CN118284132A - 显示面板和显示装置 - Google Patents

Abstract

提供了显示面板和显示装置。用于显示装置的子像素可以包括：设置在衬底上的晶体管；设置在晶体管上的第一平坦化层，第一平坦化层包括与子像素的发光区域对应的凹部；设置在第一平坦化层的凹部中的阳极电极；设置在阳极电极上的发光层；以及设置在阳极电极上的堤。此外，堤的一部分在发光层的一部分与阳极电极的倾斜侧表面的一部分之间的区域中设置在第一平坦化层的凹部中。

Description

显示面板和显示装置

对相关申请的交叉引用

本申请要求于2022年12月29日提交的韩国专利申请第10-2022-0188459号的优先权，出于所有目的将该韩国专利申请通过引用在此并入，如同在本文中完全阐述一样。

技术领域

本公开内容的实施方式涉及显示面板和显示装置。

背景技术

将各种信息实现为屏幕的显示装置是信息和通信技术时代的关键技术，并且起到在显示区域中显示各种信息的作用。

显示装置可能需要优异的显示质量和发光效率。特别地，发光效率的重要性正在增加，因为根据技术发展，显示装置需要使用有限的功率。

显示装置的光效率可以由包括在显示装置中的发光元件来确定。包括具有优异的光效率的发光元件的显示装置可以具有优异的光效率。因此，作为用于提高显示装置的光效率的方法，可以考虑提高发光元件的光效率。然而，难以提高发光元件的光效率。

发明内容

本公开内容的实施方式涉及具有能够提高光提取效率以及反射率和反射视觉感知特性的结构的显示面板和显示装置。

本公开内容的实施方式涉及能够通过高亮度特性进行低功率驱动的显示面板和显示装置，因为一个子像素包括发射相同颜色的光的多个发光区域。

本公开内容的实施方式涉及能够通过经由相同的工艺形成不同的部件来简化制造工艺的显示面板和显示装置。

本公开内容的实施方式可以提供一种显示面板，其包括：设置在衬底上的多个晶体管；设置在晶体管上的第一平坦化层；设置在第一平坦化层上并且包括至少一个凹部的第二平坦化层；设置在第二平坦化层的凹部中的阳极电极；设置在第二平坦化层和阳极电极的上表面的一部分上并且设置在第二平坦化层的凹部的一部分中的堤；设置在阳极电极上的发光层；以及设置在发光层上的阴极电极，其中，第二平坦化层的透光率低于堤的透光率。

本公开内容的实施方式可以提供一种显示装置，其包括：设置在包括多个子像素的衬底上的第一平坦化层；设置在第一平坦化层上并且包括至少一个凹部的第二平坦化层；设置在第二平坦化层的凹部中的阳极电极；设置在第二平坦化层和阳极电极的上表面的一部分上并且设置在第二平坦化层的凹部的一部分中的堤；设置在阳极电极上的发光层；以及设置在发光层上的阴极电极，其中，多个子像素中的至少一个子像素包括：第一发光区域；围绕第一发光区域的第一非发光区域；以及围绕第一非发光区域的第二发光区域，其中，第二平坦化层的透光率低于第一平坦化层的透光率。

根据本公开内容的实施方式，可以提供能够增强亮度视角特性和光提取效率的显示面板和显示装置，因为在阳极电极下方的平坦化层吸收光并且包括与发光区域对应的凹部。

根据本公开内容的实施方式，可以提供能够通过高亮度特性进行低功率驱动的显示面板和显示装置，因为一个子像素包括发射相同颜色的光的多个发光区域。

根据本公开内容的实施方式，可以提供能够通过经由相同的工艺形成不同的部件来简化制造工艺的显示面板和显示装置。

附图说明

根据结合附图进行的以下详细描述，将更清楚地理解本公开内容的上述和其他目的、特征和优点，在附图中：

图1是示意性地示出根据本公开内容的实施方式的有机发光显示装置的系统配置的视图；

图2是示出根据本公开内容的实施方式的显示面板中的有源区域的部分结构的视图；

图3是示出根据本公开内容的实施方式的显示面板的结构的视图；

图4和图5是示意性地示出形成堤和间隔物的工艺的视图；

图6和图7是示出根据本公开内容的实施方式的显示装置的结构的截面图；

图8是示出使用黑色堤来增强反射率的一般显示面板中出现缺陷的情况的照片；

图9是示出根据实施方式和比较例的显示面板的反射率的视图；以及

图10是示出根据实施方式和比较例的显示面板的反射视觉感知的视图。

具体实施方式

在本公开内容的示例或实施方式的以下描述中，将参照附图，其中，通过说明的方式示出了可以实现的具体示例或实施方式，并且其中，相同的附图标记和符号可以用于表示相同或相似的部件，即使当它们在彼此不同的附图中示出时也是如此。此外，在本公开内容的示例或实施方式的以下描述中，当确定描述可能使本公开内容的一些实施方式中的主题相当不清楚时，将省略并入本文中的公知的功能和部件的详细描述。本文中使用的诸如“包括”、“具有”、“包含”、“构成”、“由……组成”和“由……形成”的术语通常旨在允许添加其他部件，除非这些术语与术语“仅”一起使用。如本文中使用的，单数形式旨在包括复数形式，除非上下文另有明确指示。

可以在本文中使用诸如“第一”、“第二”、“A”、“B”、“(A)”或“(B)”的术语来描述本公开内容的元件。这些术语中的每一个不用于限定元件等的本质、顺序、序列或数量，而仅用于将对应的元件与其他元件区分开。

当提到第一元件“连接或耦接至”第二元件、与第二元件“接触或交叠”等时，第一元件不仅可以“直接连接或耦接至”第二元件或者与第二元件“直接接触或交叠”，而且第三元件也可以“插入”在第一元件与第二元件之间，或者第一元件和第二元件可以经由第四元件“连接或耦接至”彼此、与彼此“接触或交叠”等。在此，第二元件可以被包括在“连接或耦接至”彼此、与彼此“接触或交叠”等的两个或更多个元件中的至少一个中。

当使用诸如“之后”、“随后”、“下一个”、“之前”等时间相关术语来描述元件或配置的处理或操作、或者操作、处理、制造方法中的流程或步骤时，这些术语可以用于描述非连续或非顺序的处理或操作，除非与术语“直接”或“立即”一起使用。

另外，当提到任何维度、相对尺寸等时，应当考虑，即使当没有指定相关描述时，元件或特征的数值或相应的信息(例如，电平、范围等)包括可以由各种因素(例如，处理因素、内部或外部影响、噪声等)导致的公差或误差范围。此外，术语“可以”完全包括术语“能够”的所有含义。

在下文中，参照附图详细描述本公开内容的各种实施方式。

图1是示意性示出根据本公开内容的实施方式的有机发光显示装置的系统配置的视图。

根据本公开内容的实施方式的有机发光显示装置100可以包括有机发光显示装置100、照明装置或发光装置。为了便于描述，以下描述主要集中在有机发光显示装置100。然而，本公开内容的实施方式也可以适用于其他各种有机发光显示装置100例如照明装置或发光装置，只要它们包括晶体管。

根据本公开内容的实施方式的有机发光显示装置100可以包括用于显示图像或输出光的显示面板(PLN)和用于驱动显示面板(PLN)的驱动电路。

根据本公开内容的实施方式的有机发光显示装置100可以是底部发射型有机发光显示装置，其朝向其上设置有发光元件的衬底发射光，但本公开内容不限于此。在一些情况下，本公开内容的有机发光显示装置100可以是顶部发射型电致发光显示装置，其远离其上设置有发光元件的衬底而发射光，或者是双发射型电致发光显示装置，其朝向衬底和远离衬底发射光。

