CN118284148A - 显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种显示装置。根据本公开的一个示例性实施方式的显示装置包括：基板，在所述基板中包括发光区域和非发光区域并且限定有多个子像素；选通线，其位于非发光区域中并且在一个方向上延伸；至少一条信号线，其位于非发光区域中并且与选通线交叉；至少一条支线，其连接到至少一条信号线；以及修复单元，其与至少一条支线交叠。根据本公开，从信号线延伸出的支线由半导体层和透明氧化物层构成，从而提供透明度以确保更宽的开口面积。

Description

显示装置

技术领域

本公开涉及一种显示装置，并且更具体地，涉及一种能够在实现高开口率的同时稳定修复的显示装置。

背景技术

目前，随着进入全尺寸信息时代，在视觉上表达电气信息信号的显示装置的领域已经得到快速发展并且正在继续研究以提高各种显示设备的诸如薄厚度、轻重量和低功耗之类的性能。

代表性显示装置可以包括液晶显示(LCD)装置、场发射显示(FED)装置、电润湿显示(EWD)装置、有机发光显示(OLED)装置等。

其中，与液晶显示装置不同，有机发光显示装置为自发光显示装置，因此不需要单独的光源。因此，有机发光显示装置可以被制造为具有轻重量和小厚度。此外，由于有机发光显示装置不仅由于低电压驱动在功耗方面是有利的，而且在颜色实现、响应速度、视角和对比度(CR)方面是有利的，因此期望在各种领域中使用。

发明内容

本公开要实现的目的是通过配置具有透明材料的支线来提供一种开口率提高的显示装置。

本公开要实现的另一目的是提供一种执行修复处理而无需另外单独将金属层设置在支线中的显示装置。

本公开要实现的又一目的是提供一种执行修复处理而不降低开口率的显示装置。

本公开的目的不限于上述目的，并且本领域技术人员可以根据以下描述清楚地理解以上未提及的其它目的。

根据本公开的一个方面，提供了一种显示装置。该显示装置包括：基板，在基板中包括发光区域和非发光区域并且限定有多个子像素；选通线，所述选通线位于非发光区域中并且在第一方向上延伸；至少一条信号线，所述至少一条信号线位于非发光区域中并且与所述选通线交叉；至少一条支线，所述至少一条支线连接到所述至少一条信号线；以及修复单元，所述修复单元与所述至少一条支线交叠。

在具体实施方式和附图中包括示例性实施方式的其它细节。

根据本公开，从信号线延伸出的支线由半导体层和透明氧化物层构成，从而提供透明度以确保更宽的开口面积。

根据本公开，可以在保证高开口率的同时稳定地对信号线执行修复处理。

根据本公开的效果不限于以上示例的内容，并且在本说明书中包括更多的各种效果。

附图说明

通过结合附图进行的以下详细描述，将更清楚地理解本公开的上述和其它方面、特征和其它优点，在附图中：

图1是根据本公开的一个示例性实施方式的显示装置的示意性框图。

图2是根据本公开的一个示例性实施方式的显示装置的子像素的电路图。

图3是根据本公开的一个示例性实施方式的显示装置的放大平面图。

图4是图3的区域A的放大图。

图5A和图5B是沿着图4的线V-V’截取的截面图。

图6A至图6H是依次例示根据本公开的一个示例性实施方式的显示装置的制造过程的平面图。

图7是根据本公开的另一个示例性实施方式的显示装置的放大平面图。

图8是图7的区域B的放大图；

图9A和图9B是沿着图8的线IX-IX’截取的截面图；

图10是根据本公开的又一个示例性实施方式的显示装置的放大平面图。

图11是图10的区域C的放大图；以及

图12A和图12B是沿着图11的线XII-XII’截取的截面图。

具体实施方式

通过参照下面结合附图详细描述的示例性实施方式，本公开的优点和特性以及实现这些优点和特性的方法将变得清楚。然而，本公开不限于本文公开的示例性实施方式，而是将以各种形式实现。仅作为示例提供示例性实施方式，使得本领域技术人员可以完全理解本公开的公开内容和本公开的范围。

在附图中示出的用于描述本公开的示例性实施方式的形状、尺寸、比率、角度、数字等仅仅是示例，并且本公开不限于此。在整个说明书中，相同的附图标记通常表示相同的元件。此外，在本公开的以下描述中，可以省略已知相关技术的详细解释以避免不必要地模糊本公开的主题。除非术语与术语“仅”一起使用，否则本文使用的术语诸如“包括”、“具有”和“由……组成”通常旨在允许添加其它部件。除非另外明确说明，否则对单数的任何引用可以包括复数。

即使没有明确说明，部件也被解释为包括正常误差范围。

当使用诸如“上”、“上方”、“下方”和“邻接”等的术语描述两个部件之间的位置关系时，除非该术语与术语“立即”或“直接”一起使用，否则一个或更多个部件可以被放置在这两个部件之间。

当元件或层被设置在另一元件或层“上”时，另一层或另一元件可以直接插置在另一元件或层上或它们之间。

尽管术语“第一”、“第二”等用于描述各种部件，但是这些部件不受这些术语限制。这些术语仅用于将一个部件与其它部件区分开。因此，下面要描述的第一部件可以是本公开的技术构思中的第二部件。

在整个说明书中，相同的附图标记通常表示相同的元件。

为了便于描述，示出了附图中所示的每个部件的尺寸和厚度，并且本公开不限于所示部件的尺寸和厚度。

本公开的各种实施方式的特征可以部分地或完全地粘附到彼此或彼此组合，并且可以以技术上各种方式互锁和操作，并且实施方式可以独立于彼此或彼此关联地执行。

在下文中，将参照附图详细描述根据本公开的示例性实施方式的显示装置。

图1是根据本公开的一个示例性实施方式示出的显示装置的示意性框图。参照图1，显示装置100包括显示面板101、选通驱动器GD、数据驱动器DD和定时控制器TC。

显示面板101是用于显示图像的面板。显示面板101可以包括设置在基板上的各种电路、布线和发光二极管。显示面板101由彼此交叉的多条数据线DL和多条选通线GL划分，并且可以包括连接到多条数据线DL和多条选通线GL的多个像素PX。显示面板101可以包括由多个像素PX限定的显示区域和形成各种信号线或焊盘的非显示区域。显示面板101可以由用于诸如液晶显示装置、有机发光显示装置或电泳显示装置之类的各种显示装置的显示面板101实现。在下文中，描述显示面板101是用于有机发光显示装置的面板，但不限于此。

定时控制器TC借助于连接到主机系统的接收电路(例如，LVDS或TMDS接口)接收诸如垂直同步信号、水平同步信号、数据使能信号或点时钟之类的定时信号。定时控制器TC基于输入的定时信号生成定时控制信号以控制数据驱动器DD和选通驱动器GD。

数据驱动器DD向多个子像素SP提供数据电压。数据驱动器DD可以包括多个源极驱动IC(集成电路)。多个源极驱动IC可以被提供有来自定时控制器TC的数字视频数据和源极定时控制信号。多个源极驱动IC响应于源极定时控制信号将数字视频数据转换成伽马电压以生成数据电压DATA并且可以通过显示面板101的数据线DL提供该数据电压。多个源极驱动IC可以通过玻璃上芯片(COG)工艺或带式自动接合(TAB)工艺连接到显示面板101的数据线DL。此外，源极驱动IC形成在显示面板101上或形成在单独的PCB基板上以连接到显示面板101。

选通驱动器GD向多个子像素SP提供选通信号。选通驱动器GD可以包括电平转换器和移位寄存器。电平转换器将从定时控制器TC输入的晶体管-晶体管逻辑(TTL)电平的时钟信号的电平移位，并且然后将时钟信号提供给移位寄存器。移位寄存器可以通过GIP的方式形成在显示面板101的非显示区域，但不限于此。移位寄存器可以由多个级配置，这些级响应于时钟信号和驱动信号而使选通信号移位以输出。包括在移位寄存器中的多个级可以通过多个输出端子依次输出选通信号。

