CN118147598A - 镀膜调试方法、装置、终端设备以及存储介质 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 62
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 123
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 64
- 239000007888 film coating Substances 0.000 claims abstract description 53
- 238000009501 film coating Methods 0.000 claims abstract description 53
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 53
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 43
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 460
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 81
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 33
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 27
- 238000010586 diagram Methods 0.000 claims description 16
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 7
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 claims description 6
- 238000007405 data analysis Methods 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 26
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 5
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 238000007619 statistical method Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- -1 average thickness Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000013079 data visualisation Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000011112 process operation Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000012958 reprocessing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
-
- G—PHYSICS
- G16—INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGY [ICT] SPECIALLY ADAPTED FOR SPECIFIC APPLICATION FIELDS
- G16C—COMPUTATIONAL CHEMISTRY; CHEMOINFORMATICS; COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE
- G16C60/00—Computational materials science, i.e. ICT specially adapted for investigating the physical or chemical properties of materials or phenomena associated with their design, synthesis, processing, characterisation or utilisation
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Computing Systems (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Bioinformatics & Cheminformatics (AREA)
- Bioinformatics & Computational Biology (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本申请公开了一种镀膜调试方法、装置、终端设备以及存储介质，其镀膜调试方法包括：根据掩膜版的初始位置，对衬底材料进行薄膜溅射处理，得到镀膜材料，并测量所述镀膜材料的薄膜厚度均匀性；判断所述薄膜厚度均匀性是否满足预设薄膜厚度均匀性指标；若所述薄膜厚度均匀性不满足所述预设薄膜厚度均匀性指标，则根据所述薄膜厚度均匀性，对所述掩膜版的位置进行调整，以使所述镀膜材料的薄膜厚度均匀性满足所述预设薄膜厚度均匀性指标。实现了薄膜厚度的控制，提高镀膜产品生产良率。
Description
技术领域
本申请涉及磁控溅射技术领域，尤其涉及一种镀膜调试方法、装置、终端设备以及存储介质。
背景技术
磁控溅射是一种工艺操作简单，成膜均匀度高，参数可控，重复性好、适宜于大规模产业的镀膜技术。然而随着设备的使用，靶材的刻蚀，均匀性挡板的变形，磁场的变化，使得设备的均匀性发生改变，导致磁控镀膜设备膜层均匀性偏差变大，无法满足生产的良率要求。
因此，有必要提出一种能调控薄膜厚度均匀性的方案。
发明内容
本申请的主要目的在于提供一种镀膜调试方法、装置、终端设备以及存储介质，旨在实现薄膜厚度的控制，提高镀膜产品生产良率。
为实现上述目的，本申请提供一种镀膜调试方法，所述镀膜调试方法应用于薄膜溅射平台，所述薄膜溅射平台包括掩膜版和至少一个衬底材料，包括以下步骤:
根据所述掩膜版的初始位置，对所述衬底材料进行薄膜溅射处理，得到镀膜材料，并测量所述镀膜材料的薄膜厚度均匀性；
判断所述薄膜厚度均匀性是否满足预设薄膜厚度均匀性指标；
若所述薄膜厚度均匀性不满足所述预设薄膜厚度均匀性指标，则根据所述薄膜厚度均匀性，对所述掩膜版的位置进行调整，以使所述镀膜材料的薄膜厚度均匀性满足所述预设薄膜厚度均匀性指标。
可选地，所述根据所述掩膜版的初始位置，对所述衬底材料进行薄膜溅射处理，得到镀膜材料，并测量所述镀膜材料的薄膜厚度均匀性的步骤之前，包括：
获取原始衬底材料；
对所述原始衬底材料进行清洗和/或等离子体处理，得到所述衬底材料。
可选地，所述测量所述镀膜材料的薄膜厚度均匀性的步骤，包括：
检测所述镀膜材料上若干个预设的测试点；
对所述测试点的薄膜厚度进行测量，得到若干个测试点薄膜厚度值；
根据所述测试点薄膜厚度值和预设数据分析算法，生成薄膜厚度分布图；
根据所述薄膜厚度分布图，确定所述薄膜厚度均匀性。
可选地，所述根据所述薄膜厚度分布图，确定所述薄膜厚度均匀性的步骤，包括：
根据所述薄膜厚度分布图，确定薄膜厚度基准值；
根据所述薄膜厚度基准值，确定所述薄膜厚度均匀性。
可选地，所述薄膜厚度基准值包括薄膜厚度最小值，所述根据所述薄膜厚度基准值，确定所述薄膜厚度均匀性的步骤，包括：
计算所述测试点薄膜厚度值与所述薄膜厚度最小值的偏差量，得到若干个测试点偏差量；
根据所述测试点偏差量和所述薄膜厚度最小值，得到若干个测试点偏差百分比；
根据所述偏差百分比，得到所述薄膜厚度均匀性。
可选地，所述若所述薄膜厚度均匀性不满足所述预设薄膜厚度均匀性指标，则根据所述薄膜厚度均匀性，对所述掩膜版的位置进行调整，以使所述镀膜材料的薄膜厚度均匀性满足所述预设薄膜厚度均匀性指标的步骤，包括：
根据所述薄膜厚度均匀性，计算掩膜版的调整距离；
根据所述调整距离，对所述掩膜版的位置进行调整，得到所述掩膜版的调整位置；
根据所述掩膜版的调整位置，返回执行对所述衬底材料进行薄膜溅射处理的步骤及后续步骤，直至所述薄膜厚度均匀性满足所述预设薄膜厚度均匀性指标。
可选地，所述根据所述薄膜厚度均匀性，计算掩膜版的调整距离的步骤，包括：
获取掩膜版刻度与所述偏差百分比的对应关系；
根据所述对应关系、所述测试点厚度值和所述薄膜厚度最小值，计算掩膜版的调整距离。
可选地，根据所述对应关系、所述测试点厚度值和所述薄膜厚度最小值，计算掩膜版的调整距离，包括：
测试点偏差量＝测试点薄膜厚度值－薄膜厚度最小值
单侧掩膜版调整距离＝(测试点偏差量÷薄膜厚度最小值)×偏差百分比时对应的掩膜版刻度×取整倍数÷2。
本申请实施例还提出一种镀膜调试装置，所述镀膜调试装置应用于薄膜溅射平台，所述薄膜溅射平台包括掩膜版和至少一个衬底材料，所述镀膜调试装置包括：
薄膜溅射模块，用于根据所述掩膜版的初始位置，对所述衬底材料进行薄膜溅射处理，得到镀膜材料，并测量所述镀膜材料的薄膜厚度均匀性；
判断模块，用于判断所述薄膜厚度均匀性是否满足预设薄膜厚度均匀性指标；
调整模块，用于若所述薄膜厚度均匀性不满足所述预设薄膜厚度均匀性指标，则根据所述薄膜厚度均匀性，对所述掩膜版的位置进行调整，以使所述镀膜材料的薄膜厚度均匀性满足所述预设薄膜厚度均匀性指标。
本申请实施例还提出一种终端设备，所述终端设备包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的镀膜调试程序，所述镀膜调试程序被所述处理器执行时实现如上所述的镀膜调试方法的步骤。
本申请实施例还提出一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有镀膜调试程序，所述镀膜调试程序被处理器执行时实现如上所述的镀膜调试方法的步骤。
