CN118281006A - 显示面板和包括该显示面板的显示装置 - Google Patents

Abstract

公开了一种显示面板和包括该显示面板的显示装置。所述显示面板包括：多个有源区像素，其设置在显示面板的有源区域中，有源区像素的每一个包括配置为发光以在显示面板上显示图像的一个或多个有源区子像素；以及多个边框区像素，其设置在围绕有源区域的至少一部分的显示面板的边框区域中，边框区像素的一个或多个的每一个包括配置为不发光的一个或多个边框区子像素，其中边框区子像素包括：具有第一电极和第二电极的第一边框区子像素，第一电极电连接至公共节点并且第二电极电连接至第一电源线；以及具有第三电极和第四电极的第二边框区子像素，第三电极电连接至公共节点，所述第四电极电连接至不同于第一电源线的第二电源线。

Description

显示面板和包括该显示面板的显示装置

技术领域

本发明涉及一种显示面板和包括该显示面板的显示装置。

背景技术

具有自发光元件的显示装置可实现为比内置有光源的显示装置更薄，并且具有能够实现为柔性且可折叠的显示装置的优点。

这种具有自发光元件的显示装置可包括使用由有机材料制成的发光层的有机发光显示装置和使用微发光二极管(micro light-emitting diode)的微LED显示装置。

然而，尽管有机发光显示装置不需要单独的光源，但由于湿气和氧气，可容易出现缺陷像素。因而，额外需要各种技术构思来使氧气和湿气的渗透最小化。响应于这种需求，近来已对使用微发光二极管作为发光元件的显示装置进行了研究和开发。

微发光二极管是利用当电流流过半导体时发光的特性的半导体发光元件，并且广泛用在照明设备、TV和各种显示装置中。

发明内容

然而，使用微发光二极管的显示装置没有半导体(a-Si)层、氧化物层和低温多晶硅(LTPS)层。因而，显示面板自身无法实现薄膜晶体管。

因此，在使用微发光二极管的显示装置中无法设计静电放电(下文中称为ESD)电路。因而，使用微发光二极管的显示装置具有易受静电影响的缺点。

因此，为了解决上述缺点，本发明的发明人发明了一种显示面板，其中设置在边框区域中但不用作像素的发光元件充当处理静电的元件。

因此，本发明要实现的一个技术目的是提供一种显示面板以及包括该显示面板的显示装置，其中在设置于显示面板的边框区域中的每个发光元件处设置静电处理电极，使得设置有静电处理电极的每个发光元件充当静电处理区域。

根据本发明的目的不限于上述目的。未提及的根据本发明的其他目的和优点可基于以下描述加以理解，并且可基于本发明的实施方式更清楚地理解。此外，将容易理解到，可使用权利要求书中示出的手段或其组合来实现根据本发明的目的和优点。

可提供一种根据本发明实施方式的显示面板。所述显示面板包括：设置在第一区域中的至少一个第一像素；和设置在第二区域中的至少一个第二像素，其中所述第一像素和所述第二像素分别以不同电位的电压操作。

可提供一种根据本发明实施方式的显示装置。所述显示装置包括：显示面板，所述显示面板包括设置在第一区域中的至少一个第一像素和设置在第二区域中的至少一个第二像素；以及设置在所述第一区域中并且位于所述显示面板的后表面上的驱动器，其中所述驱动器控制所述至少一个第一像素的发光操作，其中所述第一像素包括至少一个子像素，其中所述第一像素的至少一个子像素的每一个具有在一侧的第一电极和在相对侧的第二电极，其中所述第二像素包括至少一个子像素，其中所述第二像素的至少一个子像素的每一个具有在一侧的第一电极和在相对侧的第二电极，其中所述第二像素的子像素的第二电极充当电源电极，其中所述第二像素的子像素的第一电极接地，并且所述第二像素的子像素的作为所述电源电极的第二电极连接至电源线，其中所述第一像素和所述第二像素分别以不同电位的电压操作。

根据本发明的实施方式，在没有由半导体(a-Si)、氧化物和低温多晶硅(LTPS)制成的背板的显示装置中，设置在边框区域中的未用的发光元件可被用作静电放电(ESD)电路。

此外，根据本发明的实施方式，即使在没有背板的显示装置中也可提供ESD电路，从而保护显示面板免受静电影响。

此外，根据本发明的实施方式，不安装单独的静电放电(ESD)电路，而是设置在边框区域中的未用的发光元件可被用作静电放电(ESD)电路。因而，可减少制造工艺并且可相应地节省制造成本。