显示面板PLN可以具有多条数据线DL和多条栅极线GL。显示面板PLN可以具有由多条数据线DL和多条栅极线GL限定的、以矩阵类型布置的多个子像素SP。

在显示面板PLN中，多条数据线DL和多条栅极线GL可以设置成彼此交叉。例如，多条栅极线GL可以被布置成行或列，并且多条数据线DL可以被布置成列或行。为了便于描述，以下假设多条栅极线GL被布置成行，并且多条数据线DL被布置成列。

取决于例如子像素结构，显示面板PLN可以具有其他类型的信号线以及多条数据线DL和多条栅极线GL。显示面板PLN还可以具有驱动电力线、参考电力线或公共电力线。

设置在显示面板PLN上的信号线的类型可以根据例如子像素结构而变化。在本公开内容中，信号线的概念可以包括施加信号的电极。

显示面板PLN可以包括用于显示图片或图像的有源区域A/A以及在有源区域A/A周围、不显示图像的非有源区域N/A。非有源区域N/A也称为边框区域。

有源区域A/A包括用于显示图像的多个子像素SP。

非有源区域N/A具有用于与数据驱动器DDR电连接的焊盘区域。非有源区域N/A可以具有用于将焊盘区域与多条数据线DL连接的多条数据链路线。多条数据链路线可以是多条数据线DL至非有源区域N/A的延伸，或者可以是与多条数据线DL电连接的单独的图案。

非有源区域N/A还可以包括与栅极驱动相关的线，以通过与数据驱动器DDR电连接的焊盘将栅极驱动所需的电压(信号)传输至栅极驱动器GDR。例如，与栅极驱动相关的线可以包括用于传输时钟信号的时钟线、用于传输栅极电压VGH和VGL的栅极电力线、以及用于传输生成扫描信号所需的各种控制信号的栅极驱动控制信号线。与设置在有源区域A/A中的栅极线GL不同，与栅极驱动相关的线设置在非有源区域N/A中。

驱动电路可以包括：用于驱动多个显示装置的数据驱动器DDR；用于驱动多条栅极线GL的栅极驱动器GDR；以及用于控制数据驱动器DDR和栅极驱动器GDR的控制器CTR。

数据驱动器DDR可以通过向多条数据线DL输出数据电压来驱动多条数据线DL。

栅极驱动器GDR可以通过向多条栅极线GL输出扫描信号来驱动多条栅极线GL。

控制器CTR可以通过供应用于数据驱动器DDR和栅极驱动器GDR的驱动操作所需的各种控制信号DCS和GCS来控制数据驱动器DDR和栅极驱动器GDR的驱动操作。此外，控制器CTR可以将图像数据DATA供应至数据驱动器DDR。

控制器(CTR)根据在每帧中实现的定时开始扫描。控制器CTR将从外部输入的输入图像数据转换成适合于数据驱动器DDR中使用的数据信号格式的图像数据DATA，输出图像数据DATA并在适合于扫描的适当时间控制数据驱动。

为了控制数据驱动器DDR和栅极驱动器GDR，控制器CTR从外部(例如，主机系统)接收定时信号例如垂直同步信号Vsync、水平同步信号Hsync、输入数据使能信号(数据使能(DE))或时钟信号CLK，并且可以生成各种控制信号。控制器CTR将所生成的控制信号输出至数据驱动器DDR和栅极驱动器GDR。

作为示例，为了控制栅极驱动器GDR，控制器CTR输出各种栅极控制信号GCS，包括栅极起始脉冲GSP、栅极移位时钟GSC和栅极输出使能信号(栅极输出使能，GOE)。

为了控制数据驱动器DDR，控制器CTR输出各种数据控制信号DCS，包括例如源极起始脉冲SSP、源极采样时钟SSC和源极输出使能信号(源极输出使能，SOE)。

控制器CTR可以是在典型的显示技术中使用的定时控制器。可替选地，控制器CTR可以是包括定时控制器的、能够进一步执行其他控制功能的控制装置。

控制器CTR可以被实现为与数据驱动器DDR分离的部件。可替选地，控制器CTR可以与数据驱动器DDR集成在集成电路中。

数据驱动器DDR从控制器CTR接收图像数据DATA，并将数据电压供应至多条数据线DL，从而驱动多条数据线DL。在此，数据驱动器DDR也被称为源极驱动器。

数据驱动器DDR可以经由各种接口与控制器CTR交换各种信号。

栅极驱动器GDR通过向多条栅极线GL依次供应扫描信号来依次驱动多条栅极线GL。在此，栅极驱动器GDR也被称为扫描驱动器。

栅极驱动器GDR在控制器CTR的控制下向多条栅极线GL依次供应导通电压或截止电压的扫描信号。

当特定的栅极线被栅极驱动器GDR打开时，数据驱动器DDR将从控制器CTR接收的图像数据DATA转换成模拟数据电压，并将模拟数据电压供应至多条数据线DL。

数据驱动器DDR可以位于显示面板PLN的一侧(例如，上侧或下侧)。然而，本公开内容的实施方式不限于此。例如，根据驱动方案或显示面板设计方案，数据驱动器DDR可以位于显示面板PLN的两侧(例如，上侧和下侧二者)。

栅极驱动器GDR可以位于显示面板PLN的一侧(例如，左侧或右侧)。然而，本公开内容的实施方式不限于此。例如，根据驱动方案或显示面板设计方案，栅极驱动器GDR可以位于显示面板PLN的两侧(例如，左侧和右侧二者)。

数据驱动器DDR可以包括一个或更多个源极驱动器集成电路(SDIC)。

每个源极驱动器集成电路(SDIC)可以包括：移位寄存器、锁存电路、数模转换器(DAC)和输出缓冲器。在一些情况下，数据驱动器DDR还可以包括一个或更多个模数转换器ADC。

每个源极驱动器集成电路SDIC可以以带式自动接合(TAB)类型或玻璃上芯片(COG)类型连接至显示面板PLN的接合焊盘。可替选地，每个源极驱动器集成电路SDIC可以直接设置在显示面板PLN上。在一些情况下，每个源极驱动器集成电路(SDIC)可以被集成并设置在显示面板PLN上。每个源极驱动器集成电路(SDIC)可以以膜上芯片(COF)类型实现。在此情况下，每个源极驱动器集成电路SDIC可以安装在电路膜上。安装在电路膜上的每个源极驱动器集成电路SDIC可以通过电路膜电连接至显示面板PLN的数据线DL。

栅极驱动器GDR可以包括多个栅极驱动电路GDC。多个栅极驱动电路可以分别对应于多条栅极线GL。

每个栅极驱动电路GDC可以包括例如移位寄存器和电平移位器。

每个栅极驱动电路GDC可以以带式自动接合(TAB)类型或玻璃上芯片(COG)类型连接至显示面板PLN的接合焊盘。每个栅极驱动电路GDC可以以膜上芯片(COF)方案实现。在此情况下，每个栅极驱动电路GDC可以安装在电路膜上。安装在电路膜上的每个栅极驱动电路GDC可以通过电路膜电连接至显示面板PLN的栅极线GL。每个栅极驱动电路GDC可以以面板内栅极(GIP)类型实现，并且被嵌入在显示面板PLN中。因此，每个栅极驱动电路GDC可以直接形成在显示面板PLN上。