本申请实施例提出的镀膜调试方法、装置、终端设备以及存储介质，通过根据所述掩膜版的初始位置，对所述衬底材料进行薄膜溅射处理，得到镀膜材料，并测量所述镀膜材料的薄膜厚度均匀性；判断所述薄膜厚度均匀性是否满足预设薄膜厚度均匀性指标；若所述薄膜厚度均匀性不满足所述预设薄膜厚度均匀性指标，则根据所述薄膜厚度均匀性，对所述掩膜版的位置进行调整，以使所述镀膜材料的薄膜厚度均匀性满足所述预设薄膜厚度均匀性指标。通过实时测量薄膜厚度均匀性并对掩膜版进行调整，可以及时发现和纠正生产制造过程中的薄膜厚度均匀性问题，有助于提高生产效率，提高镀膜产品生产良率；也可以根据特定需求确定掩膜版位置，优化薄膜的厚度分布，以使其满足预设的薄膜厚度均匀性指标实现对薄膜的厚度均匀性改善，提高薄膜的质量和性能。
附图说明
图1为本申请镀膜调试装置所属终端设备的功能模块示意图；
图2为本申请镀膜调试方法第一示例性实施例的流程示意图；
图3为本申请镀膜调试方法第二示例性实施例的流程示意图；
图4为本申请镀膜调试方法第三示例性实施例的流程示意图；
图5为本申请镀膜调试方法第四示例性实施例的流程示意图；
图6为本申请镀膜调试方法第五示例性实施例的流程示意图；
图7为本申请镀膜调试方法第六示例性实施例的流程示意图；
图8为本申请镀膜调试方法中的测试点分布示例图；
图9为本申请镀膜调试方法中的掩膜版位置示例图；
图10为本申请镀膜调试方法另一示例性实施例的流程示意图。
本申请目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
本申请实施例的主要解决方案是：通过根据所述掩膜版的初始位置，对所述衬底材料进行薄膜溅射处理，得到镀膜材料，并测量所述镀膜材料的薄膜厚度均匀性；判断所述薄膜厚度均匀性是否满足预设薄膜厚度均匀性指标；若所述薄膜厚度均匀性不满足所述预设薄膜厚度均匀性指标，则根据所述薄膜厚度均匀性，对所述掩膜版的位置进行调整，以使所述镀膜材料的薄膜厚度均匀性满足所述预设薄膜厚度均匀性指标。通过实时测量薄膜厚度均匀性并对掩膜版进行调整，可以及时发现和纠正生产制造过程中的薄膜厚度均匀性问题，有助于提高生产效率，提高镀膜产品生产良率；也可以根据特定需求确定掩膜版位置，优化薄膜的厚度分布，以使其满足预设的薄膜厚度均匀性指标实现对薄膜的厚度均匀性改善，提高薄膜的质量和性能。
本申请实施例考虑到，磁控溅射是一种工艺操作简单，成膜均匀度高，参数可控，重复性好、适宜于大规模产业的镀膜技术。然而随着设备的使用，靶材的刻蚀，均匀性挡板的变形，磁场的变化，使得设备的均匀性发生改变。由于磁控镀膜设备膜层均匀性偏差变大，无法满足镀膜后片内/片间厚度±3％指标，导致良率降低。大多数镀膜线采用立式条形靶，靶材的长度大于镀膜尺寸，垂直方向的薄膜厚度均匀性得以保障，但靶材的宽度小于镀膜尺寸，无法保障水平方向的薄膜厚度均匀性，因此水平方向的薄膜厚度均匀性情况相较垂直方向的薄膜厚度均匀性情况差很多。
因此，本申请实施例方案，通过实时测量薄膜厚度均匀性并对掩膜版进行调整，可以及时发现和纠正生产制造过程中的薄膜厚度均匀性问题，有助于提高生产效率，提高镀膜产品生产良率；也可以根据特定需求确定掩膜版位置，优化薄膜的厚度分布，以使其满足预设的薄膜厚度均匀性指标实现对薄膜的厚度均匀性改善，提高薄膜的质量和性能。
具体地，参照图1，图1为本申请镀膜调试装置所属终端设备的功能模块示意图。该镀膜调试装置可以为独立于终端设备的、能够进行薄膜厚度均匀性检测、掩膜版调整距离计算的装置，其可以通过硬件或软件的形式承载于终端设备上。该终端设备可以为手机、平板电脑等具有数据处理功能的智能移动终端，还可以为具有数据处理功能的固定终端设备或服务器等。
在本实施例中，该镀膜调试装置所属终端设备至少包括输出模块110、处理器120、存储器130以及通信模块140。
存储器130中存储有操作系统以及镀膜调试程序，镀膜调试装置可以将薄膜厚度均匀性、预设薄膜厚度均匀性指标和测试点薄膜厚度值等信息存储于该存储器130中；输出模块110可为显示屏等。通信模块140可以包括WI F I模块、移动通信模块以及蓝牙模块等，通过通信模块140与外部设备或服务器进行通信。
其中，存储器130中的镀膜调试程序被处理器执行时实现以下步骤：
根据所述掩膜版的初始位置，对所述衬底材料进行薄膜溅射处理，得到镀膜材料，并测量所述镀膜材料的薄膜厚度均匀性；
判断所述薄膜厚度均匀性是否满足预设薄膜厚度均匀性指标；
若所述薄膜厚度均匀性不满足所述预设薄膜厚度均匀性指标，则根据所述薄膜厚度均匀性，对所述掩膜版的位置进行调整，以使所述镀膜材料的薄膜厚度均匀性满足所述预设薄膜厚度均匀性指标。
进一步地，存储器130中的镀膜调试程序被处理器执行时实现以下步骤：
获取原始衬底材料；
对所述原始衬底材料进行清洗和/或等离子体处理，得到所述衬底材料。
进一步地，存储器130中的镀膜调试程序被处理器执行时实现以下步骤：
检测所述镀膜材料上若干个预设的测试点；
对所述测试点的薄膜厚度进行测量，得到若干个测试点薄膜厚度值；