此外，根据本发明的实施方式，可防止因静电导致的面板损坏，从而提高显示装置的质量和可靠性。

此外，根据本发明的实施方式，设置在边框区域中的未用的发光元件可被用作静电放电(ESD)电路，以确保显示装置的可靠性并且实现稳定的窄边框。

在另一实施方式中，一种显示面板包括：多个有源区像素，其设置在所述显示面板的有源区域中，所述有源区像素的每一个包括配置为发光以在所述显示面板上显示图像的一个或多个有源区子像素；以及多个边框区像素，其设置在围绕所述有源区域的至少一部分的所述显示面板的边框区域中，所述边框区像素的一个或多个的每一个包括配置为不发光的一个或多个边框区子像素，其中所述边框区子像素包括：具有第一电极和第二电极的第一边框区子像素，所述第一电极电连接至公共节点并且所述第二电极电连接至第一电源线；以及具有第三电极和第四电极的第二边框区子像素，所述第三电极电连接至所述公共节点，所述第四电极电连接至不同于所述第一电源线的第二电源线。

在另一实施方式中，一种显示装置包括：上述显示面板；以及驱动器，其设置在所述有源区域中并且位于所述显示面板的后表面上，其中所述驱动器控制从所述有源区子像素发射的光的量

本发明的效果不限于上述效果，所属领域技术人员将从以下描述清楚地理解到未提及的其他效果。

除了上述效果以外，将在描述用于实施本发明的具体细节的同时描述本发明的具体效果。

附图说明

图1是示出根据本发明实施方式的显示装置的前表面、显示区域和边框区域的平面图。

图2A是示意性示出根据本发明实施方式的设置在显示区域中的第一像素的结构的视图。

图2B是示意性示出根据本发明实施方式的设置在边框区域中的第二像素的结构的视图。

图3是示出在根据本发明实施方式的显示面板应用于显示装置之前，第一像素和第二像素的每一个的连接结构的视图。

图4是示出在根据本发明实施方式的显示面板应用于显示装置之后，第二像素的连接结构的视图。

图5A是示出设置在根据本发明实施方式的显示面板的第二区域中的一个或多个第二像素的连接结构的视图。

图5B是示出由图5A中的一个或多个第二像素的连接结构实现的ESD电路的示例的视图。

图6是示出根据本发明实施方式的第一像素和第二像素的每一个的连接结构的剖面图。

图7是示出根据本发明实施方式的第二像素的二极管的特性的曲线图。

具体实施方式

参考稍后与附图一起详细描述的实施方式，本发明的优点和特征及其实现方法将变得显而易见。然而，本发明不限于以下公开的实施方式，而是可以以各种不同的形式实现。因而，阐述这些实施方式仅是为了使本发明完整并且将本发明的范围充分传达给本发明所属技术领域的普通技术人员，本发明仅由权利要求书的范围限定。

为了图示的简化和清楚，附图中的要素不必按比例绘制。不同附图中的相同参考标记表示相同或相似的要素并执行相似的功能。此外，为了描述的简化，省略了公知步骤和要素的描述和细节。此外，在本发明随后的详细描述中，为了提供对本发明的透彻理解，阐述了很多具体细节。然而，将理解到，可在没有这些具体细节的情况下实践本发明。在其他情况下，未详细描述公知的方法、过程、部件和电路，以便不会不必要地模糊本发明的各方面。下面进一步图解和描述各实施方式的示例。将理解到，文本的描述不旨在将权利要求书限于描述的具体实施方式。相反，旨在覆盖可包括在由所附权利要求限定的本发明的精神和范围内的替换、修改和等同物。

为了描述本发明的实施方式而在附图中公开的形状、尺寸、比率、角度、数量等是示例性的，本发明不限于此。本文中相同的参考标记指代相同的元件。

本文中使用的术语仅为了描述具体实施方式的目的，不旨在限制本发明。将进一步理解的是，当在本申请中使用时，术语“包括”、“具有”和“包含”等指定所描述的特征、整体、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一个或多个其他特征、整体、操作、元件、部件和/或其部分的存在或添加。如本文所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关联的所列项目中的任意一个以及所有组合。在元件列表之前的诸如“至少一个”之类的表达可以修饰元件的整个列表，而不是修饰列表的单独元件。在解释数值时，即使没有明确描述，其中也可存在误差或公差。

另外，还将理解的是，当第一元件或层被称为存在于第二元件或层“上”时，第一元件可以直接设置在第二元件上，或者可以在第一和第二元件或层之间设置有第三元件或层的情况下将第一元件间接设置在第二元件上。将理解，当一元件或层被称为“连接到”或“接合到”另一元件或层时，它可以直接在另一元件或层上，连接或接合到另一元件或层，或者可以存在一个或多个中间元件或层。另外，还将理解，当一元件或层被称为在两个元件或层“之间”时，它可以是两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可以存在一个或多个中间元件或层。