显示面板101可以包括多个子像素SP。多个子像素SP可以为用于发出不同颜色光的子像素SP。例如，多个子像素SP可以是红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素，但不限于此。多个子像素SP可以构成像素PX。也就是说，红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素可以构成一个像素PX，并且显示面板101可以包括多个像素PX。

在下文中，将一起参照图2更详细地描述用于驱动一个子像素SP的驱动电路。

图2是根据本公开的一个示例性实施方式的显示装置的子像素的电路图。在图2中，示出了显示装置100的多个子像素SP当中的一个子像素SP的电路图。

参照图2，子像素SP可以包括开关晶体管SWT、感测晶体管SET、驱动晶体管DT、存储电容器SC以及发光二极管160。

发光二极管160可以包括阳极、有机层和阴极。有机层可以包括诸如空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和电子注入层之类的各种有机层。发光二极管160的阳极可以连接到驱动晶体管DT的输出端子，并且低电位电压VSS被施加到阴极。尽管在图2中描述了发光二极管160是有机发光二极管，但是本公开不限于此，因此也可以使用无机发光二极管(即，LED)作为发光二极管160。

参照图2，开关晶体管SWT是将数据电压DATA发送到与驱动晶体管DT的栅电极相对应的第一节点N1的晶体管。开关晶体管SWT可以包括连接到数据线DL的漏电极、连接到选通线GL的栅电极和连接到驱动晶体管DT的栅电极的源电极。开关晶体管SWT通过从选通线GL施加的扫描信号SCAN导通以将从数据线DL提供的数据电压DATA发送至与驱动晶体管DT的栅电极相对应的第一节点N1。

参照图2，驱动晶体管DT是向发光二极管160提供驱动电流以驱动发光二极管160的晶体管。驱动晶体管DT可以包括与第一节点N1相对应的栅电极、与第二节点N2和输出端子相对应的源电极以及与第三节点N3和输入端子相对应的漏电极。驱动晶体管DT的栅电极连接到开关晶体管SWT，漏电极借助于高电位电力线VDDL施加有高电位电压VDD，并且源电极连接到发光二极管160的阳极。

参照图2，存储电容器SC是将与数据电压DATA相对应的电压维持一帧的电容器。存储电容器SC的一个电极可以连接到第一节点N1，并且另一个电极可以连接到第二节点N2。

此外，在显示装置100的情况下，随着每个子像素SP的驱动时间的增加，诸如驱动晶体管DT之类的电路元件可能随时间而劣化。因此，诸如驱动晶体管DT之类的电路元件的唯一特征值可能发生改变。这里，电路元件的唯一特征值可以包括驱动晶体管DT的阈值电压Vth或驱动晶体管DT的迁移率α。例如，当装置保持操作时，驱动晶体管DT的阈值电压Vth或迁移率a可以随着时间开始漂移。电路元件的特征值的改变可能导致对应子像素SP的亮度改变。因此，电路元件的特征值的改变可以被用作与子像素SP的亮度改变相同的概念。

此外，每个子像素SP的电路元件之间的特征值的改变程度可以根据每个电路元件的劣化程度而变化。电路元件之间的特性值的改变程度的这种差异可能导致子像素SP之间的亮度偏差。因此，电路元件之间的特征值偏差可以用作与子像素SP之间的亮度偏差相同的概念。电路元件的特征值的改变(即，子像素SP的亮度改变)和电路元件之间的特征值偏差(即，子像素SP之间的亮度偏差)可能会导致诸如子像素SP或屏幕亮度表现力的准确度下降之类的异常的问题。

因此，根据本公开的示例性实施方式的显示装置100的子像素SP可以提供感测子像素SP的特征值的感测功能和使用感测结果补偿子像素SP的特征值的补偿功能。

因此，如图2所示，除了开关晶体管SWT、驱动晶体管DT、存储电容器SC和发光二极管160之外，子像素SP还可以包括用于有效控制驱动晶体管DT的源电极的电压状态的感测晶体管SET。

参照图2，感测晶体管SET连接在驱动晶体管DT的源电极和提供参考电压Vref的参考线RL之间，并且栅电极连接到选通线GL。因此，感测晶体管SET通过经由选通线GL施加的感测信号SENSE导通以将通过参考线RL提供的参考电压Vref施加到驱动晶体管DT的源电极。此外，感测晶体管SET可以用作驱动晶体管DT的源电极的电压感测路径之一。

参照图2，子像素SP的开关晶体管SWT和感测晶体管SET可以共享一条选通线GL。也就是说，开关晶体管SWT和感测晶体管SET连接到同一选通线GL以施加有相同的选通信号。然而，为了便于描述，施加到开关晶体管SWT的栅电极的电压被称为扫描信号SCAN，并且施加到感测晶体管SET的栅电极的电压被称为感测信号SENSE。然而，施加到一个子像素SP的扫描信号SCAN和感测信号SENSE是从同一选通线GL发送的相同信号。因此，在图3中，扫描信号SCAN和感测信号SENSE被定义和描述为选通信号GATE1、GATE2、GATE3和GATE4。

然而，本公开不限于此，使得仅开关晶体管SWT连接到选通线GL，并且感测晶体管SET可以连接到单独的感测线。因此，扫描信号SCAN可以通过选通线GL施加到开关晶体管SWT，并且感测信号SENSE可以通过感测线施加到感测晶体管SET。

因此，借助于感测晶体管SET将参考电压Vref施加到驱动晶体管DT的源电极。此外，通过参考线RL检测用于感测驱动晶体管DT的阈值电压Vth或驱动晶体管DT的迁移率α的电压。此外，数据驱动器DD可以根据驱动晶体管DT的阈值电压Vth的变化或驱动晶体管DT的迁移率α来补偿数据电压DATA。

图3是根据本公开的一个示例性实施方式的显示装置的放大平面图。图4是图3的区域A的放大图。图5A和图5B是沿着图4的线V-V’截取的截面图。

参照图3和图5B，根据本公开的一个示例性实施方式的显示装置100包括基板110、选通线GL、数据线DL、高电位电力线VDDL、参考线RL、发光二极管160、第一晶体管120、第二晶体管130、第三晶体管140、存储电容器150、滤色器、缓冲层111、栅极绝缘层112、钝化层113、平坦化层114、阳极115、堤部116和发光层117。在图4中，为了便于描述，仅示出了第三晶体管140、数据线DL3、选通线GL、高电位电力线VDDL、数据支线DBL、参考支线RBL和修复单元170。在图5A和图5B中，为了便于描述，仅例示了显示装置100的各种部件当中从基板110到发光层117的配置。图5A和图5B是红色子像素SPR的截面图，但是红色子像素SPR的截面结构可以与白色子像素SPW、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG的截面结构基本相同。

首先，参照图3，多个子像素SP包括蓝色子像素SPB、绿色子像素SPG、红色子像素SPR和白色子像素SPW，并且每个子像素SP包括发光区域EA和非发光区域NEA。

发光区域EA是独立发出一个颜色的光并且发光二极管160可以设置在其中的区域。蓝色子像素SPB的发光区域EA可以为发出蓝光的蓝色发光区域，绿色子像素SPG的发光区域EA可以为发出绿光的绿色发光区域，红色子像素SPR的发光区域EA可以为发出红光的红色发光区域，并且白色子像素SPW的发光区域EA可以为发出白光的白色发光区域。

非发光区域NEA是设置用于驱动多个发光二极管160的驱动电路的区域，并且例如可以设置第一晶体管120、第二晶体管130、第三晶体管140和存储电容器150。

此外，蓝色子像素SPB、绿色子像素SPG、红色子像素SPR以及白色子像素SPW的非发光区域NEA可以具有基本相似的结构。然而，构成一个像素PX的多个子像素SP共享信号线以针对每个子像素具有不同的结构。参照图3，蓝色子像素SPB、绿色子像素SPG、红色子像素SPR和白色子像素SPW共享高电位电力线VDDL。蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG共享第一参考线RL1，并且红色子像素SPR和白色子像素SPW共享第二参考线RL2。因此，蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG形成一对，并且红色子像素SPR和白色子像素SPW形成一对以便以对称结构设置。

