CN118284208A - 显示装置 - Google Patents

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CN118284208A
CN118284208A CN202311735028.5A CN202311735028A CN118284208A CN 118284208 A CN118284208 A CN 118284208A CN 202311735028 A CN202311735028 A CN 202311735028A CN 118284208 A CN118284208 A CN 118284208A
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light emitting
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宋泰俊
金喆镐
鞠允镐
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LG Display Co Ltd
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Abstract

提供了一种显示装置。根据本公开的一个方面，该显示装置包括：基板，其包括多个子像素；外涂层，其设置在基板上；阳极，其设置在外涂层上，以对应于多个子像素中的每一个子像素；堤部，其设置为覆盖阳极的位于多个子像素之间的端部，并且具有倾斜表面；桥接电极，其设置在堤部的位于多个子像素之间的顶表面和倾斜表面的一部分上；有机层，其设置在阳极和桥接电极上；阴极，其设置在有机层上；封装单元，其设置在阴极上；以及触摸电极，其设置在封装单元上以与桥接电极交叠，并且电连接到桥接电极。

Description

显示装置
技术领域
本公开涉及一种显示装置，更具体地，例如但不限于涉及一种改善亮度视角并且简化制造工艺的显示装置。
背景技术
目前，随着进入全面信息时代，可视地表现电信息信号的显示装置领域已经得到快速发展，并且继续进行研究以提高各种显示装置的性能(例如，薄厚度、轻重量和低功耗)。
在各种显示装置当中，显示装置是自发光显示装置，使得不需要单独的光源，这与液晶显示装置不同。因此，该显示装置可以制造成具有轻重量和小厚度。此外，由于发光显示装置以低电压驱动，使得不仅有利于功耗，而且也有利于色彩实现、响应速度、视角、对比度(CR)。因此，该显示装置有望在各个领域得到应用。
在背景技术部分的描述中提供的描述不应仅仅因为其在背景技术部分的描述中被提及或其与背景技术部分的描述相关联而被假设为现有技术。背景技术部分的描述可以包括描述主题技术的一个或更多个方面的信息，并且在这部分的描述不限制本发明。
发明内容
发明人已经认识到上述对显示装置的色彩实现、响应速度、视角、对比度的要求以及在改善亮度视角并且简化制造工艺方面的限制，因此，本公开要实现的目的是提供一种显示装置，其能够使用侧镜型电极来提高发光二极管的发光效率。
本公开要实现的另一目的是提供一种显示装置，其通过统一触摸传感器单元的侧镜型电极和桥接电极来简化制造工艺并且简化放置结构。
本公开的目的不限于上述目的，并且本领域技术人员从以下描述中能够清楚理解上面没有提到的其它目的。
根据本公开的一个方面，一种显示装置包括：基板，其包括多个子像素；外涂层，其设置在基板上；阳极，其设置在外涂层上，以对应于多个子像素中的每一个子像素；堤部，其设置为覆盖阳极的位于多个子像素之间的端部，并且具有倾斜表面；桥接电极，其设置在堤部的位于多个子像素之间的顶表面和倾斜表面的一部分上；有机层，其设置在阳极和桥接电极上；阴极，其设置在有机层上；封装单元，其设置在阴极上；以及触摸电极，其设置在封装单元上以与桥接电极交叠，并且电连接到桥接电极。
根据本公开的另一方面，显示装置包括：基板，其包括包含多个子像素的显示区域；外涂层，其设置在基板上；发光二极管，其设置在外涂层上以对应于多个子像素中的每一个子像素，并且包括阳极、有机层和阴极；堤部，其设置为覆盖阳极的位于多个子像素之间的端部，并且具有倾斜表面；反射电极，其设置在堤部的位于多个子像素之间的表面的一部分中；封装单元，其设置在发光二极管上；以及触摸电极，其设置在封装单元和反射电极上，并且电连接到反射电极，并且反射电极具有与阳极交叠的第一开口，并且触摸电极具有与阳极交叠并且大于第一开口的第二开口。
示例性实施方式的其它细节包括在详细描述和附图中。
根据本公开，使用侧镜型电极可以提高发光显示装置的光提取效率，并且可以改善功耗。
根据本公开，侧镜型电极用作触摸传感器单元的桥接电极，以简化显示装置的制造工艺。
根据本公开的效果不限于以上示例内容，并且更多不同效果包括在本说明书中。
附图说明
从下面结合附图的详细描述中，将更清楚地理解本公开的上述和其它方面、特征和其它优点，其中：
图1A是根据本公开的示例性实施方式的显示装置的平面图；
图1B是根据本公开的示例性实施方式的显示装置的触摸传感器单元的平面图；
图2A是根据本公开的示例性实施方式的显示装置的触摸电极的放大平面图；
图2B是根据本公开的示例性实施方式的显示装置的桥接电极的放大平面图；
图3A是沿着图1A的线IIIa-IIIa'截取的显示装置的截面图；
图3B是沿着图1A的线IIIb-IIIb’截取的显示装置的截面图；
图4A是沿图2A的IVa截取的显示装置的放大平面图；
图4B是沿着图2B的IVb截取的显示装置的放大平面图；
图5是根据本公开的另一示例性实施方式的显示装置的截面图；
图6是根据本公开的又一示例性实施方式的显示装置的截面图；以及
图7是根据本公开的又一示例性实施方式的显示装置的截面图。
在整个附图和详细描述中，除非另有描述，否则相同的附图标记应理解为指代相同的元件、特征和结构。为了清晰、说明和方便，这些元件的相对大小和描述可能会被夸大。
具体实施方式
通过参照下面结合附图详细描述的示例性实施方式，本公开的优点和特征以及实现这些优点和特征的方法将变得清楚。然而，本公开不限于本文所公开的示例性实施方式，而是将以各种形式实现。仅以示例的方式提供示例性实施方式，以使得本领域技术人员能够完全理解本公开的公开内容和本公开的范围。此外，本公开仅由权利要求及其等同物的范围来限定。
用于描述本公开的示例性实施方式的附图中例示的形状、尺寸、面积、比率、角度、数量等仅为示例，并且本公开不限于此。在整个说明书中，相似的附图标记通常表示相似的元件。此外，在本公开的以下描述中，可以省略对已知相关技术的详细解释，以避免不必要地模糊本公开的主题。本文使用的诸如“包含”、“具有”、“包括”、“含有”、“构成”、“由…制成”、“由…形成”、“由…组成”之类的术语通常旨在允许添加其它组件，除非这些术语与诸如“仅”的术语一起使用。除非另有明确说明，否则对单数的任何引用可以包括复数。