根据所述测试点薄膜厚度值和预设数据分析算法，生成薄膜厚度分布图；
根据所述薄膜厚度分布图，确定所述薄膜厚度均匀性。
进一步地，存储器130中的镀膜调试程序被处理器执行时实现以下步骤：
根据所述薄膜厚度分布图，确定薄膜厚度基准值；
根据所述薄膜厚度基准值，确定所述薄膜厚度均匀性。
进一步地，存储器130中的镀膜调试程序被处理器执行时实现以下步骤：
计算所述测试点薄膜厚度值与所述薄膜厚度最小值的偏差量，得到若干个测试点偏差量；
根据所述测试点偏差量和所述薄膜厚度最小值，得到若干个测试点偏差百分比；
根据所述偏差百分比，得到所述薄膜厚度均匀性。
进一步地，存储器130中的镀膜调试程序被处理器执行时实现以下步骤：
根据所述薄膜厚度均匀性，计算掩膜版的调整距离；
根据所述调整距离，对所述掩膜版的位置进行调整，得到所述掩膜版的调整位置；
根据所述掩膜版的调整位置，返回执行对所述衬底材料进行薄膜溅射处理的步骤及后续步骤，直至所述薄膜厚度均匀性满足所述预设薄膜厚度均匀性指标。
进一步地，存储器130中的镀膜调试程序被处理器执行时实现以下步骤：
获取掩膜版刻度与所述偏差百分比的对应关系；
根据所述对应关系、所述测试点厚度值和所述薄膜厚度最小值，计算掩膜版的调整距离。
进一步地，存储器130中的镀膜调试程序被处理器执行时实现以下步骤：
测试点偏差量＝测试点薄膜厚度值－薄膜厚度最小值
单侧掩膜版调整距离＝(测试点偏差量÷薄膜厚度最小值)×偏差百分比相对应的掩膜版刻度×取整倍数÷2。
基于上述终端设备架构但不限于上述架构，提出本申请方法实施例。
参照图2，图2为本申请镀膜调试方法第一示例性实施例的流程示意图。所述镀膜调试方法应用于薄膜溅射平台，所述薄膜溅射平台包括掩膜版和至少一个衬底材料，包括以下步骤:
步骤S100，根据所述掩膜版的初始位置，对所述衬底材料进行薄膜溅射处理，得到镀膜材料，并测量所述镀膜材料的薄膜厚度均匀性；
本实施例方法的执行主体可以是一种镀膜调试装置，也可以是一种镀膜调试终端设备或服务器，本实施例以镀膜调试装置进行举例，该镀膜调试装置可以集成在具有数据处理功能的智能手机、平板电脑等终端设备上。
本实施例方案主要提供一种通过调整掩膜版位置实现薄膜厚度控制的算法，提高镀膜产品生产良率。
具体地，衬底材料是指被用来进行薄膜溅射处理的基础材料，可以是玻璃、硅片、金属基板等。衬底材料要求为平整度高的材料，一般选用抛光硅片。如果镀膜层要求较厚，达到百纳米以上时，衬底材料也可以选择为玻璃或塑料材质。
薄膜溅射是一种利用离子轰击或者非离子化的高能粒子(通常是惰性气体)撞击靶材，使靶材中的原子或分子脱落并沉积在衬底材料表面的工艺。通过薄膜溅射处理，衬底材料表面被覆盖上了一层薄膜材料，即得到镀膜材料。为了确定镀膜材料的质量，需要对薄膜的厚度均匀性进行测量，测量的方式可以是通过台阶仪，也可以是由反射率进行的TFC膜系设计软件理论计算等等。此外，根据测量得到的薄膜厚度数据，也可以绘制出薄膜厚度分布图或者进行统计分析等操作，以了解薄膜的均匀性情况。
在薄膜溅射过程中，掩膜版被用来限制溅射材料沉积的位置，以便控制薄膜厚度均匀性。在进行第一次薄膜溅射处理之前，会根据实际情况确定掩膜版的初始位置。后续根据镀膜材料的薄膜厚度均匀性和预设薄膜厚度均匀性指标，能够确定是否需要对掩膜版的位置做进一步调整。
步骤S200，判断所述薄膜厚度均匀性是否满足预设薄膜厚度均匀性指标；
具体地，根据镀膜产品的要求和应用需求，通常会确定相应的预设薄膜厚度均匀性指标。这些指标可以包括薄膜的最大偏差、平均厚度或薄膜厚度范围等衡量薄膜均匀性的参数。
将实际测得的薄膜厚度数据与预设的薄膜厚度均匀性指标进行比较。如果实际测得的厚度数据符合预设指标的要求，则可以确定当前掩膜版位置为合适的薄膜厚度均匀性控制位置；否则，可以通过进一步调整掩膜版位置改善薄膜均匀性。
步骤S300，若所述薄膜厚度均匀性不满足所述预设薄膜厚度均匀性指标，则根据所述薄膜厚度均匀性，对所述掩膜版的位置进行调整，以使所述镀膜材料的薄膜厚度均匀性满足所述预设薄膜厚度均匀性指标。
具体地，基于当前薄膜厚度均匀性，可以确定对掩膜版位置调整的具体参数，可以包括调整距离、调整角度等参数。根据确定的调整参数，对掩膜版进行相应的位置调整。在掩膜版位置调整完成后，重新获取新的衬底材料并对衬底材料进行薄膜溅射处理。在完成薄膜制备后，再次使用合适的测量方法检测薄膜厚度均匀性。通过与预设的薄膜厚度均匀性指标进行比较，判断是否满足预设薄膜厚度均匀性指标要求，若满足预设薄膜厚度均匀性指标要求，则可以确定当前掩膜版位置为合适的薄膜厚度均匀性控制位置；否则，再次调整掩膜版位置，重复进行获取新的衬底材料并对衬底材料进行薄膜溅射处理过程及后续步骤，直至所述薄膜厚度均匀性满足所述预设薄膜厚度均匀性指标。
更具体地，如图10所示，图10为本申请镀膜调试方法示例性实施例的流程示意图，本方案提供一种镀膜调试方法，首先获得平整衬底，通过等离子体处理洁净衬底，洁净衬底后进行磁控溅射薄膜沉积操作，并进行薄膜厚度测试。如果实际测得的厚度数据不符合预设指标的要求，则对掩膜版(MASK条)与靶材边缘间距进行调整，重新进行磁控溅射薄膜沉积操作，并进行薄膜厚度测试。如果实际测得的厚度数据仍然不符合预设指标的要求，对掩膜版(MASK条)与靶材边缘间距进行调整，重复进行获取新的衬底材料并对衬底材料进行薄膜溅射处理过程及后续步骤，直至所述薄膜厚度均匀性满足所述预设薄膜厚度均匀性指标。
