CN118173469A - 基板处理装置 - Google Patents

基板处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN118173469A
CN118173469A CN202311589359.2A CN202311589359A CN118173469A CN 118173469 A CN118173469 A CN 118173469A CN 202311589359 A CN202311589359 A CN 202311589359A CN 118173469 A CN118173469 A CN 118173469A
Authority
CN
China
Prior art keywords
heating plate
substrate
processing apparatus
hole
ring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202311589359.2A
Other languages
English (en)
Inventor
方济午
李周美
金旼永
李宗根
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semes Co Ltd
Original Assignee
Semes Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semes Co Ltd filed Critical Semes Co Ltd
Publication of CN118173469A publication Critical patent/CN118173469A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/168Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

公开了一种基板处理装置,其允许基板被支承在超薄加热板上以便与超薄加热板以接近的方式隔开。基板处理装置包括:加热板用于加热基板;以及贯通接近销,安装在加热板中以便穿过形成在加热板中的通孔,使得基板经由贯通接近销与加热板以间距隔开。

Description

基板处理装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年12月9日在韩国知识产权局提交的第10-2022-0171660号韩国专利申请的权益,所述韩国专利申请的公开内容通过引用以其整体并入本文中。
技术领域
本公开涉及基板处理装置,并且更具体地,涉及允许基板被支承在超薄加热板上以便以接近的方式与超薄加热板隔开的基板处理装置。
背景技术
通常,执行诸如清洗、沉积、光刻、蚀刻和离子注入的各种工艺来制造半导体器件。光刻工艺是在基板(晶片)上形成期望图案的工艺。光刻工艺通常在旋涂器本地设备中进行,旋涂器本地设备连接到曝光设备,并且旋涂器本地设备顺序地执行涂覆工艺、曝光工艺和显影工艺。
这种旋涂器本地设备顺序地或选择性地执行疏水化处理工艺、涂覆工艺、烘烤工艺和显影工艺。
疏水化处理工艺是通过在光刻胶涂覆之前向基板提供疏水化气体以增加光刻胶的粘附效率来使基板疏水化的工艺。烘烤工艺是加热和冷却晶片以增强形成在基板上的光刻胶膜或者以将基板的温度调节到预定温度的工艺。
在这种疏水化处理工艺或烘烤工艺中,可以应用其中形成有加热器或加热线图案的加热板来快速加热基板。
然而,这种现有的加热板是具有相对高的热容量以接收由于其大的厚度而在其中内置加热器所引起的热能的组件。然而,由于需要快速重复加热和冷却的工艺的性质,将加热板加热到高温或将加热板冷却到低温需要很长的时间。
此外,为了解决这一现有问题,正在尝试开发一种超薄加热板。然而,当加热板变得更薄时,部分地插入到限定在加热板的上表面中的凹槽中的部分插入的接近销的安装区域变得非常窄,使得安装接近销可能由于空间的限制而变得不可能。此外,当仅在超薄加热板的上表面上形成凹槽时,不仅其制造麻烦,而且应力集中于上表面的在凹槽附近的部分上,这容易导致超薄加热板中出现裂纹。
此外,已经尝试在超薄加热板的上表面上形成一体的接近突起。然而,当超薄加热板变得更薄时,由于工艺的性质,很难与超薄加热板一体地形成接近突起,并且可能由于不均匀的负载而出现裂纹。
发明内容
本公开旨在解决包括如上所述的问题的各种问题。因此,本公开的目的是提供一种基板处理装置,其中可以方便地安装到超薄加热板中的贯通接近销可以用于克服减小加热板的厚度的限制或者接近销的制造限制。
根据本公开的目的不限于上述目的。根据本公开的未提及的其它目的和优点可以基于以下描述来理解,并且可以基于根据本公开的实施方式来更清楚地理解。此外,可以容易地理解,根据本公开的目的和优点可以使用权利要求中所示的装置及其组合来实现。
根据本公开的第一方面,基板处理装置包括:加热板,用于加热基板;以及贯通接近销,安装在加热板中以便穿过形成在加热板中的通孔,使得基板经由贯通接近销与加热板以间距隔开。
在基板处理装置的一个实现方式中,贯通接近销包括:具有顶部的头部,其中顶部的竖直高度比加热板的上表面的竖直高度高上述间距,使得顶部与基板接触;第一固定部分,连接到头部并且具有大于通孔的直径的直径,使得第一固定部分和连接到第一固定部分的头部支承在加热板上;以及腰部,连接到第一固定部分并且具有小于或等于通孔的直径的直径,使得腰部穿过通孔。
在基板处理装置的一个实现方式中,头部具有球形上表面,以便与基板点接触。
在基板处理装置的一个实现方式中,第一固定部分被实施为与加热板的上表面接触的凸缘。
在基板处理装置的一个实现方式中,第一固定部分被实施为凸缘,凸缘插入到限定在加热板的上表面中并从通孔延伸的凸缘凹槽中。
在基板处理装置的一个实现方式中,凸缘包括:凸缘主体,从头部向外突出并在头部周围以环形形状延伸;以及磨靶部分,包括凸缘主体的下表面,磨靶部分经受研磨,使得能够选择性地调节间距。
在基板处理装置的一个实现方式中,磨靶部分被实施为磨靶表面或至少一个磨靶突起。
