CN118201392A - 发光显示装置 - Google Patents

Abstract

一种发光显示装置可包括：位于第一像素中的第一阳极电极；位于第二像素中的第二阳极电极；向第一像素供电的驱动晶体管；与驱动晶体管电连接的第一连接电极；以及位于与第一连接电极不同的层上并与驱动晶体管电连接的第二连接电极。而且，有机绝缘层布置在第一连接电极和第二连接电极上，且包括与第一连接电极的一部分重叠的第一驱动接触孔和与第二连接电极的一部分重叠的第一焊接接触孔，其中第一阳极电极与第一驱动接触孔重叠，第二阳极电极与第一焊接接触孔重叠，并且第一驱动接触孔和第一焊接接触孔布置在第一像素中。

Description

发光显示装置

相关申请的交叉引用

本申请要求于2022年12月14日在韩国提交的韩国专利申请No.10-2022-0174758的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用被明确纳入本申请。

技术领域

本公开涉及一种发光显示装置。

背景技术

由于发光显示装置具有高响应速度、低功耗，且自发光，无需单独光源，与液晶显示装置不同，因此不存在视角问题，并因此发光显示装置作为下一代平板显示装置而受到关注。

发光显示装置通过包括插置在两个电极之间的发光层的发光元件的光发射来显示图像。

然而，由于在发光层与电极之间和/或基板与空气层之间的界面上的全反射，从发光元件发出的光中的一部分并不向外发射，因此发光显示装置的光提取效率降低。因此，发光显示装置具有一些问题，即由于较低的光提取效率而导致亮度降低，功耗增加。

而且，在制造大型、高清晰度的显示器期间也会出现问题，这可导致出现坏掉的子像素。因此，需要在不过度减小孔径或占用过多空间的情况下，能够修复坏掉的子像素或避免出现坏掉的子像素。

发明内容

鉴于上述限制而做出了本公开，且本公开的目的是提供一种能够改善从发光元件发出的光的光提取效率的发光显示装置。

本公开的另一个目的是提供一种能够改善开口率(aperture ratio)的发光显示装置。

本公开的另一目的是提供一种可防止设置在像素电路中的金属图案由于设置在电路区域中的孔而受损的发光显示装置。

除了上述本公开的目的之外，本领域技术人员还可从本公开的以下描述中清楚地了解本公开的其他目的和特征。

根据本公开的一个方面，上述目的和其他目的可通过提供一种发光显示装置来实现，该发光显示装置包括：设置在第一像素中的第一阳极电极、设置在与第一像素相邻地布置的第二像素中的第二阳极电极、向第一像素供电的驱动晶体管、与驱动晶体管电连接的第一连接电极、设置在与第一连接电极不同的层上并与驱动晶体管电连接的第二连接电极，以及布置在第一连接电极和第二连接电极上的有机绝缘层，该有机绝缘层包括与第一连接电极的至少一部分重叠的第一驱动接触孔和与第二连接电极的至少一部分重叠的第一焊接接触孔。第一阳极电极与第一驱动接触孔重叠，第二阳极电极与第一焊接接触孔重叠。第一驱动接触孔和第一焊接接触孔在第一像素中彼此相邻地布置。

根据本公开的另一个方面，上述和其他目的可通过提供一种发光显示装置来实现，该发光显示装置包括：基板，其设置有子像素，子像素包括光发射区域和电路区域；发光元件，其设置在基板上的光发射区域中，包括阳极电极、发光层和阴极电极；驱动晶体管，其设置在基板上的电路区域中；驱动接触部分，其设置在电路区域中，将发光元件的阳极电极与驱动晶体管电连接；以及焊接接触部分，其设置在电路区域中，将设置在与该子像素相邻布置的相邻子像素中的发光元件的阳极电极与该驱动晶体管电连接。驱动接触部分和焊接接触部分彼此相邻地布置。

附图说明

从以下结合附图的详细描述中，将更清楚地理解本公开的上述及其他目的、特征和其他优点，其中：

图1是示出了根据本公开的一个实施例的发光显示装置的示意性平面图；

图2是示出了根据本公开的实施例的设置在显示区域中的像素的示意性平面图；

图3是根据本公开的实施例的沿在图2的光发射区域中所示的线I-I'截取的剖视图；

图4是示出了根据本公开的实施例的在图3中所示的光提取单元的一部分的平面图；

图5是示出了根据本公开的实施例的设置在图2的电路区域中的驱动晶体管和接触部分的平面图；

图6是根据本公开的实施例的沿在图5的驱动晶体管中所示的线II-II'截取的剖视图；

图7是示出了根据本公开的实施例的在图5中所示的设置在驱动接触部分和焊接接触部分中的孔的开口区域的平面图；

图8是根据本公开的实施例的沿在图5的驱动接触部分和焊接接触部分中所示的线III-III'截取的剖视图；

图9是根据本公开的实施例的沿在图5的驱动接触部分中所示的线IV-IV'截取的剖视图；

图10是根据本公开的实施例的沿在图5的焊接接触部分中所示的线V-V'截取的剖视图；

图11是示出了根据本公开的实施例的其中激光照射到图5的焊接接触部分的示例的剖视图；

图12A是示出了根据本公开的实施例的每一个像素的光提取单元的旋转结构的视图；

图12B是示出了根据本公开的实施例的在图12A中所示的被配置在第一行和第(j)列的像素中的光提取单元的放大图；以及

图12C是示出了根据本公开的实施例的在图12A中所示的被配置在第(i)行和第(j)列的像素中的光提取单元的放大图。

具体实施方式

本公开的优点和特征及其实施方法将通过以下参照附图描述的实施例来阐明。然而，本公开可以以不同的形式实施，并且不应被理解为仅限于本文所阐述的实施例。相反，提供这些实施例将使得本公开彻底、完整，并将向本领域技术人员充分传达本公开的范围。

在附图中公开的用于描述本公开的实施例的形状、大小、尺寸(例如，长度、宽度、高度、厚度、半径、直径、面积等)、比例、角度和元件数量仅仅是示例，因此，本公开并不限于所示的细节。

为了描述的方便，图中示出了包括大小和厚度的每个部件的尺寸，并且本公开并不限于所示的部件的大小和厚度，但应注意的是，在所提交的各种附图中所示的包括部件的相对大小、位置和厚度的相对尺寸是本公开的一部分。

在整个说明书中，相同的附图标记指的是相同的元件。在以下描述中，在确定对相关已知功能或配置的详细描述会不必要地掩盖本公开的要点时，将省略详细描述。在使用本说明书中描述的“包括”、“具有”和“包含”的情况下，除非使用“仅”，否则可添加另一部件。单数形式的术语可包括复数形式，除非提到了相反的情况。

在解释成分时，尽管没有明确描述，但该成分被解释为包括误差范围。

在描述位置关系中，例如，当位置关系被描述为“在…上”、“在…上方”、“在…下方”、“在…旁边”时，一个或多个部分可被布置在两个其他部分之间，除非使用了“恰好(just)”或“直接”。

将会理解的是，尽管本文可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅被用于区分一个元件和另一个元件。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，第一元件可被称为第二元件，相似地，第二元件也可被称为第一元件。

在描述本公开的元件时，可使用术语“第一”、“第二”等。这些术语旨在从其他元件中识别相应元件，并且相应元件的基础、顺序或数量不限于这些术语。一个元件与另一个元件“连接”或“联接”的表述应理解为该元件可直接与另一个元件连接或联接，但除非特别提及，否则可以直接与另一个元件连接或联接，或者可以在相应元件之间插置有第三元件。

本公开的各种实施例的特征可部分或整体地相互结合或组合，并且如本领域技术人员可充分理解的，可在技术上进行各种相互操作和驱动。本公开的实施例可相互独立地实施，或者可以以相互依赖的关系实施。

图1是示出了根据本公开的一个实施例的发光显示装置的示意性平面图。

参照图1，根据本公开的一个实施例的发光显示装置包括第一基板100、多个像素P和第二基板300。

第一基板100是薄膜晶体管阵列基板，并且可包括玻璃或塑料材料。第一基板100可分为显示区域DA和非显示区域NDA。

显示区域DA是其中设置了多个像素P以显示图像的区域，且可对应于除第一基板100的边缘区域之外的其他区域。

可在显示区域DA中设置多个像素P，并将多个像素P限定为其中光实际发射的单元区域(unit area)。多个像素P中的每一个可包括多个子像素SP。例如，多个像素P中的每一个可包括发射红光的红色子像素、发射绿光的绿色子像素和发射蓝光的蓝色子像素，但不必仅限于此。再比如，多个像素P中的每一个可包括发射白光的白色子像素。包括在多个像素P的每一个中的多个子像素的尺寸可以彼此相同或不同。

非显示区域NDA是其中不显示图像的区域，并可对应于将显示区域DA排除在外的区域。非显示区域NDA是第一基板100的围绕显示区域DA的边缘区域，并可具有相对非常窄的宽度，且可被定义为边框区域。非显示区域NDA可设置有包括用来驱动设置在显示区域DA中的多个像素P的线路和电路的外围电路120。

外围电路120可包括连接到多个像素P的栅极驱动电路。栅极驱动电路可集成在位于第一基板100的一侧或两侧的非显示区域NDA中，并根据薄膜晶体管的制造工艺连接到多个像素P。栅极驱动电路可通过面板内栅极驱动器(GIP)方法、有效区域内栅极驱动器(GIA)方法或载带自动接合(TAB)方法形成。

第二基板300可保护设置在第一基板100上的像素阵列。第二基板300可被定义为对向基板、封装基板或滤色片阵列基板，并可通过粘合剂构件(或透明粘合剂)接合到第一基板100上。第二基板300可包括透明玻璃材料或透明塑料材料，但不限于此。必要时可省略第二基板300。

图2是示出了根据本公开的实施例的设置在显示区域中的像素的示意性平面图，图3是根据本公开的实施例的沿在图2的光发射区域中所示的线I-I'截取的剖视图，以及图4是示出了根据本公开的实施例的在图3中所示的光提取单元的一部分的平面图。

参照图1和图2，根据本公开的一个实施例的发光显示装置包括位于显示区域DA中的多个像素P，并且多个像素P中的每一个可包括多个子像素SP。在一个实施例中，多个像素P中的每一个可包括四个子像素SP1至SP4。例如，多个像素P中的每一个可包括发射红光的第一子像素SP1、发射绿光的第二子像素SP2、发射蓝光的第三子像素SP3和发射白光的第四子像素SP4，但不限于此。