本实施例通过上述方案，具体通过根据所述掩膜版的初始位置，对所述衬底材料进行薄膜溅射处理，得到镀膜材料，并测量所述镀膜材料的薄膜厚度均匀性；判断所述薄膜厚度均匀性是否满足预设薄膜厚度均匀性指标；若所述薄膜厚度均匀性不满足所述预设薄膜厚度均匀性指标，则根据所述薄膜厚度均匀性，对所述掩膜版的位置进行调整，以使所述镀膜材料的薄膜厚度均匀性满足所述预设薄膜厚度均匀性指标。通过实时测量薄膜厚度均匀性并对掩膜版进行调整，可以及时发现和纠正生产制造过程中的薄膜厚度均匀性问题，有助于提高生产效率，提高镀膜产品生产良率；也可以根据特定需求确定掩膜版位置，优化薄膜的厚度分布，以使其满足预设的薄膜厚度均匀性指标，实现对薄膜的厚度均匀性改善，提高薄膜的质量和性能。
参照图3，图3为本申请镀膜调试方法第二示例性实施例的流程示意图。基于上述图2所示的实施例，在本实施例中，根据所述掩膜版的初始位置，对所述衬底材料进行薄膜溅射处理，得到镀膜材料，并测量所述镀膜材料的薄膜厚度均匀性的步骤之前，包括：
步骤S101，获取原始衬底材料；
步骤S102，对所述原始衬底材料进行清洗和/或等离子体处理，得到所述衬底材料。
具体地，获取用于薄膜制备的原始衬底材料，可以是硅片、玻璃基板、金属基板等各种类型的基材，衬底材料要求为平整度高的材料，一般选用抛光硅片。如果镀膜层要求较厚，达到百纳米以上时，衬底材料也可以选择为玻璃或塑料材质。对原始衬底材料进行清洗，以去除表面的尘埃、杂质、油污等。
等离子体处理是一种利用等离子体的化学反应和物理作用来改变材料表面性质的工艺，可以包括等离子体清洗、等离子体氧化、等离子体辅助沉积等。通过等离子体处理除去原始衬底材料表面的有机物，使薄膜溅射处理后生成的镀膜层与衬底之间形成良好的附着力。
本实施例通过上述方案，通过清洗和/或等离子体处理，可以有效去除原始衬底材料表面上的尘埃、杂质和油污等杂质，保证衬底材料表面的干净和纯净，改善薄膜与衬底材料之间的附着性，确保在后续的工艺过程中，薄膜能够牢固地附着在衬底上，不易剥落。清洗和等离子体处理也有助于提高薄膜的均匀性、致密性和纯度，有利于产品的性能和可靠性。
进一步地，参照图4，图4为本申请镀膜调试方法第三示例性实施例的流程示意图。基于上述图2所示的实施例，在本实施例中，测量所述镀膜材料的薄膜厚度均匀性的步骤，包括：
步骤S103，检测所述镀膜材料上若干个预设的测试点；
步骤S104，对所述测试点的薄膜厚度进行测量，得到若干个测试点薄膜厚度值；
步骤S105，根据所述测试点薄膜厚度值和预设数据分析算法，生成薄膜厚度分布图；
步骤S106，根据所述薄膜厚度分布图，确定所述薄膜厚度均匀性。
具体地，可以根据实际情况在镀膜材料的水平方向均匀设置若干个测试点，如图9所示，其中1、2、3……16分别代表16个测试点，选择合适的测量方法检测每个测试点的薄膜厚度，得到测试点薄膜厚度值。
可以使用例如MATLAB或Python等数据统计软件，对测试点薄膜厚度值进行统计分析，计算平均值、标准差、最大值或最小值等统计指标，以了解膜厚的分布情况。根据统计分析的结果，选择合适的绘图方式来呈现膜厚分布。绘图方式可以包括直方图、箱线图或核密度估计图等。最后通过例如MATLAB或Python等数据可视化工具绘制图表，生成薄膜厚度分布图。根据薄膜厚度分布图，可以直观的表现薄膜厚度的均匀性，如果薄膜厚度分布图呈现出较为均匀的趋势，则说明薄膜具有较好的均匀性。也可以通过对薄膜厚度分布图中的数据进行相关指标的量化计算，根据计算结果确定薄膜厚度均匀性。
本实施例通过上述方案，通过对若干个预设的测试点进行薄膜厚度测量，可以确保对整个薄膜的厚度进行代表性测试，从而更准确地评估整个薄膜的厚度情况，提高薄膜厚度测试效率。通过预设数据分析算法生成薄膜厚度分布图，可以直观地展示薄膜厚度在不同位置的分布情况，有助于分析薄膜厚度的均匀性。
进一步地，参照图5，图5为本申请镀膜调试方法第四示例性实施例的流程示意图。基于上述图2所示的实施例，在本实施例中，根据所述薄膜厚度分布图，确定所述薄膜厚度均匀性的步骤，包括：
步骤S1061，根据所述薄膜厚度分布图，确定薄膜厚度基准值；
步骤S1062，根据所述薄膜厚度基准值，确定所述薄膜厚度均匀性。
具体地，薄膜厚度基准值可以根据薄膜生产时的厚度优化目标和/或预设薄膜厚度均匀性指标，在薄膜厚度分布图中的数据进行选择，例如，当厚度优化目标为降低薄膜厚度时，可以选择薄膜厚度最小值作为薄膜厚度基准值，通过计算所有测试点的厚度值与薄膜厚度最小值的差距来量化体现薄膜厚度均匀性；当薄膜厚度有部分符合预设薄膜厚度均匀性指标要求，另一部分大于预设薄膜厚度均匀性指标要求时，可以遍历所有测试点薄膜厚度值，找出其中的薄膜厚度最大值和薄膜厚度最小值，然后计算其中的平均值，得到薄膜厚度平均值作为薄膜厚度的基准值。