即使没有明确说明，也将组件解释为包括普通的误差范围或普通的公差范围。
当使用诸如“在...上”、“在...之上”、“在...上方”、“在...下面”、“在...下方”、“在...旁边”、“在...之下”、“在...附近”、“靠近”、“邻近”、“在...侧”和“接近”等的术语描述两个部件之间的位置关系时，除非这些术语与诸如“紧接”或“直接”之类的术语一起使用，否则一个或更多个部件可以位于该两个部件之间。
本文中可以使用空间上相对的术语，例如“在…下方”、“在…下面”、“在…之下”、“下部”、“在…上方”、“上部”等，以便于如图中所示地描述一个元件或特征与另一元件或特征的关系。应当理解，除了图中所示的定向之外，空间相对术语还可以包括元件在使用或操作中的不同定向。例如，如果图中的元件被倒置，则被描述为在其它元件或特征“下方”或“下面”的元件将被定向为在其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“下方”可以包括下方和上方的定向。类似地，示例性术语“之上”或“上方”可以包括“之上”和“下方”的定向。
在描述时间关系时，诸如“之后”、“随后”、“接下来”、“接着”、“之前”等的术语可以包括任何两个事件不连续的情况，除非明确使用诸如“紧接”、“恰好”或“直接”之类的术语。
当一个元件或层设置在另一元件或层“之上”时，又一元件或层可以插置在其间或直接位于该另一元件或层之上。
尽管诸如“第一”、“第二”、“A”、“B”、“a”和“b”等之类的术语用于描述各种组件，但是这些组件不受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个组件与其它组件区分开来。因此，下面要提到的第一组件可以是本公开的技术构思中的第二组件。
另外，当描述本公开的组件时，在本文中可以使用诸如第一、第二、A、B、(a)、(b)等之类的术语。这些术语中的每一个都不用于限定相应组件的本质、顺序或次序，而仅用于将相应的组件与其它组件区分开来。在描述某一结构元件或层被“连接”、“联接”、“粘接”或“接合”到另一结构元件或层的情况下，通常解释为另一结构元件或层可以直接或间接地“连接”、“联接”、“粘接”或“接合”到该结构元件或层。
术语“至少一个”应理解为包括一个或更多个相关联列出项的任何和所有组合。例如，“第一项、第二项和第三项中的至少一个”的含义表示从第一项、第二项和第三项中的两个或更多个提出的所有项的组合以及第一项、第二项或第三项。
本文中使用的术语“装置”可以指包括显示面板和用于驱动显示面板的驱动器的显示装置。显示装置的示例可以包括有机发光二极管(OLED)等。另外，装置的示例可以包括笔记本电脑、电视、计算机监视器、汽车装置、可穿戴装置和汽车设备装置、以及分别包括OLED等作为完整的产品或最终产品成套电子装置(或设备)或成套装置(或设备)，例如，诸如智能手机或电子平板之类的移动电子装置，但本公开的实施例不限于此。
在整个说明书中，相同的附图标记通常表示相同的元件。
为了便于描述，例示了附图所示的每个组件的尺寸和厚度，并且本公开不限于所示组件的尺寸和厚度。
本公开的各种实施方式的特征可以部分地或全部地彼此附接或组合，并且可以在技术上以各种方式互锁和操作，并且这些实施方式可以彼此独立或关联地实施。
除非另有限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与示例实施方式所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。将进一步理解，术语，例如常用词典中定义的术语，应被解释为具有例如与其在相关技术的上下文中的含义一致的含义，并且不应以理想化或过于正式的意义解释，除非在本文中明确如此定义。
在本公开的方面中，为了便于描述，源电极和漏电极彼此区分。然而，源电极和漏电极可互换使用。源电极可以是漏电极，并且漏电极可以是源电极。此外，本公开的任一方面中的源电极可以是本公开的另一方面中的漏电极，并且本公开的任一方面中的漏电极可以是本公开的另一方面中的源电极。
在下文中，将参照附图详细描述本公开的各种实施方式。
图1A是根据本公开的示例性实施方式的显示装置的平面图。图1B是根据本公开的示例性实施方式的显示装置的触摸传感器单元的平面图。根据本公开的所有实施方式的每个显示装置的所有组件都是可操作地联接和配置的。为了便于描述，在图1A中，在显示装置的各种组件中仅例示了基板110、显示区域DA、非显示区域NDA和多个子像素SP。此外，在图1B中，仅例示了基板110、显示区域DA、非显示区域NDA和触摸传感器单元150。
参照图1A，显示装置100包括基板110。显示装置100可以实现为顶部发光型显示装置，但是不限于此，例如，显示装置100也可以实现为底部发光型显示装置或双发光型显示装置。
基板110是支撑和保护显示装置100的各种组件的基板。基板110可以由玻璃或具有柔性的塑料材料形成。例如，当基板110由塑料材料形成时，基板可以由柔性聚合物膜形成，例如，柔性聚合物膜可以由聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(ABS)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚醚砜(PES)、聚芳酯(PAR)、聚砜(PSF)、环烯烃共聚物(COC)、三乙酰纤维素(TAC)、聚乙烯醇(PVA)和聚苯乙烯(PS)中的任何一种制成，并且本公开不限于此。
基板110包括显示区域DA和设置在显示区域AA附近或围绕显示区域AA的非显示区域NDA。
显示区域DA是在显示装置100中显示图像的区域，并且显示元件和用于驱动显示元件的各种驱动元件可以设置在显示区域DA中。例如，显示元件可以由包括第一电极、有机层和第二电极的发光二极管构成。此外，用于驱动显示元件的各种驱动元件(例如，晶体管、电容器或布线)可以设置在显示区域DA中。例如，晶体管可以包括开关晶体管和驱动晶体管，开关晶体管和驱动晶体管的有源层可以由氧化物半导体材料、非晶半导体材料、多晶半导体材料或有机半导体材料形成，但本公开不限于此。