第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每一个可包括光发射区域EA和电路区域CA。光发射区域EA可布置在子像素区域的一侧(或上侧)，电路区域CA可布置在子像素区域的另一侧(或下侧)。例如，电路区域CA可基于第二方向(例如，Y轴方向)布置在光发射区域EA的下方，如图2所示。第一子像素SP1至第四子像素SP4的光发射区域EA可具有相同的尺寸，但不限于此。第一子像素SP1至第四子像素SP4的光发射区域EA可具有不同的尺寸(或面积)。

在子像素区域中，电路区域CA可与光发射区域EA在空间上分离，但并不限于此。例如，在子像素区域中，电路区域CA的至少一部分可与光发射区域EA重叠，或者可布置在光发射区域EA的下方。光发射区域EA可以是开口区域、光发射部分、透射区域或透射部分。电路区域CA可以是非发射区域NEA或非开口区域。

根据一个实施例，第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每一个还可包括透明区域，该透明区域布置在光发射区域EA和电路区域CA中的至少一个附近，并且可以透射外部光。在这种情况下，由于透明部分的光透射，该发光显示装置可实现一种透明的发光显示装置。

如图3所示，第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每一个可包括位于光发射区域EA中的光提取单元140(例如，光提取部分)和发光元件150。

参照图3，可在设置有像素电路层110的第一基板100上设置覆盖层(overcoatlayer)130。可在第一基板100上设置覆盖层130以覆盖像素电路层110。除了焊盘区域和整个显示区域DA之外，可在非显示区域NDA的其他区域中设置覆盖层130。例如，覆盖层130可包括从显示区域DA朝向除焊盘区域之外的其他非显示区域延伸或扩展的延伸部分(或扩展部分)。因此，覆盖层130可具有比显示区域DA相对更宽的尺寸。

覆盖层130可被形成为具有相对厚的厚度，以在像素电路层110上提供平整的表面(例如，以提供平坦化功能)。例如，覆盖层130可包括有机绝缘层，例如，诸如光丙烯、苯并环丁烯、聚酰亚胺和氟树脂等的有机材料。

光提取单元140可设置在覆盖层130的上表面上以便与子像素SP的光发射区域EA重叠。光提取单元140也可被称为光提取部分，并被配置为将更多的光引导到发光显示装置之外。光提取单元140可设置在覆盖层130上以具有弯曲(或不平坦)的形状，从而改变从发光元件150发射出的光的传播路径，以提高光提取效率。例如，光提取单元140可以是非平面部分、不平坦的图案部分、微透镜部分或光散射图案部分。

光提取单元140可包括多个凹入部分141和布置在多个凹入部分141中的每一个附近的凸出部分143，这可以在平面图中形成蜂窝状图案，但实施例并不限于此。多个凹入部分141可被形成或被配置为从覆盖层130的上表面凹入。凸出部分143可布置在多个凹入部分141之间。凸出部分143可被形成为围绕多个凹入部分141中的每一个。

凸出部分143的上部可包括尖端结构，以提高光提取效率，但并不限于此。例如，凸出部分143的上部可具有凸出的弯曲形状。例如，凸出部分143的上部可包括凸出的截面为圆顶或钟形的结构，但不限于此。

凸出部分143可包括在底部和上部(或顶部)之间具有弯曲形状的倾斜部分。凸出部分143的倾斜部分可形成或构成凹入部分141。例如，凸出部分143的倾斜部分可以是倾斜表面或弯曲表面。根据一个实施例，凸出部分143的倾斜部分可具有高斯曲线的横截面结构。在这种情况下，凸出部分143的倾斜部分可具有从底部到上部逐渐增大然后逐渐减小的切线斜率。

参照图4，根据本公开的一个实施例，多个凹入部分141中的每一个可沿第一方向(例如，X轴方向)平行布置以具有预先确定的间隔，并且可以沿第二方向(例如，Y轴方向)交替地布置。因此，光提取单元140(例如，光提取部分)可在每个单元区域中包括更多数量的凹入部分141，从而提高从发光元件150发射的光的外部提取效率。

根据一个实施例，沿第一方向(例如，X轴方向)布置的多个凹入部分141中的每一个的中心部分C可被定位或对齐在与第一方向(例如，X轴方向)平行的第一直线SL1中。沿第二方向(例如，Y轴方向)布置的多个凹入部分141中的每一个的中心部分C可被定位或对齐在与第二方向(例如，Y轴方向)平行的第二直线SL2中。

根据另一个实施例，多个凹入部分141可被布置成晶格(lattice)形状。布置在与第一方向(例如，X轴方向)平行的偶数水平线中的多个凹入部分141中的每一个可布置在沿第二方向(例如，Y轴方向)布置在相邻奇数水平线中的多个凹入部分141之间。因此，多个凹入部分141可沿第一方向(例如，X轴方向)被定位或对齐在具有之字形状的之字形线ZL中。

根据一个实施例，三个相邻的凹入部分141中的每一个的中心部分C可形成三角形TS。此外，布置在一个凹入部分141附近或围绕一个凹入部分141的六个凹入部分141中的每一个的中心部分C可在平面视图中形成六角形HS(例如，六边形)。例如，多个凹入部分141中的每一个可布置或排布成蜂窝结构或圆形结构，但实施例并不限于此。

根据本公开的一个实施例，当多个凹入部分141布置成蜂窝结构时，穿过沿第一方向(例如，X轴方向)和第二方向(例如，Y轴方向)之间的对角线方向DD1和DD2布置的凹入部分141的中心部分C的对角中心线DCL1和DCL2可相对于第一直线SL1和第二直线SL2中的每一条倾斜。例如，对角中心线DCL1和DCL2与第一直线SL1之间的第一角度θ₁可以是30°，对角中心线DCL1和DCL2与第二直线SL2之间的第二角度θ₂可以是60°。

根据本公开的一个实施例，分别布置在构成一个像素P的多个子像素SP中的凹入部分141之间的间距(或间隔L1)可以彼此相同，或者可以彼此不同。凹入部分141之间的间距L1可以是相邻两个凹入部分141的中心部分C之间的距离(或间隔)。

在一个实施例中，分别布置在红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素中的凹入部分141之间的间距L1可以彼此相同或彼此不同。例如，布置在绿色子像素中的凹入部分141之间的间距L1可以不同于布置在蓝色子像素中的凹入部分141之间的间距L1。

在另一个实施例中，分别布置在红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素中的凹入部分141可具有彼此相同的数量和/或密度，或者可具有彼此不同的数量和/或密度。例如，布置在白色子像素和绿色子像素中的每一个中的凹入部分141的数量和/或密度可以不同于布置在红色子像素和蓝色子像素中的每一个中的凹入部分141的数量和/或密度。

凸出部分143可被配置为单独地围绕多个凹入部分141中的每一个。因此，光提取单元140可包括由凸出部分143包围的多个凹入部分141。围绕一个凹入部分141的凸出部分143在平面图中可具有六边形状(或蜂窝形状)，但本公开的实施例并不限于此。

参照回图3，发光元件150可布置在与光发射区域EA重叠的光提取单元140(例如，光提取部分)上。发光元件150可被配置为按照底部发射方法朝向第一基板100发射光，但本公开的实施例并不限于此。根据一个实施例的发光元件150可包括阳极电极AE、发光层EL和阴极电极CE。

阳极电极AE可设置在覆盖层130上，并与驱动薄膜晶体管的源电极(或漏电极)电连接。阳极电极AE可以从光发射区域EA延伸到电路区域CA。阳极电极AE的一端可通过电路区域CA中的驱动接触孔与驱动薄膜晶体管的源电极(或漏电极)电连接。

由于阳极电极AE直接与光提取单元140接触，因此阳极电极AE可具有跟随光提取单元140的形状的形状。由于阳极电极AE被设置(或沉积)在覆盖层130上以具有相对较薄的厚度，因此阳极电极AE可具有符合光提取单元140的表面形态(其包括凸出部分143和多个凹入部分141)的表面形状。例如，阳极电极AE可具有与光提取单元140的横截面结构相同的横截面结构，因为阳极电极AE通过透明导电材料的沉积工艺被形成为跟随光提取单元140的表面形状(或形态)的共形(conformal)形状。例如，阳极电极AE可具有波浪形形状或蛋托(egg crate)型形状。

发光层EL可设置在阳极电极AE的上方，并且可与阳极电极AE直接接触。发光层EL可形成(或沉积)在阳极电极AE上以与阳极电极AE相比具有相对较厚的厚度，从而具有与凸出部分143和多个凹入部分141中的每一个的表面形状或阳极电极AE的表面形状不同的表面形状。例如，发光层EL可通过沉积工艺被形成为不跟随阳极电极AE的表面形状(或形态)的非共形形状，并因此可具有不同于阳极电极AE的横截面结构的横截面结构。

根据一个实施例的发光层EL可具有朝向凸出部分143的底面或凹入部分141的底面逐渐增加的厚度。例如，发光层EL可形成在凸出部分143的顶部上以具有第一厚度，可形成在凹入部分141的底面上以具有比第一厚度厚的第二厚度，并且可形成在凸出部分143的倾斜表面(或弯曲部分)上以具有比第一厚度薄的第三厚度。第一厚度至第三厚度中的每一个可对应于阳极电极AE和阴极电极CE之间的最短距离。

根据一个实施例的发光层EL可包括两个或更多个用于发射白光的有机发光层。例如，发光层EL可以包括第一有机发光层和第二有机发光层，用于通过将第一光与第二光混合来发射白光。例如，第一发光层可包括蓝色有机发光层、绿色有机发光层、红色有机发光层、黄色有机发光层和黄绿色有机发光层中的一种，以发射第一光。例如，第二有机发光层可包括用于发射第二光的有机发光层，该第二光用于通过与蓝色有机发光层、绿色有机发光层、红色有机发光层、黄色有机发光层和黄绿色有机发光层的第一光混合来实现白光。根据另一个实施例的发光层EL可包括蓝色有机发光层、绿色有机发光层和红色有机发光层中的任一种。此外，发光层EL还可包括插置在第一有机发光层和第二有机发光层之间的电荷产生层。

阴极电极CE可设置在发光层EL上，并可与发光层EL直接接触。阴极电极CE可在发光层EL上形成(或沉积)以与发光层EL相比具有相对较薄的厚度。阴极电极CE可形成(或沉积)在发光层EL上以具有相对较薄的厚度，从而具有符合发光层EL的表面形状的表面形状。例如，阴极电极CE可通过沉积工艺被形成为符合发光层EL的表面形状(或形态)的共形形状而具有与发光层EL的横截面结构相同且与光提取单元140的横截面结构不同的横截面结构。例如，阴极电极CE可具有波浪形形状或蛋托型形状。

