苯(CDBP)、2,7-二(咔唑-9-基)-9,9-二甲基芴(DMFL-CBP)、2,2’,7,7’-四(咔唑-9-基)-9,9-螺芴(Spiro-CBP)、和3,6-双(咔唑-9-基)-9-(2-乙基-己基)-9H-咔唑(TCz1)，但不限于此。
红色掺杂剂可以选自由以下各者构成的群组：[双(2-(4,6-二甲基)苯基喹啉)](2,2,6,6-四甲基庚烷-3,5-二酮)铱(Ⅲ)、双[2-(4-正己基苯基)喹啉](乙酰丙酮)铱(Ⅲ)(Hex-Ir(phq)2(acac))、三[2-(4-正己基苯基)喹啉]铱(Ⅲ)(Hex-Ir(phq)3)、三[2-苯基-4-甲基喹啉]铱(Ⅲ)(Ir(Mphq)3)、双(2-苯基喹啉)(2,2,6,6-四甲基庚烷-3,5-二酮)铱(Ⅲ)(Ir(dpm)PQ2)、双(苯基异喹啉)(2,2,6,6-四甲基庚烷-3,5-二酮)铱(Ⅲ)(Ir(dpm)(piq)2)、双[(4-正己基苯基)异喹啉](乙酰丙酮)铱(Ⅲ)(Hex-Ir(piq)2(acac))、三[2-(4-正己基苯基)喹啉]铱(Ⅲ)(Hex-Ir(piq)3)、三(2-(3-甲基苯基)-7-甲基-喹啉)铱(Ir(dmpq)3)、双[2-(2-甲基苯基)-7-甲基-喹啉](乙酰丙酮)铱(Ⅲ)(Ir(dmpq)2(acac))、双[2-(3,5-二甲基苯基)-4-甲基-喹啉](乙酰丙酮)铱(Ⅲ)(Ir(mphmq)2(acac))、和三(二苯甲酰甲烷)单(1,10-菲咯啉)铕(Ⅲ)(Eu(dbm)3(phen))，但不限于此。
绿色EML 764包括绿色基质和绿色掺杂剂。在绿色EML 764中，绿色基质可以具有约70重量％至99重量％，并且绿色掺杂剂可以具有约1重量％至30重量％。例如，绿色掺杂剂可以是绿色荧光化合物、绿色磷光化合物和绿色延迟荧光化合物中的一种。
绿色基质可以包括由式1表示的p型基质和由式3表示的n型基质。或者，绿色基质可以选自以上提及的黄绿色基质材料。
绿色掺杂剂可以选自由以下各者构成的群组：[双(2-苯基吡啶)](吡啶-2-苯并呋喃[2,3-b]吡啶)铱、三[2-苯基吡啶]铱(Ⅲ)(Ir(ppy)3)、面式-三(2-苯基吡啶)铱(Ⅲ)(fac-Ir(ppy)3)、双(2-苯基吡啶)(乙酰丙酮)铱(Ⅲ)(Ir(ppy)2(acac))、三[2-(对苄基)吡啶]铱(Ⅲ)(Ir(mppy)3)、双(2-(萘-2-基)吡啶)(乙酰丙酮)铱(Ⅲ)(Ir(npy)2acac)、三(2-苯基-3-甲基吡啶)铱(Ir(3mppy)3)、和面式-三(2-(3-p-甲苄基)苯基吡啶)铱(Ⅲ)(TEG)，但不限于此。
第三发光部750的第三EML 760可以进一步包括在红色EML 762与绿色EML 764之间的黄绿色EML，以具有三层结构。黄绿色EML可以包括以上提及的黄绿色基质和以上提及的黄绿色掺杂剂。第三发光部750的第三EML 760可以包括黄绿色EML来替代红色EML 762和绿色EML 764。
第三发光部750可以进一步包括在第三EML 760下方的第三HTL 751和在第三EML760上方的第三ETL 753中的至少一个。
此外，第三发光部750可以进一步包括在第三HTL 751与第三EML 760之间的第三EBL和在第三EML 760与第三ETL 753之间的第三HBL中的至少一个。
HIL 711可以包括以上提及的空穴注入材料，并且HIL 711的厚度可以为1nm至20nm，例如5nm至15nm。
第一HTL 713、第二HTL 731和第三HTL 751各自可以包括以上提及的空穴传输材料，并且第一HTL 713、第二HTL 731和第三HTL 751各自的厚度可以为30nm至150nm，例如30nm至120nm。
第一ETL 719、第二ETL 737和第三ETL 753各自可以包括以上提及的电子传输材料，并且第一ETL 719、第二ETL 737和第三ETL 753各自的厚度可以为10nm至50nm，例如20nm至40nm。