氧化物半导体材料可以具有优异的防止漏电流的效果和相对便宜的制造成本。氧化物半导体可以由诸如锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)和钛(Ti)之类的金属氧化物或诸如锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)或钛(Ti)之类的金属及其氧化物的组合制成。具体地，氧化物半导体可以包括氧化锌(ZnO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化锌铟(ZIO)、氧化铟(InO)、氧化钛(TiO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锡(IGTO)和氧化铟镓(IGO)，但不限于此。
多晶半导体材料具有快的诸如电子和空穴之类的载流子的移动速度，因此具有高的迁移率，并且具有低能耗和优异的可靠性。多晶半导体可以由多晶硅(poly-Si)制成，但不限于此。
非晶半导体材料可以由非晶硅(a-Si)制成，但不限于此。
有机半导体材料可以包括金属有机化学物，但不限于此。
晶体管可以为薄膜晶体管TFT。
显示区域DA中可以包括多个子像素SP。子像素SP是构成画面的最小单元，并且多个子像素SP中的每一个可以包括发光二极管和驱动电路。多个子像素SP中的每一个可以发射具有彼此不同波长的光。多个子像素可以包括发射彼此不同颜色的光的第一子像素、第二子像素和第三子像素。例如，多个子像素SP可以包括作为第一子像素的红色子像素SPR、作为第二子像素的绿色子像素SPG和作为第三子像素的蓝色子像素SPB。此外，多个子像素SP还可以进一步包括白色子像素。
例如，多个子像素SP可以包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，其中红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素可以以重复的方式设置。另选地，多个子像素SP可以包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素，其中红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素可以以重复的方式设置，或者红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素可以以四边形类型设置。例如，红色子像素、蓝色子像素和绿色子像素可以沿着行方向顺序地设置，或者红色子像素、蓝色子像素、绿色子像素、白色子像素可以沿着行方向顺序地设置。然而，在本公开的示例性实施方式中，子像素的颜色类型、布置类型和布置顺序不受限制，并且可以根据发光特性、器件寿命和器件规格以各种形式配置。
此外，根据发光特性，子像素可以具有不同的发光面积。例如，发射与蓝色子像素的颜色不同的颜色的光的子像素可以具有与蓝色子像素的发光面积不同的发光面积。例如，红色子像素、蓝色子像素和绿色子像素或者红色子像素、蓝色子像素、白色子像素和绿色子像素可以各自具有不同的发光面积。
子像素SP的驱动电路是用于控制发光二极管的驱动的电路。例如，驱动电路可以被配置为包括晶体管和电容器，但是不限于此。
非显示区域NDA是不显示图像的区域，并且用于驱动设置在显示区域DA中的多个子像素SP的各种组件可以设置在非显示区域NDA中。例如，也可以设置供应用于驱动多个子像素SP的信号的驱动IC和柔性膜。
如图1A所示，非显示区域NDA可以是围绕显示区域DA的区域。然而，本公开不限于此。例如，非显示区域NDA也可以是从显示区域DA延伸的区域。
参照图1B，显示装置100包括用于触摸感测的触摸传感器单元150。触摸传感器单元150包括施加有触摸驱动信号的多条触摸驱动线150a和产生触摸信号的多条触摸感测线150b。多条触摸驱动线150a和多条触摸感测线150b可以设置在显示区域DA中。
多条触摸驱动线150a和多条触摸感测线150b可以设置成彼此交叉。互电容Cm形成在触摸驱动线150a和触摸感测线150b的交叉处。因此，互电容通过由供应给触摸驱动线150a的触摸驱动信号充入电荷并且将充入的电荷释放到触摸感测线150b而用作触摸传感器。
多个触摸电极151和多个桥接电极152分别设置在多条触摸驱动线150a和多条触摸感测线150b中。多个触摸电极151沿着第一方向或与第一方向交叉的第二方向设置，从而以预定间隔彼此间隔开。多个桥接电极152设置在与多个触摸电极151不同的层上，以通过接触孔CH电连接到多个触摸电极151。
此外，多个触摸电极151还可以包括多个第一触摸电极和多个第二触摸电极。多个第一触摸电极设置在多条触摸驱动线150a中，并且沿着第一方向以预定间隔彼此间隔开。多个第二触摸电极设置在多条触摸感测线150b中，并且沿着与第一方向交叉的第二方向以预定间隔彼此间隔开。但是示例性实施方式不限于此。
此外，尽管在图1B中例示了多个触摸电极151中的每一个具有菱形形状，但是多个触摸电极151中的每一个的形状不限于此，例如，多个触摸电极151可以实现为具有各种形状(例如，圆形形状、卵形形状和多边形形状)。
在非显示区域NDA中，可以设置连接到触摸驱动器的触摸焊盘以及用于连接触摸焊盘与多条触摸驱动线150a和触摸感测线150b的多条触摸线TW。此外，触摸线TW可以电连接到触摸焊盘，以将由触摸传感器单元150感测的触摸信息传输到驱动IC。
图2A是根据本公开的示例性实施方式的显示装置的触摸电极的放大平面图。图2B是根据本公开的示例性实施方式的显示装置的桥接电极的放大平面图。为了便于描述，在显示装置100的各种组件当中，在图2A中仅例示了多个触摸电极151，并且在图2B中仅例示了多个桥接电极152。
参照图2A和图2B，多个触摸电极151设置为与多个桥接电极152交叠，并且通过接触孔CH电连接到多个桥接电极152。因此，多个触摸电极151电连接到多个桥接电极152，并且可以减小电阻。
参照图2A和图2B，多个触摸电极151和多个桥接电极152被设置为网状结构。多个子像素SP设置在多个触摸电极151和多个桥接电极152的网状结构的每个交叉中。
多个桥接电极152具有对应于网状结构的每个交叉的第一开口OP1。每个第一开口OP1可以对应于多个子像素SP中的一个的发光区域。例如，每个第一开口OP1可以对应于红色子像素SPR、绿色子像素SPG和蓝色子像素SPB中的一个的发光区域，但是不限于此。
多个触摸电极151具有对应于网状结构的每个交叉的第二开口OP2。每个第二开口OP2可以对应于多个子像素SP中的一个的发光区域。例如，每个第二开口OP2可以对应于红色子像素SPR、绿色子像素SPG和蓝色子像素SPB中的一个的发光区域，但是不限于此。
此外，参照图2A和图2B，触摸电极151的第二开口OP2大于桥接电极152的第一开口OP1。因此，桥接电极152的尺寸可以大于设置在桥接电极152上的触摸电极151的尺寸。