此外，如本文中使用的，当一层、膜、区域、板等可设置在另一层、膜、区域、板等“上”或“顶部上”时，前者可直接接触后者，或者可在前者与后者之间设置其他层、膜、区域、板等。如本文中使用的，当一层、膜、区域、板等直接设置在另一层、膜、区域、板等“上”或“顶部上”时，前者直接接触后者，在前者与后者之间不设置其他层、膜、区域、板等。此外，如本文中使用的，当一层、膜、区域、板等可设置在另一层、膜、区域、板等“下”或“下方”时，前者可直接接触后者，或者可在前者与后者之间可设置其他层、膜、区域、板等。如本文中使用的，当一层、膜、区域、板等直接设置在另一层、膜、区域、板等“下”或“下方”时，前者直接接触后者，在前者与后者之间不设置其他层、膜、区域、板等。

在描述时间关系时，例如，两个事件之间的时间先后关系，比如“在…之后”、“随后”、“在…之前”等，可在它们之间发生另一事件，除非表示了“紧接在…之后”、“紧接随后”或“紧接在…之前”。

当能够不同地实现某一实施方式时，在具体块中指定的功能或操作可以以与流程图中指定的顺序不同的顺序发生。例如，根据涉及的功能或操作，连续的两个块实际上可大致同时执行，或者两个块可以以相反的顺序执行。

将理解的是，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等在本文中可以用于描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或部分不应受到这些术语的限制。这些术语用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一元件、部件、区域、层或部分区分开。因此，在不背离本发明的精神和范围的情况下，以下描述的第一元件、部件、区域、层或部分可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分。

本发明各实施方式的特征可部分地或整体地彼此结合，可彼此技术上相关联或者彼此操作。实施方式可彼此独立地实施，并且可以以关联的方式一起实施。

在解释数值时，数值被解释为包括误差范围，除非另有单独的明确说明。

除非另有定义，否则本文所使用的包括技术和科学术语在内的所有术语具有与本发明构思所属领域的普通技术人员通常所理解的含义相同的含义。还将理解，诸如在常用词典中定义的那些术语应被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义，不应被理想化或过度形式化地解释，除非本文中明确这样定义。

下文中，将描述根据本发明实施方式的显示面板和包括该显示面板的显示装置。

图1是示出根据本发明实施方式的显示装置的前表面、显示区域和边框区域的平面图。

参照图1，根据本发明实施方式的显示装置1可包括构成其前表面的盖构件(covermember)3、和显示面板5。

盖构件3可被称作盖玻璃(cover glass，CG)。盖构件3可包括盖玻璃和盖窗(coverwindow)。

显示模块和背部框架(未示出)可设置在盖构件3的后表面上。在这点上，显示模块例如可包括基板、缓冲层、平坦化层、扩散窗(diffuser window)(DW)和欧姆接触层(OC)。

盖构件3设置成覆盖显示模块的前表面并且可用于保护显示模块免受外部冲击。盖构件3的边缘部分可具有在朝向其上设置有显示模块的后表面的方向上弯曲的圆化形状(round shape)。

在这种情况下，盖构件3可设置成覆盖设置于其后表面上的显示模块的侧表面的至少部分区域，使得盖构件3可起到不仅保护显示模块的前表面而且还保护其侧表面免受外部冲击的作用。

显示装置1可包括显示面板5。显示面板5可包括设置在盖构件的后表面上的显示模块。由于盖构件3覆盖显示屏幕的显示区域AA，所以盖构件3可由诸如盖玻璃之类的透明材料制成，以透过盖构件3显示屏幕。例如，盖构件3可由透明的塑料材料、玻璃材料或钢化玻璃材料制成。

背部框架可设置在显示模块的后表面上以将显示模块容纳在其中，并且背部框架可接触盖构件3以支撑盖构件3。

背部框架可用作构成显示装置1的外边缘和后表面的外壳(housing)，并且可由聚合物环氧基树脂材料制成。

在这种情况下，背部框架可起到构成显示装置1的最外部的壳体(casing)的作用。然而，本发明不限于此。例如，背部框架可起到中间框架的作用，中间框架用作保护显示模块的后表面的外壳。

接合到盖构件3的后表面的显示模块可包括弯曲区域BA(见图3)。弯曲区域BA可位于面向-Z轴方向的盖构件3的后表面处的边框区域BZA中。

为了减小边框区域BZA，需要减小弯曲区域BA的曲率半径。弯曲区域BA的曲率半径与包括显示模块的显示装置1的总厚度成比例。随着总厚度增加，弯曲区域BA的曲率半径增加。相反，当总厚度减小时，弯曲区域BA的曲率半径减小。因此，为了不增加边框区域BZA的尺寸，需要防止包括显示模块的显示装置1的总厚度增加。

显示面板5可包括第一区域AA和第二区域BZA。第一区域AA可以是显示区域或有源区域AA，第二区域BZA可以是边框区域BZA。边框区域BZA可沿着显示装置1的最外侧边缘延伸以围绕显示区域AA。边框区域BZA可包括在显示面板的后表面处的弯曲区域BA。