EIL 739可以包括以上提及的电子注入材料，并且EIL 739的厚度可以为0.1nm至10nm，例如0.5nm至5nm。
第一EBL 715和第二EBL 733以及第三EBL各自可以包括以上提及的电子阻挡材料，并且第一EBL 715和第二EBL 733以及第三EBL各自的厚度可以为1nm至20nm，例如5nm至15nm。
第一HBL 717和第二HBL 735以及第三HBL各自可以包括以上提及的空穴阻挡材料，并且第一HBL 717和第二HBL 735以及第三HBL各自的厚度可以为1nm至20nm，例如5nm至15nm。
第一CGL 770位于第一发光部710与第三发光部750之间，第二CGL 780位于第二发光部730与第三发光部750之间。即，第一发光部710和第三发光部750可以通过第一CGL 770彼此连接，第二发光部730和第三发光部分750可以通过第二CGL 780彼此连接。第一CGL770可以是第一N型CGL 772和第一P型CGL 774组成的PN结CGL，第二CGL 780可以是第二N型CGL 782和第二P型CGL 784组成的PN结CGL。
在第一CGL 770中，第一N型CGL 772位于第一ETL 719与第三HTL 751之间，第一P型CGL 774位于第一N型CGL 772与第三HTL 751之间。
在第二CGL 780中，第二N型CGL 782位于第三ETL 753与第二HTL 731之间，第二P型CGL 784位于第二N型CGL 782与第二HTL 731之间。
第一N型CGL 772和第二N型CGL 782各自可以包括以上提及的N型电荷产生材料，第一P型CGL 774和第二P型CGL 784各自可以包括以上提及的P型电荷产生材料。
顶部发射型OLED D4可以进一步包括用于增强光提取效率的覆盖层。例如，覆盖层可以形成在第二电极564上，并且可以包括以上提及的空穴传输材料。
在图8中，第一蓝色EML 720包括由式1表示的第一p型基质722和由式3表示的第一n型基质724，第二蓝色EML 740包括由式1表示的第二p型基质742和由式3表示的第二n型基质744。
或者，第一蓝色EML 720和第二蓝色EML 740中的至少一个可以包括由式1表示的p型基质和由式3表示的n型基质，第一蓝色EML 720和第二蓝色EML 740中的另一个可以包括不同于由式1表示的p型基质和由式3表示的n型基质的蓝色基质。蓝色基质可以是以上提及的蓝色基质材料。
在图8中，第一蓝色EML 720包括由式5表示的第一掺杂剂726，第二蓝色EML 740包括由式5表示的第二掺杂剂746。
或者，第一蓝色EML 720和第二蓝色EML 740中的一个包括由式5表示的掺杂剂，第一蓝色EML 720和第二蓝色EML 740中的另一个可以包括不同于由式5表示的掺杂剂的蓝色掺杂剂。蓝色掺杂剂可以是以上提及的蓝色掺杂剂材料。
本公开内容的OLED D4包括包含第一EML 720(例如第一蓝色EML)的第一发光部710、包含第二EML 740(例如第二蓝色EML)的第二发光部730、和包含红色EML和绿色EML(和/或黄绿色EML)的第三发光部750，并且第一蓝色EML 720和第二蓝色EML 740中的至少一个包括由式1表示的p型基质、由式3表示的n型基质、和由式5表示的掺杂剂。
因此，在OLED D4和有机发光显示装置500中，发光效率和寿命中的至少一者可以得到改善。
OLED D4包括各自提供蓝色发光的第一发光部710和第二发光部730、以及提供红色和绿色发光(或黄绿色发光)的第三发光部750，使得可以从OLED D4提供白色发光。
在图8中，OLED4D具有第一发光部710、第二发光部730和第三发光部750的三重堆叠结构。或者，OLED D可以进一步包括额外的发光部和CGL。
再次参照图6，第二电极564形成在其上形成有有机发光层562的基板510的上方。
在有机发光显示装置500中，由于从有机发光层562发出的光通过第二电极564入射到滤色器层580，所以第二电极562具有用于透射光的薄轮廓。
第一电极560、有机发光层562和第二电极564构成OLED D。