根据薄膜厚度基准值，可以进一步评估薄膜厚度均匀性。如果测试点厚度值与基准值相差较小且差值分布较为均匀，则说明薄膜的厚度均匀性较好；如果测试点的厚度值与基准值相差较大或者差值分布不均匀，则说明薄膜的厚度均匀性较差。
本实施例通过上述方案，通过确定薄膜厚度基准值并评估厚度均匀性，有助于后续准确控制或优化薄膜的制备过程，以确保薄膜厚度在预设范围内，实现对薄膜的厚度均匀性改善，提高薄膜的质量和性能，提高镀膜产品良率。
进一步地，参照图6，图6为本申请镀膜调试方法第五示例性实施例的流程示意图。基于上述图2所示的实施例，在本实施例中，薄膜厚度基准值包括薄膜厚度最小值，根据所述薄膜厚度基准值，确定所述薄膜厚度均匀性的步骤，包括：
步骤S10621，计算所述测试点薄膜厚度值与所述薄膜厚度最小值的偏差量，得到若干个测试点偏差量；
步骤S10622，根据所述测试点偏差量和所述薄膜厚度最小值，得到若干个测试点偏差百分比；
步骤S10623，根据所述偏差百分比，得到所述薄膜厚度均匀性。
具体地，当薄膜厚度基准值设置为薄膜厚度最小值时，遍历所有测试点的薄膜厚度值，找出其中的最小值。通过比较所有测试点的厚度值与最小值的差距来评估薄膜的厚度均匀性。
将每个测试点薄膜厚度值减去薄膜厚度最小值，可以计算出每个测试点厚度值与薄膜厚度最小值的偏差量。为了更好地评估薄膜厚度均匀性，可以将测试点的偏差量转化为偏差百分比。偏差百分比可以通过以下公式计算：
测试点偏差百分比＝(测试点偏差量÷薄膜厚度最小值)×100％。
根据得到的偏差百分比，可以对薄膜的厚度均匀性进行评估。如果所有测试点的偏差百分比都较小且接近于零，说明薄膜的厚度分布较为均匀。反之，如果某些测试点的偏差百分比较大，则说明薄膜的厚度分布较不均匀。
本实施例通过上述方案，通过计算测试点的偏差量和偏差百分比，可以量化评估薄膜厚度均匀性，从而更准确地了解生成的薄膜的质量，可以及时发现薄膜的制备过程中存在的不均匀性问题，后续可以针对性地调整掩膜版位置，优化薄膜制备过程，控制薄膜厚度分布在预设范围内，从而提高产品的质量和性能稳定性，提高镀膜产品生产良率。
进一步地，参照图7，图7为本申请镀膜调试方法第六示例性实施例的流程示意图。基于上述图2所示的实施例，在本实施例中，若所述薄膜厚度均匀性不满足所述预设薄膜厚度均匀性指标，则根据所述薄膜厚度均匀性，对所述掩膜版的位置进行调整，以使所述镀膜材料的薄膜厚度均匀性满足所述预设薄膜厚度均匀性指标的步骤，包括：
步骤S301，根据所述薄膜厚度均匀性，计算掩膜版的调整距离；
步骤S302，根据所述调整距离，对所述掩膜版的位置进行调整，得到所述掩膜版的调整位置；
步骤S303，根据所述掩膜版的调整位置，返回执行对所述衬底材料进行薄膜溅射处理的步骤及后续步骤，直至所述薄膜厚度均匀性满足所述预设薄膜厚度均匀性指标。
具体地，根据薄膜厚度均匀性的信息，可以计算出掩膜版位置调整的具体调整距离。调整距离可以是根据薄膜厚度均匀性的信息中测试点薄膜厚度值与薄膜厚度基准值偏差量和偏差百分比来计算得到的，旨在使调整掩膜版位置后进行薄膜溅射生成镀膜材料的薄膜厚度分布更加均匀。
根据调整距离，对掩膜版的位置进行相应的调整，即掩膜版与靶材边缘间距的调节值。调整后的掩膜版位置将会更好地适应薄膜厚度不均匀的情况，从而有助于提高薄膜的均匀性。
调整掩膜版位置后，重新进行衬底材料的薄膜溅射处理，并进行后续镀膜材料的薄膜厚度均匀性测量、判断镀膜材料的薄膜厚度均匀性是否满足预设薄膜厚度均匀性指标的步骤。如果还未满足预设的薄膜厚度均匀性指标，则重复上述步骤，通过反复调整掩膜版位置并重新处理薄膜来实现薄膜厚度的均匀性优化，直至薄膜厚度均匀性达到预期指标为止。
本实施例通过上述方案，通过对薄膜厚度均匀性进行评估和计算，能够准确地确定掩膜版的调整距离，实现对掩膜版位置的精准控制。通过不断调整掩膜版的位置并重新处理薄膜，直至薄膜厚度均匀性满足预设指标，可以最大限度地提高薄膜厚度优化效率。
基于上述图2所示的实施例，所述根据所述薄膜厚度均匀性，计算掩膜版的调整距离的步骤，包括：
步骤S3011，获取掩膜版刻度与所述偏差百分比的对应关系；
步骤S3012，根据所述对应关系、所述测试点厚度值和所述薄膜厚度最小值，计算掩膜版的调整距离。
具体地，当掩膜版刻度与偏差百分比存在预设的对应关系时，掩膜版刻度对应为某一预设的偏差百分比，例如，掩膜版刻度上2mm代表偏差百分比为1％，即每个点厚度偏差百分比为1％时，掩膜版需要移动距离2mm。为精确偏移值，可以增加相应的取整倍数进行取整，取整倍数可以设置为100。因需对掩膜版的两侧的移动距离同时进行修正，故单侧掩膜版的调整距离除2。
进一步地，所述根据所述对应关系、所述测试点厚度值和所述薄膜厚度最小值，计算掩膜版的调整距离，包括：
测试点偏差量＝测试点薄膜厚度值－薄膜厚度最小值
单侧掩膜版调整距离＝(测试点偏差量÷薄膜厚度最小值)×偏差百分比时对应的掩膜版刻度×取整倍数÷2。
因此，当薄膜厚度基准值为薄膜厚度最小值时，掩膜版的调整距离计算公式如下：
测试点偏差量＝测试点薄膜厚度值－薄膜厚度最小值
单侧掩膜版调整距离＝(测试点偏差量÷薄膜厚度最小值)×偏差百分比为1％时对应的掩膜版刻度×取整倍数÷2。
本实施例通过上述方案，通过掩膜版刻度与实际距离的转换关系，能够准确地将掩膜版的刻度与实际距离相对应起来，在实际操作中就可以根据刻度直接计算出实际需要的调整距离，提高了调整距离计算的精准性，从而实现对掩膜版位置的精准控制。
此外，本申请实施例还提出一种镀膜调试装置，所述镀膜调试装置包括：
薄膜溅射模块，用于根据所述掩膜版的初始位置，对所述衬底材料进行薄膜溅射处理，得到镀膜材料，并测量所述镀膜材料的薄膜厚度均匀性；
判断模块，用于判断所述薄膜厚度均匀性是否满足预设薄膜厚度均匀性指标；
调整模块，用于若所述薄膜厚度均匀性不满足所述预设薄膜厚度均匀性指标，则根据所述薄膜厚度均匀性，对所述掩膜版的位置进行调整，以使所述镀膜材料的薄膜厚度均匀性满足所述预设薄膜厚度均匀性指标。
本实施例实现镀膜调试的原理及实施过程，请参照上述各实施例，在此不再赘述。
此外，本申请实施例还提出一种终端设备，所述终端设备包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的镀膜调试程序，所述镀膜调试程序被所述处理器执行时实现如上所述的镀膜调试方法的步骤。
由于本镀膜调试程序被处理器执行时，采用了前述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有前述所有实施例的全部技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。
此外，本申请实施例还提出一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有镀膜调试程序，所述镀膜调试程序被处理器执行时实现如上所述的镀膜调试方法的步骤。
由于本镀膜调试程序被处理器执行时，采用了前述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有前述所有实施例的全部技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。
相比现有技术，本申请实施例提出的镀膜调试方法、装置、终端设备以及存储介质，通过根据所述掩膜版的初始位置，对所述衬底材料进行薄膜溅射处理，得到镀膜材料，并测量所述镀膜材料的薄膜厚度均匀性；判断所述薄膜厚度均匀性是否满足预设薄膜厚度均匀性指标；若所述薄膜厚度均匀性不满足所述预设薄膜厚度均匀性指标，则根据所述薄膜厚度均匀性，对所述掩膜版的位置进行调整，以使所述镀膜材料的薄膜厚度均匀性满足所述预设薄膜厚度均匀性指标。通过实时测量薄膜厚度均匀性并对掩膜版进行调整，可以及时发现和纠正生产制造过程中的薄膜厚度均匀性问题，有助于提高生产效率，提高镀膜产品生产良率；也可以根据特定需求确定掩膜版位置，优化薄膜的厚度分布，以使其满足预设的薄膜厚度均匀性指标实现对薄膜的厚度均匀性改善，提高薄膜的质量和性能。
需要说明的是，在本文中，术语“包括”“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者系统不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者系统所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者系统中还存在另外的相同要素。
上述本申请实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。
通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件，但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术作出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在如上的一个存储介质(如ROM/RAM、磁碟、光盘)中，包括若干指令用以使得一台终端设备(可以是手机，计算机，服务器，被控终端，或者网络设备等)执行本申请每个实施例的方法。
以上仅为本申请的优选实施例，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。
Claims (11)
1.一种镀膜调试方法，其特征在于，所述镀膜调试方法应用于薄膜溅射平台，所述薄膜溅射平台包括掩膜版和至少一个衬底材料，包括以下步骤:
根据所述掩膜版的初始位置，对所述衬底材料进行薄膜溅射处理，得到镀膜材料，并测量所述镀膜材料的薄膜厚度均匀性；
判断所述薄膜厚度均匀性是否满足预设薄膜厚度均匀性指标；
若所述薄膜厚度均匀性不满足所述预设薄膜厚度均匀性指标，则根据所述薄膜厚度均匀性，对所述掩膜版的位置进行调整，以使所述镀膜材料的薄膜厚度均匀性满足所述预设薄膜厚度均匀性指标。
2.根据权利要求1所述的镀膜调试方法，其特征在于，所述根据所述掩膜版的初始位置，对所述衬底材料进行薄膜溅射处理，得到镀膜材料，并测量所述镀膜材料的薄膜厚度均匀性的步骤之前，包括：