一起参照图3，在基板110上的多个子像素SP之间设置在列方向(Y轴方向)上延伸的高电位电力线VDDL、多条数据线DL以及多条参考线RL。高电位电力线VDDL、多条数据线DL和多条参考线RL可以设置在基板110的同一层上并且由相同的材料形成。例如，高电位电力线VDDL、多条数据线DL和多条参考线RL可以由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金之类的导电材料构成，但不限于此。

高电位电力线VDDL是向多个子像素SP中的每一个子像素发送功率信号的布线。形成一个像素的多个子像素SP可以共享一条高电位电力线VDDL。例如，高电位电力线VDDL设置在绿色子像素SPG和红色子像素SPR之间以向设置在高电位电力线VDDL左侧的蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG的第一晶体管120发送功率信号。此外，高电位电力线VDDL可以向设置在高电位电力线VDDL的右侧的红色子像素SPR和白色子像素SPW的第一晶体管120发送功率信号。

多条数据线DL是将数据信号传送到多个子像素SP中的每一个子像素的线，并且包括第一数据线DL1、第二数据线DL2、第三数据线DL3和第四数据线DL4。第一数据线DL1设置在蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG之间(即，在蓝色子像素SPB的右侧)以向蓝色子像素SPB的第二晶体管130发送数据信号。第二数据线DL2设置在第一数据线DL1和绿色子像素SPG之间(即，在绿色子像素SPG的左侧)以向绿色子像素SPG的第二晶体管130发送数据信号。第三数据线DL3设置在红色子像素SPR与白色子像素SPW之间(即，在红色子像素SPR的右侧)以向红色子像素SPR的第二晶体管130发送数据信号。第四数据线DL4设置在第三数据线DL3和白色子像素SPW之间(即，在白色子像素SPW的左侧)以向白色子像素SPW的第二晶体管130发送数据信号。

多条参考线RL是将参考信号发送到多个子像素SP中的每一个子像素的布线并且包括第一参考线RL1和第二参考线RL2。在行方向(X轴方向)上相邻的两个子像素SP可以共享一条参考线RL。例如，第一参考线RL1设置在蓝色子像素SPB的左侧以向蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG的第三晶体管140发送参考电压Vref。第二参考线RL2设置在白色子像素SPW的右侧以向红色子像素SPR和白色子像素SPW的第三晶体管140发送参考电压Vref。

第一晶体管120设置在蓝色子像素SPB、绿色子像素SPG、红色子像素SPR和白色子像素SPW中的每一个子像素的非发光区域NEA中。第一晶体管120包括第一栅电极121、第一源电极122、第一漏电极123和第一有源层124。电连接到发光二极管160的第一电极和高电位电力线VDDL的第一晶体管120可以是驱动晶体管DT。

首先，第一漏电极123电连接到高电位电力线VDDL。具体地，蓝色子像素SPB、绿色子像素SPG、红色子像素SPR和白色子像素SPW的第一漏电极123可以电连接到高电位电力线VDDL。也就是说，蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG的第一漏电极123可以与从高电位电力线VDDL延伸的第一高电位电力支线VDDBL1一体形成。红色子像素SPR和白色子像素SPW的第一漏电极123可以与从高电位电力线VDDL延伸的第二高电位电力支线VDDBL2一体形成。

第一有源层124可以由诸如氧化物半导体、非晶硅或多晶硅之类的半导体材料形成，但不限于此。例如，当第一有源层124由氧化物半导体形成时，第一有源层124由沟道区、源极区和漏极区形成，并且变为导电以用作第一源电极122和第一漏电极123。另选地，在第一有源层124上的部分区域中还设置有透明氧化物层以变为导电以用作第一源电极122和第一漏电极123。此时，透明氧化物层可以由诸如氧化锡(TO)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或氧化铟锡锌(ITZO)之类的透明导电材料配置而成，但不限于此。

栅极绝缘层112设置在第一有源层124上。栅极绝缘层112可以是使第一栅电极121与第一有源层124绝缘的层。栅极绝缘层112可以仅设置在与通过相同工艺由与第一栅电极121相同的材料形成的导电层相对应的区域中。例如，栅极绝缘层112设置在基板110的整个表面上，然后在设置在栅极绝缘层112上的导电层和第一栅电极121被图案化时一起去除。栅极绝缘层112可以由单层或双层诸如氧化硅SiOx或氮化硅SiNx之类的绝缘材料配置而成，但不限于此。

第一栅电极121可以设置在栅极绝缘层112上以与第一有源层124的沟道区交叠。第一栅电极121可以由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金之类的导电材料构成，但不限于此。

第二晶体管130设置在多个子像素SP中的每个子像素的非发光区域NEA中。第二晶体管130包括第二栅电极131、第二源电极132、第二漏电极133和第二有源层134。电连接到选通线GL、数据线DL和第一晶体管120的第一栅电极121的第二晶体管130可以是开关晶体管SWT。

首先，多个子像素SP中的每一个子像素的第二漏电极133电连接至多条数据线DL当中的一条数据线DL。第二漏电极133与多条数据线DL一体形成以由与多条数据线DL相同的材料形成。然而，不限于此，如图3所示，第二漏电极133连接到通过接触孔连接到多条数据线DL的数据支线DBL，并与第一漏电极123设置在同一层上并且利用与第一漏电极123相同的材料形成。具体地，与第一漏电极123类似，第二漏电极133可以为其中第二有源层134变为导电的区域。

第二源电极132可以被限定为与第二漏电极133相同的层。当第二源电极132与第二漏电极133为同层时，与第二漏电极133类似，第二源电极132可以是其中第二有源层134变为导电的区域。

多个子像素SP中的每一个子像素的第二有源层134可以由诸如氧化物半导体、非晶硅或多晶硅之类的半导体材料形成，但不限于此。例如，当第二有源层134由氧化物半导体形成时，第二有源层134由沟道区、源极区和漏极区形成，并且变为导电以用作第二源电极132和第二漏电极133。此外，在第二有源层134上的部分区域中还设置有透明氧化物层以变为导电而用作第二源电极132和第二漏电极133。此时，透明氧化物层可由诸如氧化锡(TO)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或氧化铟锡锌(ITZO)之类的透明导电材料构成，但不限于此。

第二栅电极131可以设置在栅极绝缘层112上以与第二有源层134的沟道区交叠。第二栅电极131可以由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金之类的导电材料构成，但不限于此。

第二栅电极131可以是选通线GL。也就是说，选通线GL的一部分可以用作第二栅电极131。选通线GL可以由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金之类的导电材料构成，但不限于此。

选通线GL向多个子像素SP中的每一个子像素发送选通信号，并且在行方向上延伸以遍历/横穿多个子像素SP。例如，选通线GL在行方向上在多个子像素SP中的每一个子像素的非发光区域NEA和发光区域EA之间延伸以与在列方向上延伸的高电位电力线VDDL、多条数据线DL和多条参考线RL交叉。下面将参照图4至图5B详细描述形成在选通线GL中的栅极冗余结构。

第三晶体管140设置在多个子像素SP中的每一个子像素的非发光区域NEA中。例如，第三晶体管140和第二晶体管130可以彼此相邻设置并且连接到相同的选通线GL。第三晶体管140包括第三栅电极141、第三源电极142、第三漏电极143和第三有源层144。电连接到参考线RL、选通线GL和存储电容器150的第二电容器电极152的第三晶体管140可以是感测晶体管SET。

首先，第三漏电极143电连接至参考线RL。具体地，蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG的第三漏电极143可以电连接到第一参考线RL1和红色子像素SPR的第三漏电极143，并且白色子像素SPW可以电连接到第二参考线RL2。也就是说，蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG的第三漏电极143可以与从第一参考线RL1延伸的参考支线RBL一体地形成。红色子像素SPR和白色子像素SPW的第三漏电极143可以与从第二参考线RL2延伸的参考支线RBL一体地形成。如图3所示，第三漏电极143可以与通过接触孔连接至参考线RL的参考支线RBL一体形成，以由相同的材料形成。具体地，与第二漏电极133类似，第三漏电极143可以为其中第三有源层144变成导电的区域。