滤色器层580位于OLED D的上方，并包括分别对应于红色像素区域RP、绿色像素区域GP和蓝色像素区域BP的红色滤色器582、绿色滤色器584和蓝色滤色器586。
尽管未示出，但是滤色器层580可以通过使用粘合层附接到OLED D。或者，滤色器层580可以直接形成在OLED D上。
可以形成封装层以防止湿气渗透到OLED D中。例如，封装层可以包括顺序堆叠的第一无机绝缘层、有机绝缘层和第二无机绝缘层，但不限于此。
用于减少环境光反射的偏光板可以设置在顶部发射型OLED D的上方。例如，偏光板可以是圆偏光板。
在图6的OLED中，OLED D的光穿过第二电极564，滤色器层580设置在OLED D的上方。或者，当OLED D中的光穿过第一电极560时，滤色器层580可以设置在OLED D与第一基板510之间。
颜色转换层(未示出)可以形成在OLED D与滤色器层580之间。颜色转换层可以包括分别对应于红色像素区域RP、绿色像素区域GP和蓝色像素区域BP的红色转换层、绿色转换层和蓝色转换层。来自OLED D的白光分别通过红色转换层、绿色转换层和蓝色转换层转换为红光、绿光和蓝光。
如上所述，在有机发光显示装置500中，在红色像素区域RP、绿色像素区域GP和蓝色像素区域BP中的OLED D发出白色发光，来自有机发光二极管D的白光穿过红色滤色器582、绿色滤色器584和蓝色滤色器586。因此，分别从红色像素区域RP、绿色像素区域GP和蓝色像素区域BP提供红光、绿光和蓝光。
在图6至图8中，发出白光的OLED D被用于显示装置。或者，OLED D可以形成在基板的整个表面上而无需驱动元件和滤色器层中的至少一个，以被用于照明装置。各自都包括本公开内容的OLED D的显示装置和照明装置可以被称为有机发光装置。
[OLED]
将阳极(ITO(5nm)/Ag(100nm)/ITO(5nm))、HIL(式7的化合物，7nm)、HTL(式8的化合物，110nm)、EBL(式9的化合物，10nm)、蓝色EML(30nm)、HBL(式10的化合物，10nm)、ETL(式11的化合物，30nm)、EIL(LiF，0.1nm)、阴极(Mg:Ag(1:9)，12nm)和覆盖层(式8的化合物，75nm)依次地沉积以形成蓝色OLED。
[式7]
[式8]
[式9]
[式10]
[式11]
1.比较例
(1)比较例1(Ref1)
使用式12中的化合物A(42重量％)、式4中的化合物EH1(42重量％)和式6中的化合物D1(16重量％)来形成蓝色EML。
(2)比较例2(Ref2)
使用式12中的化合物B(42重量％)、式4中的化合物EH1(42重量％)和式6中的化合物D1(16重量％)来形成蓝色EML。
(3)比较例3(Ref3)
使用式12中的化合物C(42重量％)、式4中的化合物EH1(42重量％)和式6中的化合物D1(16重量％)来形成蓝色EML。
(4)比较例4(Ref4)
使用式12中的化合物D(42重量％)、式4中的化合物EH1(42重量％)和式6中的化合物D1(16重量％)来形成蓝色EML。
(5)比较例5(Ref5)
使用式12中的化合物E(42重量％)、式4中的化合物EH1(42重量％)和式6中的化合物D1(16重量％)来形成蓝色EML。
(6)比较例6(Ref6)
使用式12中的化合物F(42重量％)、式4中的化合物EH1(42重量％)和式6中的化合物D1(16重量％)来形成蓝色EML。
(7)比较例7(Ref7)
使用式12中的化合物G(42重量％)、式4中的化合物EH1(42重量％)和式6中的化合物D1(16重量％)来形成蓝色EML。
(8)比较例8(Ref8)
使用式12中的化合物H(42重量％)、式4中的化合物EH1(42重量％)和式6中的化合物D1(16重量％)来形成蓝色EML。
(9)比较例9(Ref9)
使用式12中的化合物I(42重量％)、式4中的化合物EH1(42重量％)和式6中的化合物D1(16重量％)来形成蓝色EML。
(10)比较例10(Ref10)
使用式12中的化合物J(42重量％)、式4中的化合物EH1(42重量％)和式6中的化合物D1(16重量％)来形成蓝色EML。
[式12]
2.实施例
(1)实施例1(Ex1)
使用式2中的化合物HH1(42重量％)、式4中的化合物EH1(42重量％)和式6中的化合物D1(16重量％)来形成蓝色EML。
(2)实施例2(Ex2)
使用式2中的化合物HH2(42重量％)、式4中的化合物EH1(42重量％)和式6中的化合物D1(16重量％)来形成蓝色EML。
(3)实施例3(Ex3)
使用式2中的化合物HH3(42重量％)、式4中的化合物EH1(42重量％)和式6中的化合物D1(16重量％)来形成蓝色EML。
(4)实施例4(Ex4)
使用式2中的化合物HH4(42重量％)、式4中的化合物EH1(42重量％)和式6中的化合物D1(16重量％)来形成蓝色EML。
(5)实施例5(Ex5)
使用式2中的化合物HH5(42重量％)、式4中的化合物EH1(42重量％)和式6中的化合物D1(16重量％)来形成蓝色EML。
实施例1至5中所用的p型基质和n型基质以及由p型基质和n型基质产生的激基复合物的PL光谱示于图9A至图9E中。(水平轴的单位是nm。)
测量实施例1至5中所用的p型基质和n型基质的HOMO能级、LUMO能级和三线态能量(T1)以及最大发光波长(Emax)、以及由p型基质和n型基质产生的激基复合物的最大发光波长，并列于表1。
确定HOMO能级的各种方法是本领域技术人员已知的。例如，HOMO能级可以使用传统的表面分析仪来确定，诸如由RKI仪器制得的AC3表面分析仪。表面分析仪可以用于查询厚度为50nm的化合物的单膜(纯膜)。LUMO能级可以计算如下：
LUMO＝HOMO-带隙。
可以使用本领域技术人员已知的任何常规方法来计算带隙，诸如从厚度为50nm的单膜的UV-vis测量。例如，这可以使用SCINCO S-3100分光光度计来完成。本文公开的实施例和实施方式的化合物的HOMO值和LUMO值可以通过这种方式确定。也就是说，HOMO值和LUMO值可以是薄膜(诸如50nm膜)的实验或经验确定的值。
三线态能量可以从低温PL光谱来测量。
PL光谱可以在室温(即25℃)下使用有机溶剂(例如甲苯)进行测量。例如，使用化合物溶液形成厚度为30nm的薄膜，该化合物溶液包括溶解在有机溶剂(例如甲苯)中的浓度为约1×10-5M的化合物，并且可以使用荧光光谱仪(例如FS-5荧光光谱仪(EdinburghInstruments))来测量PL光谱。
表1
| HOMO[eV] | LUMO[eV] | Emax[nm] | T1[eV] | |
| HH1 | -5.43 | -2.09 | 386 | 2.98 |
| HH2 | -5.62 | -2.15 | 358 | 2.94 |
| HH3 | -5.61 | -2.11 | 358 | 3.03 |
| HH4 | -5.59 | -2.16 | 373 | 2.96 |
| HH5 | -5.59 | -2.16 | 375 | 3.00 |
| EH1 | -5.80 | -2.80 | 430 | 2.96 |
| 激基复合物 | - | - | 457 | - |
在3.0mA/cm2下测量比较例1至10和实施例1至5中的OLED的电光特性，即驱动电压(V)、亮度(cd/A)和色坐标指数(CIEy)、以及寿命(LT95)，并列于表2。
表2
如表2中所示，与比较例1至10的OLED相比，实施例1至5的OLED在发光效率和寿命中的至少一者具有优势。
例如，化合物A和化合物HH1、化合物B和化合物HH2、化合物C和化合物HH3、化合物D和化合物HH4、以及化合物E和化合物HH5分别具有金刚烷基的取代的差异。然而，与比较例1至5的OLED相比，实施例1至五的OLED在发光效率和寿命方面具有显著优势。
尽管化合物F、G、H、I和J包括金刚烷基，但化合物F、G、H、Ⅰ和J在核上与化合物HH1至HH5不同。如表2所示，与比较例6至10的OLED相比，实施例1至5的OLED在发光效率和寿命方面具有显著优势。
对于本领域技术人员显而易见的是，在不背离本公开内容的精神或范围的情况下，可以对本公开内容做出各种修改和变化。因此，本公开内容旨在涵盖本公开内容的修改和变化，只要它们落入所附权利要求的范围内。
Claims (22)
1.一种有机发光二极管，包括：
第一电极；
面对所述第一电极的第二电极；和
第一发光部，所述第一发光部包括第一发光材料层并且位于所述第一电极与所述第二电极之间；
其中所述第一发光材料层包括第一p型基质和第一n型基质，
其中所述第一p型基质由式1表示：
[式1]
其中在式1中，
a1和a3各自独立地为0至4的整数，a2为0至3的整数，n为0或1；
X为NR4、O或S；
R1、R2和R3各自独立地选自由氢、氘、卤素、氰基、取代的或未取代的C1至C10烷基、取代的或未取代的C1至C10烷氧基、取代的或未取代的C6至C30芳基氨基、取代的或未取代的C6至C30芳基甲硅烷基、取代的或未取代的C6至C30芳基、和取代的或未取代的C3至C30杂芳基构成的群组；和
R4选自由氢、氘、卤素、氰基、取代的或未取代的C1至C10烷基、取代的或未取代的C1至C10烷氧基、取代的或未取代的C6至C30芳基氨基、取代的或未取代的C6至C30芳基甲硅烷基、取代的或未取代的C6至C30芳基、和取代的或未取代的C3至C30杂芳基构成的群组；
其中所述第一n型基质由式3表示：
[式3]
其中在式3中，
b1、b5和b6各自独立地为0至4的整数，b2至b4各自独立地为0至5的整数；和
R11至R17各自独立地选自由氢、氘、卤素、氰基、取代的或未取代的C1至C20烷基、取代的或未取代的C1至C20烷氧基、取代的或未取代的C30至C30环烷基、取代的或未取代的C6至C30芳基氨基、取代的或未取代的C6至C30芳基甲硅烷基、取代的或未取代的C6至C30芳基、和取代的或未取代的C3至C30杂芳基构成的群组。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第一p型基质包括式2中的化合物中的至少一种：
[式2]
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第一n型基质包括式4中的化合物中的至少一者：
[式4]
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中激基复合物通过所述第一p型基质和所述第一n型基质产生。
5.根据权利要求4所述的有机发光二极管，其中所述激基复合物的最大波长在435nm至470nm的范围内。
6.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第一发光部第一步包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层、和电子注入层中的至少一者。
7.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第一发光材料层进一步包括第一掺杂剂。
8.根据权利要求7所述的有机发光二极管，其中所述第一掺杂剂由式5表示：
[式5]
其中在式5中，e1和e2各自独立地为0至4的整数，e3为0至3的整数，e4为0至2的整数；
R21至R24各自独立地选自由氢、氘、卤素、氰基、取代的或未取代的C1至C20烷基、取代的或未取代的C1至C20烷氧基、取代的或未取代的C30至C30环烷基、取代的或未取代的C6至C30芳基氨基、取代的或未取代的C6至C30芳基甲硅烷基、取代的或未取代的C6至C30芳基、和取代的或未取代的C3至C30杂芳基构成的群组；和
R25选自由氢、氘、卤素、氰基、取代的或未取代的C1至C20烷基、取代的或未取代的C1至C20烷氧基、取代的或未取代的C6至C30芳基氨基、取代的或未取代的C6至C30芳基甲硅烷基、取代的或未取代的C6至C30芳基、和取代的或未取代的C3至C30杂芳基构成的群组。