图3A是沿着图1A的线IIIa-IIIa’截取的显示装置的截面图。图3B是沿着图1A的线IIIb-IIIb’截取的显示装置的横截面图。图3A是用于解释与显示区域DA相邻的非显示区域NDA的截面图，并且图3B是用于解释显示区域DA的多个子像素SP的截面图。
参照图3A和图3B，缓冲层121设置在基板110上。缓冲层121可以提高形成在缓冲层121和基板110上的层之间的粘附性，并且阻挡从基板110引入薄膜晶体管TFT的杂质。此外，缓冲层121可以抑制或延迟从基板110的外部渗透到薄膜晶体管TFT中的湿气和/或氧气的扩散。例如，缓冲层121可以由包括诸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料的单层或多层形成。例如，可以通过单层或多层的无机膜形成缓冲层121，例如，单层的无机膜可以是氧化硅(SiOx)膜或氮化硅(SiNx)膜，而多层的无机膜可以通过交替地层叠一层或更多层氧化硅(SiOx)膜、一层或更多层氮化硅(SiNx)膜和一层或更多层非晶硅(a-Si)来形成，但本公开不限于此。此外，根据基板110的类型和薄膜晶体管的结构，也可以省略缓冲层121。
在缓冲层121上设置有包括栅电极G、有源层ACT、源电极S和漏电极D的薄膜晶体管TFT。薄膜晶体管TFT设置在多个子像素SP区域中的每一个中。在附图中仅例示了可以包括在显示装置100中的各种薄膜晶体管当中的驱动薄膜晶体管。此外，尽管在附图中也例示了薄膜晶体管TFT具有共面结构，但是不限于此，并且薄膜晶体管可以具有各种结构(例如，交错结构)。
有源层ACT设置在缓冲层121上，并且栅极绝缘层122设置在有源层ACT上，以使有源层ACT和栅电极G彼此绝缘。此外，层间绝缘层123设置在缓冲层121上，以使栅电极G与源电极S和漏电极D绝缘。与有源层ACT接触的源电极S和漏电极D形成在层间绝缘层123上。
此外，参照图3A，坝部DAM和触摸线TW设置在非显示区域NDA的栅极绝缘层122上。
坝部DAM设置在与显示区域DA相邻的非显示区域NDA中。当形成下面将描述的有机封装层142时，坝部DAM控制用于形成具有较大迁移率的有机封装层142的成分的流动。坝部DAM可以控制用于形成有机封装层142的成分的流动，从而不侵入形成有信号线(例如，数据线和选通线)的焊盘单元。例如，坝部DAM可以形成为沿着非显示区域NDA延伸的线形状。此外，也可以由通过层压与显示装置的绝缘层相同的材料形成的多个层来构成坝部DAM，或者也可以设置多个坝部DAM，但是不限于此。
触摸线TW在非显示区域NDA中设置的坝部DAM的外部处。触摸线TW被设置为将触摸驱动线150a或触摸感测线150b与触摸焊盘连接。也就是说，触摸线TW的一端连接到触摸驱动线150a或触摸感测线150b，并且另一端可以连接到触摸焊盘。因此，触摸驱动线150a和触摸感测线150b电连接到触摸焊盘以被供应电信号。
平坦化层124设置在显示区域DA的薄膜晶体管TFT上。平坦化层124覆盖薄膜晶体管TFT以使上部平坦化。因此，平坦化层124也可以称为外涂层。平坦化层124可以包括电连接薄膜晶体管TFT和阳极131的接触孔。平坦化层124可以由诸如聚酰亚胺或丙烯酸树脂的有机膜形成，但是不限于此。
发光二极管130设置在平坦化层124上。发光二极管130包括阳极131、有机层132和阴极133。
阳极131设置在平坦化层124上，并且可以针对每个子像素SP分离。阳极131电连接到薄膜晶体管TFT的源电极S。例如，阳极131可以通过形成在平坦化层124中的接触孔电连接到源电极S。阳极131是用于向有机层132供应空穴的组件，并且可以由具有高功函数的导电材料形成。例如，阳极131可以由选自诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)、氧化铟铜(ICO)和铝：氧化锌(Al：ZnO，AZO)之类的透明导电氧化物的一种或更多种材料形成，但不限于此。例如，阳极131可以具有包括透明导电层和具有高反射效率的不透明导电层的多层结构。透明导电层可以由诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)、氧化铟铜(ICO)和铝：氧化锌(Al：ZnO，AZO)之类的具有较大的功函数值的材料形成。不透明导电层可以形成为具有包括Al、Ag、Cu、Pb、Mo或Ti或其合金的单层或多层结构，但本公开的实施方式不限于此。例如，阳极131可以形成为具有透明导电层、不透明导电层和透明导电层依次层叠的结构，或者透明导电层和不透明导电层依次层叠的结构。例如，当显示装置100作为顶部发光型进行驱动时，阳极131还可以包括将从有机层132发射的光向阴极133反射的反射层，反射层可以被形成为具有包括Al、Ag、Cu、Pb、Mo或Ti或其合金的单层或多层结构，但本公开的实施方式不限于此。
堤部125设置在阳极131和平坦化层124上。堤部125可以形成为暴露具有倾斜表面的平坦化层124的至少一部分。此外，堤部125设置在多个子像素SP之间，并且覆盖阳极131的端部，以暴露阳极131的至少一部分。堤部125被形成为在子像素SP中划分发射光的发光区域。也就是说，堤部125形成在相邻子像素SP的发光区域之间以限定发光区域。堤部125可以由使相邻子像素SP的阳极131彼此绝缘的绝缘材料形成。此外，堤部125也可以由具有高光吸收率的黑色绝缘树脂形成，以抑制相邻子像素SP1之间的颜色混合。此外，堤部125也可以包括由彩色颜料、有机黑和碳中的至少一种形成的遮光材料。并且也可以在堤部125上设置间隔件。
多个桥接电极152设置在堤部125的表面的一部分中。多个桥接电极152分别设置在多个子像素SP之间的堤部125的表面的一部分中。参照图3A和图3B，多个桥接电极152设置在堤部125的倾斜表面的一部分和堤部125的顶表面中。多个桥接电极152设置成与阳极131间隔开。因此，多个桥接电极152可以被配置为不与阳极131电连接。
多个桥接电极152设置在堤部125的倾斜表面上，以向上反射从发光二极管130发射的光。发光二极管130的有机层132中产生的光不仅可以向上发射，还可以横向发射。横向发射的光被导向显示装置100的内部，或者由于全反射而在显示装置100中被捕获，或者进一步传播到显示装置100的内部，然后也可能消失。因此，多个桥接电极152被设置为覆盖堤部125的位于有机层132下方的倾斜表面的一部分，以将导向有机层132的侧部的光的传播方向改变为向前方向。桥接电极152也可以称为反射电极，但是不限于此。
例如，多个桥接电极152也可以由诸如铝(Al)、银(Ag)、铜(Cu)和镁银合金(Mg：Ag)之类的金属材料形成，但是不限于此。