根据一个实施例的阴极电极CE可包括具有高反射率的金属材料，以将从发光层EL发射的入射光反射向第一基板100。例如，阴极电极CE可包括由选自铝(Al)、银(Ag)、钼(Mo)、金(Au)、镁(Mg)、钙(Ca)和钡(Ba)的任一种材料或两种或更多种合金材料制成的单层结构或多层结构。阴极电极CE可包括具有高反射率的不透明导电材料。

发光元件150可通过像素电路提供的电流发光。光提取单元140(例如光提取部分)的凹入部分141或凸出部分143通过改变从发光层EL发出的光到发光表面(或光提取表面)的路径，提高了从发光层EL发出的光的外部提取效率。例如，凸出部分143可防止或最小化由于在发光元件150的阳极电极AE和阴极电极CE之间重复全反射而使从发光元件150发出的光无法移动到发光表面从而使光被捕获在发光元件150中所导致的光提取效率的降低。因此，根据本公开的一个实施例的发光显示装置可改善从发光元件150发出的光的光提取效率。

根据本公开的一个实施例的发光显示装置可进一步包括堤部170。堤部170可设置在覆盖层130之上。堤部170可包括有机材料，例如苯并环丁烯(BCB)基树脂、丙烯基树脂或聚酰亚胺树脂。

堤部170可设置在覆盖层130上，以至少部分地覆盖延伸至电路区域CA上的阳极电极AE的边缘。在平面图中，由堤部170限定的光发射区域EA可具有小于光提取单元140的尺寸的尺寸。

发光元件150的发光层EL可设置在阳极电极AE、堤部170以及阳极电极AE和堤部170之间的台阶差部分上。在这种情况下，当发光层EL在阳极电极AE和堤部170之间的台阶差部分中形成以具有相对较薄的厚度时，阴极电极CE可能与阳极电极AE发生电接触(或短路)。为了解决这个问题，可将与光发射区域EA相邻的堤部170的端部(或最外侧的堤部线)布置为覆盖光提取单元140的边缘部分。因此，由于布置在阳极电极AE和堤部170之间的台阶差部分中的堤部170的端部，可防止发生阳极电极AE和阴极电极CE之间的电接触(或短路)。

根据本公开的一个实施例的发光显示装置可进一步包括滤色片180。

滤色片180可布置在第一基板100和覆盖层130之间，以至少部分地与至少一个发射区域EA重叠。根据一个实施例的滤色片180可布置在覆盖层130的下方，并至少部分地与光发射区域EA重叠。

滤色片180可具有大于光发射区域EA的尺寸的尺寸。例如，滤色片180可具有大于光发射区域EA的尺寸且小于光提取单元140(例如，光提取部分)的尺寸的尺寸，但不限于此。滤色片180可具有大于光提取单元140的尺寸的尺寸。例如，当滤色片180具有大于光提取单元140的尺寸的尺寸时，其中内部光朝向与其相邻的子像素SP移动的光泄漏可被减少或最小化。

根据一个实施例的滤色片180可包括只透射在从发光元件150发射(或提取)到第一基板100的光中具有在子像素SP中设定的颜色的波长的滤色片。例如，滤色片180可透射红色、绿色或蓝色波长。当一个像素P包括彼此相邻的第一子像素至第四子像素SP时，设置在第一子像素中的滤色片可包括红色滤色片，设置在第二子像素中的滤色片可包括绿色滤色片，设置在第三子像素中的滤色片可包括蓝色滤色片。第四子像素可以不包括滤色片，或者可以包括用于台阶差的补偿的透明材料，从而发射白光。

根据本公开的一个实施例的发光显示装置可进一步包括封装层200。

封装层200可设置在第一基板100上，以覆盖发光元件150。封装层200可设置在第一基板100上以覆盖阴极电极CE。封装层200可用于保护薄膜晶体管和发光层EL不受外部冲击，并防止氧气和/或水分或颗粒渗入阴极电极CE和发光层EL。

根据一个实施例的封装层200可包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。有机封装层可被表示为颗粒覆盖层。

根据另一个实施例的封装层200可被改变为完全围绕显示区域的填充物，在这种情况下，对向基板300可通过填充物接合到第一基板100。填充物可包括吸收氧气和/或水分的吸气材料(getter material)。

对向基板300可联接到封装层200。对向基板300可包括塑料材料、玻璃材料或金属材料。例如，当封装层200包括多个无机封装层时，可省略对向基板300。

可选地，当封装层200被改变成填充物时，对向基板300可与填充物联接，并且在这种情况下，对向基板300可以由塑料材料、玻璃材料或金属材料制成。

参照回图2，第一子像素SP1至第四子像素SP4可沿第一方向(例如，X轴方向)彼此相邻地布置。沿第二方向(例如，Y轴方向)延伸的两条数据线DL可彼此平行地布置在第一子像素SP1和第二子像素SP2之间以及第三子像素SP3和第四子像素SP4之间。沿第二方向(例如，Y轴方向)延伸的像素电力线VDDL可布置在第一子像素SP1或第四子像素SP4的一侧。沿第二方向(例如，Y轴方向)延伸的参考线RL可布置在第二子像素SP2和第三子像素SP3之间。参考线RL可被用作感测线，用于在像素P的感测驱动模式期间从外部感测布置在电路区域CA中的驱动薄膜晶体管的特性改变和/或发光元件的特性改变。沿第一方向X延伸的栅极线GL可布置在第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每一个的电路区域CA中。

第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每一个可包括位于电路区域CA中的像素电路。像素电路可连接到栅极线GL、数据线DL和像素电力线VDDL，这些线被设置为邻近电路区域CA。像素电路基于从像素电力线VDDL供应的像素电力，响应于来自栅极线GL的扫描脉冲，根据来自数据线DL的数据信号控制发光元件150中流动的电流。像素电路可包括电容器和至少一个晶体管。

至少一个晶体管可包括驱动晶体管和开关晶体管。开关晶体管可根据供应给栅极线GL的扫描脉冲进行切换，以便在电容器中充上从数据线DL供应的数据电压。

驱动晶体管可根据从开关晶体管供应的电压或在电容器中充上的数据电压进行切换，以便从像素电力线VDDL供应的电力中产生数据电流，并将数据电流供应给第一子像素SP1至第四子像素SP4的发光元件150。

在根据本公开的一个实施例的发光显示装置中，除了电容器和至少一个晶体管之外，还可进一步在电路区域CA中布置用于将发光元件150与驱动晶体管电连接的接触部分。电路区域CA的尺寸可根据驱动晶体管和接触部分的位置增加，从而减小光发射区域EA的尺寸。

根据本公开的一个实施例的发光显示装置可包括驱动晶体管和具体类型的接触部分，它们能够使电路区域CA的尺寸最小化。下文将参照图5至图11详细描述设置在电路区域CA中的驱动晶体管和多个接触部分。

图5是示出了根据本公开的一个实施例的设置在图2的电路区域中的驱动晶体管和接触部分的平面图，而图6是根据本公开的实施例的沿在图5的驱动晶体管中所示的线II-II'截取的剖视图。图7是示出了根据本公开的实施例的在图5中所示的设置在驱动接触部分和焊接接触部分中的孔的开口区域的平面图，图8是根据本公开的实施例的沿在图5的驱动接触部分和焊接接触部分中所示的线III-III'截取的剖视图；图9是根据本公开的实施例的沿在图5的驱动接触部分中所示的线IV-IV'截取的剖视图，以及图10是根据本公开的实施例的沿在图5的焊接接触部分中所示的线V-V'截取的剖视图。图11是示出了根据本公开的实施例的其中激光照射到图5的焊接接触部分上的示例的剖视图。

为便于描述，仅在图6和图8至图11中示出了第一基板100、像素电路层110、覆盖层130以及阳极电极AE1和AE2，但本公开并不限于此。不排除在电路区域CA中堆叠发光层EL、阴极电极CE、封装层200或第二基板300中的至少一个。

参照图2和图5，第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每一个可包括布置在电路区域CA中的驱动晶体管DTR。驱动晶体管DTR设置在像素电路层110中，并可包括有源层ACT和栅电极GE。

在第一基板100上可设置遮光层LS。遮光层LS可最小化或防止由于外部光导致的驱动晶体管DTR的阈值电压的改变。遮光层LS可包括导电材料，例如由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任一种或它们的合金制成的单层或多层。在这种情况下，可在遮光层LS和有源层ACT之间设置缓冲层112。缓冲层112可以是无机绝缘层，并可包括氧化硅层(SiOx)、氮化硅层(SiNx)或由氧化硅层(SiOx)、氮化硅层(SiNx)形成的多层。

可在缓冲层112上设置有源层ACT。有源层ACT可包括第一有源层ACT1和第二有源层ACT2。第一有源层ACT1可以是半导体层，并且可包括基于非晶硅、多晶硅、氧化物和有机材料中的任一种的半导体材料。例如，第一有源层ACT1可以包括铟镓锌氧化物(IGZO)。

第二有源层ACT2可设置在第一有源层ACT1上。第二有源层ACT2可以是导电层，并可包括金属中的任一种，例如铝(Al)、金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、钨(W)、钼(Mo)、铬(Cr)、钽(Ta)和钛(Ti)或它们的合金。例如，第二有源层ACT2可包括钼钛(MoTi)。

第二有源层ACT2可设置在第一有源层ACT1上除驱动晶体管DTR的沟道区域CH以外的区域中。也就是说，只有第一有源层ACT1可设置在驱动晶体管DTR的沟道区域CH中。有源层ACT可具有其中第一有源层ACT1和第二有源层ACT2在驱动晶体管DTR的源极区域S和漏极区域D中相互堆叠的结构。设置在驱动晶体管DTR的源极区域S中的第二有源层ACT2与驱动晶体管DTR的源电极相对应，而设置在驱动晶体管DTR的漏极区域D中的第二有源层ACT2可与驱动晶体管DTR的漏电极相对应。

在有源层ACT上可设置栅极绝缘层114。栅极绝缘层114可以仅在有源层ACT上形成(例如，或仅在栅电极GE下形成)，或者可在包括有源层ACT的第一基板100或缓冲层112的整个表面上形成。栅极绝缘层114可包括无机绝缘层，例如氧化硅层(SiOx)、氮化硅层(SiNx)或由氧化硅层(SiOx)、氮化硅层(SiNx)形成的多层。

栅电极GE可设置在栅极绝缘层114上，以至少部分地与驱动晶体管DTR的沟道区域CH重叠。栅电极GE可包括由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任一种或它们的合金制成的单层或多层。

可设置钝化层118以覆盖包括驱动晶体管DTR的像素电路。钝化层118可以是无机绝缘层，并可包括例如氧化硅层(SiOx)、氮化硅层(SiNx)或由氧化硅层(SiOx)、氮化硅层(SiNx)形成的多层。

可在其中形成了驱动晶体管DTR的像素电路层110上设置覆盖层130，以使由驱动晶体管DTR引起的台阶差平坦化。

在第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每一个中，可在电路区域CA中布置用于将发光元件150与驱动晶体管DTR电连接的两个接触部分。接触部分可包括驱动接触部分DCT和焊接接触部分WCT。

驱动接触部分DCT对应于用于将布置在具体子像素的光发射区域EA中的发光元件150与布置在该具体子像素的电路区域CA中的驱动晶体管DTR电连接的接触部分。

详细而言，多个像素P可包括彼此相邻地布置的第一像素P1和第二像素P2。第二像素P2可在第二方向(例如，Y轴方向)上与第一像素P1相邻布置。第一像素P1和第二像素P2中的每一个可包括多个子像素，例如，沿第一方向(例如，X轴方向)布置的第一子像素SP1至第四子像素SP4。第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每一个可包括光发射区域EA和电路区域CA。

驱动接触部分DCT可将布置在被设置在第一像素P1中的子像素SP1-1的光发射区域EA中的发光元件150与布置在被设置在第一像素P1中的子像素SP1-1的电路区域CA中的驱动晶体管DTR电连接。在这种情况下，设置在第一像素P1中的子像素SP1-1可以是设置在第一像素P1中的第一子像素SP1至第四子像素SP4中的一个。

驱动接触部分DCT可包括包括驱动接触孔的至少一个绝缘层以及第一连接电极CP1(例如，CP1-1、CP1-2和CP1-3)。

第一连接电极CP1可电连接到驱动晶体管DTR。第一连接电极CP1可包括第一电极图案CP1-1(例如图8)和第二电极图案CP1-2(例如图6)。例如，如图5所示，第二电极图案CP1-2和第三电极图案CP1-3可从第一电极图案CP1-1突出或延伸。而且，第二电极图案CP1-2和第三电极图案CP1-3可布置在焊接接触部分WCT的相对两侧。

在一个实施例中，第一连接电极CP1的第一电极图案CP1-1和第二电极图案CP1-2可被设置为一层。第一连接电极CP1的第一电极图案CP1-1和第二电极图案CP1-2可与驱动晶体管DTR的栅电极GE设置在同一层上。遮光层LS可设置在第一连接电极CP1的下方，以遮蔽入射到第一连接电极CP1上的外部光。此外，电路图案CCP可设置在第一连接电极CP1和遮光层LS之间，并且可与驱动晶体管DTR的有源层ACT设置在同一层上，但并不限于此。

第一连接电极CP1的第一电极图案CP1-1可被设置为与驱动接触孔重叠。第一连接电极CP1的第一电极图案CP1-1可被暴露在与驱动接触孔重叠的区域中。第一连接电极CP1的第一电极图案CP1-1可通过驱动接触孔与设置在第一像素P1中的子像素SP1-1的发光元件150(尤其是第一阳极电极AE1)电连接(例如，参见图5)。

参照图7、图8和图9，包括驱动接触孔的至少一个绝缘层可设置在第一连接电极CP1的第一电极图案CP1-1上。至少一个绝缘层可包括有机绝缘层和无机绝缘层中的至少一种。例如，有机绝缘层可包括覆盖层130，无机绝缘层可包括钝化层118。

覆盖层130设置在第一连接电极CP1上。覆盖层130可包括至少与第一连接电极CP1的一部分(尤其是第一电极图案CP1-1)重叠的第一驱动接触孔DH1(例如，图8)。第一驱动接触孔DH1可包括穿过覆盖层130的第一开口区域OA1、形成覆盖层130上的第一倾斜表面S1的第一倾斜区域SA1和形成覆盖层130上的第二倾斜表面S2的第二倾斜区域SA2。覆盖层130的第一开口区域OA1是通过使用全色调光掩模的光处理工艺形成的。覆盖层130的第一倾斜区域SA1和第二倾斜区域SA2可通过使用半色调光掩膜的光处理工艺形成。

覆盖层130的第一驱动接触孔DH1可包括设置在朝向焊接接触部分WCT的第一侧和面向第一侧的第二侧上的第一倾斜表面S1，和设置在朝向设置在第一像素P1中的子像素SP1-1的光发射区域EA的第三侧和面向第三侧的第四侧上的第二倾斜表面S2。根据本公开的一个实施例，在覆盖层130的第一驱动接触孔DH1中形成的第一倾斜表面S1和第二倾斜表面S2可具有彼此不同的其各自的倾斜度。

在一个实施例中，第一倾斜表面S1的第一倾斜角θ1可大于第二倾斜表面S2的第二倾斜角θ2。第一倾斜表面S1和第二倾斜表面S2中的每一个的倾斜角度可取决于半色调光掩膜的宽度来确定。如图7所示，第一倾斜表面S1可使用具有第三宽度W3的半色调光掩膜来形成，而第二倾斜表面S2可使用具有大于第三宽度W3的第四宽度W4的半色调光掩膜来形成。通过使用具有较小宽度的半色调光掩膜，可形成具有陡峭倾斜度的第一倾斜表面S1。另一方面，通过使用具有较大宽度的半色调光掩膜，可形成具有平缓倾斜度的第二倾斜表面S2。

钝化层118可设置在覆盖层130和第一连接电极CP1之间。钝化层118可包括与覆盖层130的第一驱动接触孔DH1至少部分地重叠的第二驱动接触孔DH2。例如，第二驱动接触孔DH2可位于第一驱动接触孔DH1的下方。第一驱动接触孔DH1可以大于第二驱动接触孔DH2，第一驱动接触孔DH1和第二驱动接触孔DH2可以相互重叠。钝化层118的第二驱动接触孔DH2可包括穿过钝化层118露出第一连接电极CP1的第一电极图案CP1-1的第三开口区域OA3。钝化层118的第三开口区域OA3可通过湿法蚀刻工艺形成。

钝化层118的第三开口区域OA3可设置在覆盖层130的第一开口区域OA1中，并且可具有小于第一开口区域OA1的尺寸的尺寸。例如，如图7所示，覆盖层130的第一开口区域OA1可具有具有第一宽度W1的矩形形状，而钝化层118的第三开口区域OA3可具有具有小于第一宽度W1的第二宽度W2(例如，W1>W2)的矩形形状，但本公开并不限于此。覆盖层130的第一开口区域OA1和钝化层118的第三开口区域OA3可被形成为诸如圆形形状、椭圆形形状和多边形形状的各种形状中的一种。覆盖层130的第一驱动接触孔DH1可露出钝化层119的第二驱动接触孔DH2和钝化层118的上表面的一部分。

第一连接电极CP1的第一电极图案CP1-1可通过包括覆盖层130的第一驱动接触孔DH1和钝化层118的第二驱动接触孔DH2的驱动接触孔DCT与设置在第一像素P1中的子像素SP1-1的第一阳极电极AE1电连接。

设置在第一像素P1中的子像素SP1-1可包括发光元件150，该发光元件150包括第一阳极电极AE1。第一阳极电极AE1可包括布置在被设置在第一像素P1中的子像素SP1-1的光发射区域EA中的第一发光部分AE1-1，以及布置在被设置在第一像素P1中的子像素SP1-1的电路区域CA中的第一连接部分AE1-2(例如，参见图5)。

第一连接部分AE1-2可从第一发光部分AE1-1突出并在朝电路区域CA的方向上延伸。第一连接部分AE1-2可具有被设置为与驱动接触孔重叠的一端。详细而言，第一连接部分AE1-2可设置在包括覆盖层130的第一驱动接触孔DH1和钝化层118的第二驱动接触孔DH2的驱动接触孔中。第一连接部分AE1-2可与驱动接触孔中的第一连接电极CP1的第一电极图案CP1-1直接接触。因此，第一阳极电极AE1可与第一连接电极CP1电连接。

同时，如图5所示，第一连接电极CP1的第二电极图案CP1-2可从第一电极图案CP1-1突出并延伸到与驱动晶体管DTR重叠的区域。第一连接电极CP1的第二电极图案CP1-2可设置在焊接接触部分WCT和设置在第一像素P1中的子像素SP1-1的光发射区域EA之间。也就是说，第一连接电极CP1的第二电极图案CP1-2可设置在焊接接触部分WCT与设置在第一像素P1中的子像素SP1-1的第一阳极电极AE1的第一发光部分AE1-1之间。

如图6所示，第一连接电极CP1的第二电极图案CP1-2可通过穿过栅极绝缘层114的第一接触孔CH1与布置在源极区域S或漏极区域D中的第二有源层ACT2电连接。因此，第一阳极电极AE1可通过第一连接电极CP1与驱动晶体管DTR电连接。因此，可从驱动晶体管DTR向第一阳极电极AE1供应像素电力。

参照回图5，焊接接触部分WCT对应于用于将布置在与具体子像素相邻布置的相邻子像素的光发射区域EA中的发光元件150与布置在该具体子像素的电路区域CA中的驱动晶体管DTR电连接的接触部分。

详细而言，焊接接触部分WCT可将布置在被设置在第二像素P2中的相邻子像素SP1-2的光发射区域EA中的发光元件150与布置在被设置在第一像素P1中的子像素SP1-1的电路区域CA中的驱动晶体管DTR电连接。在这种情况下，设置在第二像素P2中的相邻子像素SP1-2可以是设置在第二像素P2中的第一子像素SP1至第四子像素SP4中的一个，并可发出与设置在第一像素P1中的子像素SP1-1相同颜色的光。

在根据本公开的一个实施例的发光显示装置中，当设置在第二像素P2中的相邻子像素SP1-2的驱动晶体管出现缺陷时，设置在第一像素P1中的子像素SP1-1的驱动晶体管DTR可通过焊接接触部分WCT与相邻子像素SP1-2的发光元件150电连接。因此，在根据本公开的一个实施例的发光显示装置中，尽管驱动晶体管存在缺陷，但相邻子像素SP1-2的发光元件150仍可正常运行。例如，焊接接触部分WCT可提供一种故障切换(fail-over)选项，以便在子像素自身的驱动晶体管被发现出现缺陷的情况下，允许该子像素由相邻子像素的驱动晶体管来驱动(例如，可将相邻行中相同颜色的两个子像素连在一起，参见图1和图2)。

当设置在第二像素P2中的相邻子像素SP1-2的驱动晶体管正常时，焊接接触部分WCT可将设置在第一像素P1中的子像素SP1-1的驱动晶体管DTR与相邻子像素SP1-2的发光元件150电分离。另一方面，当设置在第二像素P2中的相邻子像素SP1-2的驱动晶体管确实出现缺陷时(例如，由于制造期间的问题)，焊接接触部分WCT可通过激光照射将相邻子像素SP1-2的发光元件150与设置在第一像素P1中的子像素SP1-1的驱动晶体管DTR电连接(例如，可将相邻行中相同颜色的两个子像素连在一起，并可避免出现坏掉的子像素，参见图1和图2)。

焊接接触部分WCT可包括第二连接电极CP2和至少一个绝缘层，该至少一个绝缘层包括焊接接触孔。

参照图7、图8和图10，第二连接电极CP2可电连接到设置在第一像素P1中的子像素SP1-1的驱动晶体管DTR。第二连接电极CP2可设置在与第一连接电极CP1不同的层上。在一个实施例中，第二连接电极CP2可与遮光层LS设置在同一层上。第二连接电极CP2可从遮光层LS延伸并被形成为一层，但不限于此。第二连接电极CP2可被形成与遮光层LS间隔开的一个图案。

第二连接电极CP2可被设置为与焊接接触孔重叠。第二连接电极CP2可与设置在第二像素P2中的相邻子像素SP1-2的发光元件150(尤其是第二阳极电极AE2)利用在与焊接接触孔重叠的区域内插置在其间的绝缘层(例如，缓冲层112)间隔开。第二连接电极CP2可与设置在第二像素P2中的相邻子像素SP1-2的第二阳极电极AE2电分离。

在第二连接电极CP2上可设置包括焊接接触孔的至少一个绝缘层。该至少一个绝缘层可包括有机绝缘层和无机绝缘层中的至少一个。例如，有机绝缘层可包括覆盖层130，无机绝缘层可包括钝化层118。

覆盖层130可包括设置在第二连接电极CP2上并与第二连接电极CP2的至少一部分重叠的第一焊接接触孔WH1。覆盖层130的第一焊接接触孔WH1可包括穿过覆盖层130的第二开口区域OA2、在覆盖层130上形成第三倾斜表面S3的第三倾斜区域SA3以及在覆盖层130上形成第四倾斜表面S4的第四倾斜区域SA4。覆盖层130的第二开口区域OA2可通过使用全色调光掩膜的光处理工艺形成，而覆盖层130的第三倾斜区域SA3和第四倾斜区域SA4可通过使用半色调光掩膜的光处理工艺形成。

覆盖层130的第一焊接接触孔WH1可包括设置在朝向驱动接触部分DCT的第一侧和面向第一侧的第二侧上的第三倾斜表面S3，以及设置在朝向第一像素P1中设置的子像素SP1-1的光发射区域EA的第三侧和面向第三侧的第四侧上的第四倾斜表面S4。根据本公开的一个实施例，在覆盖层130的第一焊接接触孔WH1中形成的第三倾斜表面S3和第四倾斜表面S4可具有彼此不同的其各自的倾斜度。

在一个实施例中，第三倾斜表面S3的第三倾斜角θ3可大于第四倾斜表面S4的第四倾斜角θ4。第三倾斜表面S3和第四倾斜表面S4中的每一个的倾斜角可取决于半色调光掩膜的宽度来确定。如图7所示，第三倾斜表面S3可使用具有第三宽度W3的半色调光掩膜来形成，第四倾斜表面S4可使用具有大于第三宽度W3的第四宽度W4(例如，W4>W3)的半色调光掩膜来形成。通过使用具有较小宽度的半色调光掩膜，可形成具有陡峭倾斜度的第三倾斜表面S3。另一方面，通过使用具有较大宽度的半色调光掩膜，可形成具有平缓倾斜度的第四倾斜表面S4。

钝化层118可设置在覆盖层130和第二连接电极CP2之间。钝化层118可包括至少部分地与覆盖层130的第一焊接接触孔WH1重叠的第二焊接接触孔WH2。钝化层118的第二焊接接触孔WH2可包括穿过钝化层118的第四开口区域OA4。钝化层118的第四开口区域OA4可通过湿法蚀刻工艺形成。而且，第一焊接接触孔WH1可大于第二焊接接触孔WH2，并且第一焊接接触孔WH1可位于第二焊接接触孔WH2的上方。第一焊接接触孔WH1和第二焊接接触孔WH2可相互重叠。

钝化层118的第四开口区域OA4可布置在覆盖层130的第二开口区域OA2中，并且可具有小于第二开口区域OA2的尺寸的尺寸(例如，OA4<OA2)。例如，如图7所示，覆盖层130的第二开口区域OA2可具有具有第一宽度W1的矩形形状，而钝化层118的第四开口区域OA4可具有具有小于第一宽度W1的第二宽度W2(例如，W2<W1)的矩形形状，但本公开不限于此。覆盖层130的第二开口区域OA2和钝化层118的第四开口区域OA4可被形成为诸如圆形形状、椭圆形形状和多边形形状的各种形状中的一种。覆盖层130的第一焊接接触孔WH1可露出钝化层119的第二焊接接触孔WH2和钝化层118的上表面的一部分。

当设置在第二像素P2中的相邻子像素SP1-2的驱动晶体管中出现缺陷时，包括覆盖层130的第一焊接接触孔WH1和钝化层118的第二焊接接触孔WH2的焊接接触孔可对应于用于照射激光以将相邻子像素SP1-2的第二阳极电极AE2与第二连接电极CP2电连接的焊接点。

当设置在第二像素P2中的相邻子像素SP1-2的驱动晶体管正常运行(例如，无缺陷)时，第二连接电极CP2可与相邻子像素SP1-2的第二阳极电极AE2利用在包括覆盖层130的第一焊接接触孔WH1和钝化层118的第二焊接接触孔WH2的焊接接触孔中插置在其间的缓冲层112保持电分离，如图8和图10所示。

另一方面，当设置在第二像素P2中的相邻子像素SP1-2的驱动晶体管出现缺陷时，可通过向焊接接触孔照射激光，将第二连接电极CP2电连接到相邻子像素SP1-2的第二阳极电极AE2(其之前与第二连接电极CP2电分离)，如图11所示。例如，以这种方式，可将两个相邻的子像素连在一起，并由同一个驱动晶体管驱动，而且可避免出现坏掉的子像素。

详细而言，设置在第二像素P2中的子像素SP1-2可包括包括第二阳极电极AE2的发光元件150。第二阳极电极AE2可包括布置在被设置在第二像素P2中的子像素SP1-2的光发射区域EA中的第二发光部分AE2-1和布置在被设置在第一像素P1中的子像素SP1-1的电路区域CA中的第二连接部分AE2-2。

第二连接部分AE2-2可从第二发光部分AE2-1突出，并向设置在第一像素P1中的子像素SP1-1的电路区域CA的方向延伸。第二连接部分AE2-2可被设置为具有与焊接接触孔重叠的一端。第二阳极电极AE2的第二连接部分AE2-2可设置在包括覆盖层130的第一焊接接触孔WH1和钝化层118的第二焊接接触孔WH2的焊接接触孔中，并可与第二连接电极CP2利用在焊接接触孔中插置在其间的缓冲层112电分离。

当激光照射到焊接接触孔(尤其是与钝化层118的第二焊接接触孔WH2相对应的焊接点)时，第二阳极电极AE2的第二连接部分AE2-2可在焊接接触孔中与第二连接电极CP2相接触，如图11所示。因此，第二阳极电极AE2可与第二连接电极CP2电连接。

第二连接电极CP2可通过第一连接电极CP1与驱动晶体管DTR电连接。在一个实施例中，第一连接电极CP1可进一步包括第三电极图案CP1-3。第一连接电极CP1的第一电极图案CP1-1、第二电极图案CP1-2和第三电极图案CP1-3可被设置为一层。

如图5所示，第一连接电极CP1的第三电极图案CP1-3可从第一电极图案CP1-1突出并延伸到位于焊接接触部分WCT的下方的区域。第一连接电极CP1的第三电极图案CP1-3可设置在焊接接触部分WCT与设置在第二像素P2中的相邻子像素SP1-2的光发射区域EA之间。也就是说，第一连接电极CP1的第三电极图案CP1-3可设置在焊接接触部分WCT与设置在第二像素P2中的相邻子像素SP1-2的第二阳极电极AE2的第二发光部分AE2-1之间。

如图10所示，第一连接电极CP1的第三电极图案CP1-3可通过穿过缓冲层112的第二接触孔CH2与第二连接电极CP2电连接。同时，如图6所示，第一连接电极CP1的第二电极图案CP1-2可通过穿过栅极绝缘层114的第一接触孔CH1与布置在源极区域S或漏极区域D中的第二有源层ACT2电连接。因此，第二阳极电极AE2可通过第一连接电极CP1和第二连接电极CP2与驱动晶体管DTR电连接。因此，可从设置在第一像素P1中的子像素SP1-1的驱动晶体管DTR向第二阳极电极AE2供应像素电力。

根据本公开的一个实施例的发光显示装置可包括光提取单元140(例如，光提取部分)，从而改善从发光元件层发射的光的光提取效率。因此，根据本公开的一个实施例的发光显示装置即使在低功率的情况下也可具有高的光发射效率，从而降低功耗。

在根据本公开的一个实施例的发光显示装置中，驱动接触部分DCT和焊接接触部分WCT可在第一方向(例如，X轴方向)上彼此相邻地布置。详细而言，在根据本公开的一个实施例的发光显示装置中，设置在一个子像素区域中的电路区域CA中的驱动接触部分DCT和焊接接触部分WCT可在与第一方向(例如，X轴方向)平行的第一线上彼此相邻地布置。例如，第一线可以是沿水平方向延伸的假想线，而驱动接触部分DCT和焊接接触部分WCT两者可沿第一线布置。驱动接触部分DCT和焊接接触部分WCT中的每一个的至少一部分可与第一线重叠。第一线可以是与第二线平行的线，设置在一个像素P中的第一子像素SP1至第四个子像素SP4被排布在第二线上。也就是说，驱动接触部分DCT和焊接接触部分WCT可沿着与被设置在一个像素P中的第一子像素SP1至第四子像素SP4排布的方向相同的方向布置。

在根据本公开的一个实施例的发光显示装置中，驱动接触部分DCT和焊接接触部分WCT可在第一方向(例如X轴方向)上彼此相邻地布置，从而可减小电路区域CA的尺寸。在第一方向(例如，X轴方向)上电路区域CA的长度由在第一方向(例如，X轴方向)上光发射区域EA的长度确定，因此不能被任意地减小。此外，当在第一方向(例如，X轴方向)上电路区域CA的长度减小时，在第一方向(例如，X轴方向)上光发射区域EA的长度也会减小，从而光发射区域EA的尺寸也会减小。因此，通过减小在第一方向(例如，X轴方向)上电路区域CA的长度来减小电路区域CA的尺寸并不优选。

另一方面，在第二方向(例如，Y轴方向)上电路区域CA的长度可与在第二方向(例如，Y轴方向)上光发射区域EA的长度具有相反的关系(reverse relation)。当在第二方向(例如，Y轴方向)上电路区域CA的长度减少时，在第二方向(例如，Y轴方向)上光发射区域EA的长度可以增加。在根据本公开的一个实施例的发光显示装置中，驱动接触部分DCT和焊接接触部分WCT可在第一方向(例如，X轴方向)上彼此相邻地布置，使得可减少在第二方向(例如，Y轴方向)上电路区域CA的长度。因此，在根据本公开的一个实施例的发光显示装置中，可增加在第二方向(例如，Y轴方向)上光发射区域EA的长度，并因此可增大光发射区域EA的尺寸。

同时，在根据本公开的一个实施例的发光显示装置中，分别形成在驱动接触部分DCT的第一驱动接触孔DH1和焊接接触部分WCT的第一焊接接触孔WH1中的倾斜表面可具有相互不同的其各自的倾斜度。

详细而言，穿过覆盖层130的驱动接触部分DCT的第一驱动接触孔DH1可包括设置在朝向焊接接触部分WCT的第一侧和面向第一侧的第二侧上的第一倾斜表面S1，以及设置在朝向被设置在第一像素P1中的子像素SP1-1的光发射区域EA的第三侧和面向第三侧的第四侧上的第二倾斜表面S2。在根据本公开的一个实施例的发光显示装置中，在第一驱动接触孔DH1中形成的第一倾斜表面S1的第一倾斜角θ1可被形成为大于第二倾斜表面S2的第二倾斜角θ2。

而且，穿过覆盖层130的焊接接触部分WCT的第一焊接接触孔WH1可包括设置在朝向驱动接触部分DCT的第一侧和面向第一侧的第二侧上的第三倾斜表面S3，以及设置在朝向被设置在第一像素P1中的子像素SP1-1的光发射区域EA的第三侧和面向第三侧的第四侧上的第四倾斜表面S4。在根据本公开的一个实施例的发光显示装置中，在第一焊接接触孔WH1中形成的第三倾斜表面S3的第三倾斜角θ3可被形成为大于第四倾斜表面S4的第四倾斜角θ4。

也就是说，驱动接触部分DCT的第一驱动接触孔DH1和焊接接触部分WCT的第一焊接接触孔WH1可被形成为使得在驱动接触部分DCT和焊接接触部分WCT之间形成的倾斜表面具有高倾斜度。因此，在根据本公开的一个实施例的发光显示装置中，驱动接触部分DCT和焊接接触部分WCT可沿第一方向(例如，X轴方向)布置，同时可增大驱动接触部分DCT的第一驱动接触孔DH1和焊接接触部分WCT的第一焊接接触孔WH1的尺寸。

形成在覆盖层130中的驱动接触部分DCT的第一驱动接触孔DH1和焊接接触部分WCT的第一焊接接触孔WH1，在制造过程期间可根据需要增大尺寸。尤其是，可增大驱动接触部分DCT的第一驱动接触孔DH1的第一开口区域OA1和焊接接触部分WCT的第一焊接接触孔WH1的第二开口区域OA2中的每一个的尺寸。当增大了驱动接触部分DCT的第一驱动接触孔DH1的第一开口区域OA1和焊接接触部分WCT的第一焊接接触孔WH1的第二开口区域OA2中的每一个的尺寸时，可减小驱动接触部分DCT的第一驱动接触孔DH1和焊接接触部分WCT的第一焊接接触孔WH1之间的距离。当用于形成驱动接触部分DCT的第一驱动接触孔DH1的倾斜表面的半色调掩膜与用于形成焊接接触部分WCT的第一焊接接触孔WH1的倾斜表面的半色调掩膜之间没有获得最小间隔时，可能无法在第一驱动接触孔DH1和第一焊接接触孔WH1之间以所期望的形状形成倾斜表面，因此很难稳定地形成在第一驱动接触孔DH1和第一焊接接触孔WH1中的每一个中形成的阳极电极。

为了稳定地形成阳极电极，当用于形成驱动接触部分DCT的第一驱动接触孔DH1的倾斜表面的半色调掩膜与用于形成焊接接触部分WCT的第一焊接接触孔WH1的倾斜表面的半色调掩膜之间获得了最小间隔时，可增加在第一方向(例如，X轴方向)上其中形成驱动接触部分DCT和焊接接触部分WCT的区域的长度。由于在分辨率较高的情况下，光发射区域EA和电路区域CA中的每一个在第一方向(X轴方向)上的长度被减少，因此可将驱动接触部分DCT的第一驱动接触孔DH1和焊接接触部分WCT的第一焊接接触孔WH1布置在第二方向(例如，Y轴方向)上，而不布置在第一方向(例如，X轴方向)上。在这种情况下，可增大电路区域CA的尺寸，并因此可减小光发射区域EA的尺寸。

在根据本公开的一个实施例的发光显示装置中，当形成驱动接触部分DCT的第一驱动接触孔DH1和焊接接触部分WCT的第一焊接接触孔WH1时，驱动接触部分DCT和焊接接触部分WCT之间的倾斜表面可被形成为具有高倾斜度，使得可获得用于形成驱动接触部分DCT的第一驱动接触孔DH1的第一倾斜表面S1的半色调掩膜与用于形成焊接接触部分WCT的第一焊接接触孔WH1的第三倾斜表面S3的半色调掩膜之间的最小距离。因此，可在第一驱动接触孔DH1和第一焊接接触孔WH1之间以所期望的形状形成倾斜表面，并因此可稳定地形成在第一驱动接触孔DH1和第一焊接接触孔WH1中的每一个中形成的阳极电极。此外，由于无需在第一方向(例如，X轴方向)上增加其中形成驱动接触部分DCT和焊接接触部分WCT的区域的长度，因此即使在高分辨率的发光显示装置中，驱动接触部分DCT和焊接接触部分WCT也可在第一方向(例如，X轴方向)上彼此相邻地布置。

同时，驱动接触部分DCT的第一驱动接触孔DH1和焊接接触部分WCT的第一焊接接触孔WH1可被形成为使得在第一驱动接触孔DH1或第一焊接接触孔WH1与具有光提取单元140的光发射区域EA之间形成的倾斜表面具有低倾斜度。因此，在根据本公开的一个实施例的发光显示装置中，可稳定地形成与电路区域CA相邻布置的光提取单元140。也就是说，根据本公开的一个实施例的发光显示装置可防止光提取效率因与电路区域CA相邻布置的光提取单元140的形状变形而降低。

在根据本公开的一个实施例的发光显示装置中，第二阳极电极AE2可形成在焊接接触部分WCT的第一焊接接触孔WH1中以覆盖第三倾斜表面S3。因此，根据本公开的一个实施例的发光显示装置可在形成第二阳极电极AE2时防止蚀刻剂渗透到覆盖层130的第三倾斜表面S3和钝化层118之间。

如图8所示，在驱动接触部分DCT的第一驱动接触孔DH1和焊接接触部分WCT的第一焊接接触孔WH1之间形成的覆盖层130可在其下方设置有第一连接电极CP1的边缘区域。当第二阳极电极AE2没有覆盖焊接接触部分WCT的第一焊接接触孔WH1中的第三倾斜表面S3时，在形成第二阳极电极AE2时，蚀刻剂很容易渗透到钝化层118中。在这种情况下，当钝化层118中存在接缝时，蚀刻剂会通过钝化层118的接缝渗透到第一连接电极CP1中，使得第一连接电极CP1可被损害。

在根据本公开的一个实施例的发光显示装置中，覆盖层130的第三倾斜表面S3在焊接接触部分WCT的第一焊接接触孔WH1中具有较高的倾斜度，并且第二阳极电极AE2被形成为覆盖覆盖层130的第三倾斜表面S3，使得可有效地防止蚀刻剂渗透到覆盖层130的第三倾斜表面S3和钝化层118之间。此外，在根据本公开的一个实施例的发光显示装置中，即使钝化层118中存在接缝，也可防止蚀刻剂通过钝化层118的接缝渗透到第一连接电极CP1中。因此，可防止第一连接电极CP1受到损害。

而且，在根据本公开的一个实施例的发光显示装置中，第一连接电极CP1可被形成为不与覆盖层130的第三倾斜表面S3重叠。因此，在根据本公开的一个实施例的发光显示装置中，可使钝化层118中的接缝的出现最小化。

设置在形成于驱动接触部分DCT的第一驱动接触孔DH1和焊接接触部分WCT的第一焊接接触孔WH1之间的覆盖层130下方的第一连接电极CP1的尺寸被减小，使得可减小在覆盖层130的第三倾斜表面S3和钝化层118之间的边界区域中的钝化层118的台阶差。因此，在钝化层118和覆盖层130的第三倾斜表面S3之间的边界区域出现接缝的可能性可以降低。即使接缝出现在钝化层118中，由于第一连接电极CP1与钝化层118的接缝之间的距离较长，蚀刻剂会不容易渗透到第一连接电极CP1中。

而且，在根据本公开的一个实施例的发光显示装置中，由于第一连接电极CP1位于与覆盖层130的第三倾斜表面S3相距足够远的距离的位置，即使在形成驱动接触部分DCT的第一驱动接触孔DH1和焊接接触部分WCT的第一焊接接触孔WH1时出现误差，也可获得与覆盖层130的第三倾斜表面S3和钝化层118之间的边界区域相距的适当间隔距离。因此，根据本公开的一个实施例的发光显示装置可使由于蚀刻剂而对第一连接电极CP1造成的损害最小化。

而且，在根据本公开的一个实施例的发光显示装置中，可布置将第二连接电极CP2与第一连接电极CP1(在其间插置有焊接接触部分WCT)电连接的第二接触孔CH2，以及将第一连接电极CP1与驱动晶体管DTR电连接的第一接触孔CH1。因此，根据本公开的一个实施例的发光显示装置可使电路区域CA的尺寸最小化，并可在其中沿第一方向(例如，X轴方向)布置了驱动接触部分DCT和焊接接触部分WCT的结构中使光发射区域EA的尺寸大幅增加。

同时，根据本公开的一个实施例的发光显示装置可具有光提取结构，其中当外部光在光提取单元140中反射时出现的彩虹图案(或彩虹斑图案)和辐射形状的圆环图案可以被最小化。下面，将参照图12A至图12C描述用于使彩虹图案最小化的光提取结构。

图12A是示出了根据本公开的实施例的每一个像素的光提取单元的旋转结构(rotational structure)的视图，图12B是示出了根据本公开的实施例的在图12A中所示的被配置在第一行和第(j)列的像素中的光提取单元的放大图；以及图12C是示出了根据本公开的实施例的在图12A中所示的被配置在第(i)行和第(j)列的像素中的光提取单元的放大图。

在发光显示装置中，当在非驱动或关闭状态下外部光入射到光提取单元140上时，反射光可由光提取单元140的凸出部分143产生，并可根据薄膜的双折射效应通过发光表面向外发射。反射光可产生彩虹图案(或彩虹斑图案)，其呈放射状散播，同时具有由于光的色散特性(其根据由于发光元件150的材料特性和每一层的折射率差异造成的每一波长的折射角的差异而定)造成的彩虹色。例如，反射光可根据光的相消干涉和/或相长干涉产生放射状彩虹图案和放射状圆环图案，从而降低黑色可见性特性。

在根据本公开的一个实施例的发光显示装置中，光提取单元140可被配置为基于随机参考点以预设角度旋转(或水平旋转，或稍微偏移)，以便减少或最小化由于多个像素P中的每一个的反射光的相消干涉和/或相长干涉造成的放射状彩虹图案和放射状圆环图案。例如，布置在多个像素P中的一个或多个中的光提取单元140可通过基于以一个像素P为单元的对应像素区域中的随机参考点以大于0°且小于60°的旋转角度旋转来配置。在这种情况下，旋转角度θ可以是第一倾斜线TL1与凹入部分141的第一直线SL1之间的角度，或者可以是第二倾斜线TL2与凹入部分141的第二直线SL2之间的角度。例如，布置在多个像素P中的每一个中的光提取单元140的旋转角度可沿着第一方向(例如，X轴方向)、第二方向(例如，Y轴方向)和对角线方向中的一个或多个在旋转角度θ大于0°且小于60°的范围内不规则地或随机地设置。例如，随机参考点可以是像素P的第一子像素SP1至第四子像素SP4中的每一个的光发射区域EA内的随机位置，或者可以是多个凹入部分141中的任一个的中心部分C。

参照图12A，根据本公开的一个实施例的发光显示装置可包括多个像素块PB。显示区域DA可被划分或分块为多个像素块PB。多个像素块PB中的每一个可包括多个像素组PG[1,1]至PG[i,j]。例如，多个像素块PB中的每一个可包括i×j个(或i行和j列)像素组PG[1,1]至PG[i,j]。

布置在显示区域DA中的多个像素P可被分组为多个像素组PG[1,1]至PG[i,j]。例如，多个像素组PG[1,1]至PG[i,j]中的每一个可被配置为一个像素P。

根据本公开的一个实施例，布置在多个像素组PG[1,1]至PG[i,j]中的相应像素P中的光提取单元140中的一个或多个可通过基于相应像素P中的随机参考点以预设角度旋转来配置。例如，在多个像素组PG[1,1]至PG[i,j]中的每一个中，布置在被包括在像素P中的多个子像素SP中的每一个中的光提取单元140可被配置为基于相应子像素中的任一个凹入部分141的中心部分以预设角度旋转。

分别布置在被包括在多个像素组PG[1,1]至PG[i,j]中的每一个中的像素P中的多个子像素SP中的光提取单元140的旋转角度可以彼此相同。例如，分别布置在构成一个像素P的多个子像素SP中的光提取单元140的旋转角度可以彼此相同。分别布置在构成一个像素P的多个子像素SP中的光提取单元140的旋转角度可以是每个像素的旋转角度。例如，光提取单元140的每一个像素的旋转角度可以指的是在构成一个像素P的多个子像素SP中的每一个中同样地设置的光提取单元140的旋转角度。

例如，布置在像素组PG[1,1]至PG[i,j]中的相邻像素组中的光提取单元140的每一个像素的旋转角度可以彼此不同。例如，分别布置在像素组PG[1,1]至PG[i,j]中的光提取单元140的每一个像素的旋转角度可以彼此相差1°或3°或更多。例如，布置在像素组PG[1,1]至PG[i,j]中的一个或多个非相邻像素组中的光提取单元140的每一个像素的旋转角度可以是0°或彼此相同，而布置在其他像素中的光提取单元140的每一个像素的旋转角度可以在0°至60°的范围内不规则或随机地设置。例如，当相邻的光提取单元140之间的每一个像素的旋转角度相差3°或更大时，可有效抑制或最小化放射状圆环图案和辐射状彩虹图案的出现。

根据本公开的一个实施例，在多个像素块PB中的每一个中，分别布置在i×j个像素组PG[1,1]至PG[i,j]中的光提取单元140形成的每个像素块的旋转角度可以以像素块为单元不同地或随机地设置。例如，在多个像素块PB中，布置在沿第一方向、第二方向和对角线方向中的任一方向彼此直接相邻的像素块中的光提取单元140形成的每一个像素块的旋转角度可具有不对称性、非规则性或随机性。例如，在多个像素块PB中，布置在沿第一方向、第二方向和对角线方向中的一个彼此直接相邻的像素块中的光提取单元140形成的每一个像素块的旋转角度可整体上彼此不同。例如，在多个像素块PB中，布置在沿第一方向、第二方向和对角线方向中的一个的彼此不直接相邻的像素块中的光提取单元140形成的每一个像素块的旋转角度中的一些可以为0°或彼此相同。

例如，如图12B和图12C所示，布置在1×j(或第一行和第(j)列)的像素组PG[1,j]中的光提取单元140的旋转角度θ可以不同于布置在2×j(或第二行和第(j)列)的像素组PG[2,j]中的光提取单元140的旋转角度θ。例如，布置在1×j(或第一行和第(j)列)的像素组PG[1,j]中的光提取单元140的旋转角度θ可与布置在2×j(或第二行和第(j)列)的像素组PG[2,j]中的光提取单元140的旋转角度θ具有1°或3°或更多的差异。例如，图12B所示的布置在1×j(或第一行和第(j)列)的像素组PG[1,j]中的光提取单元140的旋转角度θ可以是5°。图12C所示的布置在2×j(或第二行和第(j)列)的像素组PG[2,j]中的光提取单元140的旋转角度θ可以是15°。

因此，在根据本公开的一个实施例的发光显示装置中，分别布置在多个像素块PB中的光提取单元140形成的每一个像素块的旋转角度可以不同地或随机地设置。而且，在根据本公开的一个实施例的发光显示装置中，分别布置在被包括在多个像素块PB中的每一个中的多个像素组PG[1,1]至PG[i,j]中的光提取单元140形成的每一个像素的旋转角度可以不同地或随机地设置。此外，在根据本公开的一个实施例的发光显示装置中，分别布置在被包括在多个像素组PG[1,1]至PG[i,j]中的每一个中的多个子像素中的光提取单元140形成的每一个子像素的旋转角度可以不同地或随机地设置。

因此，在根据本公开的一个实施例的发光显示装置中，由分别布置在多个像素P中的光提取单元140中的反射产生的反射光的衍射图案以像素为单元发生改变。因此，由多个像素P中的每一个的光提取单元140产生的反射光的衍射图案可以偏移或最小化，或者由于反射光的衍射图案的非规则性或随机性，可抑制或最小化反射光的放射状彩虹图案和放射状圆环图案的出现。在根据本公开的一个实施例的发光显示装置中，可减轻在非驱动或关闭状态下由外部光的反射引起的黑色可视性特性的劣化，从而可实现真正的黑色。

根据本公开的发光显示装置可应用于所有电子设备。例如，根据本公开的发光显示装置可应用于移动设备、视频电话、智能手表、手表电话、可穿戴设备、可折叠设备、可卷绕设备、可弯曲设备、柔性设备、弯曲设备、电子日记、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、个人数字助理(PDA)、MP3播放器、移动医疗设备、台式PC、笔记本式PC、上网本电脑、工作站、导航仪、车载导航仪、车载显示设备、电视、墙纸显示设备、标牌设备、游戏设备、笔记本电脑、监视器、照相机、摄像机、家用电器等。

根据本公开，可获得以下有利效果。

本公开可改善从发光元件层发射的光的光提取效率，并因此即使在低功率的情况下也可具有较高的光发射效率。因此，本公开可降低功耗。

在本公开中，驱动接触部分和焊接接触部分可在与设置在一个像素中的子像素排布的方向平行的方向上彼此相邻地布置。因此，可减小电路区域的尺寸，从而增大光发射区域的尺寸，以及可避免出现坏掉的子像素或修复坏掉的子像素。

而且，在本公开中，当形成驱动接触孔和焊接接触孔时，在驱动接触部分和焊接接触部分之间形成的倾斜表面可被形成为具有高倾斜度，从而可获得用于形成驱动接触孔的倾斜表面的半色调掩膜和用于形成焊接接触孔的倾斜表面的半色调掩膜之间的最小间隔。因此，可在驱动接触孔和焊接接触孔之间以所期望的形状形成倾斜表面，并且可稳定地形成在驱动接触孔和焊接接触孔中的每一个中形成的阳极电极。

而且，由于无需增加其中形成驱动接触部分和焊接接触部分的区域的水平长度，因此即使在高分辨率的发光显示装置中，驱动接触部分和焊接接触部分也可在水平方向上彼此相邻地布置。

而且，在本公开中，当形成驱动接触孔和焊接接触孔时，在驱动接触孔或焊接接触孔与设置有光提取单元中的光发射区域之间形成的倾斜表面可被形成为具有低倾斜度，从而可稳定地形成与电路区域相邻布置的光提取单元。因此，在本公开中，可防止光提取效率因与电路区域相邻布置的光提取单元的形状变形而降低。

而且，在本公开中，阳极电极可被形成为覆盖焊接接触孔中的覆盖层的倾斜表面，使得在形成阳极电极时可防止蚀刻剂渗透到覆盖层的倾斜表面和钝化层之间。因此，即使钝化层中存在接缝，蚀刻剂也不会通过钝化层的接缝渗透到第一连接电极中，从而可防止第一连接电极受到损害。