获取原始衬底材料；
对所述原始衬底材料进行清洗和/或等离子体处理，得到所述衬底材料。
3.根据权利要求1所述的镀膜调试方法，其特征在于，所述测量所述镀膜材料的薄膜厚度均匀性的步骤，包括：
检测所述镀膜材料上若干个预设的测试点；
对所述测试点的薄膜厚度进行测量，得到若干个测试点薄膜厚度值；
根据所述测试点薄膜厚度值和预设数据分析算法，生成薄膜厚度分布图；
根据所述薄膜厚度分布图，确定所述薄膜厚度均匀性。
4.根据权利要求3所述的镀膜调试方法，其特征在于，所述根据所述薄膜厚度分布图，确定所述薄膜厚度均匀性的步骤，包括：
根据所述薄膜厚度分布图，确定薄膜厚度基准值；
根据所述薄膜厚度基准值，确定所述薄膜厚度均匀性。
5.根据权利要求4所述的镀膜调试方法，其特征在于，所述薄膜厚度基准值包括薄膜厚度最小值，所述根据所述薄膜厚度基准值，确定所述薄膜厚度均匀性的步骤，包括：
计算所述测试点薄膜厚度值与所述薄膜厚度最小值的偏差量，得到若干个测试点偏差量；
根据所述测试点偏差量和所述薄膜厚度最小值，得到若干个测试点偏差百分比；
根据所述偏差百分比，得到所述薄膜厚度均匀性。
6.根据权利要求5所述的镀膜调试方法，其特征在于，所述若所述薄膜厚度均匀性不满足所述预设薄膜厚度均匀性指标，则根据所述薄膜厚度均匀性，对所述掩膜版的位置进行调整，以使所述镀膜材料的薄膜厚度均匀性满足所述预设薄膜厚度均匀性指标的步骤，包括：
根据所述薄膜厚度均匀性，计算掩膜版的调整距离；
根据所述调整距离，对所述掩膜版的位置进行调整，得到所述掩膜版的调整位置；
根据所述掩膜版的调整位置，返回执行对所述衬底材料进行薄膜溅射处理的步骤及后续步骤，直至所述薄膜厚度均匀性满足所述预设薄膜厚度均匀性指标。
7.根据权利要求6所述的镀膜调试方法，其特征在于，所述根据所述薄膜厚度均匀性，计算掩膜版的调整距离的步骤，包括：
获取掩膜版刻度与所述偏差百分比的对应关系；
根据所述对应关系、所述测试点厚度值和所述薄膜厚度最小值，计算掩膜版的调整距离。
8.根据权利要求7所述的镀膜调试方法，其特征在于，所述根据所述对应关系、所述测试点厚度值和所述薄膜厚度最小值，计算掩膜版的调整距离，包括：
测试点偏差量＝测试点薄膜厚度值－薄膜厚度最小值
单侧掩膜版调整距离＝(测试点偏差量÷薄膜厚度最小值)×偏差百分比相对应的掩膜版刻度×取整倍数÷2。
9.一种镀膜调试装置，其特征在于，所述镀膜调试装置应用于薄膜溅射平台，所述薄膜溅射平台包括掩膜版和至少一个衬底材料，所述镀膜调试装置包括：
薄膜溅射模块，用于根据所述掩膜版的初始位置，对所述衬底材料进行薄膜溅射处理，得到镀膜材料，并测量所述镀膜材料的薄膜厚度均匀性；
判断模块，用于判断所述薄膜厚度均匀性是否满足预设薄膜厚度均匀性指标；
调整模块，用于若所述薄膜厚度均匀性不满足所述预设薄膜厚度均匀性指标，则根据所述薄膜厚度均匀性，对所述掩膜版的位置进行调整，以使所述镀膜材料的薄膜厚度均匀性满足所述预设薄膜厚度均匀性指标。
10.一种终端设备，其特征在于，所述终端设备包括存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的镀膜调试程序，所述镀膜调试程序被所述处理器执行时实现如权利要求1-8中任一项所述的镀膜调试方法的步骤。
11.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有镀膜调试程序，所述镀膜调试程序被处理器执行时实现如权利要求1-8中任一项所述的镀膜调试方法的步骤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202410228697.1A CN118147598A (zh) | 2024-02-29 | 2024-02-29 | 镀膜调试方法、装置、终端设备以及存储介质 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202410228697.1A CN118147598A (zh) | 2024-02-29 | 2024-02-29 | 镀膜调试方法、装置、终端设备以及存储介质 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN118147598A true CN118147598A (zh) | 2024-06-07 |
Family
ID=91295992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202410228697.1A Pending CN118147598A (zh) | 2024-02-29 | 2024-02-29 | 镀膜调试方法、装置、终端设备以及存储介质 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| CN (1) | CN118147598A (zh) |
-
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