第三有源层144可以设置在每个子像素SP中。第三有源层144可以由诸如氧化物半导体、非晶硅或多晶硅之类的半导体材料形成，但不限于此。例如，当第三有源层144由氧化物半导体形成时，第三有源层144由沟道区、源极区和漏极区形成，并且变为导电以用作第三源电极142和第三漏电极143。另选地，在第三有源层144上的部分区域中进一步设置透明氧化物层以变为导电以用作第三源电极142和第三漏电极143。此时，透明氧化物层可以由诸如氧化锡(TO)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或氧化铟锡锌(ITZO)之类的透明导电材料构成，但不限于此。

栅极绝缘层112可以设置在第三有源层144上。栅极绝缘层112可以是将第三栅电极141与第三有源层144绝缘的层。栅极绝缘层112可以仅设置在与通过相同工艺由与第三栅电极141相同的材料形成的导电层相对应的区域中。例如，栅极绝缘层112设置在基板110的整个表面上，然后在设置在栅极绝缘层112上的第三栅电极141和导电层被图案化时一起去除。例如，栅极绝缘层112可以由单层或双层诸如氧化硅SiOx或氮化硅SiNx之类的绝缘材料配置，但不限于此。第三栅电极141设置在栅极绝缘层112上以与第三有源层144的沟道区交叠。第三栅电极141可以是选通线GL。也就是说，选通线GL的一部分可以用作第三栅电极141。第三栅电极141可以由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金之类的导电材料构成，但不限于此。

存储电容器150设置在多个子像素SP中的每一个子像素的非发光区域NEA中。存储电容器150可以存储第一晶体管120的第一栅电极121和第一源电极122之间的电压以允许发光二极管160连续地维持一个帧的恒定状态。存储电容器150包括第一电容器电极151和第二电容器电极152。

第一电容器电极151可以是第二有源层134的其中层叠有半导体层和透明氧化物层的导电区域。第一电容器电极151可以通过形成在缓冲层111中的接触孔电连接到第一栅电极121。

第二电容器电极152可以以与第一电容器电极151交叠的方式设置在基板110上。第二电容器电极152可以通过经由接触孔将设置在非发光区域NEA的最下部分处的遮光层和设置在与第一栅电极121相同的层上的金属层电连接至源电极122来形成。

总之，存储电容器150的第一电容器电极151是第二有源层134的其中层叠有半导体层和透明氧化物层的导电区域。第一电容器电极151可以通过接触孔电连接到第一晶体管120的第一栅电极121和第二晶体管130的第二源电极132。在第二电容器电极152中，遮光层以及设置在与第一栅电极121相同的层上的金属层可以通过接触孔电连接到第一晶体管120的第一源电极122和第三晶体管140的第三源电极142。

接下来，钝化层113可以设置在第一晶体管120、第二晶体管130、第三晶体管140、存储电容器150、高电位电力线VDDL、多条数据线DL、多条参考线RL和选通线GL上。钝化层113是用于保护钝化层113下方的部件的绝缘层。例如，钝化层113可以由单层或双层氧化硅SiOx或氮化硅SiNx构成，但不限于此。此外，根据示例性实施方式，可以省略钝化层113。

平坦化层114可以设置在钝化层113和滤色器上。平坦化层114是使设置有第一晶体管120、第二晶体管130、第三晶体管140、存储电容器150、高电位电力线VDDL、多条数据线DL、多条参考线RL和选通线GL的基板110的上部平坦化的绝缘层。平坦化层114可以由有机材料形成，并且例如，可以由单层或双层聚酰亚胺或光敏丙烯酸酯构成，但不限于此。

发光二极管160设置在多个子像素SP的每一个子像素中。发光二极管160设置在多个子像素SP的每一个子像素中的平坦化层114上。发光二极管160包括阳极115、发光层117和阴极。

此外，当根据本公开的一个示例性实施方式的显示装置100是顶部发光型时，可以在阳极115下方添加由具有优异反射效率的金属材料(例如，铝(Al)或银(Ag))形成的反射层。因此，从发光层117发出的光被反射到阳极115以被向上引导(即，被引导到阴极)。相反，当显示装置100为底部发光型时，阳极115可以仅由透明导电材料形成。此外，阳极115设置在整个发光区域EA中并且一体地延伸至非发光区域NEA。设置在非发光区域NEA中的阳极115连接到第一晶体管120的第一源电极122以被施加电信号。

在发光区域EA和非发光区域NEA中，发光层117设置在阳极115上。发光层117可以形成为多个子像素SP上方的一层。也就是说，多个子像素SP的发光层117彼此连接而一体地形成。发光层117可以由一个发光层配置成，或者可以具有其中层叠发出不同颜色光的多个发光层的结构。发光层117还可以包括诸如空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层之类的有机层。

在发光区域EA和非发光区域NEA中，阴极设置在发光层117上。阴极向发光层117提供电子，使得阴极可以由具有低功函数的导电材料形成。阴极可以形成为多个子像素SP上方的一层。也就是说，多个子像素SP中的每一个子像素的阴极连接成一体地形成。例如，阴极可以由诸如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)或镱(Yb)合金之类的透明导电材料形成并且还可以包括金属掺杂层，但不限于此。即使在图3至图5中未示出，发光二极管160的阴极也可以电连接到低电位电力线以被提供低电位功率信号。

接下来，将参照图3至图5B描述选通线GL、参考支线RBL和数据支线DBL。

首先，设置在非发光区域NEA中的选通线GL向多个子像素SP中的每一个子像素发送选通信号，并且在行方向上延伸以遍历/横穿多个子像素SP。选通线GL根据定时控制器的控制依次被提供扫描信号，使得选通线GL可以称为扫描线。如图3所示，即使在本公开中，将主要描述第二晶体管130和第三晶体管140针对一条选通线GL操作的一条扫描线结构，但也可以以同样的方式应用具有两条选通线GL的两条扫描线。

具体地，选通线GL可以在与多条信号线交叉的区域使用栅极冗余结构。栅极冗余结构是其中选通线GL仅在选通线GL和多条信号线交叉的区域中分支成两条线的结构。栅极冗余结构可以包括沿着选通线GL延伸并且然后相对于Y轴方向向下分支的第一桥接线GBL1和向上分支的第二桥接线GBL2。例如，选通线GL可以分叉为第一桥接线GBL1和第二桥接线GBL2，然后第一桥接线GBL1和第二桥接线GBL2可以会聚并彼此连接回到选通线GL中。

此外，非发光区域NEA可以包括在与选通线GL交叉的同时在Y轴方向上延伸的信号线。与选通线GL交叉的信号线可以是如上所述的高电位电力线VDDL、多条数据线DL和多条参考线RL。

然而，信号线需要向多个子像素SP中的每一个子像素发送信号，使得从每个信号线延伸的支线BL是必要的。支线BL可以包括从高电位电力线VDDL延伸的第一高电位电力支线VDDBL1和第二高电位电力支线VDDL2、从数据线DL延伸的数据支线DBL和从参考线RL延伸的参考支线RBL。第一高电位电力支线VDDBL1和第二高电位电力支线VDDBL2连接到高电位电力线VDDL以向多个子像素SP施加高电位电压。数据支线DBL连接到多条数据线DL以向多个子像素SP施加数据电压，并且参考支线RBL连接到多条参考线RL以向多个子像素SP施加参考电压Vref。

支线BL可以与电连接的信号线一体地形成。在这种情况下，支线由与信号线相同的材料在同一层上形成，使得支线BL可以由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金之类的导电材料构成，但不限于此。

然而，支线BL可以形成在与信号线不同的层上，并且可以通过接触孔被电连接。具体地，如图3所示，支线BL可以为其中第一有源层124、第二有源层134和第三有源层144的一部分变为导电的区域。