在第一区域AA中可设置有至少一个或多个第一像素P1，并且在第二区域BZA中可设置有至少一个或多个第二像素P2。第一像素P1和第二像素P2可分别以不同电位的电压操作。例如，第一像素P1可基于具体的数据电压操作，第二像素P2可基于因静电引起的冲击脉冲电压(shock pulse voltage)或者冲击电力的电压操作。

在一些实施方式中，第一像素P1和第二像素P2的每一个可包括有机发光二极管(OLED)。

在其他实施方式中，第一像素P1和第二像素P2的每一个可实现为微LED芯片。在这种情况下，在第一像素P1和第二像素P2的每一个中，可设置倒装机制(flip scheme)的微LED芯片。此外，在第一像素P1和第二像素P2的每一个中，可设置横向(lateral)方式或垂直方式的微LED芯片。就是说，微LED芯片可以以倒装芯片或横向方式设置。此外，在第一像素P1和第二像素P2的每一个周围可设置备用(spare)区域。

第一像素P1和第二像素P2的每一个包括至少一个或多个子像素。第一像素P1和第二像素P2的每一个可以是发射红色光、蓝色光或绿色光的子像素SP。然而，本发明不限于此。

可选择地，第一像素P1和第二像素P2的每一个可以是发射白色光的子像素。

图2A是根据本发明实施方式的设置在显示区域中的第一像素的剖面图，更具体地，图2A是沿图3的A-A’截取的剖面图。图2B是根据本发明实施方式的设置在边框区域中的第二像素的剖面图，更具体地，图2B是沿图5A的B-B’截取的剖面图。

参照图2A，根据本发明实施方式的第一像素P1可设置在显示区域AA中，并且可包括设置在一侧的第一电极11和设置在另一侧的第二电极12。第一像素P1的第一电极11可以是用于发光的阳极，第一像素P1的第二电极12可以是用于发光的阴极。

在第一像素P1中，第一电极11可设置在堤层16上。第一像素P1的第一电极11可设置成覆盖堤层16的上表面和堤层16的一个侧壁。第一电极11可以是用于发光的阳极。因此，设置为覆盖堤层16的上表面和一个侧壁的第一像素P1的第一电极11可从驱动晶体管接收发光电力。

扩散窗层(diffuser window layer)15可设置在第一电极11和堤层16上。

导电层13可设置在第一电极11上，并且有源层(active layer)10可设置在导电层13上。有源层10可被称作“发光层”或“发光元件”。因此，至少一个第一像素P1可配置为发射红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)和白色(W)之中的一种颜色的光。可选择地，第一像素P1可配置为分别发射红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的光。在这种情况下，分别发射红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的光的第一像素P1可构成一个单位像素或一个单位像素区域。

侧壁扩散层(sidewall diffuser layer)14可设置在扩散窗层15上以围绕导电层13和有源层10。

第二电极12可设置在侧壁扩散层14和有源层10上。第二电极12可以是用于发光的阴极。

参照图2B，根据本发明实施方式的第二像素P2可设置在边框区域BZA中，并且可包括设置在一侧的第一电极21和设置在另一侧的电源电极(power supply electrode)22。

在一些第二像素P2中，第二像素P2的第一电极21可接地，第二像素P2的电源电极22可连接至电源线。在另一些第二像素P2中，第二像素P2的第一电极21可以是数据线电极，第二像素P2的作为第二电极的电源电极可以是高电位电压(VDD)电极或低电位电压(VSS)电极。

在第二像素P2中，第一电极21可设置在堤层26上。第二像素P2的第一电极21可设置成围绕并且覆盖堤层26的上表面和堤层26的两个侧壁或两个侧壁表面。第一电极21可以是用于数据线的阳极。关于这一点，第二像素P2的第一电极21可设置为围绕堤层26的上表面和两个相对壁，以接收比第一像素P1的第一电极11接收到的发光电力量更大的VDD电力或VSS电力量。

扩散窗层25可设置在第一电极21上。

导电层23可设置在第一电极21上，并且有源层20可设置在导电层23上。有源层20可被称作“发光层”或“发光元件”。

侧壁扩散层24可设置在扩散窗层25上以围绕导电层23和有源层20。

电源电极22可设置在侧壁扩散层24和有源层20上。电源电极22可以是高电位电压(VDD)电极或低电位电压(VSS)电极。

根据本发明实施方式的图1的显示装置1可包括用于控制至少一个或多个第一像素P1的发光操作的驱动器。驱动器可设置在作为显示区域AA的第一区域中的显示面板的后表面上。当驱动器从时序控制器接收图像数据和发光控制指令时，驱动器可将对应于图像数据的数据电压施加至每个第一像素P1。例如，驱动器可生成每个子像素的坐标值，以在接收图像信号时在第一子像素至第三子像素之中发光。驱动器可将在第一控制时段期间设定的数据电压施加至每个子像素，从而使得每个子像素以在第二控制时段期间设定的脉冲宽度发射与生成的坐标值对应的光。