在基板处理装置的一个实现方式中,贯通接近销还包括连接到腰部并固定到加热板的第二固定部分。
在基板处理装置的一个实现方式中,第二固定部分被实施为C形环对应件,C形环对应件形成为与C形环的形状对应的形状,使得腰部通过限定在C形环的一侧处的开口可拆卸地装配到C形环中。
在基板处理装置的一个实现方式中,C形环对应件被实施为阶梯状部分,阶梯状部分的直径小于通孔的直径使得阶梯状部分的至少一部分穿过通孔,并且阶梯状部分的直径大于腰部的直径使得腰部经由C形环固定到加热板,其中C形环包括选自平面C形环、倾斜C形环和弹性弹簧联接的C形环中的一种。
在基板处理装置的一个实现方式中,C形环对应件被实施为C形环凹槽,C形环凹槽形成在腰部中并且形成为与C形环的形状对应的形状,使得腰部经由C形环固定到加热板。
在基板处理装置的一个实现方式中,第二固定部分包括固定销对应件,固定销对应件形成在腰部中并且形成为与固定销对应的形状,使得固定销可拆卸地插入到固定销对应件中,其中固定销对应件被实施为固定销接纳孔或凹槽。
在基板处理装置的一个实现方式中,第二固定部分被实施为能够弹性变形的可弹性变形部分,使得可弹性变形部分在穿过通孔时收缩并且在离开通孔之后膨胀。
在基板处理装置的一个实现方式中,第二固定部分被实施为阳螺纹部分,固定螺母螺纹连接到阳螺纹部分。
在基板处理装置的一个实现方式中,贯通接近销还包括连接到第二固定部分的手柄,其中手柄由手握持。
在基板处理装置的一个实现方式中,贯通接近销还包括散热部分,散热部分连接到第二固定部分并且由散热材料制成,以将从头部传递到散热部分的热量散发外部。
在基板处理装置的一个实现方式中,贯通接近销的长度大于加热板的厚度。
在基板处理装置的一个实现方式中,加热板被实施为厚度为2mm或更小的超薄加热板,其中超薄加热板用于对基板进行烘烤的液体膜固化工艺中以便干燥应用于基板上的包括光刻胶膜或抗反射膜的液体膜,或者用于对基板进行烘烤同时提供六甲基二硅氮烷气体的基板疏水化工艺中以增加光刻胶的粘附性。
根据本公开的第二方面,基板处理装置包括具有限定在其中的处理空间的壳体以及用于在其上支承容纳在处理空间中的基板的支承单元,其中支承单元包括:加热板,具有内置在其中的加热线图案以加热基板;升降销,安装在加热板中以便使基板竖直地移动;引导构件,用于将基板对准在正确的位置处;真空孔,限定在加热板中以便产生真空压力,使得基板吸附到加热板;以及贯通接近销,安装在加热板中以便穿过形成在加热板中的通孔,使得基板经由贯通接近销与加热板以间距隔开。
根据本发明的第三方面,基板处理装置包括加热板和贯通接近销,加热板具有内置在其中的加热线图案以加热基板,贯通接近销安装在加热板中以便穿过形成在加热板中的通孔使得基板经由贯通接近销与加热板以间距隔开,其中,贯通接近销包括:具有顶部的头部,其中顶部的竖直高度比加热板的上表面的竖直高度高上述间距,使得顶部与基板接触;第一固定部分,连接到头部并且具有大于通孔的直径的直径,使得第一固定部分和连接到第一固定部分的头部支承在加热板上;腰部,连接到第一固定部分并且具有小于或等于通孔的直径的直径,使得腰部穿过通孔;以及第二固定部分,连接到腰部并固定到加热板,其中头部具有球形上表面以便与基板点接触,其中第一固定部分被实施为凸缘,凸缘插入到限定在加热板的上表面中并从通孔延伸的凸缘凹槽中,其中凸缘包括凸缘主体,凸缘主体从头部向外突出并在头部周围以环形形状延伸;以及磨靶部分,包括凸缘主体的下表面,其中磨靶部分经受研磨,使得能够选择性地调节上述间距,其中,第二固定部分被实施为C形环对应件,C形环对应件形成为与C形环的形状对应的形状,C形环在其一侧处具有开口,使得C形环对应件可拆卸地装配到C形环中;其中C形环对应件被实施为阶梯状部分,阶梯状部分的直径小于通孔的直径使得阶梯状部分的至少一部分穿过通孔,并且阶梯状部分的直径大于腰部的直径使得腰部经由C形环固定到加热板,其中贯通接近销的长度大于加热板的厚度,其中加热板被实施为厚度为2mm或更小的超薄加热板,其中,超薄加热板用于对基板进行烘烤的液体膜固化工艺中,以便干燥应用于基板上的包括光刻胶膜或抗反射膜的液体膜。
根据如上所述的本公开的各种实施方式,可以方便地安装到超薄加热板中的贯通接近销可以用于克服减小加热板的厚度的限制或接近销的制造限制。使用C形环、固定销、可弹性变形部分、固定螺母、手柄等可以最大化组装的便利性。可以形成竖直地延伸穿过超薄加热板的通孔,以消除不均匀的应力集中。贯通接近销和基板可以彼此点接触,并且可以减小贯通接近销与加热板的限定通孔的内壁之间的接触面积,以减小热应力。通过使用具有低热导率的工程塑料材料(诸如,PEEK或PEEK-CA)作为贯通接近销的头部的材料来降低贯通接近销的头部的热导率,可以防止对基板的热冲击。通过使用通孔或散热部分增加散热,可以快速且均匀地加热基板。基板被支承的竖直高度可以通过研磨磨靶部分来控制。
本公开的效果不限于上述效果,并且本领域技术人员从以下描述将清楚地理解未提及的其它效果。
附图说明
通过以下结合附图的详细描述,本公开的上述和其它目的、特征和其它优点将被更清楚地理解,在附图中:
图1是示意性地示出根据本公开的一些实施方式的基板处理装置的立体图;
图2是示出图1中的基板处理装置的侧视图;
图3是图1中的基板处理装置的俯视图;
图4是示出图3中的基板处理装置的传送单元的手部的俯视图;
图5是示意性地示出图3中的热处理腔的俯剖图;
图6是示意性地示出图3中的热处理腔的正剖图;
图7是图6中的加热单元的正剖图;
图8是示出图7中的加热单元的贯通接近销的放大剖视图;
图9是示出图8中的贯通接近销的组装状态的立体图;
图10是示出图9的贯通接近销和C形环的放大立体图;以及
图11至图18是示出根据本公开的各种实施方式的贯通接近销的几个示例的放大剖视图。
具体实施方式
在下文中,将参考附图详细描述本公开的各种优选实施方式。
本公开的实施方式被提供以向本领域技术人员更完全地描述本公开内容。以下实施方式可以以各种形式修改,并且本公开的范围不限于以下实施方式。相反,提供这些实施方式使得本公开彻底和完整,并且提供这些实施方式是为了向本领域技术人员充分传达本公开的精神。此外,为了便于说明和清楚起见,放大了附图中每个层的厚度或尺寸。附图中公开的用于描述本公开的实施方式的形状、尺寸、比率、角度、数量等是说明性的,并且本公开不限于此。相同的附图标记在本文中表示相同的元件。