也就是说，支线BL的至少部分区域可以包括层叠有半导体层和透明氧化物层的层叠结构。支线BL可以仅在至少一部分中由导电半导体层形成，而在另一部分中可以由层叠有半导体层和在半导体层上形成的透明氧化物层的层叠结构形成。此时，透明氧化物层可以由诸如氧化锡(TO)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或氧化铟锡锌(ITZO)之类的透明导电材料构成，但不限于此。

具体地，参考线RL分别设置在蓝色子像素SPB的左侧和白色子像素SPW的右侧，使得在支线BL当中，参考支线RBL可能需要在X轴方向上延伸的区域以向每个子像素SP传输参考电压。

具体地，参考支线RBL在X轴方向上延伸以连接到绿色子像素SPG和红色子像素SPR，然后在每个像素中弯曲到Y轴方向以被设置为L形。因此，当参考支线RBL由不透明材料构成时，参考支线需要设置在非发光区域NEA中以使得像素中的非发光区域NEA的面积可以增加。然而，在根据本公开的该示例性实施方式的显示装置100中，支线BL可以包括层叠有半导体层和设置在半导体层上的透明氧化物层的层叠结构。因此，参考支线RBL可以设置为穿过发光区域EA。这样，不需要使非发光区域NEA更大，并且可以使发光区域EA的大小得以保持或变得更大。

然而，在显示装置100的制造过程期间可能出现缺陷，并且当生产显示装置100的过程期间特定线开路或断开连接而导致缺陷像素时，需要对该像素进行修复处理。例如，这样的缺陷像素可能卡在始终开启状态，这可能损害图像质量(例如，尤其是当显示暗图像或黑色时)。可以通过将缺陷像素的线切割为暗而执行修复处理。具体地，修复处理可以包括将激光束照射到向多个子像素SP中的每一个子像素发送高电位电压、数据电压和参考电压的高电位电力支线VDDBL、数据支线DBL和参考支线RBL上的步骤。当激光照射在包括不透明材料的布线的修复区域中时，激光不在修复区域中传输，但是激光能量被接收或反射以使对应布线断开。然而，如在根据本公开的该示例性实施方式的显示装置100中一样，当布线由透明材料形成时，用于修复处理的特定波长带中的激光未被吸收，并且特定波长带中的激光被原样透射而使得修复处理不能进行。

因此，在参考支线RBL和数据支线DBL的部分区域中，设置与参考支线RBL和数据支线DBL交叠的修复单元170。换句话说，参考支线RBL和数据支线DBL由透明材料制成，使得它们可以与发光区域EA交叠以便节省空间，但是参考支线RBL和数据支线DBL中的每一者的一小部分应当具有能够适当地吸收激光的类型的结构，使得如果需要，可以切割对应线，以便于适当地执行修复处理。

修复单元170用于参考支线RBL和数据支线DBL的修复处理，并且包括第一修复单元171和第二修复单元172。修复单元170可以设置在与设置在非发光区域NEA中的遮光层相同的层上。例如，修复单元170设置在与设置在非发光区域NEA中的基板110和缓冲层111之间的遮光层相同的层上，并且与设置在修复单元170上方的参考支线RBL和数据支线DBL交叠。因此，修复单元170设置在与将要执行修复处理的参考支线RBL和数据支线DBL相邻的层上，以更容易地执行修复处理。

此外，参照图4，修复单元170具有Y形并且可以包括分别与参考支线RBL和数据支线DBL的一部分交叠的两个突出部。换句话说，遮光层LS的位于存储电容器150下方的部分可以延伸出以形成“Y”形突出部，该“Y”形突出部包括分别与参考支线RBL的一部分和数据支线DBL的一部分交叠的两个突片部分(例如，参见图6A和图3和图4)。第一修复单元171设置为与参考支线RBL的一部分和数据支线DBL的一部分交叠，并且第二修复单元172从遮光层延伸以连接至第一修复单元171。例如，第二修复单元172可以形成“Y”形的“基部”或下部，并且第一修复单元171可以形成“Y”形的上部的“两个叉”。当然，实施方式不限于此，修复单元170可以具有诸如“T”形、“V”形、实心形状或桨状形状之类的其它类似的形状。具体地，修复单元170的第二修复单元172从遮光层延伸并通过选通线GL划分为两个。在第二修复单元172的划分后的部分中，第一修复单元171被设置为与参考支线RBL和数据支线DBL交叠。具体地，第一修复单元171的宽度可以小于与第一修复单元171交叠的部分中的参考支线RBL和数据支线DBL的宽度。因此，修复单元170具有Y形，并且第一修复单元171的宽度小于参考支线RBL和数据支线DBL的宽度，并且从遮光层延伸，使得可以使与设置在另一层上的布线的寄生电容最小化。换句话说，修复单元170的面积保持较小，使得其不会引起不期望的寄生电容并且不干扰其它信号线。

此外，当修复单元170具有T形形状时，待修复的参考支线RBL的区域与数据支线DBL之间的间隔较小。因此，在图案化期间，存在以下问题：被设置为与参考支线RBL和数据支线DBL交叠的第一修复单元171起皱或崩溃(crumpled)或者在修复期间要断开的线宽度增加。因此，当修复单元170具有Y形时，确保待修复的数据支线DBL与参考支线RBL的区域之间的间隔。因此，在图案化期间，可以抑制被设置为分别与参考支线RBL和数据支线DBL交叠的第一修复单元171起皱或崩溃或在修复期间待断开的线宽增加的问题。

修复单元170的第一修复单元171被期望地设置为与选通线GL间隔开至少4μm或更大的间隔。这是因为，如果第一修复单元171与选通线GL交叠，则在显示装置100的驱动期间需要截止的第二晶体管130和第三晶体管140会导通而引起驱动故障问题。因此，第一修复单元171与选通线GL间隔4μm或以上，从而可以抑制在显示装置100的驱动过程中截止的第二晶体管130和第三晶体管140的驱动故障问题。

修复单元170从遮光层延伸，使得其可以由铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金(即，不透明金属)构成。因此，在与参考支线RBL和数据支线DBL交叠的区域中接受或反射特定波长带中的激光，使得修复单元170在对应区域中执行修复处理。

然而，设置在蓝色子像素SPB、绿色子像素SPG、红色子像素SPR和白色子像素SPW中的每一个子像素中的修复单元170可以设置在除了与信号线相邻的区域之外的区域中。可以省略位于靠近信号线布置的区域中的修复单元170。具体地，可以在与始终施加恒定电压的布线相邻的区域中省略修复单元170。例如，在与第一参考线RL1相邻的蓝色子像素SPB的参考支线RBL交叠的区域中不设置修复单元170的第一修复单元171，使得可以抑制参考支线RBL与修复单元170之间产生的短路。此时，设置在与第一参考线RL1相邻的区域中的蓝色子像素SPB的参考支线RBL的修复处理可以在与第一参考线RL1交叠的区域中执行修复处理。

图5A例示了修复单元170的第一修复单元171和数据支线DBL在执行修复处理之前交叠的结构，并且图5B例示了在执行修复处理之后的结构。参照图5B，在通过激光进行修复处理之后，在具有半导体层DBL1和透明氧化物层DBL2层叠的结构的数据支线DBL的区域(与修复单元170的第一修复单元171交叠)中，数据支线DBL可以与第一修复单元171一起断开。也就是说，当激光照射在与第一修复单元171和数据支线DBL交叠的区域时，第一修复单元171接收并反射激光的能量，使得数据支线DBL的半导体层DBL1和透明氧化物层DBL2也可以断开。因此，将参考电压发送到子像素的电流路径断开，使得子像素可以通过激光修复工艺而变暗。然而，在图5A和图5B中，例示了与修复单元170的第一修复单元171交叠的区域中的数据支线DBL具有层叠有半导体层DBL1和透明氧化物层DBL2的层叠结构。但不限于此，数据支线DBL可以具有仅由半导体层DBL1形成的单层结构。