图2是示出根据本公开内容的实施方式的显示面板中的有源区域的部分结构的视图。

参照图2，当以垂直结构观看时，显示面板110可以包括晶体管形成部分、发光元件形成部分和封装部分。

晶体管形成部分可以包括：衬底SUB；衬底SUB上的第一缓冲层BUF1；以及形成在第一缓冲层BUF1上的各种晶体管T1和T2、存储电容器Cst以及各种电极或信号线。

衬底SUB可以包括第一衬底SUB1和第二衬底SUB2。中间膜INTL可以存在于第一衬底SUB1与第二衬底SUB2之间。例如，中间膜INTL可以是无机膜并且可以阻挡湿气渗透。

第一缓冲层BUF1可以是单膜或多膜结构。当第一缓冲层BUF1以多膜结构形成时，第一缓冲层BUF1可以包括多缓冲层MBUF和有源缓冲层ABUF。

第一光阻挡层BML1可以设置在第一缓冲层BUF1与衬底SUB之间。

同时，参照图2，第一光阻挡层BML1可以与第一有源层ACT1的全部或部分地交叠。

例如，第一光阻挡层BML1可以用作光屏蔽以阻挡从其下方引入的光。在此情况下，第一光阻挡层BML1可以电连接至第一源电极S1。第一光阻挡层BML1可以设置在第一晶体管T1下方，并且可以保护第一晶体管T1不受从其下方引入的光的影响。

可以在第一缓冲层BUF1上形成各种晶体管T1和T2、存储电容器Cst以及各种电极或信号线。

例如，形成在第一缓冲层BUF1上的晶体管T1和T2由相同的材料形成并形成在同一层上。可替选地，如图2所示，在晶体管T1和T2之中，第一晶体管T1和第二晶体管T2可以由不同的材料形成，并且可以位于不同的层上。

参照图2，第一晶体管T1可以包括第一有源层ACT1、第一栅电极G1、第一源电极S1和第一漏电极D1。

第二晶体管T2可以包括第二有源层ACT2、第二栅电极G2、第二源电极S2和第二漏电极D2。

第二晶体管T2的第二有源层ACT2可以位于比第一晶体管T1的第一有源层ACT1高的位置。

第一缓冲层BUF1可以设置在第一晶体管T1的第一有源层ACT1下方，并且第二缓冲层BUF2可以设置在第二晶体管T2的第二有源层ACT2下方。

此外，第二光阻挡层BML2可以设置在第二有源层ACT2下方。

换言之，第一晶体管T1的第一有源层ACT1可以位于第一缓冲层BUF1上，并且第二晶体管T2的第二有源层ACT2可以位于第二缓冲层BUF2上。在此，第二缓冲层BUF2可以位于比第一缓冲层BUF1高的位置。

第一晶体管T1的第一有源层ACT1可以设置在第一缓冲层BUF1上，且第一栅极绝缘膜GI1可以形成在第一晶体管T1的第一有源层ACT1上。第一晶体管T1的第一栅电极G1可以设置在第一栅极绝缘膜GI1上，且第一层间绝缘膜ILD1可以设置在第一晶体管T1的第一栅电极G1上。

在此，第一晶体管T1的第一有源层ACT1可以包括与第一栅电极G1交叠的第一沟道区域、位于第一沟道区域的一侧的第一源极连接区域、以及位于第一沟道区域的另一侧的第一漏极连接区域。

第二缓冲层BUF2可以设置在第一层间绝缘膜ILD1上。

第二晶体管T2的第二有源层ACT2可以设置在第二缓冲层BUF2上，并且第二栅极绝缘膜GI2可以设置在第二有源层ACT2上。第二晶体管T2的第二栅电极G2可以设置在第二栅极绝缘膜GI2上，并且第二层间绝缘膜ILD2可以设置在第二栅电极G2上。

在此，第二晶体管T2的第二有源层ACT2可以包括与第二栅电极G2交叠的第二沟道区域、位于第二沟道区域的一侧的第二源极连接区域、以及位于第二沟道区域的另一侧的第二漏极连接区域。

第一晶体管T1的第一源电极S1和第一漏电极D1可以设置在第二层间绝缘膜ILD2上。第二晶体管T2的第二源电极S2和第二漏电极D2可以设置在第二层间绝缘膜ILD2上。

第一晶体管T1的第一源电极S1和第一漏电极D1可以通过第二层间绝缘膜ILD2、第二栅极绝缘膜GI2、第二缓冲层BUF2、第一层间绝缘膜ILD1和第一栅极绝缘膜GI1的通孔分别与第一有源层ACT1的第一源极连接区域和第一漏极连接区域连接。

第二晶体管T2的第二源电极S2和第二漏电极D2可以通过第二层间绝缘膜ILD2和第二栅极绝缘膜GI2中的通孔分别与第二有源层ACT2的第二源极连接区域和第二漏极连接区域连接。

参照图2，存储电容器Cst可以包括第一电容器电极PLT1和第二电容器电极PLT2。存储电容器Cst可以设置在第一晶体管T1与第二晶体管T2之间。

参照图2，第一平坦化层PLN1可以设置在第一晶体管T1和第二晶体管T2上。换言之，第一平坦化层PLN1可以设置在第一晶体管T1的第一源电极S1和第一漏电极D1以及第二晶体管T2的第二源电极S2和第二漏电极D2。

参照图2，中继电极RE可以设置在第一平坦化层PLN1上。

中继电极RE可以是中继第一晶体管T1的第一源电极S1与发光元件ED的阳极电极AE之间的电连接的电极。

中继电极RE可以通过第一平坦化层PLN1中的孔电连接至第一晶体管T1的第一源电极S1。

第二平坦化层PLN2可以设置在中继电极RE和第一平坦化层PLN1上。

第三平坦化层PLN3可以设置在第二平坦化层PLN2上。发光元件ED的阳极电极AE可以通过第二平坦化层PLN2和第三平坦化层PLN3的接触孔区域电连接至中继电极RE。

尽管图2示出了第二平坦化层PLN2设置在第一平坦化层PLN1上并且第三平坦化层PLN3设置在第二平坦化层PLN2上的结构，但本公开内容的实施方式不限于此。例如，第三平坦化层PLN3可以设置在第一平坦化层PLN1上，或者仅第三平坦化层PLN3可以设置在第一衬底SUB1上。

第三平坦化层PLN3的透光率可以与第一平坦化层PLN1和第二平坦化层PLN2的透光率不同。

具体地，第三平坦化层PLN3的透光率可以低于第一平坦化层PLN1和第二平坦化层PLN2的透光率。例如，第三平坦化层PLN3可以以黑色形成并吸收光。尽管为了便于描述，第三平坦化层PLN3在附图中以对角线散列示出，但是第三平坦化层PLN3可以形成为具有可以完全或至少部分地阻挡光的纯不透明颜色或者纯黑色，但实施方式不限于此。第一平坦化层PLN1和第二平坦化层PLN2可以透射光。

第三平坦化层PLN3可以包括至少一个凹部210。

同时，尽管图2示出了第三平坦化层PLN3的凹部210具有暴露第二平坦化层PLN2的上表面的一部分的形状，但是本公开内容的实施方式不限于此。例如，第三平坦化层PLN3的凹部210可以不暴露第二平坦化层PLN2的上表面。例如，第三平坦化层PLN3的凹部210可以是贯穿第三平坦化层PLN3以暴露第二平坦化层PLN2的上表面的一部分的一种凹孔，但实施方式不限于此。根据另一实施方式，第三平坦化层PLN3的凹部210可以是第三平坦化层PLN3的上表面中的凹陷或凹坑，而不贯穿第三平坦化层PLN3。