本文中所使用的术语仅针对描述特定实施方式的目的而不旨在限制本公开。如本文中所使用的,单数构成“一个”和“一种”旨在也包括复数构成,除非上下文另外清楚地指示。还将理解,当在本说明书中使用时,术语“包括”、“包括有”、“包含”和“包含有”指定所陈述的特征、整数、操作、元件和/或组件的存在,但不排除一个或更多个其它特征、整数、操作、元件、组件和/或其部分的存在或添加。
在下文中,将参考示意性地示出本公开的理想实施方式的附图来描述本公开的实施方式。在附图中,根据例如制造技术和/或公差,可以预期所示形状的变化。因此,本公开的实施方式不应被解释为限于本文中所示的区域的特定形状,且应包括例如在制造工艺中引起的形状变化。
图1是示意性地示出根据本公开的一些实施方式的基板处理装置1的立体图,图2是示出图1中的基板处理装置1的侧视图,以及图3是示出图1中的基板处理装置1的俯视图。
如图1至图3中所示,根据本公开的一些实施方式的基板处理装置1包括转位模块20、处理模块30和接口模块40。根据实施方式,转位模块20,处理模块30和接口模块40顺序地布置成一行。在下文中,转位模块20、处理模块30和接口模块40所布置的方向被称为X轴方向12,并且在俯视图中垂直于X轴方向12的方向是Y轴方向14。Z轴方向16垂直于X轴方向12和Y轴方向14二者。
转位模块20将基板W从在其中存放基板W的容器10传送到处理模块30,并将处理后的基板W存放在容器10中。转位模块20的长度方向是Y轴方向14。转位模块20具有装载端口22和转位框架24。装载端口22在转位框架24周围与处理模块30相对。容纳基板W的容器10设置在装载端口22中。可以设置多个装载端口22,并且多个装载端口22可以沿着Y轴方向14布置。
容器10可以被实施为密封容器10,例如前开式晶圆传送盒(FOUP)。容器10可以使用诸如高架传送器、高架运输机或自动引导车辆(未示出)的运输装置(未示出)或者由操作者设置在装载端口22中。
转位机器人2200设置在转位框架24内。在转位框架24内,设置有在Y轴方向14上延伸的导轨2300,Y轴方向14作为导轨2300的长度方向。转位机器人2200可以配置成能够在导轨2300上移动。转位机器人2200包括其上放置基板W的手部2220。手部2220可以配置成向前和向后移动,以绕Z轴方向16旋转,并且可以在Z轴方向16上移动。
处理模块30对基板W执行涂覆工艺和显影工艺。处理模块30具有涂覆块30a和显影块30b。涂覆块30a对基板W执行涂覆工艺,并且显影块30b对基板W执行显影工艺。设置有多个涂覆块30a,并且多个涂覆块30a堆叠在彼此的顶部上。设置有多个显影块30b,并且显影块30b堆叠在彼此的顶部上。根据图1的实施方式,设置有两个涂覆块30a,并且设置有两个显影块30b。涂覆块30a可以设置在显影块30b之下。在一个示例中,两个涂覆块30a可以执行相同的工艺并且可以具有相同的结构。此外,两个显影块30b可以执行相同的工艺并且可以具有相同的结构。然而,本公开不限于此。
参考图3,涂覆块30a具有热处理腔3200、传送腔3400、液体处理腔3600和缓冲腔3800。热处理腔3200对基板W执行热处理工艺。热处理工艺可以包括冷却工艺和加热工艺。液体处理腔3600在基板W上提供液体以形成液体膜。液体膜可以是光刻胶膜或抗反射膜。传送腔3400将基板W在热处理腔3200和液体处理腔3600之间传送并且在涂覆块30a内。
传送腔3400具有平行于X轴方向12的长度方向。传送单元3420设置在传送腔3400中。传送单元3420将基板W在热处理腔3200、液体处理腔3600和缓冲腔3800之间传送。在一个示例中,传送单元3420具有其上放置基板W的手部A(参见图4),其中手部A可以配置成向前和向后移动,绕Z轴方向16旋转,并且可以沿着Z轴方向16移动。长度方向平行于X轴方向12的导轨3300设置在传送腔3400中。传送单元3420可以配置成能够在导轨3300上移动。
图4是示出图3中的基板处理装置1的传送单元3420的手部A的平面图。
如图4中所示,手部A具有基部3428和支承突起3429。基部3428可以具有部分地切割的环形形状。基部3428的内径大于基板W的直径。支承突起3429从基部3428向内延伸。
多个支承突起3429设置成支承基板W的边缘区域。在示例中,可以以相等的间距布置四个支承突起3429。
再次参考图2和图3,设置有多个热处理腔3200。热处理腔3200沿着X轴方向12布置成一行。热处理腔3200位于传送腔3400的一侧上。
图5是示意性地示出图3中的热处理腔3200的俯剖图。图6是示意性地示出图3中的热处理腔3200的正剖图。图7是图6中的加热单元3230的正剖图。
热处理腔3200包括处理容器3201、冷却单元3220和加热单元3230。
处理容器3201具有内部空间3202。处理容器3201通常形成为矩形平行六面体的形状。基板W通过其进入和退出的入口(未示出)形成在处理容器3201的侧壁中。此外,门(未示出)可以配置成打开和关闭入口。入口可以选择性地保持打开。入口可以形成在与冷却单元3220相邻的区域中。冷却单元3220和加热单元3230设置在处理容器3201的内部空间3202中。冷却单元3220和加热单元3230沿着Y轴方向14并排布置。排气管线3210可以连接到处理容器3201。排气管线3210可以将在风扇单元(未示出)的操作下提供的气体排出处理容器3201。排气管线3210可以连接到处理容器3201的底部。然而,本发明不限于此,排气管线3210可以连接到处理容器3201的一侧等。