而且，在本公开中，第一连接电极被形成为不与形成在焊接接触孔中的覆盖层的倾斜表面重叠，因此在覆盖层的倾斜表面和钝化层之间的边界区域中在钝化层中接缝的出现可以最小化。而且，即使在钝化层中出现接缝，由于第一连接电极与钝化层的接缝之间的长距离，蚀刻剂也不容易渗透到第一连接电极中，因此可使由于蚀刻剂而对第一连接电极造成的损害最小化。

对本领域技术人员而言，显然上述本公开并不限于上述实施例和附图，并且在不脱离本公开的精神或范围的情况下，可以对本公开进行各种替换、修改和变化。因此，本公开的范围由随附的权利要求限定，并且意图是从权利要求的含义、范围和等同构思中得到的所有变化或修改落入本公开的范围内。

Claims (30)

1.一种发光显示装置，包括：

位于第一像素中的第一阳极电极；

位于与所述第一像素相邻地布置的第二像素中的第二阳极电极；

被配置成向所述第一像素供电的驱动晶体管；

与所述驱动晶体管电连接的第一连接电极；

布置在与所述第一连接电极不同的层上的第二连接电极，所述第二连接电极与所述驱动晶体管电连接；以及

布置在所述第一连接电极和所述第二连接电极上的有机绝缘层，所述有机绝缘层包括与所述第一连接电极的至少一部分重叠的第一驱动接触孔和与所述第二连接电极的至少一部分重叠的第一焊接接触孔，

其中，所述第一阳极电极与所述第一驱动接触孔重叠，所述第二阳极电极与所述第一焊接接触孔重叠，以及

其中，所述第一驱动接触孔和所述第一焊接接触孔在所述第一像素中彼此相邻地布置。

2.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述第一像素包括排布在第一线上的多个子像素，并且所述第一驱动接触孔和所述第一焊接接触孔布置在与所述第一线平行的第二线上。

3.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述发光显示装置进一步包括布置在所述有机绝缘层和所述第一连接电极之间的无机绝缘层，

其中，所述无机绝缘层包括：

与所述第一驱动接触孔重叠的第二驱动接触孔；以及

与所述第一焊接接触孔重叠的第二焊接接触孔，

其中，所述第一阳极电极布置在所述第一驱动接触孔和所述第二驱动接触孔中，并且所述第一阳极电极以与在所述第二驱动接触孔中的所述第一连接电极接触的方式与所述第一连接电极电连接，以及

其中，所述第二阳极电极布置在所述第一焊接接触孔和所述第二焊接接触孔中，并且所述第二阳极电极通过布置在所述第二阳极电极和所述第二连接电极之间的缓冲层与所述第二连接电极间隔开，所述第二阳极电极与所述第二连接电极电分离。

4.根据权利要求3所述的发光显示装置，其中，所述第二焊接接触孔对应于焊接点，所述焊接点被配置为通过在所述焊接点处照射激光将所述第二阳极电极与所述第二连接电极电连接。

5.根据权利要求3所述的发光显示装置，其中，所述第一驱动接触孔露出所述第二驱动接触孔和所述无机绝缘层的上表面的一部分，以及

其中，所述第一焊接接触孔露出所述第二焊接接触孔和所述无机绝缘层的上表面的一部分。

6.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述第一驱动接触孔包括位于背离所述第一焊接接触孔的一侧上的第一倾斜表面和位于面向所述第一阳极电极的一侧上的第二倾斜表面，

其中，所述第一焊接接触孔包括位于背离所述第一驱动接触孔的一侧上的第三倾斜表面和位于面向所述第一阳极电极的一侧上的第四倾斜表面，以及

其中，所述第一倾斜表面和所述第二倾斜表面具有不同的倾斜角度，所述第三倾斜表面和所述第四倾斜表面具有不同的倾斜角度。

7.根据权利要求6所述的发光显示装置，其中，所述第一倾斜表面的倾斜角度大于所述第二倾斜表面的倾斜角度，以及

其中，所述第三倾斜表面的倾斜角度大于所述第四倾斜表面的倾斜角度。

8.根据权利要求6所述的发光显示装置，其中，所述第二阳极电极与所述第一焊接接触孔重叠，且所述第二阳极电极覆盖所述第一焊接接触孔中的所述第三倾斜表面。

9.根据权利要求6所述的发光显示装置，其中，所述第一连接电极的宽度大于所述第一驱动接触孔的宽度，

其中，所述第一连接电极与所述第一驱动接触孔重叠并布置在所述第一驱动接触孔和所述第一焊接接触孔之间，且不与所述第一焊接接触孔的所述第三倾斜表面重叠。

10.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述第二连接电极布置在所述第一连接电极的下方。

11.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述第一连接电极包括：

与所述第一驱动接触孔重叠的第一电极图案；

从所述第一电极图案突出的第二电极图案，所述第二电极图案布置在所述第一焊接接触孔和所述第一阳极电极之间；以及

从所述第一电极图案突出的第三电极图案，所述第三电极图案布置在所述第一焊接接触孔和所述第二像素之间。

12.根据权利要求11所述的发光显示装置，其中，所述第一连接电极的所述第一电极图案通过所述第一驱动接触孔与所述第一阳极电极电连接，以及

其中，所述第一连接电极的所述第二电极图案通过第一接触孔与所述驱动晶体管电连接。

13.根据权利要求12所述的发光显示装置，其中，所述第一连接电极的所述第三电极图案通过第二接触孔与所述第二连接电极电连接。

14.根据权利要求13所述的发光显示装置，其中，所述第一焊接接触孔布置在所述第一接触孔和所述第二接触孔之间。

15.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述发光显示装置进一步包括：

布置在所述第一像素中的第一子像素组；以及

布置在所述第二像素中的第二子像素组，

其中，所述第一子像素组和所述第二子像素组中的一个或多个子像素包括光提取部分，所述光提取部分具有多个凹入部分和位于所述多个凹入部分之间的凸出部分。

16.一种发光显示装置，包括：

布置在基板上的子像素，所述子像素包括光发射区域和电路区域；

布置在所述光发射区域中的发光元件，所述发光元件包括阳极电极、发光层和阴极电极；

布置在所述电路区域中的驱动晶体管；

布置在所述电路区域中的驱动接触部分，所述驱动接触部分将所述发光元件的所述阳极电极与所述驱动晶体管电连接；以及

布置在所述电路区域中的焊接接触部分，所述焊接接触部分将相邻子像素中的相邻发光元件的阳极电极与所述驱动晶体管电连接，所述相邻子像素与所述子像素相邻地布置，

其中，所述驱动接触部分和所述焊接接触部分彼此相邻地布置。

17.根据权利要求16所述的发光显示装置，其中，所述驱动接触部分和所述焊接接触部分在第一方向上彼此相邻地布置，并且所述子像素和所述相邻子像素在与所述第一方向交叉的第二方向上彼此相邻地布置。

18.根据权利要求16所述的发光显示装置，其中，所述子像素和所述相邻子像素被配置为发射相同颜色的光。

19.根据权利要求16所述的发光显示装置，其中，所述驱动接触部分包括：

与所述驱动晶体管电连接的第一连接电极；以及

布置在所述第一连接电极上的至少一个绝缘层，所述至少一个绝缘层包括露出所述第一连接电极的至少一部分的驱动接触孔，以及

其中，所述子像素的所述阳极电极包括在所述子像素的所述光发射区域中的第一发光部分，以及从所述第一发光部分延伸并与所述驱动接触孔重叠的第一连接部分。

20.根据权利要求19所述的发光显示装置，其中，所述第一连接部分布置在所述驱动接触孔中，与所述驱动接触孔中的所述第一连接电极接触，并与所述第一连接电极电连接。

21.根据权利要求19所述的发光显示装置，其中，所述驱动接触孔包括位于背离所述焊接接触部分的一侧上的第一倾斜表面和位于面向所述子像素的所述光发射区域的一侧上的第二倾斜表面，以及

其中，所述第一倾斜表面和所述第二倾斜表面具有不同的倾斜角度。

22.根据权利要求21所述的发光显示装置，其中，所述第一倾斜表面具有大于所述第二倾斜表面的倾斜角度的倾斜角度。

23.根据权利要求16所述的发光显示装置，其中，所述焊接接触部分包括：

与所述驱动晶体管电连接的第二连接电极；以及

布置在所述第二连接电极上的至少一个绝缘层，所述至少一个绝缘层包括与所述第二连接电极的至少一部分重叠的焊接接触孔，以及

其中，所述相邻子像素的所述阳极电极包括第二发光部分和从所述第二发光部分延伸并与所述焊接接触孔重叠的第二连接部分。

24.根据权利要求23所述的发光显示装置，其中，所述第二连接部分布置在所述焊接接触孔中，并且所述第二连接部分通过缓冲层与所述第二连接电极电分离，以及

其中，所述焊接接触孔被配置为在被利用激光照射时连接所述第二连接部分和所述第二连接电极。

25.根据权利要求23所述的发光显示装置，其中，所述焊接接触孔包括位于背离所述驱动接触部分的一侧上的第三倾斜表面和位于面向所述子像素的所述光发射区域的一侧上的第四倾斜表面，以及

其中，所述第三倾斜表面和所述第四倾斜表面具有不同的倾斜角度。

26.根据权利要求25所述的发光显示装置，其中，所述第三倾斜表面具有大于所述第四倾斜表面的倾斜角度的倾斜角度。

27.根据权利要求25所述的发光显示装置，其中，所述第二连接部分覆盖在所述焊接接触孔中的所述第三倾斜表面。

28.一种发光显示装置，包括：

布置在第一行中的第一子像素；

布置在与所述第一行相邻的第二行中的第二子像素；

布置在所述第一子像素和所述第二子像素之间的电路区域中的驱动晶体管，所述驱动晶体管与所述第一子像素电连接；

布置在所述第一子像素和所述第二子像素之间的所述电路区域中的焊接接触部分，

其中，所述焊接接触部分被配置为响应于被利用激光照射而将所述第二子像素与所述驱动晶体管电连接。

29.根据权利要求28所述的发光显示装置，其中，所述发光显示装置进一步包括：

布置在所述第一子像素和所述第二子像素之间的所述电路区域中的驱动接触部分，所述驱动接触部分将所述第一子像素的第一阳极与所述驱动晶体管电连接，

其中，所述焊接接触部分布置在所述第二子像素的第二阳极的一部分上。

30.根据权利要求29所述的发光显示装置，其中，所述驱动接触部分和所述焊接接触部分沿着与位于所述第一子像素和所述第二子像素之间的所述电路区域中的所述第一行平行的同一条线布置。