在此情况下，凹部210所位于的区域中的第三平坦化层PLN3的高度低于没有形成凹部210的区域中的第三平坦化层PLN3的高度(除接触孔区域外)。第三平坦化层PLN3可以包括包含接触孔区域的至少两个凹部210。在此情况下，位于第二平坦化层PLN2和第三平坦化层PLN3中的接触孔区域的高度可以大于凹部210所位于的区域中的第三平坦化层PLN3的高度。此外，凹部210的宽度可以大于接触孔区域的宽度。

发光元件ED的阳极电极AE可以设置在第二平坦化层PLN2和第三平坦化层PLN3上。

阳极电极AE可以包括能够反射光的反射电极。

尽管图2示出了阳极电极AE是单层的结构，但是根据本公开内容的实施方式的阳极电极AE的结构不限于此。

如图2所示，阳极电极AE可以具有多层结构，在此情况下，阳极电极AE可以包括至少一个反射电极层和至少一个透明导电材料层。例如，阳极电极AE可以具有三层结构，包括第一透明导电材料层AE1、设置在第一透明导电材料层AE1上的反射电极层AE2、以及设置在反射电极层AE2上的第二透明导电材料层AE3。

阳极电极AE的第一透明导电材料层AE1和第二透明导电材料层AE3可以包括铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)或铟镓锌氧化物(IGZO)中的至少一种，但不限于此。

阳极电极AE的反射电极层AE2可以包括金属例如铝(Al)、金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、钨(W)、钼(Mo)、铬(Cr)、钽(Ta)和钛(Ti)中的任何一种或其合金，但是本公开内容不限于此。

在此，接触第三平坦化层PLN3的第一透明导电材料层AE1的厚度可以大于第二透明导电材料层AE3的厚度。因此，从第三平坦化层PLN3生成的反应成分(例如，杂质)可以被阻挡，从而防止反应成分影响发光层EL。在此情况下，第一透明导电材料层AE1的厚度可以小于包括金属或金属合金的反射电极层AE2的厚度。

参照图2，阳极电极AE可以设置在第三平坦化层PLN3的凹部210中。具体地，阳极电极AE可以设置在第三平坦化层PLN3中设置的凹部210的底部和侧表面上，并延伸至第三平坦化层PLN3的上表面的一部分。

此外，阳极电极AE可以设置在第三平坦化层PLN3的上表面的一部分上，并且还可以设置在第三平坦化层PLN3和第二平坦化层PLN2中设置的接触孔中。

因此，如图2所示，阳极电极AE可以在与第三平坦化层PLN3的凹部210对应的区域中接触第二平坦化层PLN2的上表面。此外，阳极电极AE可以通过第三平坦化层PLN3和第二平坦化层PLN2中设置的接触孔接触设置在第二平坦化层PLN2下方的中继电极RE。

堤BK可以设置在阳极电极AE和第三平坦化层PLN3上。

堤BK可以包括暴露阳极电极AE的上表面的一部分的堤孔。换言之，形成在堤BK中的一个堤孔可以与一个阳极电极AE的一部分交叠。

参照图2，堤BK也可以与第三平坦化层PLN3的凹部210的一部分交叠。具体地，堤BK设置在第三平坦化层PLN3的凹部210中的第三平坦化层PLN3的侧表面上，并且还可以设置在阳极电极AE的上表面的一部分上。例如，堤BK的一部分可以延伸至第三平坦化层PLN3的凹部210中，并且设置在阳极电极AE的一部分与发光层EL和阴极电极CE的部分之间(例如，侧壁区域中)。例如，设置在阳极电极AE的一部分与发光层EL和阴极电极CE的部分之间的堤BK的部分可以对应于第一非发光区域NEA1。堤BK还可以与接触孔区域交叠。具体地，堤BK可以填充第二平坦化层PLN2和第三平坦化层PLN3中形成的接触孔区域。接触孔区域中的堤BK的高度可以大于与凹部210部分地交叠的堤BK的高度。

参照图2，发光元件ED的发光层EL可以设置在部分地暴露阳极电极AE的上表面的堤孔中。换言之，发光层EL可以设置在阳极电极AE的不与堤BK交叠的上表面上。

然而，根据本公开内容的实施方式的发光层EL的结构不限于此，并且发光层EL可以设置在堤孔中，并且附加地设置在堤的上表面上。

在此情况下，发光层EL可以包括具有不同厚度的区域。具体地，在第三平坦化层PLN3的凹部210中定位有暴露阳极电极AE的上表面的一部分的堤孔的、与子像素中的第一发光区域EA1对应的区域中的发光层EL的厚度可以大于与凹部210的倾斜表面对应的、与第二发光区域EA2对应的区域中的发光层EL的厚度。

此外，在第三平坦化层PLN3的凹部210中定位有暴露阳极电极AE的上表面的一部分的堤孔的、与子像素中的第一发光区域EA1对应的区域中的阳极电极AE的厚度可以大于与凹部210的倾斜表面对应的、与第二发光区域EA2对应的区域中的阳极电极AE的厚度。

因此，可以延长电流路径，从而防止生成横向漏电流。

然而，为了便于描述，以下描述主要集中在发光层EL设置在阳极电极AE的不与堤BK交叠的上表面上的结构。

参照图2，发光层EL可以设置在第三平坦化层PLN3的凹部210中。

参照图2，发光元件ED的阴极电极CE可以设置在发光层EL和堤BK上。

阴极电极CE可以由包括透明导电材料的层形成。此外，阴极电极CE可以由包括由金属或金属合金形成的半透明电极的层形成。

至少一个间隔物SPCE可以存在于阴极电极CE与堤BK之间。至少一个间隔物SPCE可以设置成与接触孔区域交叠。此外，根据实施方式，间隔物SPCE的中心可以与接触孔的中心对准，但实施方式不限于此。由于第二平坦化层PLN2和第三平坦化层PLN3中形成的接触孔区域被堤BK填充并且在接触孔区域上方形成间隔物SPCE，因此包括间隔物SPCE的接触孔区域中的堤BK的高度可以大于与凹部210部分地交叠的堤BK的高度。

间隔物SPCE可以由与堤BK相同的材料形成，但本公开内容的实施方式不限于此。

堤BK和间隔物SPCE可以由透明绝缘材料形成。

堤BK的透光率可以高于第三平坦化层PLN3的透光率。

根据本公开内容的实施方式的显示面板110可以具有一个子像素包括多个发光区域EA1和EA2的结构。而且，一个子像素在平面图中可以具有圆形形状，但实施方式不限于此。例如，一个子像素可以具有多边形形状、正方形形状、椭圆形状、六边形形状、三角形形状或者具有圆角的形状。

具体地，参照图2，堤BK未设置在阳极电极AE上的区域可以是包括在一个子像素中的第一发光区域EA1。换言之，在第三平坦化层PLN3的凹部210中定位有暴露阳极电极AE的上表面的一部分的堤孔的区域可以是子像素的第一发光区域EA1。

参照图2，在平面图中，第一发光区域EA1可以被第一非发光区域NEA1围绕。第一非发光区域NEA1可以对应于在阳极电极AE与发光层EL之间(例如，阳极电极AE的倾斜侧表面附近)的空间中堤BK与阳极电极AE交叠的区域。