图3是示出在根据本发明实施方式的显示面板应用于显示装置之前，第一像素和第二像素的每一个的连接结构的视图。

参照图3，在根据本发明实施方式的显示面板应用于显示装置之前，第一像素P1可设置在第一区域AA中，并且包括一个或多个发光元件LE，其中信号线，例如数据线DL连接至一个发光元件LE的一侧，同时作为信号线的数据线DL连接至另一发光元件LE的一侧。此外，阴极CE设置为覆盖所有的第一像素P1。沿图3的A-A’得到的剖面结构可按照与上述图2A所示的方式相同的方式形成。

相反，设置在作为边框区域的第二区域BZA中的第二像素P2仅具有位于每个位置处的发光元件LE，不具有连接至其一侧的信号线，并且不具有连接至其另一侧的信号线。此外，其中未设置可覆盖所有的多个第二像素P2的阴极。

图4是示出在根据本发明实施方式的显示面板应用于显示装置之后，第二像素的连接结构的视图。

参照图4，在应用根据本发明实施方式的显示面板之后，第二像素P2设置在作为边框区域的第二区域BZA中，并且具有连接至其一侧的第一信号线SL1以及连接至其另一侧的第二信号线SL2。关于这一点，板状的第一电力布线板(power wiring plate)VDD设置在第二区域BZA的上部区域中，以覆盖多个第二像素P2。第一电力布线板VDD用作接收高电位电压的布线，并且与第二像素P2的发光元件LE的每一个接触。此外，在第二区域BZA的下部区域中，设置板状的第二电力布线板VSS以覆盖多个第二像素P2。第二电力布线板VSS用作接收低电位电压的布线，并且与第二像素P2的发光元件LE的每一个接触。

因此，当在显示面板5中产生静电，并且由此即使由于静电而导致的冲击电力(shock power)被施加至显示面板5时，由于设置在第二区域BZA中的第二像素P2，冲击电力也可从第一信号线SL1或第二信号线SL2流到第一电力布线板VDD或第二电力布线板VSS。因此，可防止由于静电导致的对显示面板5的损坏。

图5A是示出设置在根据本发明实施方式的显示面板的第二区域中的至少一个第二像素的连接结构的视图。图5B是示出基于图5A中的至少一个第二像素的连接结构实现的ESD电路的示例的视图。

参照图5A和图5B，设置在根据本发明实施方式的显示面板的第二区域中的一个或多个第二像素P2可具有：连接至第一信号线SL1或第二信号线SL2的一侧；以及作为连接至第一电力布线板VDD或第二电力布线板VSS的另一侧的上侧。因此，可实现ESD防止电路。以这种方式，ESD防止电路不由TFT电路构成，而是可使用发光元件LE或者具有二极管特性的像素来实现。因此，这也可应用于通过单独的驱动芯片而不是半导体层和晶体管来驱动显示面板5的P1元件的时候。

基于第二像素P2的连接结构的ESD电路具有设置在其一侧的信号线SL1或SL2。因而，两个第二像素P2可分别作为第一二极管D1和第二二极管D2操作。高电位电压(VDD)线连接至第一二极管D1，低电位电压(VSS)线连接至第二二极管D2。关于这一点，第一信号线SL1和第二信号线SL2可连接至一些第二像素P2，并且可围绕堤层26的上表面和两个相对壁。这可与示出了B-B’剖面的上述的图2B的描述相同。

因此，当产生静电时，由于静电而导致的冲击电力被施加至信号线SL1或SL2，因而由冲击电力引起的电流经过第一二极管D1或第二二极管D2流到高电位电压(VDD)线或低电位电压(VSS)线。

图6是示出根据本发明实施方式的第一像素和第二像素的每一个的连接结构的剖面图。图7是示出基于根据本发明实施方式的第二像素的连接结构实现的ESD电路的视图。

参照图6，根据本发明实施方式的第一像素P1可包括分别发射红色(R)光、绿色(G)光和蓝色(B)光的元件。

第一像素P1可包括红色(R)发光元件、绿色(G)发光元件和蓝色(B)发光元件LE，每个发光元件可具有与上面图2A中描述的堆叠结构相同的结构。

与第二像素P2不同，第一像素P1的每个发光元件具有设置在堤层上以覆盖堤层的上表面和堤层的一个侧壁的第一电极。

第二像素P2设置在作为边框区域的第二区域BZA中并且可包括红色(R)发光元件LE、绿色(G)发光元件LE和蓝色(B)发光元件LE，每个发光元件可具有与上面图2A或图2B中描述的堆叠结构相同的结构。

与第一像素P1不同，第二像素P2的一部分具有设置在堤层上以覆盖堤层的上表面和堤层的两个侧壁的第一电极。

此外，尽管未示出，但第二像素P2的发光元件的第一电极接地，并且第二像素P2的发光元件的作为电源电极的第二电极连接至电源线。

在这点上，第二像素P2的发光元件的第一电极可充当数据线电极，而作为其第二电极的电源电极可充当高电位电压(VDD)电极或低电位电压(VSS)电极。

因此，由第二像素P2的红色(R)发光元件LE、绿色(G)发光元件LE和蓝色(B)发光元件LE组成的连接结构500可起ESD电路的作用，如图5B中所示。

在这点上，信号线连接至ESD电路的一侧。第一二极管D1经由电阻器R1连接至此信号线，并且连接至上方位置的高电位电压VDD线。第二二极管D2经由电阻器R1连接至晶体管T1，并且连接至下方位置的低电位电压VSS线。因此，第二像素P2的发光元件LE不起输出光的发光元件LE的作用，而是可执行具有如图7中所示特性的第一二极管D1或第二二极管D2的功能。图7是示出根据本发明实施方式的第二像素的二极管的特性的曲线图。如图7中所示，当第二像素P2执行第一二极管D1或第二二极管D2的功能时，在被施加具体电压例如正向电压或反向电压时电流例如正向电流或反向电流仅在一个方向上流过。

因此，当产生静电时，由因静电产生的冲击电力而引起的电流经由第一二极管D1从晶体管TR流到高电位电压VDD线，或者经由第二二极管D2从晶体管TR流到低电位电压VSS线。

根据本发明实施方式的发光元件LE可实现为发射蓝色波长的光的蓝色发光元件LE。可在用作颜色转换层的滤色器层中分散量子点颗粒以将蓝色光转换成不同颜色(例如，根据需要，红色或绿色)。

由于使用单波长发光元件LE，所以不需要转移分别发射不同波长的光的发光元件LE的工艺。而是，可使用发射相同波长的光的发光元件。在这点上，可使用用于颜色转换的滤色器层，其中可对滤色器层添加量子点颗粒以保持光效率。因而，可以以简化的工艺制造显示装置1。

由于简化的转移工艺，可使在子像素中可能出现的缺陷最小化。单位像素由多个子像素组成。因而，可使用构成单位像素的任意一个子像素实现滤色器层。因而，当在多个子像素之中的一个子像素中出现缺陷时，可修复有缺陷的子像素。

在一个示例中，根据本发明实施方式的发光元件LE可包括发光层、第一电极、第二电极和绝缘膜。发光层可包括第一半导体层、有源层和第二半导体层。发光元件LE根据在第一电极与第二电极之间流动的电流，基于电子和空穴的重新结合而发光。

第一半导体层可以是p型半导体层，第二半导体层可以是n型半导体层。可选择地，第一半导体层可以是n型半导体层，第二半导体层可以是p型半导体层。然而，为便于描述，将描述其中第一半导体层是p型半导体层，第二半导体层是n型半导体层的示例。此外，基于第一电极、第二电极与第一半导体层、第二半导体层之间的电连接关系，第一电极和第二电极可分别被称为p型电极和n型电极。可选择地，第一电极和第二电极可分别被称为n型电极和p型电极。然而，为了便于描述，将描述其中第一电极和第二电极分别为p型电极和n型电极的示例。

第一半导体层设置在有源层上并且向有源层提供空穴。根据本发明实施方式的第一半导体层可由p-GaN基半导体材料制成，p-GaN基半导体材料可包括GaN、AlGaN、InGaN或AlInGaN。在这点上，作为用于掺杂第一半导体层的杂质，可使用Mg、Zn或Be。

第二半导体层向有源层提供电子。根据本发明实施方式的第二半导体层可由n-GaN基半导体材料制成，n-GaN基半导体材料可包括GaN、AlGaN、InGaN或AlInGaN。在这点上，作为用于掺杂第二半导体层的杂质，可使用Si、Ge、Se、Te或C。

有源层设置在第二半导体层上。有源层可包括多量子阱(multi-quantum well，MQW)结构，该结构包括阱层和具有比阱层的带隙更高的带隙的阻挡层。根据本发明实施方式的有源层可具有诸如InGaN/GaN之类的多量子阱结构。

第一电极电连接至第一半导体层并且连接至驱动薄膜晶体管的漏极电极或源极电极，第二电极连接至公共电源线。

前述的第一电极可以是p型电极，第二电极可以是n型电极。可根据相应的电极是提供电子还是空穴，就是说，根据相应的电极是电连接至p型半导体层还是电连接至n型半导体层，来确定第一电极是p型电极且第二电极是n型电极，还是第一电极是n型电极且第二电极是p型电极。然而，在本发明中，为便于描述，将描述其中第一电极和第二电极分别为p型电极和n型电极的示例。

根据本发明一实施方式的第一电极和第二电极的每一个可包括诸如Au、W、Pt、Si、Ir、Ag、Cu、Ni、Ti或Cr之类的金属材料以及其合金中的一种或多种。根据另一实施方式的第一电极和第二电极的每一个可由透明导电材料制成，透明导电材料可包括ITO(氧化铟锡)或IZO(氧化铟锌)。然而，本发明不限于此。

绝缘膜设置成覆盖发光元件的外表面并且在其中限定有绝缘膜开口区域(P-Open)，以暴露第一电极和第二电极的每一个的至少一部分。绝缘膜可由诸如SiNx或SiOx之类的材料制成并且设置成覆盖有源层。

绝缘膜防止当发光元件中的第一电极和第二电极与像素电极PE或公共电极彼此电连接时各元件之间的意外的电连接。

另外，第二半导体层、有源层和第一半导体层可依次堆叠在半导体基板上以构成发光元件。在这点上，半导体基板包括蓝宝石(sapphire)基板或硅基板。此半导体基板可用作用于生长第二半导体层、有源层和第一半导体层的每一个的生长基板，然后可在基板分离工艺中从第二半导体层去除。在这点上，基板分离工艺可包括激光剥离(lift off)工艺或化学剥离工艺。因此，当从发光元件去除用于生长的半导体基板时，发光元件可具有相对较薄的厚度，因而可被容纳在每个子像素中。

在一个示例中，当对发光元件中的p型电极和n型电极施加电压时，电子和空穴分别从n型GaN层和p型GaN层注入到有源层。因而，在有源层中产生激子。随着这些激子衰减，产生与发光层的LUMO(最低未占分子轨道)能级和HOMO(最高占据分子轨道)能级之间的能量差对应的光并将光发射到外部。

在这点上，可通过调整有源层的多量子阱结构的阻挡层的厚度来控制从发光元件发射的光的波长。

发光元件可形成为具有大约10μm至100μm的尺寸。可通过在基板上形成缓冲层并且在缓冲层上生长GaN薄膜来制造发光元件。在这点上，作为用于生长GaN薄膜的基板的材料，可使用蓝宝石、硅(Si)、GaN、碳化硅(SiC)、砷化镓(GaAs)、氧化锌(ZnO)等。

此外，当用于生长GaN薄膜的基板不是由GaN，而是由GaN以外的其他材料制成时，在基板上直接生长作为外延层的n型GaN层时可能发生晶格失配(lattice mismatch)。在这点上，设置缓冲层来防止由于晶格失配导致的质量劣化，缓冲层由AlN或GaN制成。

可通过生长未掺杂有杂质的GaN薄膜，然后向未掺杂的GaN薄膜的顶部中掺杂诸如硅(Si)之类的n型杂质来形成n型GaN层。此外，可通过生长未掺杂的GaN薄膜、然后向未掺杂的GaN薄膜中掺杂诸如Mg、Zn和Be之类的p型杂质来形成p型GaN层。

具有具体结构的发光元件可设置在保护层的顶部。然而，本发明不限于具体结构的发光元件。诸如垂直型发光元件和水平型发光元件之类的各种结构的发光元件可应用于显示装置。

在一个示例中，第一子像素R至第四子像素W的每一个可以以倒装芯片机制设置。在这点上，倒装芯片机制可指这样的机制，即，当发光元件例如为微LED芯片时，芯片的第一电极和第二电极上下颠倒。

第一子像素R至第四子像素W的每一个可以以垂直机制设置。在这点上，垂直机制是指这样的机制，其中，当发光元件例如为微LED芯片时，芯片的第一电极和第二电极不是布置在水平方向上，而是布置在垂直方向上。

在第一子像素R至第四子像素W的每个子像素周围可设置对应于每个子像素的备用区域。

可在每个备用区域中设置发射与从第一子像素R至第四子像素W之一发射的光的颜色相同颜色的光的第五子像素。

每个第五子像素可发射与从对应于每个备用区域的子像素发射的光的颜色相同颜色的光。

在一个示例中，驱动器可生成每个子像素的坐标值，以在接收到图像信号时在第一子像素R至第四子像素W之中发光。驱动器可将在第一控制时段期间设定的数据电压施加至每个子像素，从而使得每个子像素以在第二控制时段期间设定的脉冲宽度发射与生成的坐标值对应的光。

如上所述，根据本发明的实施方式，可实现这样的显示面板，其中设置在边框区域BA中但不用作像素的发光元件可被用作处理静电的元件。

此外，根据本发明的实施方式，可实现这样的显示面板，其中在设置于显示面板的边框区域中的每个发光元件处设置静电处理电极，使得设置有静电处理电极的每个发光元件充当静电处理区域。此外，可提供包括该显示面板的显示装置。

在另一实施方式中，一种显示面板包括：多个有源区像素，其设置在所述显示面板的有源区域中，所述有源区像素的每一个包括配置为发光以在所述显示面板上显示图像的一个或多个有源区子像素；以及多个边框区像素，其设置在围绕所述有源区域的至少一部分的所述显示面板的边框区域中，所述边框区像素的一个或多个的每一个包括配置为不发光的一个或多个边框区子像素，其中所述边框区子像素包括：具有第一电极和第二电极的第一边框区子像素，所述第一电极电连接至公共节点并且所述第二电极电连接至第一电源线；以及具有第三电极和第四电极的第二边框区子像素，所述第三电极电连接至所述公共节点，所述第四电极电连接至不同于所述第一电源线的第二电源线。

尽管参照附图更详细地描述了本发明的实施方式，但本发明不必限于这些实施方式，可在本发明的技术精神的范围内以各种方式修改。因此，本发明中公开的实施方式旨在描述而不是限制本发明的技术构思，本发明的技术构思的范围不受这些实施方式限制。因此，应当理解，上述的实施方式在所有方面都是举例说明性的，不是限制性的。应当根据权利要求书的范围解释本发明的保护范围，其等同范围内的所有技术构思都应解释为包括在本发明的权利范围内。

Claims (14)

1.一种显示面板，包括：

多个有源区像素，其设置在所述显示面板的有源区域中，所述有源区像素的每一个包括配置为发光以在所述显示面板上显示图像的一个或多个有源区子像素；以及

多个边框区像素，其设置在围绕所述有源区域的至少一部分的所述显示面板的边框区域中，所述边框区像素的一个或多个的每一个包括配置为不发光的一个或多个边框区子像素，

其中所述边框区子像素包括：

具有第一电极和第二电极的第一边框区子像素，所述第一电极电连接至公共节点并且所述第二电极电连接至第一电源线；以及

具有第三电极和第四电极的第二边框区子像素，所述第三电极电连接至所述公共节点，所述第四电极电连接至不同于所述第一电源线的第二电源线。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其中静电从所述公共节点经由所述第一边框区子像素释放到所述第一电源线或者经由所述第二边框区子像素释放到所述第二电源线。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其中所述公共节点电连接至与所述有源区子像素的电极连接的公共电压。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其中所述公共节点电连接至与所述有源区子像素的电极连接的数据线驱动数据电压。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其中所述有源区子像素的每一个包括有机发光二极管或微LED。

6.根据权利要求1所述的显示面板，其中所述有源区子像素的至少之一包括：

阳极，其设置在堤层上以覆盖所述堤层的上表面和一个侧壁；

扩散窗层，其设置在所述阳极和所述堤层上；

导电层，其设置在所述阳极上；

有源层，其设置在所述导电层上；

侧壁扩散层，其设置在所述扩散窗层上以围绕所述导电层和所述有源层；以及

阴极，其设置在所述侧壁扩散层和所述有源层上。

7.根据权利要求1所述的显示面板，其中所述边框区子像素的至少之一包括：

阳极，其设置在堤层上以覆盖所述堤层的上表面和两个侧壁表面；

扩散窗层，其设置在所述阳极上；

导电层，其设置在所述阳极上；

有源层，其设置在所述导电层上；

侧壁扩散层，其设置在所述扩散窗层上以围绕所述导电层和所述有源层；以及

阴极，其设置在所述侧壁扩散层和所述有源层上。

8.一种显示装置，包括：

根据权利要求1所述的显示面板；以及

驱动器，其设置在所述有源区域中并且位于所述显示面板的后表面上，其中所述驱动器控制从所述有源区子像素发射的光的量。

9.一种显示装置，包括显示面板和驱动器，

所述显示面板包括：设置在第一区域中的至少一个第一像素；和设置在第二区域中的至少一个第二像素，

所述驱动器设置在所述第一区域中并且位于所述显示面板的后表面上，其中所述驱动器控制所述至少一个第一像素的发光操作，

其中所述第一像素包括至少一个子像素，其中所述第一像素的至少一个子像素的每一个具有在一侧的第一电极和在另一侧的第二电极，

其中所述第二像素包括至少一个子像素，其中所述第二像素的至少一个子像素的每一个具有在一侧的第一电极和在另一侧的电源电极，

其中所述第二像素的子像素的第一电极接地，并且所述电源电极连接至电源线，

其中所述第一像素和所述第二像素分别以不同电位的电压操作。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其中所述第一像素的至少一个子像素配置为发射红色、绿色、蓝色和白色中的一种颜色的光。

11.根据权利要求9所述的显示装置，其中所述不同电位的电压包括被施加至所述第一像素的数据电压、以及由于被施加至所述第二像素的静电而产生的冲击电力的电压。

12.根据权利要求9所述的显示装置，其中所述驱动器配置为将在第一控制时段期间设定的数据电压施加至所述第一像素的至少一个子像素的每个子像素，从而所述第一像素的至少一个子像素的每个子像素以在第二控制时段期间设定的脉冲宽度发射与生成的坐标值对应的光。

13.根据权利要求9所述的显示装置，其中所述第一区域是显示区域，所述第二区域是边框区域。

14.根据权利要求9所述的显示面板，其中在所述第一像素和所述第二像素的每一个周围设置有备用区域。