图6A至图6H是依次例示根据本公开的一个示例性实施方式的显示装置的制造过程的平面图。

首先，参照图6A，高电位电力线VDDL、数据线DL、遮光层LS以及修复单元170可以形成在基板110上，并且缓冲层111可以形成在形成有高电位电力线VDDL、数据线DL、遮光层LS以及修复单元170的基板110上。

此时，高电位电力线VDDL、数据线DL、遮光层LS和修复单元170可以通过在基板110上形成金属层，然后通过掩膜工艺对金属层进行选择性图案化形成。例如，高电位电力线VDDL、数据线DL、遮光层LS和修复单元170可以由相同的材料、在同一层上并且在相同的处理步骤期间形成。

之后，缓冲层111可以设置在基板110上以覆盖高电位电力线VDDL、数据线DL、遮光层LS以及修复单元170。

接下来，参照图6，可以在基板110上形成有源层。

此时，第一有源层124、第二有源层134、第三有源层144、参考支线RBL、数据支线DBL和高电位电力支线VDDBL2可以通过使用掩模工艺进行图案化而形成在基板110上。

具体地，在依次沉积半导体层材料和透明氧化物层材料之后，从第一有源层124、第二有源层134和第三有源层144的区域的沟道区去除透明氧化物层以形成第一有源层124、第二有源层134和第三有源层144的沟道区。此时，在与未去除透明氧化物层的遮光层LS交叠的区域的部分区域中，可以形成第一电容器电极151。

接下来，参照图6C，可以形成第一接触孔180a、第二接触孔180b和第三接触孔180c。

此时，暴露出高电位电力线VDDL、数据线DL和遮光层LS的一部分的第一接触孔180a、第二接触孔180b和第三接触孔180c可以采用掩膜工艺进行图案化形成。

接下来，参照图6D，可以在基板110上依次形成栅极绝缘层112和栅极层。

此时，栅极绝缘层112可以由作为无机材料的单层氮化硅SiNx或氧化硅SiOx或者多层氮化硅SiNx或氧化硅SiOx形成。

此后，选通线GL、第一栅电极121、第二栅电极131、第三栅电极141和第二电容器电极152可以通过使用掩模工艺进行图案化而形成在基板110上。

接下来，参照图6E，可以在基板110上依次形成钝化层113和滤色器CF。

此时，可以仅在基板110上的发光区域EA中形成与该像素相对应的滤色器CF。

接下来，参照图6F，在基板110上形成平坦化层114之后，可以形成第四接触孔180d。

可以形成使其中形成有钝化层113和滤色器CF的基板110的上部平坦化的平坦化层114。此时，平坦化层114可以由有机材料形成，并且例如，可以由单层或双层聚酰亚胺或感光丙烯酸酯构成，但不限于此。

接下来，可以形成部分去除钝化层113的一部分和平坦化层114的一部分的第四接触孔180d。

接下来，参照图6G，可以在平坦化层114上形成阳极115。

此时，阳极115可以形成在平坦化层114上，并且可以通过形成在钝化层113和平坦化层114中的第四接触孔180d电连接到第一晶体管120的第一源电极122。阳极115通过具有高功函数的导电材料向待形成的发光层提供空穴，并且例如，可以由诸如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)之类的透明导电材料形成，但不限于此。

接下来，参照图6H，可以在阳极115和平坦化层114上形成堤部116。

此时，堤部116可以覆盖阳极115的一部分和布线的一部分。可以形成堤部116以划分发光区域EA。堤部116可以由有机绝缘材料形成。例如，堤部116可由聚酰亚胺、丙烯酰基或苯并环丁烯(BCB)树脂形成，但本公开不限于此。

此外，从多条信号线延伸的支线与有源层一体形成，并且有源层的部分区域变为导电以向每个子像素发送信号。然而，为了使有源层的部分区域导电，例如，支线包括其中半导体层和设置在半导体层上的辅助金属层层叠的层叠结构。如上所述，在半导体层和辅助金属层层叠的结构中，在支线的修复处理中，辅助金属层接收或反射特定波长带的激光，使得布线可以被断开。因此，由于修复单元170的具体结构，执行信号线的修复处理并不困难。

然而，为了使非发光区域的面积最小化，已经尝试用透明材料构成支线。例如，与根据本公开的示例性实施方式的显示装置100类似，支线可以设置有半导体层和设置在半导体层上的透明氧化物层。透明氧化物层由诸如氧化铟锌(IZO)之类的透明导电材料形成，使得当包括透明氧化物层以使支线导电时，支线的整个区域具有透明度。因此，即使支线穿过发光区域，也不影响开口率。然而，包括透明氧化物层的支线透射激光以按原样对信号线执行修复工艺，需要额外的金属层结构。因此，显示装置使用了其中在与栅极金属层相同的层上由相同材料形成的附加金属层设置在支线的部分区域中的结构。然而，这种结构存在的问题在于，包括将附加金属层和支线电连接的接触件，并且需要考虑与周围图案的距离，使得开口面积减小。

因此，在根据本公开的示例性实施方式的显示装置100中，为了执行修复处理，修复单元170被设置为与参考支线RBL和数据支线DBL交叠以在确保开口率的同时稳定地执行修复处理。

也就是说，支线包括其中层叠有半导体层和在半导体层上的透明氧化物层的层叠结构，使得即使支线穿过发光区域EA，也不影响开口率。因此，支线不需要仅设置在非发光区域中，使得与现有技术的参考支线的结构相比，可以自由地执行设计并且可以确保开口率。

此外，如上所述，支线由透明材料构成以使得可以确保由执行修复处理所需的支线上的附加金属层减小的开口面积。也就是说，根据本公开的示例性实施方式的显示装置100可以使开口率最大化并且实现参考线RL的稳定修复。

图7是根据本公开的另一个示例性实施方式的显示装置的放大平面图。图8是图7的区域A的放大图。图9A和图9B是沿着图8的线IX-IX’截取的截面图。除了修复单元270之外，图7至图9B的显示装置200的配置基本相同，因此将省略冗余描述。例如，图7中的实施方式与图4中的实施方式类似，但并不具有作为从与电容器150交叠的遮光层延伸出或突出的部分的修复单元，而在图7中，修复单元270从选通线GL延伸出或突出，以便于与待切割的布线的部分进行交叠。在图8中，为了描述方便，仅示出了第三晶体管140、数据线DL3、选通线GL、高电位电力线VDDL、数据支线DBL、参考支线RBL和修复单元270。在图9A和图9B中，为了便于描述，仅示出了显示装置200的各种部件当中的从基板110到发光层117的配置。图9A和图9B是红色子像素SPR的截面图，但是红色子像素SPR的截面结构可以与白色子像素SPW、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG的截面结构基本相同。

参照图7和图8，在参考支线RBL和数据支线DBL的部分区域中，设置与参考支线RBL和数据支线DBL交叠的修复单元270。

修复单元270用于参考支线RBL和数据支线DBL的修复处理，并且包括第一修复单元271和第二修复单元272。

修复单元270设置在与设置在非发光区域NEA中的选通线GL相同的层上以与参考支线RBL和数据支线DBL交叠。例如，修复单元270设置在与设置在非发光区域NEA中的栅极绝缘层112上的选通线GL相同的层上，并且与设置在修复单元270下方的参考支线RBL和数据支线DBL交叠。因此，修复单元270设置在与将执行修复处理的参考支线RBL和数据支线DBL相邻的层上以更容易地执行修复处理。

此外，参照图8，修复单元270具有Y形。第一修复单元271被设置为与参考支线RBL和数据支线DBL交叠，并且第二修复单元272从选通线GL延伸出以连接至第一修复单元271。例如，第二修复单元272可以形成延伸出选通线LG的“Y”形的基部，并且第一修复单元271可以形成“Y”形的上部的两个叉。然而，实施方式不限于此，并且诸如“T”形、“V”形、实心形状或桨状形状之类的其它形状可以用于修复单元270。然而，如上所述，“Y”形可以具有特定优点。具体地，修复单元270的第二修复单元272从选通线GL延伸并且可以被划分为两个。在第二修复单元272的划分后的部分中，第一修复单元271可以被设置为分别与参考支线RBL和数据支线DBL交叠。具体地，第一修复单元271的宽度可以小于参考支线RBL和数据支线DBL在与第一修复单元271交叠的部分中的宽度。因此，修复单元270具有Y形，并且第一修复单元271的宽度小于参考支线RBL和数据支线DBL的宽度并且从选通线GL延伸，从而可以使与设置在另一层上的布线的寄生电容最小化。