在平面图中，第一非发光区域NEA1可以被包括在一个子像素中的第二发光区域EA2围绕。

第一发光区域EA1和第二发光区域EA2可以是发射相同颜色的光的区域。

第一非发光区域NEA1可以是设置有不与堤BK交叠的阳极电极AE的区域和与由第三平坦化层PLN3的凹部210提供的第三平坦化层PLN3的倾斜侧表面对应的区域之间的区域。

第一非发光区域NEA1可以是当显示面板处于接通状态时处于黑色状态的区域。或者，第一非发光区域NEA1可以是由于从第一发光区域EA1和第二发光区域EA2中的至少一个入射的光而具有比第一发光区域EA1和第二发光区域EA2的亮度低的亮度的区域。

在截面图中，第二发光区域EA2可以是与由设置在第三平坦化层PLN3中的凹部210提供的第三平坦化层PLN3的倾斜侧表面对应的区域。

第二发光区域EA2可以是当从发光元件ED发射的光由于设置在由设置在第三平坦化层PLN3中的凹部210提供的第三平坦化层PLN3的倾斜侧表面上的阳极电极AE而被反射时形成的区域。

参照图2，在平面图中，第二非发光区域NEA2可以设置成围绕第二发光区域EA2。

第二非发光区域NEA2可以包括设置有堤BK的区域，并且可以包括除与第三平坦化层PLN3的凹部210的底部和凹部210的侧表面对应的区域以外的区域。

第二非发光区域NEA2可以是一个子像素的第二发光区域EA2与另一个子像素的第二发光区域EA2之间的区域。

如上所述，在根据本公开内容的实施方式的显示面板110中，由于包括反射电极的阳极电极AE设置在第三平坦化层PLN3中设置的凹部210中，包括在一个子像素中的发光区域的面积可以增加。

在根据本公开内容的实施方式的显示面板110中，第三平坦化层PLN3可以以吸收光的颜色形成，而堤BK可以是透明的。例如，第三平坦化层PLN3可以是黑色或深色。

如图2所示，从发光元件ED发射的部分光可以从发光层EL向阴极电极CE发射。在此情况下，从发光元件ED发射的光可以包括从发光层EL行进至阳极电极AE并被包括反射电极的阳极电极AE反射至阴极电极CE外部的光。

此外，从发光元件ED发射的另一部分光可以穿过设置在第三平坦化层PLN3的凹部210中的堤BK，以到达设置在第三平坦化层PLN3与堤BK之间的阳极电极AE。在此情况下，光可以被包括反射电极的阳极电极AE反射，并发射至阴极电极CE外部。

在根据本公开内容的实施方式的显示面板110中，由于设置在第三平坦化层PLN3的凹部210中的堤BK由透明材料形成，因此可以引导光(例如，从发光元件发射的光)无损耗地穿过堤BK并且被设置在第三平坦化层PLN3的凹部210的倾斜表面上的阳极电极AE反射并最终发射至显示面板110外部。因此，可以增强显示面板110的光效率。

此外，由于第三平坦化层PLN3由吸收光的有色材料形成，因此从一个子像素发射的光可以不转移至包括发射不同颜色的光的发光区域的另一个相邻子像素。换言之，可以通过第三平坦化层PLN3减少漏光。此外，由于平坦化层PLN3阻挡光并且可以与阳极电极AE和发光层EL设置在同一层上，该装置可以具有更薄的轮廓，并且尺寸和重量可以减小。

图2示出了凹部210设置在第三平坦化层PLN3中的结构，但是根据本公开内容的实施方式的结构不限于此。

例如，还可以在设置在第三平坦化层PLN3下方的第二平坦化层PLN2中设置附加凹部。

下面参照图3对该结构进行描述。

图3是示出根据本公开内容的实施方式的显示面板的结构的视图。

参照图3，在根据本公开内容的实施方式的显示面板110中，第三平坦化层PLN3可以包括与第一发光区域EA1交叠的区域中的凹部210。

此外，设置在第三平坦化层PLN3下方的第二平坦化层PLN2可以包括附加凹部310。例如，设置在第二平坦化层PLN2中的附加凹部310的中心可以与设置在第三平坦化层PLL3中的凹部210的中心对准，但实施方式不限于此。

参照图3，设置在第二平坦化层PLN2中的附加凹部310可以与设置在第三平坦化层PLN3中的凹部210交叠。

第三平坦化层PLN3的凹部210可以暴露第二平坦化层PLN2的上表面。在此，第三平坦化层PLN3的凹部210可以设置成在设置有第二平坦化层PLN2的附加凹部310的区域中暴露第二平坦化层PLN2的上表面。

第三平坦化层PLN3的凹部210的高度X1可以大于第二平坦化层PLN2的附加凹部310的高度X2。

在图3所示的显示面板110中，设置在对应的子像素中的平坦化层的凹部的高度可以是第三平坦化层PLN3的凹部210的高度X1和第二平坦化层PLN2的附加凹部310的高度X2的总和。

第二平坦化层PLN2的附加凹部310可以不暴露设置在第二平坦化层PLN2下方的第一平坦化层PLN1的上表面，但是根据本公开内容的实施方式的显示面板110的结构不限于此。例如，第二平坦化层PLN2可以设置成由于附加凹部310而暴露第一平坦化层PLN1的上表面的一部分(例如，根据实施方式，附加凹部310可以贯穿第二平坦化层PLN2)。

参照图3，第二平坦化层PLN2的形成附加凹部310的侧表面(即，附加凹部的侧表面)的第一倾斜角a可以小于第三平坦化层PLN3的形成凹部210的侧表面(即，凹部的侧表面)的第二倾斜角b。例如，第三平坦化层PLN3的倾斜侧表面的斜率可以比第二平坦化层PLN2的倾斜侧表面的斜率陡。

在此，第一倾斜角a和第二倾斜角b可以是指由衬底SUB的表面和平坦化层的相应侧表面形成的角度。

由于第一倾斜角a被形成为小于第二倾斜角b，因此设置在附加凹部310中的第三平坦化层PLN3的侧表面的台阶可以增加。

因此，在附加凹部310和凹部210中，设置在第三平坦化层PLN3的侧表面上的阳极电极AE的面积可以增加，并且与第三平坦化层PLN3的侧表面对应的第二发光区域EA2的面积也可以增加。此外，根据另一实施方式，第一平坦化层PLN1可以具有可以与第三平坦化层PLN3中的凹部210和第二平坦化层PLN2中的附加凹部310交叠的第三凹部，并且阳极电极的一部分可以设置在第一平坦化层PLN1中的第三凹部中。

因此，设置有附加凹部310的子像素的亮度可以进一步增加。

在图2和图3中，至少一个间隔物SPCE可以设置在堤BK上。

间隔物SPCE可以用于防止在沉积发光层EL时使用的掩模接触衬底SUB并损坏设置在衬底SUB上的部件。

间隔物SPCE可以通过与堤BK相同的工艺形成并且包括相同的材料。

下面参照图4和图5对此进行讨论。

图4和图5是示意性地示出形成堤和间隔物的工艺的视图。

参照图4和图5，第一光阻挡层BML1、第一缓冲层BUF1、晶体管T1和T2、第一平坦化层PLN1和第二平坦化层PLN2可以依次设置在衬底SUB上，并且具有与第一发光区域EA1和第二发光区域EA2交叠的凹部210的第三平坦化层PLN3可以设置在第二平坦化层PLN2上。

参照图4和图5，至少一个焊盘电极PAD可以设置在非有源区域N/A中包括的焊盘区域中。

可以通过与设置在有源区域A/A中的第一光阻挡层BML1、第一栅电极G1、第二光阻挡层BML2、第二栅电极G2、第一源电极S1、第二源电极S2、第一漏电极D1和第二漏电极D2中的至少一个相同的工艺形成焊盘电极PAD并且可以包括相同的材料。