冷却单元3220具有冷却板3222。基板W可以设置在冷却板3222上。冷却板3222在俯视图中可以具有大致的圆形形状。冷却构件(未示出)设置在冷却板3222中。在一个示例中,冷却构件形成在冷却板3222内部,并且可以被实施为冷却流体流过的流动路径。因此,冷却板3222可以冷却基板W。冷却板3222可以具有与基板W的直径对应的直径。冷却板3222的边缘处可以形成有凹口。凹口可以具有与如上所述的形成在手部A上的支承突起3429的形状对应的形状。此外,凹口的数量可以对应于形成在手部A上的支承突起3429的数量。每个凹口可以定位在与支承突起3429中的每个的位置对应的位置处。当手部A和冷却板3222中的每个的竖直高度改变时,将基板W在手部A和冷却板3222之间传送。
冷却板3222具有限定在其中的多个狭缝状引导凹槽3224。引导凹槽3224从冷却板3222的一端延伸到冷却板3222的内部。引导凹槽3224具有沿着Y轴方向14的长度方向。引导凹槽3224布置成沿着X轴方向12彼此间隔开。引导凹槽3224防止当基板在冷却板3222和加热单元3230之间传送时冷却板3222和升降销1340彼此干扰。
冷却板3222可以支承在支承构件3237上。支承构件3237可以包括棒状的第一支承构件和连接到第一支承构件的中部的第二支承构件。第一支承构件的一端和另一端联接到驱动器3226。驱动器3226安装在导轨3229上。在俯视图中,导轨3229具有沿着Y轴方向14的长度方向,并且可以设置在处理容器3201的两个相对侧中的每个上。在安装在导轨3229上的驱动器3226的操作下,冷却板3222可以能够沿着Y轴方向14移动。
加热单元3230可以包括壳体3232、加热板4100、升降销1340和驱动构件3238。壳体3232可以包括主体和盖。主体可以设置在盖的底部处。主体可以具有敞开的顶部。主体可以具有带敞开的顶部的圆柱形形状。盖可以覆盖主体的敞开的顶部。盖可以具有带敞开的底部的圆柱形形状。可替代地,盖可以具有覆盖主体顶部的板形状。主体和盖可以相互联接以形成处理空间1110。此外,盖可以连接到驱动构件3238,驱动构件3238在上下方向上移动盖。因此,盖可以在上下方向上移动以打开和关闭处理空间1110。例如,当基板W进入或离开处理空间1110时,盖可以向上移动以打开处理空间1110。此外,当在处理空间1110中处理基板W时,盖可以向下移动以关闭处理空间1110。
加热板4100可以在处理空间1110中支承基板W。基板W可以设置在加热板4100上。加热板4100在俯视图中具有大致的圆形形状。加热板4100的直径大于基板W的直径。
加热板4100可以被实施为具有内置的加热线图案(未示出)的超薄加热板。加热线图案是一种类型的加热器,并且可以被实施为在向其施加电流时产生热量的加热电阻器。因此,加热板4100可以加热基板W。加热板4100设置有可以沿着Z轴方向16向上或向下移动的升降销1340。升降销1340从加热单元3230外部的传送装置接收基板W,并将其放置在加热板4100上,或者从加热板4100提升基板W,并将其移交到加热单元3230外部的传送装置。在一个示例中,可以提供三个升降销1340。
加热单元3230包括壳体1100和支承单元1300。
壳体1100具有限定在其中的用于加热基板W的处理空间1110。处理空间1110设置为与外部密封的空间。壳体1100包括上主体1120、下主体1140和密封构件1160。
上主体1120设置成具有敞开的底部的圆柱形形状。下主体1140设置成具有敞开的顶部的圆柱体的形状。下主体1140位于上主体1120下方。上主体1120和下主体1140定位成在竖直方向上彼此面对。上主体1120和下主体1140彼此结合以形成处理空间1110。上主体1120和下主体1140定位成使得它们的中心轴在竖直方向上彼此重合。
下主体1140可以具有与上主体1120的直径相同的直径。也就是说,下主体1140的顶部可以面对上主体1120的底部。
上主体1120和下主体1140中的一个在竖直移动的构件1130的操作下可以能够移动到打开位置和密封位置,并且它们中的另一个固定在其位置。在此实施方式中,描述了下主体1140的位置固定并且上主体1120能够移动的示例。打开位置是上主体1120和下主体1140彼此间隔开使得处理空间1110打开的位置。密封位置是处理空间1110被下主体1140和上主体1120与外部密封的位置。
密封构件1160位于上主体1120和下主体1140之间。密封构件1160确保在上主体1120和下主体1140彼此接触时处理空间1110与外部密封。密封构件1160可以设置成环形形状。密封构件1160可以固定地联接到下主体1140的顶部。
支承单元1300在处理空间1110中支承基板W。支承单元1300包括加热板4100和贯通接近销4500。
在俯视图中,加热板4100可以具有大致的圆形形状。连接到真空管线的真空孔1360可以形成在加热板4100中。
图8是示出图7中的加热单元3230的贯通接近销4500的放大剖视图。图9是示出图8中的贯通接近销4500的组装状态的立体图,以及图10是示出图9中的贯通接近销4500和C形环CR的放大立体图。
如图8至图10中所示,根据本公开的一些实施方式的基板处理装置1内形成有加热线图案(未示出)。基板处理装置1可以包括加热基板W的加热板4100和穿过形成在加热板4100中的通孔H并安装在加热板4100中的贯通接近销4500,使得基板W可以与加热板4100以间距S间隔开。
在这点上,贯通接近销4500可以形成为具有大于加热板4100的厚度T1的长度L,以便穿过加热板4100。
此加热板4100可以被实施为厚度为2mm或更小的超薄加热板,其可以应用于对基板W进行烘烤的液体膜固化工艺以便干燥应用于基板W的液体膜(诸如,光刻胶(PR)膜或抗反射膜),或者可以应用于对基板进行烘烤同时提供六甲基二硅氮烷(HMDS)气体的基板疏水化工艺,以提高光刻胶的粘附效率。
贯通接近销4500可以主要包括头部4510、第一固定部分4520、腰部4530和第二固定部分4540。
头部4510的顶部的竖直高度比加热板4100的具有高度H1的上表面F1的竖直高度高间距S,使得头部4510的顶部与基板W接触。头部4510具有半球形形状或圆顶形状,使得头部与基板W点接触。然而,头部4510的形状不必限于半球形或圆顶形状,并且可以形成为各种形状,诸如尖头形状或者其宽度随着形状向上延伸而逐渐变小的多面体形状。