此外，当修复单元270具有T形形状时，待修复的数据支线DBL与参考支线RBL的区域之间的间隔较小。因此，在图案化期间，存在以下问题：设置为与参考支线RBL和数据支线DBL交叠的第一修复单元271起皱或崩溃或者在修复期间待断开的线宽度增加。因此，当根据本公开的另一个示例性实施方式的修复单元270具有Y形时，确保待修复的数据支线DBL与参考支线RBL的区域之间的间隔。因此，在图案化期间，可以抑制被设置为分别与参考支线RBL和数据支线DBL交叠的第一修复单元271起皱或崩溃或在修复期间待断开的线宽增加的问题。

修复单元270的第一修复单元271被期望设置为与选通线GL间隔开至少4μm或更大的间隔。这是因为，如果第一修复单元271与选通线GL交叠，则在显示装置200的驱动期间需要截止的第二晶体管130和第三晶体管140会导通而导致驱动故障问题。因此，第一修复单元271与选通线GL间隔4μm以上，从而可以抑制在显示装置200的驱动过程中截止的第二晶体管130和第三晶体管140引起的驱动故障问题。

修复单元270从选通线GL延伸出，使得其可以由铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金(即，不透明金属)构成。因此，可以在与参考支线RBL和数据支线DBL交叠的区域中接受或反射特定波长带中的激光，使得修复单元270可以在对应区域中执行修复处理。

然而，设置在蓝色子像素SPB、绿色子像素SPG、红色子像素SPR和白色子像素SPW中的每一者中的修复单元270可以设置在除与信号线交叠的区域之外的区域中。也就是说，可以省略被设置为靠近信号线的区域中的修复单元270。具体地，可以在与始终施加恒定电压的布线相邻的区域中省略修复单元270。例如，修复单元270的第一修复单元271不设置在与第一参考线RL1相邻的蓝色子像素SPB的参考支线RBL交叠的区域中，使得可以抑制参考支线RBL与修复单元270之间产生的短路。

参考支线RBL和数据支线DBL可以在与修复单元270的第一修复单元271交叠的区域中形成有其中层叠有半导体层和透明氧化物层的层叠结构。这是因为当与第一修复单元271交叠的数据支线DBL和参考支线RBL的区域仅由半导体层形成而不具有透明氧化物层时，该区域可以作为晶体管操作。因此，在本公开的显示装置200中，在与第一修复单元271交叠的区域中，参考支线RBL和数据支线DBL形成有其中层叠有半导体层和透明氧化物层的层叠结构从而不作为晶体管操作。通过这样做，可以抑制操作故障。

图9A例示了在执行修复处理之前修复单元270的第一修复单元271和数据支线DBL交叠的结构，并且图9B例示了在执行修复处理之后的结构。参照图9B，在通过激光进行修复处理之后，在数据支线DBL的具有半导体层DBL1和透明氧化物层DL2层叠的结构的区域(与修复单元270的第一修复单元271交叠)中，数据支线DBL可以由于第一修复单元271反射的激光而彼此断开。也就是说，当激光照射在与第一修复单元271和数据支线DBL交叠的区域时，第一修复单元271接收并反射激光的能量，使得数据支线DBL的半导体层DBL1和透明氧化物层DBL2也可以断开。因此，向子像素发送参考电压的电流路径断开，使得子像素可以通过激光修复工艺变暗。

因此，在根据本公开的该示例性实施方式的显示装置100中，为了执行修复处理，修复单元170被设置为与参考支线RBL和数据支线DBL交叠以在确保开口率的同时稳定地执行修复处理。

也就是说，支线包括其中层叠有半导体层和层叠在半导体层上的透明氧化物层的层叠结构，使得即使支线通过发光区域EA，也不影响开口率。因此，支线不需要仅设置在非发光区域中，使得与现有技术的参考支线的结构相比，可以自由地执行设计并且可以确保开口率。

此外，如上所述，支线由透明材料构成，使得可以确保由执行修复处理所需的支线上的附加金属层而减小的开口面积。也就是说，根据本公开的该示例性实施方式的显示装置100可以在使开口率最大化的同时在参考线RL上实现稳定的修复。

图10是根据本公开的又一个示例性实施方式的显示装置的放大平面图。图11是图10的区域C的放大图；并且图12A和图12B是沿着图11的线XII-XII’截取的截面图。

除了修复单元370之外，图10至图12B的显示装置300的配置基本相同，因此将省略冗余描述。例如，修复单元370被设置为与选通线GL间隔开并且与待切割的对应布线的部分交叠的单独部件。在图11中，为了描述方便，仅例示了第三晶体管140、数据线DL3、选通线GL、高电位电力线VDDL、数据支线DBL、参考支线RBL和修复单元370。在图12A和图12B中，为了便于描述，仅示出了显示装置300的各种部件当中的从基板110到发光层117的配置。图12A和图12B是红色子像素SPR的截面图，但是红色子像素SPR的截面结构可以与白色子像素SPW、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG的截面结构基本相同。

参照图10和图11，在参考支线RBL和数据支线DBL的部分区域中，设置与参考支线RBL和数据支线DBL交叠的修复单元370。

修复单元370用于参考支线RBL和数据支线DBL的修复处理。修复单元370可以设置在非发光区域中的阳极115上。例如，修复单元370可以设置在非发光区域NEA中设置的阳极115上方以与其直接接触，并且与设置在修复单元370下方的参考支线RBL和数据支线DBL交叠。

此外，参照图11，修复单元370可以被设置为以矩形形状与数据支线DBL和参考支线RBL的修复区域交叠。因此，与从修复区域延伸至选通线GL以设置于第二晶体管130与第三晶体管140之间的修复单元相比，容易适用于较高分辨率模式而不受诸如第二晶体管130与第三晶体管140之间的价格之类的设计裕度影响。

修复单元370被期望设置为与选通线GL间隔开至少4μm或更大的间隔。这是因为如果修复单元370与选通线GL交叠，则在显示装置200的驱动期间需要截止的第二晶体管130和第三晶体管140会导通而导致驱动故障问题。因此，修复单元370与选通线GL间隔4μm或更大，以抑制在驱动期间截止的第二晶体管130和第三晶体管140引起的驱动故障问题。

此外，修复单元370可以由铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或其合金(即，不透明金属)构成。因此，在与参考支线RBL和数据支线DBL交叠的区域中接受或反射特定波长带中的激光，使得修复单元370可以在对应区域中执行修复处理。

图12A例示了在执行修复处理之前修复单元370和数据支线DBL交叠的结构，并且图12B示出了在执行修复处理之后的结构。参照图12B，在通过激光执行修复处理之后，在具有层叠有半导体层DBL1和透明氧化物层DBL2的结构的数据支线DBL的区域(与修复单元370交叠)中，数据支线DBL可以与修复单元370一起断开。也就是说，当激光照射在与修复单元370和数据支线DBL交叠的区域中时，修复单元370接收并反射激光的能量，使得数据支线DBL的半导体层DBL1和透明氧化物层DPB2也可以断开。因此，向子像素发送参考电压的电流路径断开，使得子像素可以通过激光修复处理而变暗。然而，在图12A和图12B中，例示了与修复单元370交叠的区域中的数据支线DBL具有其中层叠有半导体层DBL1和透明氧化物层DBL2的层叠结构。但本公开不限于此，数据支线DBL可以具有仅由半导体层DBL1形成的单层结构。

本公开的示例性实施方式还可以描述如下：

根据本公开的一个方面，提供了一种显示装置。该显示装置包括：基板，在所述基板中包括发光区域和非发光区域并且限定了多个子像素；在非发光区域中并且在一个方向上延伸的选通线；在非发光区域中并且与所述选通线交叉的至少一条信号线，连接到至少一条信号线的至少一条支线；和与至少一条支线交叠的修复单元。

修复单元可以被配置为将激光反射到与修复单元交叠的至少一条支线上，并且切割所述至少一条支线以停用子像素中的一个子像素。

所述至少一条支线的至少一部分可以包括其中层叠有半导体层和透明氧化物层的层叠结构。

所述至少一条支线的层叠结构可以与发光区域交叠。

所述修复单元可以具有Y形。

所述修复单元可以设置为在与设置在非发光区域中的遮光层相同的层上与所述至少一条支线交叠。

所述修复单元可以包括与所述至少一条支线交叠的第一修复单元和从所述第一修复单元延伸以连接到所述遮光层的第二修复单元。

所述第一修复单元的宽度可以小于所述至少一条支线的宽度。

所述第一修复单元可以被设置在除了与信号线相邻的区域之外的区域中。

所述修复单元可以设置为在与所述选通线相同的层上与所述至少一条支线交叠。

所述修复单元可以包括与所述至少一条支线交叠的第一修复单元和从所述第一修复单元延伸以连接到所述选通线的第二修复单元。

与所述第一修复单元交叠的区域的所述至少一条支线可以包括所述层叠结构。

所述修复单元可以被设置为在设置在非发光区域中的阳极上方与至少一条支线交叠。

所述至少一条信号线可以包括设置在所述非发光区域中的至少一条高电位电力线、设置在所述非发光区域中的至少一条数据线和设置在所述非发光区域中的至少一条参考线。

所述选通线可以包括从与所述至少一个高电位电力线、所述至少一条数据线和所述至少一条参考线交叉的区域分支的第一桥接线和第二桥接线。

所述至少一条支线可以包括至少一条参考支线和至少一条数据支线，所述至少一条参考支线连接到所述至少一条参考线以向所述多个子像素施加参考电压，并且所述至少一条数据支线连接到所述至少一条数据线以向所述多个子像素施加数据电压。

所述至少一条信号线可以在与第一方向交叉的第二方向上延伸。

根据本公开的另一方面，提供了一种显示装置。该显示装置包括：多个子像素，所述多个子像素设置在包括发光区域和非发光区域的基板上；选通线，所述选通线设置在所述非发光区域中，所述选通线在第一方向上延伸；第一信号线，所述第一信号线与所述选通线交叠，所述第一信号线在第二方向上延伸；第一支线，所述第一支线设置在所述发光区域中并且连接到所述第一信号线；第二信号线，所述第二信号线与所述选通线交叠，所述第二信号线在所述第二方向上延伸；第二支线，所述第二支线设置在所述发光区域中并且连接到所述第二信号线；修复单元，所述修复单元设置在所述第一支线与所述第二支线之间；和绝缘层，所述绝缘层设置在所述修复单元与所述第一支线和所述第二支线之间，其中，所述修复单元的第一部分与所述第一支线的一部分交叠，并且所述修复单元的第二部分与所述第二支线的一部分交叠。

所述第一支线和所述第二支线可以包括透明材料。

所述修复单元的所述第一部分可以包括反射材料并且可以被配置为将激光反射到所述第一支线的所述一部分上，并且所述修复单元的所述第二部分可以包括反射材料并且可以被配置为将激光反射到所述第二支线的所述一部分上。

尽管已经参照附图详细描述了本公开的示例性实施方式，但是本公开不限于此，并且可以以许多不同的形式体现，而不脱离本公开的技术构思。因此，本公开的示例性实施方式仅出于说明性目的提供，而不旨在限制本公开的技术概念。本公开的技术构思的范围不限于此。因此，应当理解，上述示例性实施方式在所有方面都是说明性的，并且不限制本公开。本公开的保护范围应基于以下权利要求来解释，并且其等效范围内的所有技术构思均应解释为落入本公开的保护范围内。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2022年12月30日提交到韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2022-0190568的优先权，其公开内容通过引用并入本文。

Claims (20)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：

基板，在所述基板中包括发光区域和非发光区域并且限定有多个子像素；

选通线，所述选通线位于所述非发光区域中并且在第一方向上延伸；

至少一条信号线，所述至少一条信号线位于所述非发光区域中并且与所述选通线交叉；

至少一条支线，所述至少一条支线连接到所述至少一条信号线；以及

修复单元，所述修复单元与所述至少一条支线交叠。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述修复单元被配置为将激光反射到与所述修复单元交叠的所述至少一条支线上并且将所述至少一条支线切断以停用所述多个子像素中的一个子像素。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述至少一条支线的至少一部分包括其中层叠有半导体层和透明氧化物层的层叠结构。

4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述至少一条支线的所述层叠结构与所述发光区域交叠。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述修复单元具有Y形或者所述修复单元包括分叉成两个突出部分的基部。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述修复单元被设置在与设置在所述非发光区域中的遮光层相同的层上以与所述至少一条支线交叠。

7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述修复单元包括：

第一修复单元，所述第一修复单元与所述至少一条支线交叠；以及

第二修复单元，所述第二修复单元从所述第一修复单元延伸出以连接到所述遮光层。

8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第一修复单元的宽度小于所述至少一条支线的宽度。

9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述第一修复单元被设置在除了与所述信号线相邻的区域之外的区域中。

10.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述修复单元被设置在与所述选通线相同的层上以与所述至少一条支线交叠。

11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述修复单元包括：

第一修复单元，所述第一修复单元与所述至少一条支线交叠；以及

第二修复单元，所述第二修复单元从所述第一修复单元延伸出以连接到所述选通线。

12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，与所述第一修复单元交叠的区域的所述至少一条支线包括具有半导体层和透明氧化物层的层叠结构。

13.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述修复单元被设置在所述非发光区域中设置的阳极上方以与所述至少一条支线交叠。

14.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述至少一条信号线包括：

至少一条高电位电力线，所述至少一条高电位电力线设置在所述非发光区域中；

至少一条数据线，所述至少一条数据线设置在所述非发光区域中；以及

至少一条参考线，所述至少一条参考线设置在所述非发光区域中。

15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述选通线包括从与所述至少一条高电位电力线、所述至少一条数据线和所述至少一条参考线中的至少一者交叉的区域分支的第一桥接线和第二桥接线。

16.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述至少一条支线包括：

至少一条参考支线，所述至少一条参考支线连接到所述至少一条参考线以向所述多个子像素施加参考电压；以及

至少一条数据支线，所述至少一条数据支线连接到所述至少一条数据线以向所述多个子像素施加数据电压。

17.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述至少一条信号线在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸。

18.一种显示装置，所述显示装置包括：

多个子像素，所述多个子像素设置在包括发光区域和非发光区域的基板上；

选通线，所述选通线设置在所述非发光区域中，所述选通线在第一方向上延伸；

第一信号线，所述第一信号线与所述选通线交叠，所述第一信号线在第二方向上延伸；

第一支线，所述第一支线设置在所述发光区域中并且连接到所述第一信号线；

第二信号线，所述第二信号线与所述选通线交叠，所述第二信号线在所述第二方向上延伸；

第二支线，所述第二支线设置在所述发光区域中并且连接到所述第二信号线；

修复单元，所述修复单元设置在所述第一支线与所述第二支线之间；以及

绝缘层，所述绝缘层设置在所述修复单元与所述第一支线和所述第二支线之间，

其中，所述修复单元的第一部分与所述第一支线的一部分交叠，并且所述修复单元的第二部分与所述第二支线的一部分交叠。

19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述第一支线和所述第二支线包括透明材料。

20.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述修复单元的所述第一部分包括反射材料并且被配置为将激光反射到所述第一支线的所述一部分上，并且

其中，所述修复单元的所述第二部分包括所述反射材料并且被配置为将所述激光反射到所述第二支线的所述一部分上。