参照图4和图5，可以包括设置在非有源区域N/A中的坝DAM。

坝DAM可以包括彼此间隔开的第一坝图案DAMP1和第二坝图案DAMP2。第一坝图案DAMP1和第二坝图案DAMP2可以通过与第三平坦化层PLN3相同的工艺形成并且可以包括相同的材料。

换言之，第一坝图案DAMP1和第二坝图案DAMP2可以由吸收光的材料形成。

参照图4和图5，第三平坦化层PLN3也可以设置在焊盘电极PAD的上表面的一部分上。如上所述，由于由光吸收材料形成的第三平坦化层PLN3设置在焊盘电极PAD周围，因此可以抑制由于焊盘电极PAD引起的反射而导致的视觉感知的劣化。

参照图4和图5，阳极电极AE可以设置在第三平坦化层PLN3上。

堤材料可以设置在其中设置有阳极电极AE的衬底SUB上。

可以通过半色调掩模对设置在衬底SUB上的堤材料进行图案化。因此，由于堤BK和间隔物SPCE可以在同一工艺中形成，可以简化工艺。

由于堤BK和间隔物SPCE使用同一掩模形成，因此即使添加了使用具有与第一平坦化层PLN1和第二平坦化层PLN2不同的材料的第三平坦化层PLN3形成凹部210的工艺，制造显示面板的整个工艺也可以不包括附加工艺。

参照图6，第三坝图案DAMP3可以设置在第一坝图案DAMP1上，并且第四坝图案DAMP4可以形成在第二坝图案DAMP2上。

第三坝图案DAMP3和第四坝图案DAMP4可以在与形成堤BK和间隔物SPCE的工艺相同的工艺中形成。

尽管已经参照图2至图5描述了间隔物SPCE设置在堤BK上的结构，但是根据本公开内容的实施方式的显示装置的结构不限于此，并且间隔物SPCE可以不设置在堤BK。

此外，在图4和图5中，已描述了通过与形成堤BK的工艺相同的工艺形成间隔物SPCE，但是根据本公开内容的实施方式的显示装置的工艺不限于此，且形成间隔物SPCE的工艺和形成堤BK的工艺可以分开执行。

接下来，参照图6和图7进一步描述根据本公开内容的实施方式的显示装置的结构。

图6和图7是示出根据本公开内容的实施方式的显示装置的结构的截面图。

参照图6和图7，根据本公开内容的实施方式的显示装置可以具有如下结构：设置在第一平坦化层PLN1和第二平坦化层PLN2上的第三平坦化层PLN3在与第一发光区域EA1和第二发光区域EA2交叠的区域中具有凹部210。

封装层ENCAP可以设置在显示面板的发光元件ED上。封装层ENCAP可以设置成覆盖发光元件ED。

具体地，参照图6和图7，根据本公开内容的实施方式的显示面板可以包括形成在阴极电极CE(或第一阴极电极)上的封装层ENCAP。

封装层ENCAP可以是防止湿气或氧气渗透到设置在封装层ENCAP下方的发光元件ED中的层。特别地，封装层ENCAP可以防止湿气或氧气渗透到可能包括有机膜的发光层EL中。在此，封装层ENCAP可以由单膜或多膜结构组成。

参照图6和图7，封装层ENCAP可以包括第一封装层PAS1、第二封装层PCL和第三封装层PAS2。第一封装层PAS1和第三封装层PAS2可以是无机膜，而第二封装层PCL可以是有机层。

由于第二封装层PCL由有机膜形成，因此第二封装层PCL可以用作平坦化层。

参照图6和图7，封装层ENCAP可以包括第一封装层PAS1、第二封装层PCL和第三封装层PAS2。

第一封装层PAS1和第三封装层PAS2可以是无机膜，而第二封装层PCL可以是有机膜。

此外，第二封装层PCL和第三封装层PAS2可以设置在非有源区域N/A的一部分中，但可以不设置在其中设置有坝DAM的区域和其中设置有焊盘电极PAD的区域中。

同时，根据本公开内容的实施方式的显示面板110可以包括触摸传感器。在此情况下，根据本公开内容的实施方式的显示面板110可以包括形成在封装层ENCAP上的触摸传感器部分。

参照图6和图7，触摸传感器部分可以包括触摸传感器金属TSM和桥接金属BRG，并且还可以包括绝缘膜部件例如传感器缓冲层S-BUF、传感器层间绝缘膜S-ILD和传感器保护层S-PAC。

传感器缓冲层S-BUF可以设置在封装层ENCAP上。桥接金属BRG可以设置在传感器缓冲层S-BUF上。传感器层间绝缘膜S-ILD可以设置在桥接金属BRG上。

传感器缓冲层S-BUF和传感器层间绝缘膜S-ILD可以延伸至显示面板110的非有源区域N/A以及有源区域A/A。传感器缓冲层S-BUF和传感器层间绝缘膜S-ILD中的每一个可以设置成暴露非有源区域N/A中的焊盘电极PAD的上表面的一部分。

触摸传感器金属TSM可以设置在传感器层间绝缘膜S-ILD上。触摸传感器金属TSM中的一些可以通过传感器层间绝缘膜S-ILD中的孔连接至对应的桥接金属BRG。

多个触摸传感器金属TSM可以构成一个触摸电极(或一条触摸电极线)，并且可以设置成网格形式并被电连接。触摸传感器金属TSM中的一些触摸传感器金属和触摸传感器金属TSM中的一些其他触摸传感器金属可以通过桥接金属BRG电连接，从而构成一个触摸电极(或一条触摸电极线)。

参照图6和图7，触摸传感器金属TSM和桥接金属BRG可以设置成不与第一发光区域EA1和第二发光区域EA2交叠。例如，触摸传感器金属TSM和桥接金属BRG可以设置在子像素之间的区域中。

因此，当触摸传感器金属TSM与第一发光区域EA1和第二发光区域EA2交叠时，从发光元件ED发射至显示面板110外部的光量可能减少，因此亮度可能降低。然而，在根据本公开内容的实施方式的显示面板中，由于触摸传感器金属TSM不与第一发光区域EA1和第二发光区域EA2交叠，因此可以在保持高亮度特性的同时提供触摸功能。

参照图6和图7，触摸传感器金属TSM可以不与围绕第一发光区域EA1的第一非发光区域NEA1交叠。

甚至当第一非发光区域NEA1发射的光的亮度由于从第一发光区域EA1和第二发光区域EA2中的至少一个入射的光而低于第一发光区域EA1和第二发光区域EA2发射的光的亮度时，也可以防止由于触摸传感器金属TSM而导致的亮度的进一步降低。