因此,头部4510可以与基板W的背表面点接触以最小化热传递,从而最小化施加到基板W的热应力或热冲击。
在这点上,头部4510可以由作为具有小于1W/mk的热导率的材料的PEEK或PEEK-CA或合成树脂材料(诸如,特氟隆)或其它工程塑料制成,以便防止可能在其与基板W的接触区域处出现的局部热传递。头部4510可以经由注射模制或切割PEEK或PEEK-CA或合成树脂材料(诸如,特氟隆)或其它工程塑料来形成。
第一固定部分4520可以与头部4510一体地形成,并且由与头部4510的材料相同的材料制成。第一固定部分4520和头部4510可以经由注射模制彼此一体地形成。第一固定部分4520可以被实施为突起部分,所述突起部分的直径D2大于或等于通孔H的内径D1,使得与第一固定部分4520一体地形成的头部4510可以支承在加热板4100的通孔H的肩部上。
第一固定部分4520可以被实施为凸缘4522,凸缘4522的直径D2小于限定在加热板4100的上表面F1中并且从通孔H向上延伸的凸缘凹槽FH的内径D5,使得凸缘4522可以插入到凸缘凹槽FH中。
凸缘4522可以包括延伸超过头部4510并且具有环形形状的凸缘主体4523以及包括凸缘主体4523的下表面的磨靶部分4524,其中磨靶部分4524可以被研磨,使得可以选择性地调节间距S。
磨靶部分4524是可以使用研磨工具而被研磨的部分,并且可以是磨靶表面,或者可以被实施为能够容易地被研磨的从凸缘主体4523向下突出的至少一个磨靶突起(未示出)。
腰部4530可以与第一固定部分4520一体地形成,并且由与第一固定部分4520的材料相同的材料制成。腰部4530和第一固定部分4520可以经由注射模制彼此一体地形成。腰部4530可以具有小于或等于通孔H的内径D1的直径D3,使得腰部可以穿过通孔H。
腰部4530可以穿过通孔H并且可以与加热板4100的限定通孔H的内壁间隔开,使得腰部可以宽松地插入到通孔H中,以最小化从加热板4100传递至其的热能。然而,腰部4530不必限于附图中所示的内容,并且也可以与加热板4100的限定通孔H的内壁紧密接触,并且可以强制地装配到加热板4100的通孔H中。
第二固定部分4540可以与腰部4530一体地形成,并且可以由与腰部4530的材料相同的材料制成。第二固定部分4540和腰部4530可以经由注射模制彼此一体地形成。第二固定部分4540可以固定到加热板4100的下表面F2。
第二固定部分4540可以用作C形环对应件4541,C形环对应件4541的形状对应于C形环CR的形状,使得C形环对应件4541可以可拆卸地装配到在一侧处具有开口Ca的C形环CR中。
C形环对应件4541可以被实施为阶梯状部分4542,阶梯状部分4542的直径D4可以小于通孔H的内径D1,使得阶梯状部分4542可以穿过通孔H,并且阶梯状部分4542的直径D4可以大于腰部的直径D3,使得腰部4530可以经由C形环CR固定到加热板4100,例如,平面C形环CR1形成为大致平坦的形状。阶梯状部分4542可以与加热板4100的下表面F2以等于或大于C形环CR的厚度T2的间距隔开。
因此,根据本公开,如图9中所示,贯通接近销4500的腰部4530和第二固定部分4540可以穿过加热板4100的通孔H,并且作为第一固定部分4520的凸缘4522可以插入到凸缘凹槽FH中,使得贯通接近销4500的上部分可以牢固地固定。此外,如图10中所示,在贯通接近销4500的腰部4530和第二固定部分4540已经穿过加热板4100的通孔H之后,平面C形环CR1可以与暴露于外部的作为第二固定部分4540的阶梯状部分4542接合,使得贯通接近销4500的下部分可以牢固地固定。
此时,C形环CR的开口Ca可以使用插入到形成于其中的夹具孔中并靠近开口Ca的第一夹具J1强制加宽。C形环CR可以使用第二夹具J2容易地插入到加热板4100和阶梯状部分4542之间的间隙中,第二夹具J2具有限定在其中的容纳C形环的临时安装凹槽,使得C形环可以与腰部4530强制配合。
这种C形环CR不必限于附图中所示的内容,可以被实施为各种形式的C形环或固定件。
因此,可以方便地安装到超薄加热板4100中的贯通接近销4500可以用于克服减小加热板4100的厚度的限制或接近销的制造限制。使用C形环CR可以最大化组装的便利性。竖直延伸穿过超薄加热板4100的通孔H可以形成为消除不均匀的应力集中。贯通接近销4500和基板W可以彼此点接触,并且可以减小贯通接近销4500和加热板4100的限定通孔H的内壁之间的接触面积,以减小热应力。通过使用具有低热导率的工程塑料材料(诸如,PEEK或PEEK-CA)作为贯通接近销4500的头部4510的材料来降低贯通接近销的头部的热导率,可以防止对基板W的热冲击。通过使用通孔H增加散热,基板W可以被快速和均匀地加热。基板W被支承的竖直高度可以通过研磨磨靶部分4524来控制。
图11至图18是示出根据本公开的各种实施方式的贯通接近销4500的几个示例的放大剖视图。
如图11中所示,根据本公开的一些其它实施方式的贯通接近销4500的第二固定部分4540被实施为阶梯状部分4542,阶梯状部分4542可以经由倾斜C形环CR2弹性地固定到加热板4100,倾斜C形环CR2具有在上下方向上作用的弹性恢复力。
因此,即使当由于热膨胀或热收缩而出现加热板4100或贯通接近销4500的热变形时,倾斜C形环CR2的弹性恢复力也可以缓冲热变形,使得阶梯状部分4542和C形环CR可以总是彼此弹性地紧密接触。
如图12中所示,根据本公开的一些其它实施方式的贯通接近销4500的第二固定部分4540被实施为阶梯状部分4542,阶梯状部分4542可以经由弹性弹簧E联接的C形环CR3弹性固定到加热板4100,弹性弹簧E联接的C形环CR3具有在上下方向上作用的弹性恢复力。
因此,即使当由于热膨胀或热收缩而出现加热板4100或贯通接近销4500的热变形时,弹性弹簧E联接的C形环CR3的弹性恢复力也可以缓冲热变形,使得阶梯状部分4542和C形环CR可以总是彼此弹性地紧密接触。