有机层132设置在阳极131、堤部125和多个桥接电极152上。有机层132是其中电子和空穴耦合以发光的层，并且设置为发射具有对应于每个子像素SP的颜色的光。
有机层132设置在阳极131的由堤部125暴露的顶表面、堤部125的一部分表面和多个桥接电极152的表面上。例如，有机层132设置在发光区域中的阳极131上，并且设置在非发光区域中的堤部125和多个桥接电极152上。有机层132可以根据阳极131、堤部125和多个桥接电极152的形状设置。
有机层132包括发光层和公共层。例如，有机层132可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的一层或更多层以及发光层，但本公开不限于此。发光层是发射具有特定颜色的光的有机层。不同的发光层也可以设置在多个子像素SP中的每一个中，或者相同的发光层也可以设置在所有多个子像素SP中。例如，当彼此不同的发光层设置在多个子像素SP中时，红色发光层设置在红色子像素SPR中，绿色发光层设置在绿色子像素SPG中，并且蓝色发光层可以设置在蓝色子像素SPB中。当在所有多个子像素SP中设置相同发光层时，来自发光层的光也可以通过单独的颜色转换层和滤色器而转换成各种颜色的光。
阴极133设置在有机层132上。阴极133没有针对每个子像素SP进行图案化，而是可以形成为一层以覆盖有机层132和堤部125。也就是说，阴极133可以在多个子像素SP的区域上方形成为单层。阴极133可以由具有低功函数的金属材料形成，以平稳地向有机层132供应电子。例如，阴极133可以由选自钙(Ca)、钡(Ba)、铝(Al)和银(Ag)之类的金属材料以及包括其中一种或更多种的合金形成，但是不限于此。当显示装置100作为顶部发光型进行驱动时，阴极133可以形成为具有极小厚度而基本透明，例如，阴极133可以由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)之类的透明导电层形成。
封装层140设置在阴极133上。封装层140可以最小化由于湿气或氧气导致的显示装置100的组件的劣化。此外，封装层140使发光二极管130的上表面平坦化。封装层140可以由无机封装层141和143以及有机封装层142层压的多层结构形成。例如，封装层140由至少一个有机封装层142和至少两个无机封装层141和143构成，并且可以具有有机封装层142层压在无机封装层141和143之间的结构。也就是说，封装层140可以包括多层结构，其包括第一无机封装层141、位于第一无机封装层141上的有机封装层142和位于有机封装层142上的第二无机封装层143，但是不限于此。例如，第一无机封装层141和第二无机封装层143可以独立地由选自氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiON)和氧化铝(Al2O3)中的一种或更多种形成。例如，可以通过单层或多层的无机膜形成第一无机封装层141和第二无机封装层143中的每一个，例如，单层的无机膜可以是氮化硅(SiNx)膜、氧化硅(SiOx)膜、氮氧化硅(SiON)膜或氧化铝(Al2O3)膜，而多层的无机膜可以通过交替地层叠氮化硅(SiNx)膜、氧化硅(SiOx)膜、氮氧化硅(SiON)膜和氧化铝(Al2O3)膜中的至少两种和/或一层或更多层非晶硅(a-Si)来形成，但本公开不限于此。此外，有机封装层142可以由选自环氧树脂、聚酰亚胺、聚乙烯和硅树脂中的一种或更多种形成，但是不限于此。此外，封装层140不限于三层，例如，封装层140可以包括无机封装层和有机封装层交替层压的n层(其中，n为大于3的整数)。
在第二无机封装层143上设置触摸缓冲层TBL。触摸缓冲层TBL设置在第二无机封装层143和触摸电极151之间，以提高封装层140和触摸电极151之间的粘附性。此外，当形成触摸传感器单元150时，触摸缓冲层TBL设置为保护有机发光二极管130以及设置在非显示区域NDA中以驱动有机发光二极管的信号线和焊盘单元。因此，触摸缓冲层TBL形成为从显示区域DA延伸到非显示区域NDA的至少一部分。触摸缓冲层TBL可以由绝缘材料形成，该绝缘材料可以在低温下形成以抑制易受高温影响并且具有低介电常数的发光二极管130的损坏。
多个触摸电极151设置在触摸缓冲层TBL上。触摸电极151与桥接电极152交叠，并且电连接到桥接电极152。具体地，触摸电极151可以通过形成在有机层132、阴极133、第一无机封装层141、有机封装层142、第二无机封装层143和触摸缓冲层TBL中的接触孔CH电连接到桥接电极152。此外，第二无机封装层143覆盖被接触孔CH穿透的有机层132、阴极133、第一无机封装层141和有机封装层142的侧表面。因此，第二无机封装层143可以使有机层132和阴极133与多个触摸电极151绝缘。
例如，多个触摸电极151可以由诸如氧化铟锡或氧化铟锌之类的透明导电金属氧化物或诸如铝(Al)、钛(Ti)或铜(Cu)的之类的金属材料形成，但是不限于此。
多个触摸电极151可以设置为不与多个子像素SP的发光区域交叠。也就是说，多个触摸电极151的尺寸小于设置在堤部125的表面的一部分中的多个桥接电极152的尺寸，从而不与多个子像素SP的发光区域交叠。因此，多个触摸电极151可以被配置为不影响多个子像素SP的发光。
此外，尽管未示出，但是触摸平坦化层设置在触摸缓冲层TBL上，并且多个触摸电极151和滤色器可以设置在触摸平坦化层上。
触摸平坦化层覆盖触摸缓冲层TBL和多个触摸电极151的上部，以使多个触摸电极151的上部平坦化。例如，触摸平坦化层可以由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯树脂、聚苯硫醚树脂、苯并环丁烯和光致抗蚀剂中的一种形成，但是不限于此。
滤色器是将从发光层发射的光转换成各种颜色的配置。例如，当发光层在所有多个子像素SP上方形成为相同层时，滤色器可以将来自发光层的光转换成各种颜色的光。
图4A是沿图2A的IVa截取的显示装置的放大平面图。图4B是沿着图2B的IVb截取的显示装置的放大平面图。
参照图4A和图4B，设置在显示区域DA中的多个子像素SP中的至少一个子像素SP包括发光区域EA和非发光区域NEA。一个子像素SP可以包括至少一个发光区域EA，该至少一个发光区域EA中的每一个包括至少两个发光单元EA1和EA2。
例如，发光区域EA包括第一发光区域EA1和围绕第一发光区域EA1的第二发光区域EA2。非发光区域NEA可以包括位于第一发光区域EA1和第二发光区域EA2之间的第一非发光区域NEA1和围绕第二发光区域EA2的第二非发光区域NEA2。