9.根据权利要求8所述的有机发光二极管，其中所述第一p型基质为式6中的化合物中的至少一种：
[式6]
10.根据权利要求8所述的有机发光二极管，进一步包括：第二发光部，所述第二发光部包括第二发光材料层并且位于所述第一发光部与所述第二电极之间；
其中所述第二发光材料层包括第二p型基质、第二n型基质和第二掺杂剂；和
其中所述第二p型基质由式1表示，所述第二n型基质由式3表示，所述第二掺杂剂由式5表示。
11.根据权利要求10所述的有机发光二极管，其中所述第二发光部第一步包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层、和电子注入层中的至少一者。
12.根据权利要求10所述的有机发光二极管，进一步包括：第三发光部，所述第三发光部包括第三发光材料层并且位于所述第一发光部与第二发光部之间；
其中所述第三发光材料层包括红色发光材料层和绿色发光材料层。
13.根据权利要求1所述的有机发光二极管，进一步包括：第二发光部，所述第二发光部包括黄绿色发光材料层，并且位于所述第一发光部与所述第二电极之间。
14.一种有机发光装置，包括：
基板；
权利要求1所述的有机发光二极管，所述有机发光二极管设置在所述基板的上方；和
封装层，所述封装层覆盖所述有机发光二极管。
15.根据权利要求14所述的有机发光装置，其中所述基板包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域，并且所述有机发光二极管对应于所述红色像素区域、所述绿色像素区域和所述蓝色像素区域；
其中所述有机发光装置进一步包括：滤色器层，所述滤色器层对应于所述红色像素区域、所述绿色像素区域和所述蓝色像素区域；和
其中所述滤色器层位于所述基板与所述有机发光二极管之间或在所述有机光发光二极管的上方。
16.根据权利要求14所述的有机发光装置，其中所述基板包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域，并且所述有机发光二极管对应于所述红色像素区域、所述绿色像素区域和所述蓝色像素区域；
其中所述有机发光装置进一步包括：颜色转换层，所述颜色转换层对应于所述红色像素区域和所述绿色像素区域；和
其中所述颜色转换层位于所述基板与所述有机发光二极管之间或在所述有机光发光二极管的上方。
17.根据权利要求14所述的有机发光二极管，其中所述第一p型基质包括式2中的化合物中的至少一者：
[式2]
18.根据权利要求14所述的有机发光二极管，其中所述第一n型基质包括式4中的化合物中的至少一者：
[式4]
19.根据权利要求14所述的有机发光二极管，其中基复合物通过所述第一p型基质和所述第一n型基质产生，所述激基复合物的最大波长在435nm至470nm的范围内。
20.根据权利要求14所述的有机发光二极管，其中所述第一发光材料层进一步包括第一掺杂剂。
21.根据权利要求20所述的有机发光二极管，其中所述第一掺杂剂由式5表示：
[式5]
其中在式5中，e1和e2各自独立地为0至4的整数，e3为0至3的整数，e4为0至2的整数；
R21至R24各自独立地选自由氢、氘、卤素、氰基、取代的或未取代的C1至C20烷基、取代的或未取代的C1至C20烷氧基、取代的或未取代的C30至C30环烷基、取代的或未取代的C6至C30芳基氨基、取代的或未取代的C6至C30芳基甲硅烷基、取代的或未取代的C6至C30芳基、和取代的或未取代的C3至C30杂芳基构成的群组；和
R25选自由氢、氘、卤素、氰基、取代的或未取代的C1至C20烷基、取代的或未取代的C1至C20烷氧基、取代的或未取代的C6至C30芳基氨基、取代的或未取代的C6至C30芳基甲硅烷基、取代的或未取代的C6至C30芳基、和取代的或未取代的C3至C30杂芳基构成的群组。
22.根据权利要求21所述的有机发光二极管，其中所述第一p型基质为式6中的化合物中的至少一者：
[式6]
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