如图13中所示,在根据本公开的一些其它实施方式的贯通接近销4500中,第一固定部分4520可以被实施为与加热板4100的上表面F1接触的凸缘4521,腰部4530可以穿过通孔H并且可以与限定通孔H的内壁紧密接触,并且第二固定部分4540可以被实施为C形环凹槽4543,C形环凹槽4543形成在腰部4530中并且形成为与C形环CR对应的形状使得腰部4530可以通过C形环CR固定到加热板4100。
因此,尽管不需要在加热板4100的上表面F1中形成上述凸缘凹槽FH,并且不需要在贯通接近销4500上形成上述阶梯状部分4542,但是腰部4530仍然可以非常简单地插入到通孔H中,以将贯通接近销4500的顶部和底部牢固地固定到加热板4100。
如图14中所示,在根据本公开的一些其它实施方式的贯通接近销4500中,第二固定部分4540可以被实施为固定销对应件4544(销接纳孔),固定销对应件4544(销接纳孔)形成在腰部中并且形成为与固定销PN对应的形状,使得固定销PN而不是上述C形环CR可以可拆卸地插入到固定销对应件4544(销接纳孔)中。在这点上,形成在腰部的外表面上的销接纳凹槽(未示出)而不是销接纳孔可以形成为固定销对应件4544。
因此,操作者可以使用固定销PN而不是上述C形环CR将贯通接近销4500的下部分牢固地固定到加热板4100。
如图15中所示,在根据本公开的一些其它实施方式的贯通接近销4500中,第二固定部分4540可以被实施为可弹性变形部分4545,可弹性变形部分4545形成为大致的箭头形状并且能够弹性变形,使得可弹性变形部分4545在穿过通孔H时收缩并且在离开通孔之后膨胀。
在这点上,弹性凹槽G可以在可弹性变形部分4545的中心处形成在可弹性变形部分4545中,以便平分可弹性变形部分4545,从而增加可弹性变形部分4545的弹性变形量。
因此,尽管操作者不需要分别组装上述C形环CR或固定销PN,但操作者仍然可以简单地使可弹性变形部分4545穿过通孔H。因此,可弹性变形部分4545在穿过通孔H时收缩并且然后在离开通孔之后膨胀,使得贯通接近销4500的底部可以以一种接触方式容易地固定到加热板。
如图16中所示,在根据本公开的一些其它实施方式的贯通接近销4500中,第二固定部分4540可以被实施为阳螺纹部分4546,固定螺母NT螺纹联接到阳螺纹部分4546。
因此,操作者可以将固定螺母NT螺纹联接到阳螺纹部分4546而不是使用上述C形环CR或固定销PN,以将贯通接近销4500的下部分固定到加热板。
在一个示例中,如图17中所示,根据本公开的一些其它实施方式的贯通接近销4500还可以包括手柄4550,手柄4550连接到第二固定部分4540并且由操作者的手握持。
手柄4550可以具有形成在其下端处的引导曲面4551,以便当贯通接近销4500穿过通孔H时平滑地引导插入。引导曲面4551可以具有圆形形状,以便在部件之间碰撞的情况下减轻冲击。然而,引导曲面4551可以形成为各种形状,诸如形成为倾斜表面的形式。
因此,操作者使手柄4550穿过通孔H,并且然后用其一只手握持手柄4550以防止阶梯状部分4542移动,并且然后用其另一只手握持C形环CR或用于C形环的夹具J1、J2,并将阶梯状部分4542和C形环CR彼此组装在一起。
在这点上,尽管未示出,但是手柄4550可以具有预先形成的切口。因此,在组装之后,可以在预先形成的位置处切割手柄,使得可以(强制地)从阶梯状部分4542移除手柄。
如图18中所示,根据本公开的一些其它实施方式的贯通接近销4500还可以包括连接到第二固定部分4540并由散热材料制成的散热部分4560,散热部分4560能够将从头部4510传递到散热部分4560的热量散发到外部。
散热部分4560可以通过与从头部4510、第一固定部分4520、腰部4530和第二固定部分4540选择的一种的材料或其组合不同的材料的双注射模制来形成,使得散热部分4560设置为所选择的一种材料。
凹面和凸面4561可以形成在散热部分4560的可接触外部空气的至少一部分上,从而进一步改善散热。
因此,贯通接近销4500的热能可以通过散热部分4560散发到外部空气中,以防止从加热板4100产生的高温热能流过贯通接近销4500并集中在其与基板W的接触点上的现象。
因此,根据如上所述的本公开的各种实施方式,可以方便地安装到超薄加热板4100中的贯通接近销4500可以用于克服减小加热板的厚度的限制或接近销的制造限制。使用C形环、固定销、可弹性变形部分、固定螺母、手柄等可以最大化组装的便利性。可以形成竖直延伸穿过超薄加热板4100的通孔H以消除不均匀的应力集中。贯通接近销4500和基板W可以彼此点接触,且可以减小贯通接近销与加热板4100的限定通孔H的内壁之间的接触面积以减小热应力。通过使用具有低热导率的工程塑料材料(诸如,PEEK或PEEK-CA)作为贯通接近销4500的头部的材料来降低贯通接近销的头部的热导率,可以防止对基板的热冲击。通过使用通孔H或散热部分4560增加散热,可以快速且均匀地加热基板W。基板W被支承的竖直高度可以通过研磨磨靶部分4524来控制。
在一个示例中,本公开提供了根据一些其它实施方式的基板处理装置1,基板处理装置1可以包括:具有限定在其中的处理空间的壳体3232以及用于在其上支承容纳在处理空间中的基板W的支承单元1300,其中支承单元1300可以包括:加热板4100,具有内置在其中的加热线图案以加热基板;升降销1340,安装在加热板中以便竖直地移动基板;引导构件1350,用于将基板对准在正确的位置处;真空孔1360,限定在加热板中以便产生真空压力,使得基板吸附到加热板;以及贯通接近销4500,安装在加热板中以便穿过形成在加热板4100中的通孔H,使得基板经由贯通接近销与加热板以间距隔开。
在这点上,壳体3232、支承单元1300、加热板4100、升降销1340、引导构件1350以及贯通接近销4500(其安装在加热板中以便穿过形成在加热板4100中的通孔H,使得基板经由贯通接近销与加热板以间距隔开)可以分别具有与如上所述的基板处理装置1的组件的配置和作用相同的配置和作用。因此,省略了其详细描述。
虽然为了说明的目的已经公开了本公开的优选实施方式,但是本领域技术人员将理解,在不背离如所附权利要求中公开的本公开的范围和精神的情况下,各种修改、添加和替换是可能的。