第一发光区域EA1可以对应于阳极131的顶表面由堤部125暴露的区域。也就是说，第一发光区域EA1可以是从有机层132发射的一些光经由有机层132和阴极133被提取到显示装置100的外部的区域。
第一发光区域EA1可以由第一非发光区域NEA1围绕。第一非发光区域NEA1可以是从有机层132发射的一些光到达堤部125使得光不被提取到显示装置100的外部的区域。第一非发光区域NEA1对应于阳极131由堤部125覆盖的区域，并且可以对应于堤部125的未设置多个桥接电极152的倾斜表面。因此，多个桥接电极152的第一开口OP1可以与由第一非发光区域NEA1围绕的第一发光区域EA1交叠。多个触摸电极151的第二开口OP2可以至少与非发光区域NEA的至少一个第一非发光区域NEA1交叠。
当显示装置100导通时，由于从第一发光区域EA1和第二发光区域EA2中的至少一个发光单元入射的光，第一非发光区域NEA1处于黑色状态或者其亮度可以低于第一发光区域EA1和第二发光区域EA2的亮度。
第一非发光区域NEA1可以由第二发光区域EA2围绕。第二发光区域EA2可以对应于多个桥接电极152设置在堤部125的倾斜表面上的区域。也就是说，第二发光区域EA2可以是从有机层132发射的一些光到达堤部125的倾斜表面以被多个桥接电极152反射，从而被提取到显示装置100的外部的区域。因此，多个桥接电极152可以与第二发光区域EA2交叠。
第二发光区域EA2可以由第二非发光区域NEA2围绕。第二非发光区域NEA2可以对应于多个桥接电极152和堤部125的平坦顶表面。第二非发光区域NEA2可以是设置有用于驱动发光区域EA的组件的区域。
在第二非发光区域NEA2中，可以设置多个触摸电极151。因此，即使多个触摸电极151包括不透明导电材料，多个触摸电极也不与发光区域EA交叠，使得发光区域EA的尺寸不会减小。
当显示装置100导通时，由于从第一发光区域EA1和第二发光区域EA2中的至少一个发光单元入射的光，第二非发光区域NEA2处于黑色状态或者其亮度可以低于第一发光区域EA1和第二发光区域EA2的亮度。此外，当第二非发光区域NEA2的亮度低于第一发光区域EA1和第二发光区域EA2中的每一个的亮度时，第一非发光区域NEA1的亮度可以高于第二非发光区域NEA2的亮度，但是不限于此。
根据本公开的示例性实施方式的显示装置100使用设置在堤部125的倾斜表面上的多个桥接电极152来提高发光二极管160的光提取效率。例如，在根据本公开的示例性实施方式的显示装置100中，由金属材料形成并且被配置为将导向有机层132的侧部的光的传播方向改变为向前方向的多个桥接电极152设置在堤部125的倾斜表面上。因此，在从显示装置100的发光层发射的光中，以低发光角发射的光可以通过设置在堤部125的倾斜表面上的多个桥接电极152提取到外部。因此，在根据本公开的示例性实施方式的显示装置100中，设置在堤部125的倾斜表面上的多个桥接电极152用作侧镜，以将可能在显示装置100中损失的光提取到外部。结果提高了光提取效率，并且可以改善功耗。
根据本公开的示例性实施方式的显示装置100使用设置为将发光二极管160的光提取到外部的电极作为触摸传感器单元150的桥接电极，以简化显示装置100的制造工艺并且简化显示装置100的结构。
具体地，在根据本公开的示例性实施方式的显示装置100中，由金属材料形成并且被配置为将导向有机层132的侧部的光的传播方向改变为向前方向的多个桥接电极152设置在堤部125的倾斜表面上。多个触摸电极151可以通过形成在有机层132、阴极133、第一无机封装层141、有机封装层142、第二无机封装层143和触摸缓冲层TBL中的接触孔CH电连接到桥接电极152。因此，多个桥接电极152连接到多个触摸电极151，以在多个触摸电极151之间传输电信号，并且配置触摸传感器单元150的触摸传感器。也就是说，多个桥接电极152是使将发光二极管160的光提取到外部的配置和触摸传感器单元150的桥接电极的配置统一的配置。因此，可以节省用于设置将发光二极管160的光提取到外部的组件和用作触摸传感器单元150的桥接电极的组件的工艺和空间。因此，根据本公开的示例性实施方式的显示装置100使用设置为将发光二极管160的光提取到外部的电极作为触摸传感器单元150的桥接电极，以简化显示装置100的制造工艺并且简化显示装置100的结构。
图5是根据本公开的另一示例性实施方式的显示装置的截面图。图5的显示装置500和图1A至图4B的显示装置100之间的区别在于无机绝缘层126进一步设置在桥接电极152和有机层132之间，但是其它配置基本相同，因此将省略多余的描述。
参照图5，无机绝缘层126设置在多个桥接电极152和有机层132之间。无机绝缘层126设置成覆盖桥接电极152的与阳极131相邻的端部。无机绝缘层126可以由选自氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiON)和氧化铝(Al2O3)中的一种或更多种形成。例如，可以通过单层或多层的无机膜形成无机绝缘层126，例如，单层的无机膜可以是氮化硅(SiNx)膜、氧化硅(SiOx)膜、氮氧化硅(SiON)膜或氧化铝(Al2O3)膜，而多层的无机膜可以通过交替地层叠氮化硅(SiNx)膜、氧化硅(SiOx)膜、氮氧化硅(SiON)膜和氧化铝(Al2O3)膜中的至少两种和/或一层或更多层非晶硅(a-Si)来形成，但本公开不限于此。
多个桥接电极152设置为与阳极131间隔开，并且被配置为不与阳极131电连接。无机绝缘层126设置在多个桥接电极152和阳极131之间，以更稳定地使阳极131和桥接电极152绝缘。此外，向多个桥接电极152和阳极131供应电信号以稳定地运行。
此外，参照图5，第二无机封装层143覆盖无机绝缘层126、有机层132、阴极133、第一无机封装层141和有机封装层142的侧表面。第二无机封装层143覆盖由接触孔CH穿透的无机绝缘层126、有机层132、阴极133、第一无机封装层141和有机封装层142的侧表面。因此，第二无机封装层143可以使无机绝缘层126、有机层132和阴极133与多个触摸电极151绝缘。
图6是根据本公开的又一示例性实施方式的显示装置的截面图。图6的显示装置600和图5的显示装置500之间的区别是设置在桥接电极152上方的无机封装层141和143的放置结构，但是其它配置基本相同，因此将省略多余的描述。
参照图6，第一无机封装层141覆盖无机绝缘层126、有机层132和阴极133的侧表面。第一无机封装层141覆盖由接触孔CH穿透的无机绝缘层126、有机层132和阴极133的侧表面。因此，第一无机封装层141可以使无机绝缘层126、有机层132和阴极133与多个触摸电极151绝缘。第一无机封装层141可以由选自氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiON)和氧化铝(Al2O3)中的一种或更多种形成。例如，可以通过单层或多层的无机膜形成第一无机封装层141，例如，单层的无机膜可以是氮化硅(SiNx)膜、氧化硅(SiOx)膜、氮氧化硅(SiON)膜或氧化铝(Al2O3)膜，而多层的无机膜可以通过交替地层叠氮化硅(SiNx)膜、氧化硅(SiOx)膜、氮氧化硅(SiON)膜和氧化铝(Al2O3)膜中的至少两种和/或一层或更多层非晶硅(a-Si)来形成，但本公开不限于此。
根据本公开的又一示例性实施方式的显示装置600使用第一无机封装层141作为使有机层132和阴极133与多个触摸电极151绝缘的配置。因此，利用设置在阴极133上的第一无机封装层141，有机层132和阴极133与多个触摸电极151绝缘，使得制造显示装置100的工艺可以更加容易。
图7是根据本公开的又一示例性实施方式的显示装置的截面图。图7的显示装置700和图5的显示装置500之间的区别是设置在桥接电极152上方的无机封装层141和143的放置结构，但是其它配置基本相同，因此将省略多余的描述。
参照图7，第一无机封装层141覆盖无机绝缘层126、有机层132和阴极133的侧表面，并且第二无机封装层143覆盖有机封装层142的侧表面。具体地，第二无机封装层143覆盖有机封装层142的未被第一无机封装层141覆盖的侧表面。此外，第一无机封装层141和第二无机封装层143设置成在桥接电极152上彼此接触。第一无机封装层141和第二无机封装层143中的每一个可以由选自氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiON)和氧化铝(Al2O3)中的一种或更多种形成。例如，可以通过单层或多层的无机膜形成第一无机封装层141和第二无机封装层143中的每一个，例如，单层的无机膜可以是氮化硅(SiNx)膜、氧化硅(SiOx)膜、氮氧化硅(SiON)膜或氧化铝(Al2O3)膜，而多层的无机膜可以通过交替地层叠氮化硅(SiNx)膜、氧化硅(SiOx)膜、氮氧化硅(SiON)膜和氧化铝(Al2O3)膜中的至少两种和/或一层或更多层非晶硅(a-Si)来形成，但本公开不限于此。
根据本公开的又一示例性实施方式的显示装置700使用第一无机封装层141和第二无机封装层143作为使有机层132和阴极133与多个触摸电极151绝缘的配置。因此，使用设置在阴极133上的第一无机封装层141，有机层132和阴极133与多个触摸电极151绝缘，使得制造显示装置100的工艺可以更加容易。此外，有机封装层142的未被第一无机封装层141覆盖的侧表面被配置为由第二无机封装层143覆盖，使得多个触摸电极151可以与有机层132和阴极133更稳定地绝缘。
本公开的示例性实施方式也可以描述如下：
根据本公开的一个方面，显示装置包括：基板，其包括多个子像素；外涂层，其设置在基板上；阳极，其设置在外涂层上，以对应于多个子像素中的每一个子像素；堤部，其设置为覆盖的阳极位于多个子像素之间的端部，并且具有倾斜表面；桥接电极，其设置在堤部的位于多个子像素之间的顶表面和倾斜表面的一部分上；有机层，其设置在阳极和桥接电极上；阴极，其设置在有机层上；封装单元，其设置在阴极上；以及触摸电极，其设置在封装单元上以与桥接电极交叠，并且电连接到桥接电极。
触摸电极可以通过形成在有机层、阴极和封装单元中的接触孔电连接到桥接电极。
该显示装置还可以包括无机绝缘层，该无机绝缘层设置在桥接电极和有机层之间。
无机绝缘层可以覆盖桥接电极的与阳极相邻的端部。
触摸电极和桥接电极中的每一个可以具有网状结构。
桥接电极可以具有与阳极交叠的第一开口，并且触摸电极可以具有与阳极交叠并且大于第一开口的第二开口。
桥接电极可以与阳极间隔开。
桥接电极可以由金属材料形成。
桥接电极的尺寸可以大于设置在桥接电极上的触摸电极的尺寸。
封装单元可以包括：第一无机封装层；有机封装层，其设置在第一无机封装层上；以及第二无机封装层，其设置在有机封装层上。
第二无机封装层可以覆盖有机层、阴极、第一无机封装层和有机封装层的侧表面。
该显示装置还可以包括无机绝缘层，该无机绝缘层设置在桥接电极和有机层之间。
无机绝缘层可以覆盖与桥接电极的阳极相邻的端部。
第二无机封装层可以覆盖无机绝缘层、有机层、阴极、第一无机封装层和有机封装层的侧表面。
第一无机封装层可以覆盖无机绝缘层、有机层和阴极的侧表面。
第一无机封装层可以覆盖无机绝缘层、有机层和阴极的侧表面，第二无机封装层可以覆盖有机封装层的侧表面，并且第一无机封装层和第二无机封装层可以在桥接电极上彼此接触。
该显示装置还包括：触摸缓冲层，其设置在第二无机封装层和触摸电极之间；以及触摸平坦化层，其设置在触摸缓冲层和触摸电极上。
该显示装置还包括滤色器，该色器设置在触摸平坦化层上。
根据本公开的另一方面，显示装置可以包括：基板，其包括包含多个子像素的显示区域；外涂层，其设置在基板上；发光二极管，其设置在外涂层上以对应于多个子像素中的每一个子像素，并且包括阳极、有机层和阴极；堤部，其设置为覆盖阳极的位于多个子像素之间的端部，并且具有倾斜表面；反射电极，其设置在堤部的位于多个子像素之间的表面的一部分中；封装单元，其设置在发光二极管上；以及触摸电极，其设置在封装单元和反射电极上，并且电连接到反射电极，并且反射电极具有与阳极交叠的第一开口，并且触摸电极具有与阳极交叠并且大于第一开口的第二开口。
反射电极可以设置在堤部的位于多个子像素之间的顶表面和倾斜表面的一部分上。
反射电极的尺寸可以大于设置在反射电极上的触摸电极的尺寸。
显示区域可以包括发光区域和非发光区域，并且发光区域包括第一发光区域和围绕第一发光区域的第二发光区域。
非发光区域可以包括位于第一发光区域和第二发光区域之间的第一非发光区域以及围绕第二发光区域的第二非发光区域。
第一开口可以与第一发光区域交叠。
第二开口可以与发光区域交叠，并且与非发光区域的至少第一非发光区域交叠。
反射电极可以与第二发光区域交叠。
尽管已经参照附图详细描述了本公开的示例性实施方式，但是本公开不限于此，并且可以在不脱离本公开的技术构思的情况下以许多不同的形式实施。因此，本公开的示例性实施方式仅出于例示的目的提供而不旨在限制本公开的技术构思。本公开的技术构思的范围不限于此。因此，应当理解，上述示例性实施方式在所有方面都是例示性的并且不限制本公开。本公开的保护范围应当基于权利要求进行解释，并且其等效范围内的所有技术构思应当被解释为落入本公开的范围内。
相关申请的交叉引用
本申请要求2022年12月30日于韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2022-0190928的优先权权益，其全部内容在此明确地并入本文用于所有目的。

Claims (25)

1.一种显示装置，该显示装置包括：
基板，所述基板包括多个子像素；
外涂层，所述外涂层设置在所述基板上；
阳极，所述阳极设置在所述外涂层上，以对应于所述多个子像素中的每一个子像素；
堤部，所述堤部设置为覆盖所述阳极的位于所述多个子像素之间的端部，并且具有倾斜表面；
桥接电极，所述桥接电极设置在所述堤部的位于所述多个子像素之间的顶表面和所述倾斜表面的一部分上；
有机层，所述有机层设置在所述阳极和所述桥接电极上；
阴极，所述阴极设置在所述有机层上；
封装单元，所述封装单元设置在所述阴极上；以及
触摸电极，所述触摸电极设置在所述封装单元上以与所述桥接电极交叠，并且电连接到所述桥接电极。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述触摸电极通过形成在所述有机层、所述阴极和所述封装单元中的接触孔电连接到所述桥接电极。
3.根据权利要求1所述的显示装置，该显示装置还包括：
无机绝缘层，所述无机绝缘层设置在所述桥接电极和所述有机层之间。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述无机绝缘层覆盖所述桥接电极的与所述阳极相邻的端部。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述触摸电极和所述桥接电极中的每一个具有网状结构。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述桥接电极具有与所述阳极交叠的第一开口，并且所述触摸电极具有与所述阳极交叠并且大于所述第一开口的第二开口。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述桥接电极与所述阳极间隔开。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述桥接电极由金属材料形成。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述桥接电极的尺寸大于设置在所述桥接电极上的所述触摸电极的尺寸。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述封装单元包括：
第一无机封装层；
有机封装层，所述有机封装层设置在所述第一无机封装层上；以及
第二无机封装层，所述第二无机封装层设置在所述有机封装层上，并且
所述触摸电极通过形成在所述有机层、所述阴极、所述第一无机封装层、所述有机封装层和所述第二无机封装层中的接触孔电连接到所述桥接电极。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述第二无机封装层覆盖所述有机层、所述阴极、所述第一无机封装层和所述有机封装层的侧表面。
12.根据权利要求10所述的显示装置，该显示装置还包括：
无机绝缘层，所述无机绝缘层设置在所述桥接电极和所述有机层之间。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述无机绝缘层覆盖所述桥接电极的与所述阳极相邻的端部。
14.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第二无机封装层覆盖所述无机绝缘层、所述有机层、所述阴极、所述第一无机封装层和所述有机封装层的侧表面。
15.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第一无机封装层覆盖所述无机绝缘层、所述有机层和所述阴极的侧表面。
16.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第一无机封装层覆盖所述无机绝缘层、所述有机层和所述阴极的侧表面，
其中，所述第二无机封装层覆盖所述有机封装层的侧表面，
其中，所述第一无机封装层和所述第二无机封装层在所述桥接电极上彼此接触。
17.根据权利要求10所述的显示装置，该显示装置还包括：
触摸缓冲层，所述触摸缓冲层设置在所述第二无机封装层和所述触摸电极之间；以及
触摸平坦化层，所述触摸平坦化层设置在所述触摸缓冲层和所述触摸电极上。
18.根据权利要求17所述的显示装置，该显示装置还包括：
滤色器，所述滤色器设置在所述触摸平坦化层上。
19.一种显示装置，该显示装置包括：
基板，所述基板包括包含多个子像素的显示区域；
外涂层，所述外涂层设置在所述基板上；
发光二极管，所述发光二极管设置在所述外涂层上以对应于所述多个子像素中的每一个子像素，并且包括阳极、有机层和阴极；
堤部，所述堤部设置为覆盖所述阳极的位于所述多个子像素之间的端部，并且具有倾斜表面；
反射电极，所述反射电极设置在所述堤部的位于所述多个子像素之间的表面的一部分中；
封装单元，所述封装单元设置在所述发光二极管上；以及
触摸电极，所述触摸电极设置在所述封装单元和所述反射电极上，并且电连接到所述反射电极，
其中，所述反射电极具有与所述阳极交叠的第一开口，并且所述触摸电极具有与所述阳极交叠并且大于所述第一开口的第二开口。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述反射电极设置在所述堤部的位于所述多个子像素之间的顶表面和所述倾斜表面的一部分上。
21.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述反射电极的尺寸大于设置在所述反射电极上的所述触摸电极的尺寸。
22.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述显示区域包括发光区域和非发光区域，
其中，所述发光区域包括第一发光区域和围绕所述第一发光区域的第二发光区域，
其中，所述非发光区域包括位于所述第一发光区域和所述第二发光区域之间的第一非发光区域以及围绕所述第二发光区域的第二非发光区域。
23.根据权利要求22所述的显示装置，其中，所述第一开口与所述第一发光区域交叠。
24.根据权利要求22所述的显示装置，其中，所述第二开口与所述发光区域交叠，并且与所述非发光区域的至少所述第一非发光区域交叠。
25.根据权利要求22所述的显示装置，其中，所述反射电极与所述第二发光区域交叠。
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