参照图6和图7，触摸线TL可以设置在传感器层间绝缘膜S-ILD上。

触摸线TL可以电连接到至少一个触摸传感器金属TSM。

触摸线TL可以延伸至其中设置在非有源区域N/A中的焊盘电极PAD被设置的区域，并且可以电连接至焊盘电极PAD。

参照图6和图7，传感器保护层S-PAC可以设置在触摸线TL的一部分和触摸传感器金属TSM上。

此外，参照图7，根据本公开内容的实施方式的显示装置可以包括设置在发光元件ED上的多个滤色器CF。

例如，多个滤色器CF可以设置在触摸传感器金属TSM上。

参照图7，黑色矩阵BM可以设置在传感器保护层S-PAC上。黑色矩阵BM可以设置成不与形成在一个子像素区域中的第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第一非发光区域NEA1交叠。换言之，黑色矩阵BM可以设置成对应于第二非发光区域NEA2。例如，黑色矩阵BM中的开口可以与第三平坦化层PLN3中的开口对准，并且黑色矩阵BM中的开口的尺寸可以大于或等于第三平坦化层PLN3中的开口的尺寸。此外，黑色矩阵BM可以设置成对应于第三平坦化层PLN3，但实施方式不限于此。根据实施方式，黑色矩阵BM的面积可以大于第三平坦化层PLN3的面积。为了防止周边处的漏光，非有源区域N/A中的黑色矩阵BM的端部可以设置成比第三平坦化层PLN3的端部进一步向外延伸，但实施方式不限于此。此外，黑色矩阵BM可以形成为具有可以完全或至少部分地阻挡光的纯不透明颜色或者纯黑色，但实施方式不限于此。

黑色矩阵BM可以包括与显示面板110中的多个第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第一非发光区域NEA1对应的开口。例如，在顶视图或平面图中，黑色矩阵BM可以具有与子像素对应的开口，其中每个开口可以包括具有第一发光区域EA1、第二发光区域EA2以及在第一发光区域EA1与第二发光区域EA2之间的第一非发光区域NEA1的子像素，其中黑色矩阵BM不与发光区域交叠(例如，黑色矩阵BM可以具有网格结构或格点配置)。如图7中所示，黑色矩阵BM中的开口可以与第三平坦化层PLN3中的开口对准或对应。例如，黑色矩阵BM可以以具有与子像素对应的多个孔的片的形式配置。此外，第三平坦化层PLN3中的每个开口的尺寸可以小于或等于堤BK中的每个开口的尺寸，并且堤BK中的每个开口的尺寸可以小于黑色矩阵BM中的每个开口的尺寸和第三平坦化层PLN3中的开口的尺寸，但实施方式不限于此。

此外，如图7所示，多个滤色器CF可以设置在黑色矩阵BM和传感器保护层S-PAC的部分上以彼此间隔开。多个滤色器CF可以包括红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器。滤色器CF可以填充黑色矩阵BM中的开口并且可以填充传感器保护层S-PAC中的凹陷，但实施方式不限于此。此外，如图7中所示，第二平坦化层PLN2和第三平坦化层PLN3的高度或厚度可以彼此相等或基本相等，并且堤BK的高度或厚度可以小于第二平坦化层PLN2和第三平坦化层PLN3(例如，BK<PLN2且BK<PLN3)。以此方式，可以使显示面板更薄，并且可以使发射的光离开显示面板所行进的路径更短，这可以提高图像质量。此外，为了改善光提取，第三平坦化层PLN3的高度或厚度大于堤BK的高度或厚度，以便允许阳极的侧镜区域具有足以将光反射出显示面板的尺寸，同时还由于堤BK的薄度而保持薄的设计(例如，显示面板的薄度可以与阳极的足够反射性或光提取最佳地平衡)。

如上所述，由于滤色器CF被设置成不与第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第一非发光区域NEA交叠，因此可以增强显示面板的颜色坐标特性。

参照图7，传感器平坦化层S-PAC可以设置在滤色器CF和黑色矩阵BM上。

此外，如图7所示，在与显示面板的外边缘或侧区域对应的区域中，第二平坦化层PLN2、第三平坦化层PLN3和堤BK的外边缘可以彼此齐平和对准并且都具有相同的斜率。以此方式，可以节省空间并且可以实现更窄的边框。

参照图8描述了根据比较例的显示面板的问题。

图8是示出在使用黑色堤来增强反射率的一般显示面板中对黑色堤材料进行图案化的工艺之后，在已经从中去除黑色堤材料的区域中的发光元件的缺陷的照片。

图8的堤可以通过在阳极电极上形成黑色堤材料、通过灰化工艺图案化堤材料并暴露阳极电极的上表面的一部分的工艺来形成。阳极电极可以包括银(Ag)作为反射材料。

在图案化黑色堤材料的工艺中，设置在黑色堤材料下方的阳极电极可能被损坏，从而导致显示面板中的缺陷。

例如，当通过灰化工艺和灰化工艺之后的剥离工艺对黑色堤材料进行图案化时，可能发生阳极电极AE的撕裂，如图8所示。

此外，参照图8，当通过灰化工艺对黑色堤材料进行图案化并且用臭氧(O₃)清洁衬底时，阳极电极AE可能部分丢失。在此情况下，发光层EL和阴极电极CE也可能由于丢失的阳极电极AE的颗粒而被抬起。

此外，当通过灰化工艺对黑色堤材料进行图案化时，可能导致阳极电极AE的针孔，因此可能洗脱阳极电极AE成分。甚至在此情况下，发光层EL和阴极电极CE也可能由于丢失的阳极电极AE的颗粒而被抬起。

当阳极电极AE发生撕裂、丢失和洗脱时，可能在显示面板中出现暗点。

然而，在根据本公开内容的实施方式的显示面板中，由于透明堤设置在阳极电极的上表面的一部分上，因此可以防止在黑色堤材料被图案化的情况下可能出现的对阳极电极AE的损坏。

此外，由于黑色第三平坦化层PLN3设置在阳极电极AE下方，因此第三平坦化层PLN3可以被形成而不管对阳极电极AE的损坏。换言之，由于在形成阳极电极AE之前形成第三平坦化层PLN3，因此可以防止对阳极电极AE的损坏并且可以避免风险。例如，阳极电极AE、发光层EL和阴极电极CE与用于形成黑色第三平坦化层PLN3的步骤所对应的问题分离和隔离。

特别地，当根据本公开内容的实施方式的显示面板的阳极电极AE具有包括第一透明导电材料层、设置在第一透明导电材料层上的反射电极层和设置在反射电极层上的第二透明导电材料层的三层结构时，可以增强第一透明导电材料层的厚度，以防止由于从第三平坦化层生成的烟雾而导致的对反射电极层的损坏。

如果黑色堤位于具有三层结构的阳极电极AE上，则用于形成黑色堤材料的化学溶液可能渗透第二透明导电材料层，从而导致对反射电极层的损坏。由此，根据实施方式，黑色第三平坦化层PLN3可以在阳极电极AE之前形成，并且损坏具有三层结构的阳极电极AE的任何风险可以被避免。

可以通过增加第二透明导电材料层的厚度来防止化学溶液到达反射电极层。然而，由于第二透明导电材料层的厚度影响发光元件的微腔，因此在增加厚度方面存在限制。

另一方面，由于第一透明导电材料层的厚度不影响发光元件的微腔，因此增加厚度不会引起任何问题。如上所述，在根据本公开内容的实施方式的显示面板中，由于第三平坦化层PLN3设置在阳极电极AE下方，因此可以通过增加第一透明导电材料层的厚度来保护反射电极层免受损坏。

在此情况下，在根据本公开内容的实施方式的显示面板中，第一透明导电材料层的厚度可以大于第二透明导电材料层的厚度。

参照图9和图10描述了根据本公开内容的实施方式的显示面板的反射率和反射视觉感知特性。

图9是示出根据实施方式和比较例的显示面板的反射率的视图，并且图10是示出根据实施方式和比较例的显示面板的反射视觉感知的视图。

根据图9和图10的比较例的显示面板可以具有如下结构：晶体管设置在衬底上，普通透明平坦化层设置在晶体管上，阳极电极设置在平坦化层上，透明堤设置在阳极电极上，且发光层和阴极电极设置在阳极电极上。

根据图9和图10的实施方式的显示面板可以具有图2的结构。

首先，参照图9，根据实施方式的显示面板的反射率可以低于根据比较例的显示面板的反射率。

参照图10，反射视觉感知对于绿色和蓝色不平衡，但是可以看出，根据实施方式的显示面板的x轴上的值和y轴上的值相比于根据比较例的显示面板的x轴上的值和y轴上的值更接近于0。

换言之，可以看出，根据实施方式的显示面板的反射视觉感知的特性优于根据比较例的显示面板的反射视觉感知的特性。

根据上述公开内容的实施方式，可以提供能够提高光提取效率同时提供优异的反射率和反射视觉感知特性的显示面板和显示装置，因为在阳极电极下方的平坦化层吸收光并且包括与发光区域对应的凹部。

根据本公开内容的实施方式，可以提供能够通过高亮度特性进行低功率驱动的显示面板和显示装置，因为一个子像素包括发射相同颜色的光的多个发光区域。

根据本公开内容的实施方式，可以提供能够通过经由相同的工艺形成不同的部件来简化制造工艺的显示面板和显示装置。

呈现以上描述以使本领域的任何技术人员能够进行和使用本公开内容的技术思想，并且已在特定应用及其要求的背景下提供。对所描述的实施方式的各种修改、添加和替换对于本领域的技术人员将是很明显的，并且在不脱离本公开内容的精神和范围的情况下，本文中定义的一般原理可以应用于其他实施方式和应用。以上描述和附图仅出于说明的目的提供了本公开内容的技术思想的示例。也就是说，所公开的实施方式旨在说明本公开内容的技术思想的范围。

Claims (26)

1.一种子像素，包括：

设置在衬底上的晶体管；

设置在所述晶体管上的第一平坦化层，所述第一平坦化层包括与所述子像素的发光区域对应的凹部；

设置在所述第一平坦化层的所述凹部中的阳极电极；

设置在所述阳极电极上的发光层；以及

设置在所述阳极电极上的堤，

其中，所述堤的一部分在发光层的一部分与所述阳极电极的倾斜侧表面的一部分之间的区域中设置在所述第一平坦化层的所述凹部中。

2.根据权利要求1所述的子像素，其中，所述第一平坦化层被配置成阻挡或吸收光。

3.根据权利要求2所述的子像素，其中，所述第一平坦化层包括黑色材料。

4.根据权利要求1所述的子像素，其中，所述发光层的最下倾斜部分与所述阳极电极通过设置在所述发光层的所述最下倾斜部分与所述阳极电极之间的所述堤的一部分间隔开。

5.根据权利要求1所述的子像素，其中，所述堤包括被配置成允许从所述发光层发射的光通过所述堤的透明材料。

6.根据权利要求1所述的子像素，其中，所述第一平坦化层的所述凹部是贯穿所述第一平坦化层的孔。

7.根据权利要求1所述的子像素，其中，所述子像素的所述发光区域包括第一发光区域、第二发光区域以及在所述第一发光区域与所述第二发光区域之间的第一非发光区域。

8.根据权利要求7所述的子像素，其中，沿着所述第一平坦化层的所述凹部的底部延伸的所述阳极电极的一部分对应于所述第一发光区域，

其中，与设置在所述第一平坦化层的所述凹部中的所述堤的所述部分对应的区域对应于所述第一非发光区域，并且

其中，所述第一平坦化层的所述凹部的倾斜侧表面与所述阳极电极的倾斜侧表面之间的区域对应于所述第二发光区域。

9.根据权利要求8所述的子像素，其中，设置在所述第一平坦化层的所述凹部的倾斜侧表面上的所述阳极的一部分比沿着所述第一平坦化层的所述凹部的底部延伸的所述阳极电极的一部分薄。

10.根据权利要求1所述的子像素，还包括：

设置在所述第一平坦化层与所述衬底之间的第二平坦化层，

其中，所述第二平坦化层的透光率低于所述堤的透光率和所述第一平坦化层的透光率。

11.根据权利要求10所述的子像素，其中，所述第二平坦化层包括与所述第一平坦化层的所述凹部交叠的附加凹部，并且

其中，所述阳极电极的一部分设置在所述第二平坦化层的所述附加凹部中。

12.根据权利要求11所述的子像素，其中，所述第一平坦化层的一部分设置在所述第二平坦化层的所述附加凹部中。

13.根据权利要求12所述的子像素，其中，所述第一平坦化层的所述凹部的倾斜侧表面的斜率比所述第二平坦化层的所述附加凹部的倾斜侧表面的斜率陡。

14.根据权利要求1所述的子像素，还包括：在所述第一平坦化层中的接触孔，

其中，所述阳极电极经由所述接触孔电连接至所述晶体管。

15.根据权利要求14所述的子像素，还包括：设置在所述堤上并且与所述第一平坦化层中的所述接触孔交叠的间隔物。

16.根据权利要求1所述的子像素，其中，所述阳极电极包括：

第一透明导电材料层；

第二透明导电材料层；以及

设置在所述第一透明导电材料层与所述第二透明导电材料层之间的反射电极层。

17.根据权利要求16所述的子像素，其中，所述第一透明导电材料层的厚度大于所述第二透明导电材料层的厚度。

18.一种显示装置，包括：

被配置成显示图像的显示面板，

其中，所述显示面板包括根据权利要求1所述的子像素。

19.一种显示装置，包括：

设置在衬底上的多个子像素，所述多个子像素中的每个子像素包括第一发光区域、第二发光区域以及在所述第一发光区域与所述第二发光区域之间的第一非发光区域；以及

包括与所述多个子像素对应的多个开口的黑色矩阵，

其中，所述多个子像素之中的对应子像素的所述第一发光区域、所述第一非发光区域和所述第二发光区域位于所述黑色矩阵中的多个开口之中的开口的内部。

20.根据权利要求19所述的显示装置，还包括：

包括用于所述多个子像素的多个开口的堤，

其中，所述堤中的多个开口中的每个开口对应于所述多个子像素中的一个子像素的第一发光区域。

21.根据权利要求20所述的显示装置，其中，所述黑色矩阵的面积大于所述堤的面积。

22.根据权利要求20所述的显示装置，其中，所述堤中的多个开口中的每个开口的尺寸小于所述黑色矩阵中的多个开口中的每个开口的尺寸。

23.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述第一非发光区域围绕所述第一发光区域，并且所述第二发光区域围绕所述第一非发光区域，并且

其中，所述第二发光区域的外边缘对应于所述黑色矩阵中的多个开口中的一个开口的边缘。

24.根据权利要求23所述的显示装置，还包括：

包括用于所述多个子像素的多个开口的平坦化层，

其中，所述多个子像素中的每个子像素的第一发光区域和第一非发光区域被包括在所述平坦化层中的多个开口中的一个开口中。

25.根据权利要求24所述的显示装置，还包括：

包括用于所述多个子像素的多个开口的堤，

其中，所述堤中的多个开口中的每个开口对应于所述多个子像素中的一个子像素的第一发光区域，并且

其中，所述平坦化层中的多个开口中的每个开口的尺寸小于所述堤中的多个开口中的每个开口的尺寸，并且所述堤中的多个开口中的每个开口的尺寸小于所述黑色矩阵中的多个开口中的每个开口的尺寸。

26.根据权利要求24所述的显示装置，还包括：

设置在所述衬底的非发光区域中的坝，

其中，所述坝和所述平坦化层包括相同的黑色材料。