Claims (20)

1.基板处理装置,包括:
加热板,用于加热基板;以及
贯通接近销,安装在所述加热板中,以穿过形成在所述加热板中的通孔,使得所述基板经由所述贯通接近销与所述加热板以间距隔开。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,所述贯通接近销包括:
具有顶部的头部,其中所述顶部的竖直高度比所述加热板的上表面的竖直高度高所述间距,使得所述顶部与所述基板接触;
第一固定部分,连接到所述头部并且具有比所述通孔的直径大的直径,使得所述第一固定部分和连接到所述第一固定部分的所述头部支承在所述加热板上;以及
腰部,连接到所述第一固定部分并且具有小于或等于所述通孔的所述直径的直径,使得所述腰部穿过所述通孔。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其中,所述头部具有球形上表面,以便与所述基板点接触。
4.根据权利要求2所述的基板处理装置,其中,所述第一固定部分被实施为与所述加热板的所述上表面接触的凸缘。
5.根据权利要求2所述的基板处理装置,其中,所述第一固定部分被实施为凸缘,所述凸缘插入到限定在所述加热板的所述上表面中并从所述通孔延伸的凸缘凹槽中。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置,其中,所述凸缘包括:
凸缘主体,从所述头部向外突出并在所述头部周围以环形形状延伸;以及
磨靶部分,包括所述凸缘主体的下表面,其中所述磨靶部分经受研磨,使得能够选择性地调节所述间距。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置,其中,所述磨靶部分被实施为磨靶表面或至少一个磨靶突起。
8.根据权利要求2所述的基板处理装置,其中,所述贯通接近销还包括连接到所述腰部并固定到所述加热板的第二固定部分。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置,其中,所述第二固定部分被实施为C形环对应件,所述C形环对应件形成为与C形环的形状对应的形状,使得所述腰部通过限定在所述C形环的一侧处的开口可拆卸地装配到所述C形环中。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置,其中,所述C形环对应件被实施为阶梯状部分,所述阶梯状部分的直径小于所述通孔的所述直径使得所述阶梯状部分的至少一部分穿过所述通孔,并且所述阶梯状部分的所述直径大于所述腰部的所述直径使得所述腰部经由所述C形环固定到所述加热板,
其中,所述C形环包括选自平面C形环、倾斜C形环和弹性弹簧联接的C形环中的一种。
11.根据权利要求9所述的基板处理装置,其中,所述C形环对应件被实施为C形环凹槽,所述C形环凹槽形成在所述腰部中并且形成为与所述C形环的所述形状对应的形状,使得所述腰部经由所述C形环固定到所述加热板。
12.根据权利要求8所述的基板处理装置,其中,所述第二固定部分包括固定销对应件,所述固定销对应件形成在所述腰部中并且形成为与固定销对应的形状,使得所述固定销可拆卸地插入到所述固定销对应件中,
其中,所述固定销对应件被实施为固定销接纳孔或凹槽。
13.根据权利要求8所述的基板处理装置,其中,所述第二固定部分被实施为能够弹性变形的可弹性变形部分,使得所述可弹性变形部分在穿过所述通孔时收缩并且在离开所述通孔之后膨胀。
14.根据权利要求8所述的基板处理装置,其中,所述第二固定部分被实施为阳螺纹部分,固定螺母螺纹联接到所述阳螺纹部分。
15.根据权利要求8所述的基板处理装置,其中,所述贯通接近销还包括连接到所述第二固定部分的手柄,其中所述手柄由手握持。
16.根据权利要求8所述的基板处理装置,其中,所述贯通接近销还包括散热部分,所述散热部分连接到所述第二固定部分并且由散热材料制成,以将从所述头部传递到所述散热部分的热量散发到外部。
17.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,所述贯通接近销的长度大于所述加热板的厚度。
18.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,所述加热板被实施为厚度为2mm或更小的超薄加热板,其中所述超薄加热板用于对所述基板进行烘烤的液体膜固化工艺中以便干燥应用于所述基板上的包括光刻胶膜或抗反射膜的液体膜,或者用于对所述基板进行烘烤同时提供六甲基二硅氮烷气体的基板疏水化工艺中以增加光刻胶的粘附性。
19.基板处理装置,包括:
壳体,具有限定在其中的处理空间;以及
支承单元,用于在其上支承容纳在所述处理空间中的基板,
其中,所述支承单元包括:
加热板,具有内置在其中的加热线图案以加热所述基板;
升降销,安装在所述加热板中以便使所述基板竖直地移动;
引导构件,用于将所述基板对准在正确的位置处;
真空孔,限定在所述加热板中以便产生真空压力,使得所述基板吸附到所述加热板;以及
贯通接近销,安装在所述加热板中以便穿过形成在所述加热板中的通孔,使得所述基板经由所述贯通接近销与所述加热板以间距隔开。
20.基板处理装置,包括:
加热板,具有内置在其中的加热线图案以加热基板;以及
贯通接近销,安装在所述加热板中以便穿过形成在所述加热板中的通孔,使得所述基板经由所述贯通接近销与所述加热板以间距隔开,
其中,所述贯通接近销包括:
具有顶部的头部,其中所述顶部的竖直高度比所述加热板的上表面的竖直高度高所述间距,使得所述顶部与所述基板接触;
第一固定部分,连接到所述头部并且具有大于所述通孔的直径的直径,使得所述第一固定部分和连接到所述第一固定部分的所述头部支承在所述加热板上;
腰部,连接到所述第一固定部分并且具有小于或等于所述通孔的所述直径的直径,使得所述腰部穿过所述通孔;以及
第二固定部分,连接到所述腰部并且固定到所述加热板,
其中,所述头部具有球形上表面以便与所述基板点接触,
其中,所述第一固定部分被实施为凸缘,所述凸缘插入到限定在所述加热板的上表面中并且从所述通孔延伸的凸缘凹槽中,
其中,所述凸缘包括:
凸缘主体,从所述头部向外突出并在所述头部周围以环形形状延伸;以及
磨靶部分,包括所述凸缘主体的下表面,其中所述磨靶部分经受研磨,使得能够选择性地调节所述间距,
其中,所述第二固定部分被实施为C形环对应件,所述C形环对应件形成为与C形环的形状对应的形状,所述C形环在其一侧处具有开口,使得所述C形环对应件可拆卸地装配到所述C形环中,
其中,所述C形环对应件被实施为阶梯状部分,所述阶梯状部分的直径小于所述通孔的所述直径使得所述阶梯状部分的至少一部分穿过所述通孔,并且所述阶梯状部分的所述直径大于所述腰部的所述直径,使得所述腰部经由所述C形环固定到所述加热板,
其中,所述贯通接近销的长度大于所述加热板的厚度,
其中,所述加热板被实施为厚度为2mm或更小的超薄加热板,其中所述超薄加热板用于对所述基板进行烘烤的液体膜固化工艺中,以便干燥应用于所述基板上的包括光刻胶膜或抗反射膜的液体膜。
CN202311589359.2A 2022-12-09 2023-11-27 基板处理装置 Pending CN118173469A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220171660A KR20240086280A (ko) 2022-12-09 2022-12-09 기판 처리 장치
KR10-2022-0171660 2022-12-09

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN118173469A true CN118173469A (zh) 2024-06-11

Family

ID=91346253

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202311589359.2A Pending CN118173469A (zh) 2022-12-09 2023-11-27 基板处理装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20240194517A1 (zh)
KR (1) KR20240086280A (zh)
CN (1) CN118173469A (zh)

Also Published As

Publication number Publication date
US20240194517A1 (en) 2024-06-13
KR20240086280A (ko) 2024-06-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100638865B1 (ko) 독립적으로 지지되는 웨이퍼 카세트를 포함하는 smif포드
US10770329B2 (en) Gas flow for condensation reduction with a substrate processing chuck
EP3753046B1 (en) Substrate transfer mechanism to reduce back-side substrate contact
JP6466955B2 (ja) 側面数増強対応移送チャンバ、半導体デバイスの製造処理ツール及び処理方法
US20130272686A1 (en) Substrate heat treatment apparatus
US20160035601A1 (en) Bake unit, substrate treating apparatus including the unit, and substrate treating method
CN107017187B (zh) 衬底处理设备以及衬底处理方法
US20170133245A1 (en) Substrate mounting mechanism and substrate processing apparatus
EP1944799A2 (en) High temperature robot end effector
KR20200062374A (ko) 리프트 핀 홀더
EP1047116A2 (en) Backside gas delivery system for a semiconductor wafer processing system
TW202213589A (zh) 預裝載腔室及半導體製程平臺
US20220005727A1 (en) Temperature control device
CN118173469A (zh) 基板处理装置
CN112786490B (zh) 传送单元、包括该传送单元的基板处理装置和基板处理方法
CN110416121A (zh) 用于处理基板的装置
US11935767B2 (en) Temperature control device
KR102397849B1 (ko) 기판 처리 장치
TW201539645A (zh) 基片保持系統和方法
KR20190057087A (ko) 다양한 직경의 진공 웨이퍼 핸들링
CN112599439A (zh) 支撑单元、包括其的衬底处理装置以及衬底处理方法
US11569103B2 (en) Apparatus for transporting substrate and system for treating substrate with the apparatus
US20060236941A1 (en) Passive wafer support for particle free wafer acceleration
KR20240026120A (ko) 교체 가능한 웨이퍼 접촉 패드가 마련된 로봇 엔드 이펙터
US20220102171A1 (en) Substrate treating apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication